CN102270727B - 半导体发光装置及其制造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 200
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 41
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 210000004877 mucosa Anatomy 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 210000004276 hyalin Anatomy 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 241000167854 Bourreria succulenta Species 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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Abstract
根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于下述申请并要求下述申请的优先权：2010年6月7日提交的日本专利申请No.2010-130481；其整体内容被以引用方式并入。
技术领域
这里描述的实施方式大致涉及半导体发光装置及其制造方法。
背景技术
发射可见光或白光的半导体发光装置已经广泛使用于照明装置、图像显示的背后照明、显示装置以及类似装置。在这些领域中，越来越需要减小装置的尺寸。另外，对于用低功耗的半导体发光装置替代荧光灯和白炽灯，则要求提高生产率并降低成本。
发明内容
本发明的实施例实现了低功耗的半导体发光装置以及制造这种装置的方法。
根据一个实施例，半导体发光装置包括半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第一互连层、第二互连层、第一金属柱、第二金属柱，以及第二绝缘层。半导体层包括第一主表面，与第一主表面相反的第二主表面，以及发光层。第一电极被设置于第二主表面的包括发光层的区域上。第二电极被设置于第二主表面上。第一绝缘层被设置于半导体层的第二主表面侧上，并且包括与第一电极连通的第一开口和与第二电极连通的第二开口。第一互连层被设置于第一绝缘层中的第一开口内并且被连接至第一电极。第二互连层被设置于第一绝缘层中的第二开口内并且被连接至第二电极。第一金属柱被设置于第一互连层的与第一电极相反一侧的表面上。第二金属柱被设置于第二互连层的与第二电极相反一侧的表面上。第二绝缘层被设置于第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间。第一互连层的一部分的边缘被从第一绝缘层和第二绝缘层中侧向暴露出来。
本发明的实施例可以实现低功耗的半导体发光装置以及制造这种装置的方法。
附图说明
图1是示意出实施例的半导体发光装置的示意性剖视图；
图2A至图7是示意出本实施例的半导体发光装置的制造方法的示意图；以及
图8A和图8B是示意出另一实施例的半导体发光装置的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图描述实施例。在图示中，类似的部件被标记有相同的参考标记。在表示制造过程的图示中示意出晶圆状态中的局部区域。
图1是示意出实施例的半导体发光装置的示意性剖视图；
本实施例的半导体发光装置包括半导体层15。半导体层15包括第一主表面15a和形成于与第一主表面15a相反的一侧上的第二主表面。电极、互连层和树脂层设置于第二主表面侧上，并且光主要从第一主表面15a提取。
半导体层15包括第一半导体层11和第二半导体层13。例如，第一半导体层11是充当横向电流路径的n型GaN层。然而，第一半导体层11的导电型不被限制于n型并且导电型可以是p型。第二半导体层13包括堆置结构，其中发光层(活性层)12被内插在n型层和p型层之间。
半导体层15在第二主表面侧上被制成凹入和突出结构的形式；高水平部分和低水平部分被设置于第二主表面侧上。
相对于第一主表面15a，高水平部分位于比低水平部分更高的水平侧。高水平部分包括发光层12。低水平部分不包括发光层，并且被设置于发光层12的外围(边缘)外面。
p侧电极16被设置在第二半导体层13的表面(高水平部分的表面)上作为第一电极。也就是说，p侧电极16被设置于包括发光层12的区域上。n侧电极17被设置在低水平部分的第一半导体层11的表面上作为第二电极。在一个芯片中，也就是半导体层15中，p侧电极16具有大于n侧电极17的面积的面积。因此，可以增大发光区域。
