JP7067854B2 - ディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法 - Google Patents
ディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7067854B2 JP7067854B2 JP2016088403A JP2016088403A JP7067854B2 JP 7067854 B2 JP7067854 B2 JP 7067854B2 JP 2016088403 A JP2016088403 A JP 2016088403A JP 2016088403 A JP2016088403 A JP 2016088403A JP 7067854 B2 JP7067854 B2 JP 7067854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- filler
- display device
- lower substrate
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 143
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 104
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 89
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 76
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 66
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 26
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- -1 spodium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 108010049264 Teriparatide Proteins 0.000 claims 3
- 229940053641 forteo Drugs 0.000 claims 3
- OGBMKVWORPGQRR-UMXFMPSGSA-N teriparatide Chemical compound C([C@H](NC(=O)[C@H](CCSC)NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](CO)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@@H](N)CO)C(C)C)[C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC=1N=CNC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CCSC)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CC=1N=CNC=1)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(O)=O)C1=CNC=N1 OGBMKVWORPGQRR-UMXFMPSGSA-N 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 6
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 5
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 5
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N trappsol cyclo Chemical compound CC(O)COC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)COCC(O)C)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1COCC(C)O ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N 0.000 description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N $l^{1}-indiganyloxyindium Chemical compound [In]O[In] BLBNEWYCYZMDEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/12—Silica-free oxide glass compositions
- C03C3/122—Silica-free oxide glass compositions containing oxides of As, Sb, Bi, Mo, W, V, Te as glass formers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
Description
本発明は、ディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法に係り、さらに詳細には、機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法に関する。
ディスプレイ装置において、有機発光ディスプレイ装置は、視野角が広く、コントラストにすぐれるだけではなく、応答速度が速いという長所を有しており、次世代ディスプレイ装置として注目を集めている。
一般的に、有機発光ディスプレイ装置は、基板上に、薄膜トランジスタ及び有機発光素子を形成し、有機発光素子が自ら光を発光して作動する。有機発光ディスプレイ装置は、携帯電話のような小型製品のディスプレイ部として使用されたり、テレビのような大型製品のディスプレイ部として使用されたりする。
有機発光ディスプレイ装置は、薄膜トランジスタ、有機発光素子及び配線パターンが形成される下部基板と、上部基板とが密封された構造である。具体的には、下部基板の外郭に沿って、シーリング物質を塗布し、そこに上部基板を搭載した後、紫外線（ＵＶ）を照射するような方法で、シーリング物質を硬化させることにより、下部基板と上部基板とを合着させている。ここで、シーリング物質は、ガラスフリットと、その内部に挿入されるフィラーとからなる。
しかし、従来の有機発光ディスプレイ装置には、ガラスフリットにフィラーを添加する場合、シーリング物質の機械的強度は向上する一方、流動性が低下し、製造過程においてハンドリングが容易ではなく、シーリング物質と基板との界面において結合力が弱化してしまうという問題点が存在した。
本発明は、前述のような問題点を含み、多くの問題点を解決するためのものであり、機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法を提供することを目的にする。しかし、かような課題は、例示的なものであり、それらによって、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一観点によれば、ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板、前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に配置されるディスプレイ部、前記下部基板に対向し、前記ディスプレイ部の上部に配置される上部基板、及び前記下部基板の前記周辺領域上に配置され、前記下部基板と前記上部基板とを接合させているシーリング部材と、を具備し、前記シーリング部材は、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び酸化鉄を含んだ第２フィラーを含む、有機発光ディスプレイ装置が提供される。
本実施形態によれば、前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。
本実施形態によれば、前記第２フィラーは、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍでもある。
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ（熱膨張率ともいう））が（－９０～５０）×１０－７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成されてもよい。
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト（ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）、非晶質シリカ（ｓｉｌｉｃａ）、ユークリプタイト（ｅｕｃｒｙｐｔｉｔｅ）、チタン酸アルミナ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｔｉｔａｎａｔｅ）、スポジュメン（ｓｐｏｄｕｍｅｎｅ）、ウィレマイト（ｗｉｌｌｅｍｉｔｅ）及びムライト（ｍｕｌｉｔｅ）から構成された群から１種以上を含んでもよい。
