CN102263021B - 一种低电压栅氧化层制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种低电压栅氧化层制备方法，通过等离子体氮化处理使N等离子体轰击受损基底上生成的低电压栅氧化层，使低电压栅氧化层中的部分Si与N结合形成Si-N键，接着再对低电压栅氧化层进行退火处理以修复晶格损伤。采用本发明方法形成的低电压栅氧化层可确保具有较高的击穿电压，从而可有效提高器件的性能。

Description

一种低电压栅氧化层制备方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造工艺领域，特别涉及一种低电压栅氧化层制备方法。
背景技术
栅氧化层的制备工艺是半导体制造工艺中的关键技术，直接影响和决定了器件的电学特性和可靠性。随着半导体器件尺寸的越来越小，栅极绝缘膜越来越薄膜化。在这样进行薄膜化的栅极绝缘膜中，保持低的漏电流，以及保持高的可靠性是很重要。
在集成电路元件中，不同的电路需要具有不同基础操作特性的不同电路元件密切配合。而为因应电路元件的竞争力及多样性，在某些电路上须同时具有不同栅氧化层厚度的元件存在，以满足不同操作电压的需求，因此便需要多种栅氧化层厚度(multiple gate oxide thickness)。一般而言，在同一芯片上同时会存在有高电压(high voltage，简称HV)与低电压(loW voltage，简称LV)元件等不同电压的元件，而高电压元件需成长较厚的栅氧化层才能承受高电压的工作环境，低电压元件则成长较薄的栅氧化层即可承受低电压的工作环境。
现有技术中，在制备包括高电压元件的栅氧化层和低电压元件的栅氧化层的芯片时，首先在具有高电压元件区和低电压元件区的半导体基底上形成较厚的高电压栅氧化层，为了实现在低电压元件区形成较薄的栅氧化层，通常会采用干法刻蚀来移除低电压元件区的高电压栅氧化层，然后再在低电压元件区形成薄的低电压栅氧化层。但在通过干法刻蚀去除低电压元件区的高压栅氧化层时，通常会对低电压元件区的基底表面造成损伤，这种损伤也会影响在该受损伤的基底表面再形成的低电压栅氧化层的电性特性，造成形成的低电压栅氧化层的击穿电压较低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种低电压栅氧化层制备方法，以解决使用现有技术中的低电压栅氧化层制备方法制备的低电压栅氧化层击穿电压低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种低电压栅氧化层制备方法，包括以下步骤：
提供一基底，所述基底上具有低电压元件区；
在所述低电压元件区的基底上形成低电压栅氧化层；
对所述低电压栅氧化层进行等离子体氮化处理，具体的工艺条件为：温度为≥200℃，腔内压力为0.01-0.1Torr，射频功率为500-5000W，通入气体为惰性气体及N2气体，惰性气体的气体流量为0-1000sccm，N2的气体流量为0-1000sccm；
对所述低电压栅氧化层进行退火处理。
可选的，所述等离子体氮化处理的时间为0-500S。
可选的，在所述低电压元件区的基底上形成低电压栅氧化层的方法为通过炉管热氧化方法在所述低电压元件区的基底上形成氧化硅层。
可选的，所述退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体为N2气体和O2气体，或N2气体和N2O气体，或N2气体与O2、N2O的混合气体，O2或N2O气体或O2、N2O的混合气体的气体流量为0-30slm，N2的气体流量为0-30slm；退火时间为0-300S。
可选的，所述退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体为惰性气体和O2，或惰性气体和N2O气体，或惰性气体和O2、N2O的混合气体，O2或N2O气体或O2、N2O的混合气体的气体流量为0-30slm，N2的气体流量为0-30slm；退火时间为0-300S。
可选的，所述退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体为N2O气体，其气体流量是0-30slm；退火时间为0-300S。
本发明提供的低电压栅氧化层制备方法通过等离子体氮化处理使N等离子体轰击受损基底上生成的低电压栅氧化层，使低电压栅氧化层中的部分Si与N结合形成Si-N键，接着再对低电压栅氧化层进行退火处理以修复晶格损伤。采用本发明方法形成的低电压栅氧化层可确保具有较高的击穿电压，从而可有效提高器件的性能。
附图说明
图1a至图1e为本发明的低电压栅氧化层制备方法的流程示意图；
图2为采用本发明方法形成的单个晶片上各芯片上形成的低电压栅氧化层的击穿电压测试结果示意图；
图3为采用本发明方法形成的多个晶片上各芯片上低电压栅氧化层的击穿电压测试结果示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
本发明所述的低电压栅氧化层制备方法可广泛应用于多种不同栅氧化层制造工艺，并且可以利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在本发明的保护范围内。
图1a至图1e为本发明的低电压栅氧化层制备方法的流程示意图。
首先，请参照图1a，提供一基底100，所述基底100上具有高电压元件区101以及低电压元件区102。
其次，请继续参照图1a，在所述基底100上形成一层高电压栅氧化层103。所述高电压栅氧化层103的材料例如是氧化硅，其形成方法例如是热氧化法、化学气相沉积法或其他合适的方法。