半导体层15的侧表面以及第二主表面的一部分被绝缘层14和18覆盖。绝缘层14和18还形成在p侧电极16和n侧电极17之间的台阶部分上。例如，绝缘层14包括二氧化硅或氮化硅。例如，绝缘层18包括树脂，例如在制造微小开口方面具有优势的聚酰亚胺或类似物。可替代地，绝缘层18还可以基于二氧化硅。绝缘层14不覆盖p侧电极16和n侧电极17。
p侧互连层21被设置于绝缘层18的与半导体层15相反的一侧的表面18c上作为第一互连层。n侧互连层22被设置于绝缘层18的与半导体层15相反的一侧的表面18c上作为第二互连层。p侧互连层21还被设置于穿过绝缘层18与p侧电极16连通的第一开口18a内，并且p侧互连层21被连接至p侧电极16。n侧互连层22还被设置于穿过绝缘层18与n侧电极17连通的第二开口18b内，并且n侧互连层22被连接至n侧电极17。
p侧金属柱23被设置作为p侧互连层21的与p侧电极16相反的一侧的表面上的第一金属柱。n侧金属柱24被设置作为n侧互连层22的与n侧电极17相反的一侧的表面上的第二金属柱。
例如，树脂层25覆盖p侧金属柱23的外围、n侧金属柱24的外围、p侧互连层21的表面以及n侧互连层22的表面，作为第二绝缘层。相邻柱之间的缝隙被树脂层25填满。p侧金属柱23和n侧金属柱24的每个端表面被从树脂层25中暴露出来。第二绝缘层可以由与第一绝缘层(绝缘层18)相同的材料制成。
p侧互连层21的一部分的端表面21a被从树脂层25侧向暴露出来，并且还从绝缘层18侧向暴露出来。p侧互连层21的该部分的端表面21a不被绝缘层18和树脂层25覆盖。n侧互连层22的所有端表面都被树脂层25或绝缘层18覆盖。
n侧互连层22被连接至设置于不包括半导体层15的发光层12的部分上的n侧电极17。n侧互连层22在与n侧电极17相反的一侧的面积大于n侧电极一侧的面积。也就是说，n侧互连层22和n侧金属柱24之间的接触面积大于n侧互连层22和n侧电极17之间的接触面积。p侧互连层21和p侧金属柱23之间的接触面积大于p侧互连层21和p侧电极16之间的接触面积。可替代地，p侧互连层21和p侧金属柱23之间的接触面积可以小于p侧互连层21和p侧电极16之间的接触面积。n侧互连层22的一部分在绝缘层18的表面18c上延伸至面对发光层12下面部分的位置。
因此，经由n侧互连层22，由设置于不包括半导体层15的发光层12的部分的小面积上的n侧电极17可以形成扩大的引出电极，同时利用更大的发光层12保持高光输出。
第一半导体层11通过n侧互连层22和n侧电极17电连接至n侧金属柱24。第二半导体层13通过p侧电极16和p侧互连层21电连接至p侧金属柱23。
可以在p侧金属柱23和n侧金属柱24的每一个下表面上形成表面处理膜(例如，诸如Ni或Au的化学镀膜、预涂焊料或类似物)，以避免生锈。
n侧互连层22、p侧互连层21、n侧金属柱24和p侧金属柱23的材料可以包括铜、金、镍、银等。在这些材料中，优选使用具有良好的热传导性、高耐迁移性以及与绝缘材料的优越粘接性的铜。
在绝缘层18上进行图案加工得到多个微小开口18a和18b。因此，例如，对绝缘层18来说，优选使用树脂，例如具有极好的图案加工能力的聚酰亚胺。
优选使用能够以低成本形成为很厚的层并且适于加固n侧金属柱24和p侧金属柱23的树脂。树脂层25的实例可以包括环氧树脂、硅树脂、碳氟树脂等。
荧光层28被设置于半导体层15的第一主表面15a上。荧光层28能够吸收来自发光层12的光并且发射波长转换光。因此，可以向外发射包含来自发光层12的光和来自荧光层28的波长转换光的混合光。例如，在发光层12是基于氮化物的情况下，可以获得白光、照明光等，作为来自发光层12的蓝光和来自例如荧光层28的波长转换光的黄光的混合颜色的光。荧光层28可以包括多种类型的荧光材料(例如，红色荧光材料和绿色荧光材料)。
从发光层12发射的光主要通过第一半导体层11、第一主表面15a、透明树脂27和荧光层28传播，以向外发射。
p侧金属柱23和n侧金属柱24的下表面可以，通过球形或凸块形的外部端子例如焊料或其他金属，被焊接到形成于安装板或电路板上的电路上。因此，半导体发光装置可以接收电力。
n侧金属柱24的厚度和p侧金属柱23中的厚度中的每一个(图1的竖直方向上的厚度)大于包括半导体层15、n侧电极17、p侧电极16、绝缘层14、绝缘层18、n侧互连层22以及p侧互连层21的堆置主体的厚度。金属柱23和24的纵横比(厚度与平面尺寸的比)不被限制于1或更大，并且该纵横比可以小于1。金属柱23和24的厚度可以小于其平面尺寸。