本実施形態によれば、前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比で形成されていてもよい。
本実施形態によれば、前記シーリング部材は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％（ｗｔ％）、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含んでもよい。
本発明の他の一観点によれば、ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板を準備する段階と、前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に、ディスプレイ部を形成する段階と、前記下部基板の前記周辺領域上に、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び酸化鉄を含んだ第２フィラーを含むシーリング用組成物を形成する段階と、前記下部基板上に上部基板を位置させた後、前記シーリング用組成物を媒介にして、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階と、を含む、有機発光ディスプレイ装置の製造方法が提供される。
本実施形態によれば、前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。
本実施形態によれば、前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍでもある。
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（－９０～５０）×１０－７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成することができる。
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含んで形成することができる。
本実施形態によれば、前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比で形成することができる。
本実施形態によれば、前記シーリング用組成物は、ガラス粒子を５０ないし９０重量％（ｗｔ％）、第１フィラーを１ないし５０重量％、第２フィラーを１ないし５重量％で形成することができる。
本実施形態によれば、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階は、前記シーリング用組成物が形成された前記上部基板または前記下部基板にレーザを照射し、前記下部基板及び前記上部基板を接合する段階でもある。
本発明の他の一観点によれば、Ｖ２Ｏ５系のガラス粒子と、セラミックス材料を含む第１フィラーと、酸化鉄を含む第２フィラーと、を具備する、ディスプレイ装置シーリング用組成物が提供される。
本実施形態によれば、前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。
本実施形態によれば、前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍでもある。
本実施形態によれば、前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（－９０～５０）×１０－７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成されてもよい。
本実施形態によれば、第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含んで形成することができる。
本実施形態によれば、前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比で形成されてもよい。
本実施形態によれば、前記ディスプレイ装置シーリング用組成物は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％（ｗｔ％）、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含んでもよい。
前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
このような一般的であって具体的な側面は、システム、方法、コンピュータプログラム、あるいはいかなるシステム、方法、コンピュータプログラムの組み合わせを使用して実施される。
本発明の一実施形態によれば、機械的強度及び流動特性が同時に向上したディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法を具現することができる。しかし、このような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明において詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によっても具現される。
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は省略する。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用された。また、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
一方、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。また、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分の「上に」または「上部に」あるとするとき、他の部分の「真上に」または「すぐ上部に」にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面では、説明の便宜のために、構成要素が、その大きさが誇張されていたり縮小されていたりすることがある。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の３つの軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味に解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交してもよいが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指してもよい。
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明する手順と異なるように遂行されてもよい。例えば、連続して説明する２つの工程が、実質的に同時に遂行されもし、説明する順序と反対の順序に進められてもよい。
図１は、本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置を概略的に図示する平面図であり、図２は、図１の有機発光ディスプレイ装置をＩＩ－ＩＩ線に沿って切り取った断面を概略的に図示する断面図である。
図１及び図２を参照すれば、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、下部基板１００、下部基板１００上に配置されるディスプレイ部２００、下部基板１００と対向する上部基板４００、及び下部基板１００と上部基板４００とを接合させるシーリング部材３００を含む。
下部基板１００は、ＳｉＯ２を主成分にする透明なガラス材質からなってもよい。下部基板１００は、必ずしもそれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材によって形成されてもよい。下部基板１００を形成するプラスチック材は、絶縁性有機物でもあるが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ：ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ：ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅｎ ｎａｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｅｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ：ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ：ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）からなるグループから選択される有機物でもある。
画像が下部基板１００側に具現される背面発光型である場合、下部基板１００は、透明な材質から形成されなければならない。しかし、画像が下部基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、下部基板１００は、必ずしも透明な材質で形成する必要はない。その場合、金属で下部基板１００を形成することができる。金属で下部基板１００を形成する場合、下部基板１００は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、Ｉｎｖａｒ合金、Ｉｎｃｏｎｅｌ合金及びＫｏｖａｒ合金からなる群から選択された１以上を含んでもよいが、それらに限定されるものではなく、例えば、炭素が含まれてもよい。