再次，请看照图1b，在所述高电压栅氧化层103上涂覆光刻胶104，通过曝光显影使所述低电压元件区102上的高电压栅氧化层103暴露出来。
再次，请参照图1c，通过干法刻蚀去除所述低电压元件区102上的高电压栅氧化层103，并在完成干法刻蚀后去除所述光刻胶104。
再次，请参照图1d，在所述低电压元件区102的基底100上形成低电压栅氧化层105。形成所述低电压栅氧化层105的方法为通过炉管热氧化方法在所述低电压元件区102的基底100上形成氧化硅层。
再次，请参照图1e，对所述低电压栅氧化层105进行等离子体氮化处理。等离子体氮化处理的具体工艺条件为：温度为≥200℃，腔内压力为0.01-0.1Torr，射频功率为500-5000W，通入气体为惰性气体(例如He气体)及N2气体，惰性气体的气体流量为0-1000sccm，N2的气体流量为0-1000sccm，处理时间为0-500S。
最后，请继续参照图1e，对所述低电压栅氧化层105进行退火处理。退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体可以是N2气体和O2气体，或N2气体和N2O气体，或N2气体和O2、N2O的混合气体，O2或N2O气体或O2、N2O的混合气体的气体流量为0-30slm，N2的气体流量为0-30slm；通入气体还可以是惰性气体比如Ar气体和O2，或惰性气体和N2O气体，或惰性气体和O2、N2O的混合气体，O2或N2O气体或O2、N2O的混合气体的气体流量为0-30slm，N2的气体流量为0-30slm；通入气体还可以是单纯的N2O气体，其气体流量是0-30slm；退火时间为0-300S。
由于通过干法刻蚀去除低电压元件区102上的高电压栅氧化层103时不可避免的会对低电压元件区102上的基底100造成损伤，使得在该受损伤的基底100上再形成的低电压栅氧化层105的电性特性受到影响，造成低电压栅氧化层105的击穿电压较低。本发明方法中，通过等离子体氮化处理使N等离子体轰击受损基底100上生成的低电压栅氧化层105，使低电压栅氧化层105中的部分Si与N结合形成Si-N键，接着再对低电压栅氧化层105进行退火处理以修复晶格损伤。采用本发明方法形成的低电压栅氧化层可确保具有较高的击穿电压，从而可有效提高器件的性能。请参看图2和图3，图2为采用本发明方法形成的单个晶片上各芯片上形成的低电压栅氧化层的击穿电压测试结果示意图，图2中每个小格代表晶片上的一个芯片，小格内的数字代表该芯片上低电压栅氧化层的击穿电压；图3为采用本发明方法形成的多个晶片上各芯片上低电压栅氧化层的击穿电压测试结果示意图。由图2和图3中可看出，采用本发明方法形成的低电压栅氧化层具有相对稳定的击穿电压，且其击穿电压均在3v以上。
上述气体流量单位slm(standard litre per minute)代表标准状态下每分钟1标准升，其与国际标准单位间的换算方式为1slm＝16.67×10-6立方米/秒。上述压力单位Torr(托)与国际标准单位间的换算方式为1Torr≈133.322帕。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种低电压栅氧化层制备方法，包括以下步骤：
提供一基底，所述基底上具有低电压元件区，所述低电压元件区上形成有高电压栅氧化层；
采用干法刻蚀去除所述高电压栅氧化层；
在所述低电压元件区的基底上形成低电压栅氧化层；
对所述低电压栅氧化层进行等离子体氮化处理，具体的工艺条件为：温度为≥200℃，腔内压力为0.01-0.1Torr，射频功率为500-5000W，通入气体为惰性气体及N2气体，惰性气体的气体流量为0-1000sccm，N2的气体流量为0-1000sccm；
对所述低电压栅氧化层进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的低电压栅氧化层制备方法，其特征在于，在所述低电压元件区的基底上形成低电压栅氧化层的方法为通过炉管热氧化方法在所述低电压元件区的基底上形成氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的低电压栅氧化层制备方法，其特征在于，所述等离子体氮化处理的时间为0-500S。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的低电压栅氧化层制备方法，其特征在于，所述退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体为N2气体和O2气体，或N2气体和N2O气体，或N2气体与O2、N2O的混合气体，O2或N2O气体或O2、N2O的混合气体的气体流量为0-30slm，N2的气体流量为0-30slm；退火时间为0-300S。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的低电压栅氧化层制备方法，其特征在于，所述退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体为惰性气体和O2，或惰性气体和N2O气体，或惰性气体和O2、N2O的混合气体，O2或N2O气体或O2、N2O的混合气体的气体流量为0-30slm，N2的气体流量为0-30slm；退火时间为0-300S。
6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的低电压栅氧化层制备方法，其特征在于，所述退火的具体工艺条件为：温度为950-1150℃，腔内压力为1-100Torr，通入气体为N2O气体，其气体流量是0-30slm；退火时间为0-300S。
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