根据本实施例的结构，即使半导体层15很薄，也可以通过将n侧金属柱24、p侧金属柱23和树脂层25形成得很厚而保持机械强度。在将半导体发光装置安装到安装板上的情况下，n侧金属柱24和p侧金属柱23可以吸收并减轻通过外部端子而施加到半导体层15上的应力。
图1示意了半导体发光装置的芯片。在本实施例中，如后面描述的，图1所示的所有装置元件全部形成于晶圆状态下，并且晶圆被划分为多个芯片。因此，可以获得与半导体层15(也就是，裸芯片)一样小的小型化的发光装置。
当被切割的半导体发光装置安装到安装板上时，从树脂层25中暴露出来的p侧金属柱23和n侧金属柱24的下表面被与各自的极性相对应地焊接到设置于安装板上的电路上。因此，p侧金属柱23和n侧金属柱中的每一个必须彼此区分开来。然而，金属柱的侧表面被树脂层25覆盖而只有下表面暴露。因此，很难区分这两个被减小了尺寸的柱。
在本实施例中，设置于p侧金属柱23下面的p侧互连层21的部分的端表面21a被从树脂层25中暴露出来。相反，设置于n侧金属柱24下面的n侧互连层22的所有端表面都被树脂层25覆盖而没有暴露。因此，通过认出暴露在树脂层25的侧表面上的端表面21a，可以很容易地区分哪个金属柱是p侧或n侧。因此，安装变得很容易，提高了生产率并且生产成本可以降低了。
现在参照图2A至图7描述本实施例的半导体发光装置的制造方法。
如图2A中所示，第一半导体层11被形成于基板10的主表面上，并且包括发光层12的第二半导体层13形成于第一半导体层11上。例如，在半导体层15的这些层由氮化物半导体制成的情况下，半导体层15可以被晶体外延生长地形成在蓝宝石基板上。
然后，如图2B中所示，例如使用保护层作为掩膜通过反应性离子刻蚀(RIE)而形成分离沟槽9，以穿透半导体层15并到达基板10，保护层在图中没有示出。例如，如图2C中所示，在基板10上分离沟槽9被形成为晶格结构以使分开的半导体层15数目翻倍。
然后，例如，使用图中没有示出的保护层通过RIE去除包括发光层12的第二半导体层13的一部分，从而暴露第一半导体层11的一部分。因此，高水平部分15b被形成在半导体层15的第二主表面侧上。从基板10看去，高水平部分15b被相对定位于较高的水平上。低水平部分15c被形成于半导体层15的第二主表面侧上。与高水平部分15b相比，低水平部分15c被定位于更低水平的基板10一侧上。高水平部分15b包括发光层12，而低水平部分15c不包括发光层12。
基板10包括装置区域61。多个半导体层15被形成于装置区域61上。外周部分62位于装置区域61外面。图2A和2B、图3A和3B、图4A、图5A、图6A和图7示意出靠近外部周部分62的区域的剖视图。
如图3A所示，绝缘层14覆盖基板10的主表面、半导体层15的侧面和第二主表面。然后，在选择性地去除绝缘层14之后，p侧电极16即形成在高水平部分15b的表面(第二半导体层13的表面)上，并且n侧电极17被形成在低水平部分15c的表面(第一半导体层11的表面)上。p侧电极16和n侧电极17中的一个可以在另一个之前形成，并且可替代地，p侧电极16和n侧电极17可以由相同材料同时形成。
如图3B所示，绝缘层18覆盖基板10的所有暴露表面。然后，例如通过湿蚀刻在绝缘层18上形成图案，以在绝缘层18中选择性地形成第一开口18a和第二开口18b。第一开口18a到达p侧电极16，而第二开口18b到达n侧电极17。分离沟槽9被用绝缘层18填满。
然后，如图3B中虚线所示，在绝缘层18的表面18c上并且在第一开口18a和第二开口18b的内表面上形成连续的籽晶金属19。并且在籽晶金属19上选择性地形成图中未示出的电镀保护层之后，利用籽晶金属19作为电流路径进行镀Cu操作。
因此，如图4A和图4B(整个晶圆的平面图)中所示，在绝缘层18的表面18c上选择性地形成p侧互连层21和n侧互连层22。p侧互连层21还被形成在第一开口18a中并且被连接至p侧电极16。n侧互连层22还被形成在第二开口18b中并且被连接至n侧电极17。
n侧互连层22的与n侧电极17相反的一侧的表面被形成为衬垫的形状，其面积大于连接到n侧电极17的表面的面积。类似地，p侧互连层21的与p侧电极16相反的一侧的表面被形成为衬垫的形状，其面积大于连接到p侧电极16的表面的面积。
p侧互连层21和n侧互连层22被由铜材料通过使用电镀方法同时形成。另外，在电镀p侧互连层21和n侧互连层22的过程中，在绝缘层18的表面18c上同时形成内互连部65和外周互连部66。p侧互连层21、n侧互连层22、内互连部65和外周互连部66由相同材料(例如，铜)制成，并且几乎具有相同的厚度。另外，p侧互连层21和n侧互连层22并不被限制于同时形成，并且可替代地，p侧互连层21和n侧互连层22中的一个可以在另一个之前形成。