また、図１及び図２には図示されていないが、下部基板１００の上面には、下部基板１００の平滑性、及び不純元素の浸透遮断のためにバッファ層（図示せず）がさらに具備されてもよい。
このような下部基板１００は、複数個の画素が配置されるディスプレイ領域ＤＡと、ディスプレイ領域ＤＡの外郭であって、ディスプレイ領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡとを有する。
上部基板４００は、ディスプレイ部２００が具備された下部基板１００上部に配置されてもよい。上部基板４００は、下部基板１００に対向し、ディスプレイ部２００上に配置され、後述するシーリング部材３００を媒介にして、下部基板１００と合着される。
このような上部基板４００も、下部基板１００と同様に、ガラス材基板だけではなく、上述したような多様なプラスチック材の基板を使用することもでき、さらに金属板を使用することもできる。その場合にも、画像が上部基板４００側に具現される前面発光型である場合には、上部基板４００は、透明な材質によって形成されなければならない。しかし、画像が下部基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、下部基板１００は、必ずしも透明な材質から形成する必要はない。
ディスプレイ部２００は、下部基板１００上に配置され、複数個の画素ＰＸを含んでもよい。例えば、それぞれの画素ＰＸは、複数個の薄膜トランジスタＴＦＴ（図３）と、それに電気的に連結された有機発光素子２４０（図３）とを具備することができる。ディスプレイ部２００の詳細な構造については、図３を参照して後述する。
シーリング部材３００は、下部基板１００の周辺領域ＰＡ上に配置され、それを介して、下部基板１００と上部基板４００とが合着される。シーリング部材３００は、ディスプレイ領域ＤＡに配置されたディスプレイ部２００と所定程度離隔されて配置され、下部基板１００の外郭から、やはり所定程度離隔されて内側に配置される。このようなシーリング部材３００は、例えば、ガラスフリットでもある。シーリング部材３００は、前述のように、下部基板１００と上部基板４００とを合着させる役割を行い、それを介して、ディスプレイ部２００が外部から密封される。
図３は、図２のディスプレイ部２００の構造を詳細に図示した断面図である。
図３を参照すれば、下部基板１００上には、薄膜トランジスタ層１９０が配置されるが、このような薄膜トランジスタ層１９０は、薄膜トランジスタＴＦＴ及びキャパシタＣＡＰが配置され、薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に連結される有機発光素子２４０が位置することができる。薄膜トランジスタＴＦＴは、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは有機半導体物質を含む半導体層１２０、ゲート電極１４０、ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄを含む。以下、薄膜トランジスタＴＦＴの一般的な構成について詳細に説明する。
ます、下部基板１００上には、下部基板１００の面を平坦化させるため、または薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１２０に、不純物などが侵透することを防止するために、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどによって形成されたバッファ層１１０が配置され、該バッファ層１１０上に、半導体層１２０が位置する。
半導体層１２０の上部には、ゲート電極１４０が配置されるが、該ゲート電極１４０に印加される信号によって、ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄが電気的に疎通される。ゲート電極１４０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、及び加工性などを考慮し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち１以上の物質によって、単層または多層に形成される。
このとき、半導体層１２０とゲート電極１４０との絶縁性を確保するために、酸化シリコン及び／または窒化シリコンなどによって形成されるゲート絶縁膜１３０が半導体層１２０とゲート電極１４０との間に介在される。
ゲート電極１４０の上部には、層間絶縁膜１５０が配置されるが、それは、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの物質におり、単層に形成されるか、または多層に形成される。
層間絶縁膜１５０の上部には、ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄが配置される。ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄは、層間絶縁膜１５０とゲート絶縁膜１３０とに形成されるコンタクトホールを介して、半導体層１２０にそれぞれ電気的に連結される。ソース電極１６０ｓ及びドレイン電極１６０ｄは、導電性などを考慮し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち１以上の物質によって、単層または多層に形成される。
一方、図面には図示されていないが、このような構造の薄膜トランジスタＴＦＴの保護のために、薄膜トランジスタＴＦＴを覆う保護膜（図示せず）が配置されてもよい。保護膜は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンのような無機物によって形成される。
一方、下部基板１００の上に、第１絶縁膜１７０が配置される。その場合、第１絶縁膜１７０は、平坦化膜でもあり、保護膜でもある。このような第１絶縁膜１７０は、薄膜トランジスタＴＦＴの上部に、有機発光素子が配置される場合、薄膜トランジスタＴＦＴの上面を概して平坦化させ、薄膜トランジスタＴＦＴ及び各種素子を保護する役割を行う。このような第１絶縁膜１７０は、例えば、アクリル系有機物またはＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などによって形成される。このとき、図３に図示されているように、バッファ層１１０、ゲート絶縁膜１３０、層間絶縁膜１５０及び第１絶縁膜１７０は、下部基板１００の全面に形成される。
一方、薄膜トランジスタＴＦＴの上部には、第２絶縁膜１８０が配置される。その場合、第２絶縁膜１８０は、画素定義膜でもある。第２絶縁膜１８０は、前述の第１絶縁膜１７０上に位置し、開口を有することができる。このような第２絶縁膜１８０は、下部基板１００上で、画素領域を定義する役割を行う。
このような第２絶縁膜１８０は、例えば、有機絶縁膜によって具備される。このような有機絶縁膜としては、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系高分子、ポリスチレン（ＰＳ）、フェノール基を有する高分子誘導体、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含んでもよい。
一方、第２絶縁膜１８０上には、有機発光素子２４０が配置される。有機発光素子２４０は、画素電極２１０、発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）を含む中間層２２０及び対向電極２３０を含んでもよい。
画素電極２１０は、半透明電極（以下（半）と記す）または透明電極、または反射型電極によって形成される。（半）透明電極に形成されるときには、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）またはＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｄｏｐｅｄ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）によって形成される。反射型電極に形成されるとき、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びそれらの化合物などによって形成された反射漠と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯまたはＡＺＯによって形成された層とを有することができる。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、多様な材質によって形成され、その構造も、単層または多層になってもよいなど多様な変形が可能であるということは言うまでもない。
