CN102280407B - 元器件侧壁图形化的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种元器件侧壁图形化的制作方法，通过在元器件基片上开槽；将基片的正面和侧面利用溅射机进行金属化溅射，形成薄金电极层；按照产品正面图形和侧面图形制作光刻掩膜片；将基片的正面和侧面涂覆光刻胶，再利用光刻机进行图形化曝光，然后显影；将显影完成的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金层，再加保护膜层；将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金层蚀刻干净，再去除保护膜层；按照产品图形，进行单元电路的划切，最后形成侧面带有电极图形的元器件。与现有技术相比，本发明具有以下效果：通过本发明的方法，可制作侧壁图形化的元器件，该元器件侧壁的金丝互连，改善其高频特性，降低制造成本，适合于大批量生产。
Description
【技术领域】
本发明涉及电子元器件领域，尤其涉及元器件侧壁图形化的制作方法。
【背景技术】
目前，现有技术中3D元器件的制作，通常采用厚膜工艺，用毛笔涂覆的方式进行侧面金属化，此种工艺方法，不适合于批量及大规模生产，也不适合高频微波器件使用环境，更加无法制作侧面需要图形化的3D电路。该3D器件的制作还有另一种类似于多层陶瓷电容器端头制造工艺的方法，该方法虽然适合大批量规模生产，但是局限性是，仅可以制作低频使用环境下的贴片元件。元器件的侧壁图形化，不管采用厚膜工艺，还是多层陶瓷电容器的端头制作工艺，存在致命的缺点，其一，不能使产品具有金丝互连的特性，更无法确保侧面金属进行金丝互连，制约了产品使用的范围；其二，无法完成侧面金属具有图形化要求的场合，只能完成一些简单侧面金属化的产品。
【发明内容】
本发明要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种元器件侧壁图形化的制作方法，解决现有技术中的元器件侧壁图形化时，金丝不能互连，以及使用范围受到制约的问题。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
提供一种元器件侧壁图形化的制作方法，包括下列步骤：
(1)在元器件基片上开槽；
(2)将基片的正面和侧面利用溅射机进行金属化溅射，形成金属电极层；
(3)按照产品正面图形和侧面图形制作光刻掩膜片；
(4)将基片的正面和侧面涂覆光刻胶，再利用光刻机进行图形化曝光，然后显影；
(5)将显影完成的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金属电极层，再加保护膜层；
(6)将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金层蚀刻干净，再去除保护膜层；
(7)按照产品图形，进行单元电路的划切，最后形成侧面带有电极图形的元器件。
与现有技术相比，本发明具有以下效果：通过本发明的方法，可制作侧壁图形化的元器件，该元器件侧壁的金丝互连，改善其高频特性，降低制造成本，适合于大批量生产。
下面结合具体实施例对发明进行进一步的说明。
【具体实施方式】
本发明实施例提供一种元器件侧壁图形化的制作方法，通过以下步骤制得：
1)在0.254mm陶瓷基片上开槽，该开槽是指在元器件的正面或侧壁进行开槽，形成元器件正面或侧壁槽体，供溅射形成侧面金属电极层，该陶瓷基片优选氧化铝陶瓷基片，该基片上的槽宽0.1-0.3mm，槽间距为0.3-0.8mm。优选为槽宽0.15mm，槽间距0.5mm。
2)按照产品正面图形，以及侧面图形，制作光刻掩膜版，光刻时用。
3)将基片正面、侧面利用溅射机，进行金属化溅射，形成金属电极层。
4)陶瓷正面以及侧面涂覆光刻胶，再利用光刻掩膜版进行光刻胶图形化曝光，然后显影。
5)显影完毕的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金电极层，最后在厚金层表面电镀保护膜镍层。
6)将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金层蚀刻干净，最后去除保护膜镍层。
7)按照产品图形，进行单元电路划切，最终形成侧面带有电极的元器件产品。
该实施例中所述的金属电极层及加厚金属电极层优选纯金层或纯铝层。
下面结合图1-图6详细介绍本实施的制作过程：
如图1和图2所示，本发明实施例主要通过划片机在2英寸元器件基片1上按照产品尺寸开槽，做出符合规定要求的槽体2图案，槽体2划穿整个基板，也可以利用激光划切进行此步骤。通过此步骤为批量侧面金属化、图形化提供了一个基片模具。
如图3所示，本发明实施例在上述开完槽的2英寸基片1上，通过磁控溅射的方法，将金属层3被覆于陶瓷正面以及槽体侧面还有陶瓷背面。
如图4所示，本发明在上述溅射完薄金属层的开槽基片1上下表面涂覆光刻胶4，再根据产品侧壁金属化图案，制作对应光刻掩膜版，然后利用带有图案的掩膜版对光刻胶4进行曝光，然后显影；显影完毕后，进行光刻胶4后烘烤，然后电镀加厚金属层5，最后在加厚金属层5表面电镀一层保护膜镍层6，该保护膜镍层6化学腐蚀特性与加厚金属层完全不一样，通过此步骤完成了图形区域的电镀加厚层以及保护加厚金属层5。
如图5所示，本发明实施例在上述被覆有保护膜镍层6的开槽基片1上进行光刻胶4的剥离，然后将剥离完光刻胶4的基片1利用湿法蚀刻将金属层3蚀刻干净，需要保留的金属层3，由于保护膜镍层6的存在不会被蚀刻液蚀刻；最后将保护膜镍层6利用镍蚀刻液蚀刻完毕，形成需要的电路图形，通过此步骤制作的电路线条精度高，可控性高。
如图6所示，本发明实施例在上述形成电路图案的基片上进行单元电路的切割，利用半导体划片机根据单元电路的尺寸，将产品切割分离，形成最终侧壁具有图形化电极7的产品。
上述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利和保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种元器件侧壁图形化的制作方法，包括下列步骤：
（1）在元器件基片上开槽；
（2）将基片的正面和侧面利用溅射机进行金属化溅射，形成金属电极层；
（3）按照产品正面图形和侧面图形制作光刻掩膜片；
（4）将基片的正面和侧面涂覆光刻胶，再利用光刻机进行图形化曝光，然后显影；
（5）将显影完成的光刻胶进行烘烤，烘烤后进行电镀加厚金属电极层，再加保护膜层；
（6）将光刻胶剥离干净，然后用蚀刻液将薄金属电极层蚀刻干净，再去除保护膜层；
（7）按照产品图形，进行单元电路的划切，最后形成侧面带有电极图形的元器件。
2.根据权利要求1所述元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的（1）步骤中，元器件基片采用陶瓷材料制作而成，该基片上的槽宽0.1-0.3mm，槽间距为0.3-0.8mm。
3.根据权利要求1或2所述元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的（5）步骤中，所述的保护膜层是镍层。
4.根据权利要求2所述元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的陶瓷材料是氧化铝陶瓷材料。
5.根据权利要求1所述的元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的（1）步骤，在元器件基片上开槽包括在元器件的正面和侧面进行开槽。
6.根据权利要求1所述的元器件侧壁图形化的制作方法，其特征在于：所述的金属电极层和加厚金属电极层是纯金或纯铝电极层。
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