内互连部65被形成于装置区域61的形成分离沟槽9的切割区域内。例如，内互连部65被形成为晶格结构。外周互连部66被形成于位于外周区域62中的绝缘层18的表面18c上。外周互连部66被沿外周区域62的周围方向连续地形成，并且用连续闭合的图案包封装置区域61。
内互连部65被一体地连接至p侧互连层21的一部分。另外，内互连部65在外周区域62一侧的端部部分被一体地连接至外周互连部66。因此，p侧互连层21被经由内互连部65电连接至外周互连部66。n侧互连层22不连接到p侧互连层21、内互连部65和外周互连部66中的任一个上。
然后，在绝缘层18上选择性地形成另一电镀保护层(图中未示出)用于制造金属柱，并且使用如上所述的籽晶金属19作为电流路径进行镀Cu操作。
因此，如图5A和5B(整个晶圆的平面图)中所示，在p侧互连层21上形成p侧金属柱23，并且在n侧互连层22上形成n侧金属柱24。另外，在电镀过程中，在外周互连部66上也形成有金属。p侧金属柱23、n侧金属柱24以及形成于外周互连部66上的金属例如包含铜材料。
在此电镀过程中，内互连部65被保护层覆盖，以避免在这里进行金属电镀，由此，p侧金属柱23不被设置于内互连部65上。因此，外周互连部66变得比内互连部65厚。外周互连部66的厚度几乎与p侧互连层21和p侧金属柱23的总厚度或n侧互连层22和n侧金属柱24的总厚度相等。因为相对较厚的金属层连续地形成在晶圆的外周区域62上的周围方向上，所以提高了晶圆的机械强度并且抑制了晶圆的翘曲。因此，随后的过程很容易进行。
在此电镀之后，使用p侧互连层21、n侧互连层22、p侧金属柱23、n侧金属柱24、内互连部65和外周互连部66作为掩膜，湿蚀刻暴露于绝缘层18的表面18c上的籽晶金属19。因此，p侧(p侧互连层21、内互连部65和外周互连部66)和n侧互连层22经由籽晶金属19的电连接被分开了。
随后，如图6A和6B(整个晶圆的平面图)中所示，在绝缘层18上形成树脂层25。树脂层25覆盖下述所有：p侧互连层21、n侧互连层22、p侧金属柱23、n侧金属柱24和内互连部65。树脂层25被充填入p侧金属柱23和n侧金属柱24之间的缝隙里面、p侧互连层21和n侧互连层22之间的缝隙里面、n侧互连层22和内互连部65之间的缝隙里面以及p侧互连层21和内互连部65之间的缝隙里面。树脂层25还覆盖外周互连部66的里面部分。也就是说，树脂层25覆盖外周互连部66的装置区域61侧的一部分。外周互连部66的外面部分不被树脂层25覆盖而暴露出来。
另外，形成树脂层25后，在从树脂层25上暴露的外周互连部66的外面部分上可以进行另外的镀铜操作，由此，如图8A所示，外周互连部66变得更厚。外周互连部66的厚度的增加增强了晶圆的机械强度。
随后，除去基板10。例如通过使用激光剥离方法去除基板10。特别地，激光从基板10的背后朝向第一半导体层11照射。基板10可为激光透过，并且激光具有相对于第一半导体层11位于吸收区域内的波长。
当激光到达基板10和第一半导体层11之间的分界面时，邻近该分界面的第一半导体层11吸收激光能量并分解。在第一半导体层11由金属氮化物(例如，GaN)制成的情况下，第一半导体层11分解为镓(Ga)和氮气。通过分解反应在基板10和第一半导体层11之间形成微缝隙，使第一半导体层11从基板10上分离。
在整个晶圆上方对每个设置区域多次进行激光照射，并且去除基板10。因此，由于基板10被从第一主表面15a上去除了，所以可以提高发射光从半导体层15的提取效率。
随后，在通过去除基板10而暴露的第一主表面15a和外周区域62上的外周互连部66的暴露部分之间施加电压。因此，发光层12发光，并且测量从第一主表面15a发射的光的光学特性。
特别地，如图7所示，从树脂层25上暴露出来的外周互连部66的表面例如通过环状测量电极71支撑。通过去除基板10而暴露的绝缘层14的外周表面例如被环状压构件72压到测量电极71一侧上。因此，外周互连部66的表面被紧密接触到测量电极71，并且保证了外周互连部66和测量电极71之间良好的电接触。通过测量电极71在外周互连部66上施加正电位(positive potential)，并且通过与第一主表面15a接触的图中未示出的探针在每个半导体层15的第一主表面15a上施加地电位(ground potential)。
当通过如上所述的用激光照射而分解GaN时，镓(Ga)膜留在第一主表面15a上。镓膜通常可以减少光输出，所以镓膜被去除。然而，在本实施例中，在上述测量过程中保留了镓膜并且负极侧测量电极(探针)被接触到镓膜上。因此，与使探针接触GaN相比，可以更大地降低接触电阻。
外周互连部66被通过内互连部65连接至p侧互连层21。因此，通过施加上述电压，来自第二半导体层13侧的空穴和来自第一半导体层11侧的电子被注入发光层12中。因此，通过空穴和电子的再结合而产生的光被从发光层12发出。测量其波长，例如，作为从第一主表面15a发射的发射光的光学特性。