第２絶縁膜１８０によって定義された画素領域には、中間層２２０がそれぞれ配置される。このような中間層２２０は、電気的信号によって光を発光する発光層（ＥＭＬ）を含み、発光層（ＥＭＬ）以外にも発光層（ＥＭＬ）と画素電極２１０との間に配置されるホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、及び発光層（ＥＭＬ）と対向電極２３０との間に配置される電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）などが、単一あるいは複合の構造に積層されて形成される。しかし、中間層２２０は、必ずしもそれらに限定されるものではなく、多様な構造を有するということは言うまでもない。このとき、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）は、基板全面に一体に形成され、発光層だけインクジェットプリンティング工程で画素別に形成される。
このような中間層２２０は、低分子有機物または高分子有機物でもある。
中間層２２０が低分子有機物である場合、発光層（ＥＭＬ）を中心に、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）などが積層される。それ以外にも、必要によって多様な層が積層になってもよい。このとき、使用可能な有機材料で、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ、Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス－８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを含め、多様に適用可能である。
中間層２２０が高分子有機物である場合、中間層２２０以外に、ホール輸送層（ＨＴＬ）が含まれてもよい。ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用することができる。このとき、使用可能な有機材料として、ＰＰＶ（ｐｏｌｙ－ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系などの高分子有機物を使用することができる。また、中間層２２０、画素電極２１０及び対向電極２３０の間には無機材料がさらに具備されもする。
発光層（ＥＭＬ）を含む中間層２２０を覆い、画素電極２１０に対向する対向電極２３０が、下部基板１００の全面にかけて配置される。対向電極２３０は、（半）透明電極または反射型電極に形成される。
対向電極２３０が（半）透明電極に形成されるときには、仕事関数が小さい金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物によって形成された層と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの（半）透明導電層とを有することができる。対向電極２３０が反射型電極に形成されるときには、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物によって形成された層を有することができる。しかし、対向電極２３０の構成及び材料は、それらに限定されるものではなく、多様な変形が可能であるということは言うまでもない。
図４は、図２のシーリング部材３００を拡大して模式的に図示した拡大図である。
図４を参照すれば、シーリング部材３００は、ガラス粒子３１０、第１フィラー３２０及び第２フィラー３３０を含んでもよい。本実施形態によるシーリング部材３００は、例えば、ガラスフリットでもある。
このようなシーリング部材３００を形成するためには、図示されていないが、まずガラスフリットペースト（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ ｐａｓｔｅ）を作らなければならない。このようなガラスフリットペーストは、固形分であるガラス粒子３１０と、液状であるビークル（ｖｅｈｉｃｌｅ）とから構成される。ここで、ガラス粒子３１０は、普通４個以上の化合物組成を有するガラスを満遍なく砕いた粉であり、焼成が終わった後のシーリング部材３００の厚みをｔｆｒｉｔとすれば、その直径がｔｆｒｉｔの２０％以内になるように、乾式ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）を行う。普通ｔｆｒｉｔがおよそ３～３０μｍであるので、ガラス粒子３１０の平均粒径は、およそ０．６～６μｍに形成される。
本実施形態によるガラス粒子３１０は、Ｖ２Ｏ５系物質によって形成される。詳細には、ガラス粒子３１０は、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比を有するように形成される。
このようなシーリング部材３００を使用する有機発光ディスプレイ装置の下部基板１００及び上部基板４００は、熱工程前／後のパターン精度維持のために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ：ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）を有するガラスを使用するために、ガラスフリットペーストに使用されるガラス粒子３１０も、下部基板１００及び上部基板４００との熱膨張係数を合わせるために、それと最大限類似している熱膨張係数を有するようにすることが好ましい。
シーリング部材３００を局所的に溶融させ、下部基板１００と上部基板４００とを接合するためには、シーリング部材３００が可能な限り低温で溶けなければならず、溶けた後には、良好に流れ、下部基板１００及び上部基板４００と強い機械的な結合を形成しなければならない。このようなガラスは、物理的に高い熱膨張係数を有し、分子間の結合力も脆弱であり、極めて弱い耐衝撃性を有する。すなわち、小さい外力にもクラック（ｃｒａｃｋ）が発生しやすくなる。
従って、ガラス粒子３１０のこのような弱い耐衝撃性及び高い熱膨張係数を補償するために、ガラスフリットペーストを構成するとき、熱膨張係数が高いガラス粒子３１０に、熱膨張係数が相対的に低いセラミックス材料を含む第１フィラー３２０（ｆｉｌｌｅｒ）を添加する。このように、第１フィラー３２０は、基本的に、ガラス粒子３１０の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する物質であるならばよく、最適には、構造的な安定性及び低い熱膨張係数を具現するために、熱膨張係数が（－９０～５０）×１０－７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成される。このような物質としては、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックスまたはコーディエライト（ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）、非晶質シリカ（ｓｉｌｉｃａ）、ユークリプタイト（ｅｕｃｒｙｐｔｉｔｅ）、チタン酸アルミナ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｔｉｔａｎａｔｅ）、スポジュメン（ｓｐｏｄｕｍｅｎｅ）、ウィレマイト（ｗｉｌｌｅｍｉｔｅ）、ムライト（ｍｕｌｉｔｅ）及びリン酸ケイ酸ジルコニウム（ＺＷＰ）などが使用される。このように、第１フィラー３２０をガラス粒子３１０と混合することにより、シーリング部材３００の機械的な強度（例えば、Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ、ｆｒａｃｔｕｒｅ ｔｏｕｇｈｎｅｓｓなど）を向上させることができる。
しかし、このように、シーリング部材３００が第１フィラー３２０を含む場合、シーリング部材３００の機械的な強度が向上するにはするが、落下衝撃時、第１フィラー３２０に応力が集中し、むしろ製品が破損されるという現象が発生してしまう。
また、そのように、ガラス粒子３１０に第１フィラー３２０を添加する場合、流動性（ｆｌｏｗａｂｉｌｉｔｙ）が急激に低下してしまうという問題点が発生する。言い換えれば、シーリング部材３００のガラス転移温度（Ｔｇ：ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）は、下部基板１００及び上部基板４００のガラス転移温度（Ｔｇ）より低いという関係で、下部基板１００及び上部基板４００と、シーリング部材３００との界面で化学的な結合が行われず、界面において、シーリング部材３００の分子が、下部基板１００及び上部基板４００の分子を取り押さえる、いわゆる、機械的な結合が起きる。このような機械的な結合が円滑に行われるためには、高い流動性が要求されるが、前述のように、ガラス粒子に第１フィラー３２０のみを添加する場合、シーリング部材３００の流動性が急激に低下する。
結果として、ガラス粒子３１０に第１フィラー３２０を添加することにより、ガラス粒子３１０の弱い耐衝撃性の補完、高い熱膨張係数の補償、及び機械的な強度が向上するのに比べ、シーリング部材３００が、下部基板１００と上部基板４００とを合着させるのに必要な流動性が低下するという問題点がある。
従って、本発明の実施形態による有機発光ディスプレイ装置では、シーリング部材３００に、第１フィラー３２０以外の酸化鉄を含む第２フィラー３３０を添加することにより、ガラス粒子３１０の特性を改善すると共に、第１フィラー３２０だけ添加した場合に発生しうる流動性イシューを画期的に補完することができる。
第２フィラー３３０は、酸化鉄を含んで形成され、第２フィラー３３０を形成する酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。このような第２フィラー３３０は、直径が０．１ないし２μｍである結晶性粒子によって形成される。
シーリング部材３００は、前述のように、ガラス粒子３１０、第１フィラー３２０及び第２フィラー３３０を含んでもよい。その場合、シーリング部材３００は、５０ないし９０重量％（ｗｔ％）のガラス粒子３１０、１ないし５０重量％の第１フィラー３２０、１ないし５重量％の第２フィラー３３０を含んでもよく、望ましくは、７０ないし８５重量％のガラス粒子３１０、２５ないし３０重量％の第１フィラー３２０、１ないし３重量％の第２フィラー３３０を含んでもよい。
そのように、シーリング部材３００が第１フィラー３２０以外に、酸化鉄から形成された第２フィラー３３０を含むことにより、シーリング部材３００の機械的強度を改善させると共に、流動性を画期的に補完することができる。
図５は、本発明の一実施形態に係わるシーリング用組成物と比較例との、温度による粘度を測定したグラフである。
図５を参照すれば、第２フィラー３３０添加による粘度－温度特性について測定したグラフにおいて、Ｘ軸は、温度勾配を示し、Ｙ軸は、温度による粘度変化を示している。図５のグラフは、比較例及び実施形態としてＡ、Ａ’及びＢを開示しているが、ここで、Ａは、比較例１、Ａ’は、比較例２、そしてＢは、本発明の実施形態を意味する。図５のグラフは、ガラス基板上に、Ａ、Ａ’及びＢを塗布した後、その特性を測定したものである。実施形態であるＢは、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置シーリング用組成物、比較例１であるＡは、フィラーの添加なしにガラス粒子３１０だけで形成されたガラスフリットペースト、比較例２であるＡ’は、Ａに第１フィラー３２０のみを添加した場合の温度による粘度特性を示したものである。
まず、粘度による温度の定義について述べれば、粘度が１３．３である場合の温度をガラス転移温度（Ｔｇ）、粘度が８．９である場合の温度を「ｆｉｒｓｔ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ」、すなわち、収縮が起こり始める温度（ＴＦＳ）、粘度が７．９である場合の温度を「ｍａｘｉｍｕｍ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ」、すなわち、最大収縮が起こる温度、粘度が６．６である場合の温度を「ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ ｐｏｉｎｔ」、すなわち、ガラスが溶け始める温度（ＴＳＰ）、粘度が４．５である場合の温度を「ｈａｌｆ ｂａｌｌ ｐｏｉｎｔ」、すなわち、ガラスが溶けて半球状になる温度（ＴＨＰＢ）、粘度が３．１である場合の温度を「ｆｌｏｗ ｐｏｉｎｔ」、すなわち、ガラスが完全に溶けて広がる温度と定義する。
図５を参照すれば、Ａ、Ａ’及びＢは、いずれも約２７６℃でガラス転移温度を有する。その後、ガラス転移温度から温度がだんだんと高くなる場合、まず、Ａは、ｆｉｒｓｔ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ（ＴＦＳ）が約２７４℃、ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ ｐｏｉｎｔ（ＴＳＰ）が約３３１℃、ｈａｌｆ ｂａｌｌ ｐｏｉｎｔ（ＴＨＰＢ）が約５００℃であると分かった。ここに対し、第１フィラー３２０を添加したＡ’は、ｆｉｒｓｔ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ（ＴＦＳ）が約２７０℃、ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ ｐｏｉｎｔ（ＴＳＰ）が約６６８℃、ｈａｌｆ ｂａｌｌ ｐｏｉｎｔ（ＴＨＰＢ）は、測定温度範囲を外れるほどに高く特定された。すなわち、第１フィラー３２０のみを添加したＡ’では、同粘度に達するための温度が非常に上昇するように示されることが分かり、それは、第１フィラー３２０の添加により、シーリング用組成物の機械的強度は上昇するが、流動性が非常に低下するということが分かる。
このとき、Ｆｅ２Ｏ３からなる酸化鉄を含む第２フィラー３３０が添加された本実施形態Ｂでは、ｆｉｒｓｔ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ（ＴＦＳ）が約２８０℃、ｓｏｆｔｅｎｉｎｇ ｐｏｉｎｔ（ＴＳＰ）が約４３４℃、ｈａｌｆ ｂａｌｌ ｐｏｉｎｔ（ＴＨＰＢ）が約５４３℃と、Ａよりは若干上昇したが、Ａ’に比べては、温度が顕著に低くなった。それは、第２フィラー３３０の添加により、シーリング用組成物の機械的強度を補完しながらも、流動特性が非常に向上するということが分かる。
図６は、図５のシーリング用組成物と比較例との機械的強度を測定して示した表である。
図６を参照すれば、実施形態Ｂは、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置シーリング用組成物、比較例に提示されたＡは、第１フィラー３２０のみを添加した場合である。図６では、それぞれ比較例Ａと実施形態Ｂとを使用して、有機発光ディスプレイパネルを封止した後、パネルの機構強度を測定したものである。すなわち、封止されたパネルの接着強度と衝撃強度とを測定し、シーリング用組成物の封止能を比較評価した。ここで、衝撃強度（動的強度）とは、シーリング用組成物を、条件別にそれぞれ２０個ずつパネル上端中央部分に、一定重さ（３００ｇ）を有する振り子を落下させ、パネルのシーリング部材３００が破壊される高さから強度を算出する方式である。また、接着強度（静的強度）とは、パネル封止のエッジ部分をマウントで接着させた後、パネルを上下に引っ張りながら、シーリング部材３００が破壊される力から強度を算出する方式である。
まず、衝撃強度の実験結果を見れば、比較例Ａは、平均して７．６５ｃｍでディスプレイパネルのシーリング部材３００が破壊された一方、第２フィラー３３０が含まれた実施形態Ｂでは、１２．０５ｃｍの高さでディスプレイパネルのシーリング部材３００が破壊されたということが分かる。すなわち、第２フィラー３３０を含む実施形態Ｂのシーリング用組成物が、比較例Ａに比べ、外部衝撃に対して約２倍に近い衝撃強度の優秀性を示した。
また、接着強度の実験結果でも、比較例Ａは、平均して６．０４ＫｇＦの力でディスプレイパネルを引っ張ったとき、シーリング部材３００が破壊された一方、第２フィラー３３０が含まれた実施形態Ｂでは、６．５２ＫｇＦの力でディスプレイパネルを引っ張ったとき、シーリング部材３００が破壊されたということが分かる。すなわち、第２フィラー３３０を含む実施形態Ｂのシーリング用組成物が、比較例Ａに比べ、下部基板１００と上部基板４００とを接合させる能力が向上した。
以上、ディスプレイ装置シーリング用組成物、及びそれを含んだ有機発光ディスプレイ装置についてのみ主に説明したが、本発明は、それらに限定されるものではない。例えば、このようなディスプレイ装置シーリング用組成物、及びそれを含んだ有機発光ディスプレイ装置を製造するための有機発光ディスプレイ装置の製造方法も、本発明の範囲に属するものである。
図７ないし図９は、本発明の一実施形態に係わる有機発光ディスプレイ装置の製造方法を概略的に図示する断面図である。
図７を参照すれば、まず、ディスプレイ領域ＤＡと、ディスプレイ領域ＤＡ外郭の周辺領域ＰＡとを有する下部基板１００を準備する段階を経る。このような下部基板１００は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなってもよい。下部基板１００は、必ずしもそれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材から形成されてもよい。下部基板１００を形成するプラスチック材は、絶縁性有機物でもあるが、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択される有機物でもある。
画像が下部基板１００側に具現される背面発光型である場合、下部基板１００は、透明な材質から形成されなければならない。しかし、画像が下部基板１００の反対側に具現される前面発光型である場合、下部基板１００は、必ずしも透明な材質から形成する必要はない。その場合、金属で下部基板１００を形成することができる。金属で下部基板１００を形成する場合、下部基板１００は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、Ｉｎｖａｒ合金、Ｉｎｃｏｎｅｌ合金及びＫｏｖａｒ合金からなる群から選択された１以上を含んでもよいが、それらに限定されるものではなく、例えば、炭素も含まれてもよい。
下部基板１００のディスプレイ領域ＤＡ上に、ディスプレイ部２００を形成する段階を経る。ディスプレイ部２００は、複数個の画素ＰＸを含んで形成することができる。前述のように、それぞれの画素ＰＸは、複数個の薄膜トランジスタＴＦＴと、それに電気的に連結された有機発光素子２４０とを具備することができる。ディスプレイ部２００の詳細な構造及び製造過程については、図３の説明を援用する。
次に、図８を参照すれば、下部基板１００の周辺領域ＰＡ上に、シーリング用組成物３００’を塗布する段階を経る。シーリング用組成物３００’は、ガラス粒子３１０、セラミックス材料を含んだ第１フィラー３２０、及び酸化鉄を含んだ第２フィラー３３０を含んでもよい。