对于将空穴注入到发光层12来说，可以施加电压到p侧金属柱23上。这需要减薄树脂层25并且暴露出p侧金属柱23的下表面。但是，减薄树脂层25包括减薄整个晶圆。晶圆处理变得困难并且生产率下降。
在本实施例中，如上所述，通过在外周区域62上形成连接至p侧互连层21的外周互连部66，经由外周互连部66在p侧互连层21上施加电压变得可能，即使p侧金属柱23被树脂层25覆盖。因此，在通过相对较厚的树脂层25来保证晶圆强度的同时，可以进行测量并且可以避免生产率下降。
测量光学特性之后，清洗第一主表面15a，并且去除留在第一主表面15a上的镓膜。可以使第一主表面15a变粗糙以提高提取效率。
继续，如图1所示，在第一主表面15a上形成荧光层28。例如，通过使用旋涂方法涂敷包含散布的荧光颗粒的液体透明树脂，并且随后通过热处理进行固化而形成荧光层28。透明树脂可使从发光层12发生的光和荧光颗粒透过。
这时，可以根据上述的光学特性结果调整荧光层28的厚度。例如，由于晶圆处理中的差异，来自发光层12的光的波长可能在晶圆与晶圆间存在差异。在这种情况下，可以通过根据发射波长测量的结果调整荧光层28的厚度而控制理想颜色的光的提取。
可能还存在这样的情况，在一个晶圆里面的每个半导体层15之间的发射波长不同，在这种情况下，可以根据每个半导体层15中的发射波长局部调整荧光层28的厚度。例如，透过发射光的透明材料(透明树脂或玻璃)可以形成在第一主表面15a上，其具有与来自每个半导体层15的发射波长相对应的被调整的厚度。随后，在整个晶圆上形成荧光层28以具有平面化的表面，因此，形成有透明层的部分比没有透明层的部分薄。另外，随着透明层厚度的增加，荧光层28变薄。
然后，在形成荧光层28之后，抛光树脂层25，由此暴露出p侧金属柱23和n侧金属柱24的下表面。上面描述的过程被在晶圆状态下进行。
随后，沿分离沟槽9进行切割以形成单体晶圆(图2B和2C)。切割时，基板10已经被去除。分离沟槽9不包含半导体层15的一部分。并且分离沟槽9被用树脂填满，作为绝缘层18。因此，切割可以很容易进行并且可以提高生产率。另外，可以避免在切割过程中损坏半导体层15。另外，形成单体之后，获得了这样的装置结构，其中半导体层15的侧面被绝缘层18覆盖并保护。
内互连部65被形成于切割区域中，并且切割宽度与内互连层65的宽度几乎相等或者比内互连层65的宽度宽。在这种情况下，所形成的被切割的芯片不包括内互连层65。另外，因为p侧互连层21在被连接至内互连层65的部分处被切割，所以p侧互连层21的该部分的端表面21a被从树脂层25中暴露出来。因此，可以区分出p侧互连层21和n侧互连层22，其中，在形成单体之后n侧互连层22的所有端表面被树脂层25覆盖。
如图4B中虚线所表示的，单体的半导体发光装置可以具有包括一个半导体层15的单芯片结构，或者如图4B中短划线所表示的，可以具有包括多个半导体层15的多芯片结构。
因为上述过程在切割之前全体在晶圆状态下进行，所以不必须重新连接电极和封装每一个形成单体的半导体发光装置，并且可以大大降低生产成本。换句话说，在晶圆状态下重新连接电极和封装已经完成了。而且，可以在晶圆级进行检查。因此，可以提高生产率，使成本降低。
在晶圆状态下，所有芯片的p侧互连层21不必须连接至外周互连部66，并且至少将芯片的p侧互连层21连接至外周互连部66用于测量光学特性就足够了。
如图8B所示，半导体层15可以保留在基板10的外周区域62上。半导体层15被设置作为没有电极的虚拟层，其不用作发光装置。
保留在外周区域62上的半导体层15防止在激光剥离过程中树脂层25被激光照射。这可以抑制在外部区域62中的树脂层25中引起裂缝和类似情形。
荧光层28可以包括下面描述的层的实例，例如，红色荧光层、黄色荧光层、绿色荧光层和蓝色荧光层。
红色荧光层可以包含例如CaAlSiN3:Eu的氮化物基荧光物或SiAlON基荧光物。
在使用SiAlON基荧光物的情况下，可以使用
(M1-xRx)a1AlSib1Oc1Nd1 组成分子式(1)
其中，M是除Si和Al之外的至少一种金属元素，并且对于M可能理想地是选自Ca和Sr中的至少一种；R是发光中心元素，并且对于R可能理想地是Eu；并且x、a1、b1、c1和d1满足下述关系：0＜x≤1，0.6＜a1＜0.95，2＜b1＜3.9，0.25＜c1＜0.45以及4＜d1＜5.7。
通过使用组成分子式(1)表述的SiAlON基荧光物，可以改进波长转换效率的温度特征，并且可以进一步提高高电流密度区域中的效率。
黄色荧光层可以包含例如(Sr，Ca，Ba)2SiO4:Eu的硅酸盐(silicate)基荧光物。