ガラス粒子３１０は、Ｖ２Ｏ５系物質から形成され、詳細には、Ｖ２Ｏ５が３０ないし５０モル％、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比を有するように形成される。
このようなガラス粒子３１０は、物理的に高い熱膨張係数を有することになり、分子間の結合力も脆弱であって極めて弱い耐衝撃性を有する。従って、ガラス粒子３１０のこのような弱い耐衝撃性及び高い熱膨張係数を補償するために、ガラスフリットペーストを構成するとき、熱膨張係数が高いガラス粒子３１０に、熱膨張係数が相対的に低いセラミックス材料を含む第１フィラー３２０を添加する。
そのように、第１フィラー３２０は、基本的に、ガラス粒子３１０の熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する物質であるならばよく、最適に構造的な安定性及び低い熱膨張係数を具現するために、熱膨張係数が（－９０～５０）×１０－７／Ｋ以下の低熱膨張セラミックス材料を含んで形成される。このような物質としては、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト、ムライト及びＺＷＰなどが使用される。そのように、第１フィラー３２０をガラス粒子３１０と混合し、シーリング部材３００の機械的な強度を向上させることができる。
しかし、そのように、ガラス粒子３１０に第１フィラー３２０を添加することにより、ガラス粒子３１０の弱い耐衝撃性が補完され、高い熱膨張係数の補償及び機械的な強度が向上するのに比べ、シーリング部材３００が、下部基板１００と上部基板４００とを合着させるのに必要な流動性が低下するという問題点がある。
従って、本発明の実施形態による有機発光ディスプレイ装置においては、シーリング部材３００に、第１フィラー３２０以外の酸化鉄を含む第２フィラー３３０を添加することにより、ガラス粒子３１０の特性を改善すると共に、第１フィラー３２０だけ添加した場合に発生しうる流動性イシューを画期的に補完することができる。
このような第２フィラー３３０は、酸化鉄を含んで形成され、第２フィラー３３０を形成する酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３でもある。このような第２フィラー３３０は、直径が０．１ないし２μｍである結晶性粒子によって形成される。
シーリング部材３００は、前述のように、ガラス粒子３１０、第１フィラー３２０及び第２フィラー３３０を含んでもよい。その場合、シーリング部材３００は、５０ないし９０重量％（ｗｔ％）のガラス粒子３１０、１ないし５０重量％の第１フィラー３２０、１ないし５重量％の第２フィラー３３０を含んでもよく、望ましくは、７０ないし８５重量％のガラス粒子３１０、２５ないし３０重量％の第１フィラー３２０、１ないし３重量％の第２フィラー３３０を含んでもよい。
その後、図９を参照すれば、下部基板１００上に、上部基板４００を位置させた後、シーリング部材３００を媒介にして、下部基板１００と上部基板４００とを接合する段階を経る。すなわち、下部基板１００に形成されたシーリング部材３００上に、上部基板４００を位置させた後、シーリング部材３００が形成された上部基板４００に、レーザ５００を照射し、上部基板４００と下部基板１００とを接合させることができる。図９には図示されていないが、シーリング部材３００が形成された下部基板１００にレーザを照射し、上部基板４００と下部基板１００とを接合させることもできる。
そのように、シーリング部材３００が第１フィラー３２０以外に、酸化鉄から形成された第２フィラー３３０を含むことにより、シーリング部材３００の機械的強度を改善させると共に、流動性を画期的に補完することができる。
本発明は、図面に図示された実施形態を参照して説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
本発明のディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
１００ 下部基板
１１０ バッファ層
１２０ 半導体層
１３０ ゲート絶縁膜
１４０ ゲート電極
１５０ 層間絶縁膜
１６０ｄ ドレイン電極
１６０ｓ ソース電極
１７０ 第１絶縁膜
１８０ 第２絶縁膜
１９０ 薄膜トランジスタ層
２００ ディスプレイ部
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 対向電極
２４０ 有機発光素子
３００ シーリング部材
３００’ シーリング用組成物
３１０ ガラス粒子
３２０ 第１フィラー
３３０ 第２フィラー
４００ 上部基板
５００ レーザ
ＣＡＰ キャパシタ
ＤＡ ディスプレイ領域
ＰＡ 周辺領域
ＰＸ 画素
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
１１０ バッファ層
１２０ 半導体層
１３０ ゲート絶縁膜
１４０ ゲート電極
１５０ 層間絶縁膜
１６０ｄ ドレイン電極
１６０ｓ ソース電極
１７０ 第１絶縁膜
１８０ 第２絶縁膜
１９０ 薄膜トランジスタ層
２００ ディスプレイ部
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 対向電極
２４０ 有機発光素子
３００ シーリング部材
３００’ シーリング用組成物
３１０ ガラス粒子
３２０ 第１フィラー
３３０ 第２フィラー
４００ 上部基板
５００ レーザ
ＣＡＰ キャパシタ
ＤＡ ディスプレイ領域
ＰＡ 周辺領域
ＰＸ 画素
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
Claims (16)
- ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板と、
前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に配置されるディスプレイ部と、
前記下部基板に対向し、前記ディスプレイ部の上部に配置される上部基板と、
前記下部基板の前記周辺領域上に配置され、前記下部基板と前記上部基板とを接合しているシーリング部材と、を具備し、
前記シーリング部材は、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び流動性を改善する酸化鉄を含んだ第２フィラーを含み、
前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５系物質によって形成され、Ｖ ２ Ｏ ５ が３０ないし５０モル％の組成比であり、
前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍであり、
前記シーリング部材は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含む、有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３である、請求項１に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（－９０～５０）×１０－７／Ｋの低熱膨張セラミックス材料を含む、請求項１または２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含む、請求項１～３のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ガラス粒子は、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比である、請求項１～４のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置。
- ディスプレイ領域、及び前記ディスプレイ領域の外郭に周辺領域を有する下部基板を準備する段階と、
前記下部基板の前記ディスプレイ領域上に、ディスプレイ部を形成する段階と、
前記下部基板の前記周辺領域上に、ガラス粒子、セラミックス材料を含んだ第１フィラー、及び流動性を改善する酸化鉄を含んだ第２フィラーを含むシーリング用組成物を形成する段階と、
前記下部基板上に上部基板を位置させた後、前記シーリング用組成物を媒介にして、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階と、を含み、
前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５系物質によって形成され、Ｖ ２ Ｏ ５ が３０ないし５０モル％の組成比であり、
前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍであり、
前記シーリング用組成物は、前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含む、有機発光ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３である、請求項６に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（－９０～５０）×１０－７／Ｋの低熱膨張セラミックス材料を含む、請求項６または７に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含む、請求項６～８のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ガラス粒子は、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比である、請求項６～９のいずれか一つに記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階は、前記シーリング用組成物が形成された前記上部基板または前記下部基板にレーザを照射し、前記下部基板と前記上部基板とを接合する段階である、請求項６に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。
- Ｖ ２ Ｏ ５ が３０ないし５０モル％の組成比であるＶ２Ｏ５系のガラス粒子と、
セラミックス材料を含む第１フィラーと、
流動性を改善する酸化鉄を含む第２フィラーと、を具備し、
前記ガラス粒子は、Ｖ２Ｏ５系物質によって形成され、
前記酸化鉄は、結晶性粒子であり、直径が０．１ないし２μｍであり、
前記ガラス粒子を５０ないし９０重量％、前記第１フィラーを１ないし５０重量％、前記第２フィラーを１ないし５重量％、含むディスプレイ装置シーリング用組成物。 - 前記第２フィラーに含まれた前記酸化鉄は、Ｆｅ２Ｏ３である、請求項１２に記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
- 前記第１フィラーは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が（３０～９０）×１０－７／Ｋの低熱膨張セラミックス材料を含む、請求項１２または１３に記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
- 前記第１フィラーは、ジルコニウム（Ｚｒ）系セラミックス、コーディエライト、非晶質シリカ、ユークリプタイト、チタン酸アルミナ、スポジュメン、ウィレマイト及びムライトから構成された群から１種以上を含む、請求項１２～１４のいずれか一つに記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
- 前記ガラス粒子は、ＺｎＯが５ないし３０モル％、ＢａＯが０ないし２０モル％、ＴｅＯ２が０ないし３０モル％、Ｎｂ２Ｏ５が０ないし７モル％、Ａｌ２Ｏ３が０ないし７モル％、ＳｉＯ２が０ないし７モル％、ＣｕＯが０ないし５モル％、ＭｎＯ２が０ないし５モル％、ＣａＯが０ないし５モル％の組成比である、請求項１２～１５のいずれか一つに記載のディスプレイ装置シーリング用組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2015-0060080 | 2015-04-28 | ||
| KR1020150060080A KR102483950B1 (ko) | 2015-04-28 | 2015-04-28 | 디스플레이 장치 실링용 조성물, 이를 포함한 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016213182A JP2016213182A (ja) | 2016-12-15 |
| JP7067854B2 true JP7067854B2 (ja) | 2022-05-16 |
Family
ID=57205270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016088403A Active JP7067854B2 (ja) | 2015-04-28 | 2016-04-26 | ディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160322597A1 (ja) |
| JP (1) | JP7067854B2 (ja) |
| KR (1) | KR102483950B1 (ja) |
| CN (1) | CN106098959B (ja) |
| TW (1) | TW201639214A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110972418B (zh) * | 2018-09-30 | 2022-01-07 | 比亚迪股份有限公司 | 电子设备壳体、电子设备和复合体 |
| KR20220000440A (ko) * | 2020-06-25 | 2022-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102557687B1 (ko) * | 2021-03-19 | 2023-07-24 | 주식회사 베이스 | 유기 발광 표시장치 실링용 유리 조성물 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218393A (ja) | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Corning Inc | 発光ディスプレイ装置のためのシールおよび方法 |
| JP2009221048A (ja) | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | バナジウム系ガラス組成物およびバナジウム系材料 |
| WO2011001987A1 (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 旭硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 |
| WO2011108115A1 (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | ヤマト電子株式会社 | 有機ｅｌ封着用無鉛ガラス材とこれを用いた有機ｅｌディスプレイ及び該ディスプレイの製造方法 |
| WO2012081442A1 (ja) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子の製造方法、散乱層で散乱される光の散乱特性をミー散乱およびレイリー散乱の間で制御する方法、ならびに透光性基板を製造する方法 |
| WO2012161151A1 (ja) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機ｅｌ素子、及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2013520532A (ja) | 2010-02-19 | 2013-06-06 | フエロ コーポレーション | 日射反射率改良のための顔料添加剤 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3446695A (en) * | 1966-10-03 | 1969-05-27 | Owens Illinois Inc | Vanadium-zinc borate solder glasses |
| JPS5312918A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Cathode ray tube |
| US4883777A (en) * | 1988-04-07 | 1989-11-28 | Nippon Electric Glass Company, Limited | Sealing glass composition with filler containing Fe and W partially substituted for Ti in PbTiO3 filler |
| US5013360A (en) * | 1989-09-15 | 1991-05-07 | Vlsi Packaging Materials, Inc. | Sealing glass compositions |
| JP3155097B2 (ja) * | 1992-10-30 | 2001-04-09 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | ガラスペースト |
| JPH10236844A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-08 | Iwaki Glass Kk | 封着用組成物 |
| US6998776B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP5525714B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2014-06-18 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラス組成物 |
| JP5726698B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-06-03 | 株式会社日立製作所 | ガラス組成物、それを含むガラスフリット、それを含むガラスペースト、およびそれを利用した電気電子部品 |
-
2015
- 2015-04-28 KR KR1020150060080A patent/KR102483950B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-01-20 US US15/002,341 patent/US20160322597A1/en not_active Abandoned