绿色荧光层可以包含例如(Ba，Ca，Mg)10(PO4)6·Cl2:Eu的卤磷酸盐(halophosphate)基荧光物或SiAlON基荧光物。
在使用SiAlON基荧光物的情况下，可以使用
(M1-xRx)a2AlSib2Oc2Nd2 组成分子式(2)
其中，M是除Si和Al之外的至少一种金属元素，并且对于M可能理想地是选自Ca和Sr中的至少一种；R是发光中心元素，并且对于R可能理想地是Eu；并且x、a2、b2、c2和d2满足下述关系：0＜x≤1，0.93＜a2＜1.3，4.0＜b2＜5.8，0.6＜c2＜1以及6＜d2＜11。
通过使用组成分子式(2)的SiAlON基荧光物，可以改进波长转换效率的温度特征，并且可以进一步提高高电流密度区域中的效率。
蓝色荧光层可以包含例如BaMgAl10O17:Eu的氧化物基荧光物。
虽然已经描述了一些实施例，但这些实施例只是通过示例形式呈现，并且不意于限制本发明的范围。相反，这里描述的新颖实施例可以体现为多种其他形式；此外，在不偏离本发明的精神的情况下可以对这里描述的实施例的形式进行各种省略、替代和修改。附属的权利要求和它们的等效替代意于覆盖落入本发明的范围和精神内的这些形式或修改。
Claims (5)
1.一种半导体发光装置，包括：
半导体层，其包括第一主表面，与所述第一主表面相反的第二主表面，以及发光层；
第一电极，其被设置于所述第二主表面的包括所述发光层的区域上；
第二电极，其被设置于所述第二主表面上；
第一绝缘层，其被设置于所述半导体层的所述第二主表面侧上，并且包括与所述第一电极连通的第一开口和与所述第二电极连通的第二开口；
第一互连层，其被设置于所述第一绝缘层中的第一开口内，并且被连接至所述第一电极；
第二互连层，其被设置于所述第一绝缘层中的第二开口内，并且被连接至所述第二电极；
第一金属柱，其被设置于所述第一互连层的与所述第一电极相反一侧的表面上；
第二金属柱，其被设置于所述第二互连层的与所述第二电极相反一侧的表面上；以及
第二绝缘层，其被设置于所述第一金属柱的侧面和所述第二金属柱的侧面之间；
所述第一互连层的一部分的边缘被从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中侧向暴露出来，
其中，所述第二互连层的所有边缘被所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的一个覆盖。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体发光装置具有矩形形状，所述第一互连层的所述一部分的所述边缘被暴露在所述矩形形状的短边上。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述半导体发光装置具有暴露所述第一互连层的所述一部分的所述边缘的侧边；
所述半导体层、所述第一电极、所述第二电极、所述第一金属柱和所述第二金属柱不暴露在所述侧边上。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，除了所述第一互连层的所述一部分的暴露边缘之外，所述第一互连层的侧向边缘不从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中侧向暴露出来。
5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，除了所述第一互连层的所述一部分的暴露边缘之外，所述第一互连层的侧向边缘不从所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中侧向暴露出来。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP130481/2010 | 2010-06-07 | ||
| JP2010130481A JP5449039B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102270727A CN102270727A (zh) | 2011-12-07 |
| CN102270727B true CN102270727B (zh) | 2014-06-04 |
Family
ID=44681508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110070604.XA Expired - Fee Related CN102270727B (zh) | 2010-06-07 | 2011-03-17 | 半导体发光装置及其制造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8963189B2 (zh) |
| EP (1) | EP2393135B1 (zh) |
| JP (1) | JP5449039B2 (zh) |
| CN (1) | CN102270727B (zh) |
| HK (1) | HK1163346A1 (zh) |
| TW (1) | TWI489662B (zh) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5662277B2 (ja) | 2011-08-08 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及び発光モジュール |
| JP2013065726A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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| JP5869961B2 (ja) | 2012-05-28 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
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| JP2011199193A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 発光装置及びその製造方法 |
| JP5101650B2 (ja) | 2010-03-25 | 2012-12-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-07 JP JP2010130481A patent/JP5449039B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-10 TW TW100108112A patent/TWI489662B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-17 CN CN201110070604.XA patent/CN102270727B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-21 US US13/052,250 patent/US8963189B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-22 EP EP11159168.1A patent/EP2393135B1/en not_active Not-in-force
-
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- 2012-04-18 HK HK12103794.8A patent/HK1163346A1/xx not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1819255A (zh) * | 2005-02-03 | 2006-08-16 | 范朝阳 | 基于微型发光二极管的高压交直流指示灯 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110297998A1 (en) | 2011-12-08 |
| HK1163346A1 (en) | 2012-09-07 |
| TWI489662B (zh) | 2015-06-21 |
| TW201203630A (en) | 2012-01-16 |
| US8963189B2 (en) | 2015-02-24 |
| CN102270727A (zh) | 2011-12-07 |
| EP2393135B1 (en) | 2013-12-11 |
| JP2011258667A (ja) | 2011-12-22 |
| JP5449039B2 (ja) | 2014-03-19 |
| EP2393135A1 (en) | 2011-12-07 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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|
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