- 2016-04-26 JP JP2016088403A patent/JP7067854B2/ja active Active
- 2016-04-28 TW TW105113263A patent/TW201639214A/zh unknown
- 2016-04-28 CN CN201610274243.3A patent/CN106098959B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008218393A (ja) | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Corning Inc | 発光ディスプレイ装置のためのシールおよび方法 |
| JP2009221048A (ja) | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Nippon Electric Glass Co Ltd | バナジウム系ガラス組成物およびバナジウム系材料 |
| WO2011001987A1 (ja) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 旭硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 |
| JP2013520532A (ja) | 2010-02-19 | 2013-06-06 | フエロ コーポレーション | 日射反射率改良のための顔料添加剤 |
| WO2011108115A1 (ja) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | ヤマト電子株式会社 | 有機ｅｌ封着用無鉛ガラス材とこれを用いた有機ｅｌディスプレイ及び該ディスプレイの製造方法 |
| WO2012081442A1 (ja) | 2010-12-17 | 2012-06-21 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子の製造方法、散乱層で散乱される光の散乱特性をミー散乱およびレイリー散乱の間で制御する方法、ならびに透光性基板を製造する方法 |
| WO2012161151A1 (ja) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機ｅｌ素子、及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102483950B1 (ko) | 2023-01-03 |
| CN106098959B (zh) | 2020-10-27 |
| US20160322597A1 (en) | 2016-11-03 |
| TW201639214A (zh) | 2016-11-01 |
| CN106098959A (zh) | 2016-11-09 |
| KR20160128566A (ko) | 2016-11-08 |
| JP2016213182A (ja) | 2016-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5827037B2 (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| KR101800285B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| EP2804231B1 (en) | Organic light-emitting diode display, an electronic device including the same, and method of manufacturing said organic light-emitting diode display | |
| TWI376981B (en) | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US8304989B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| CN101202329B (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN104134755B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| KR20160124756A (ko) | 발광 장치 및 박리 방법 | |
| KR101074807B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| US9385174B2 (en) | Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| CN103682143A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| KR20150011235A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2008141151A (ja) | 有機電界発光表示装置及び有機電界発光表示装置の製造方法 | |
| JP2008122905A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP2009187941A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| TW201340307A (zh) | 平面顯示設備 | |
| JP7067854B2 (ja) | ディスプレイ装置シーリング用組成物、それを含んだ有機発光ディスプレイ装置、及びその製造方法 | |
| JP2010027596A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
| KR102402606B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| JP2009064590A (ja) | 有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| US20090206738A1 (en) | Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
| US8946759B2 (en) | Organic light emitting display device with improved sealing property |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160518 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170418 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170420 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180810 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20181102 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20181219 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190403 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200324 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200512 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200806 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210625 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211102 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220301 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220301 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220309 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220315 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220428 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7067854 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |