CN102253535A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。所述显示装置包括:第一透明基板,其具有包括显示区域和周边区域的表面,所述周边区域包围所述显示区域并包括配线图案形成区域和配线图案非形成区域;配线图案,其形成在所述配线图案形成区域上方并具有遮光能力;结构体,其在所述周边区域上方形成为使所述配线图案非形成区域露出并覆盖所述配线图案;密封材料,其在所述周边区域上方形成为覆盖所述配线图案非形成区域并包围所述结构体;显示层,其形成在所述显示区域上方;和第二透明基板,其形成在所述结构体、所述密封材料和所述显示层上方。该显示装置能够在保持形成在透明基板上的配线的设计灵活性的同时提高显示质量。
Description
相关申请的交叉参考
本申请包含与2010年5月21日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2010-116916的公开内容相关的主题,在这里将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。具体地,本发明涉及具有两个彼此相对的透明基板和形成在两个透明基板之间的显示层的显示装置以及该显示装置的制造方法。
背景技术
目前存在一种具有两个彼此相对的透明基板和形成在两个透明基板之间的显示层的显示装置。这类显示装置的示例包括下述液晶显示装置:该液晶显示装置具有通过在透明基板上以阵列形式形成多个诸如薄膜晶体管(TFT)之类的晶体管而获得的阵列基板、通过在透明基板上形成滤色器而获得的滤色器基板、以及形成在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。
在液晶显示装置中,在阵列基板和滤色器基板的周边区域中形成密封材料,以便使阵列基板和滤色器基板彼此接合。在通过密封材料使阵列基板和滤色器基板彼此接合之后,使用紫外(UV)光照射密封材料以使其固化。
还存在如下液晶显示装置:在该液晶显示装置中,例如,为了减小液晶显示装置的尺寸,密封材料布置成与形成在滤色器基板的周边区域中的黑色阻光部重叠。在这类液晶显示装置中,由于黑色阻光部具有遮光能力,所以不能从滤色器基板侧使用紫外光照射密封材料,而必须从阵列基板侧进行照射。
在从阵列基板侧进行紫外光照射的这类液晶显示装置中,形成在阵列基板的周边区域中的周边电路图案遮挡了紫外光。因此,位于与周边电路图案重叠的区域中的密封材料可能无法被紫外光充分照射,从而仍处于非固化状态。在这种情况下,未固化的密封材料可能溶出到液晶层中,产生诸如斑点和老化(burn-in)之类的显示缺陷。
对于解决这类问题的技术,目前披露了一种如下技术:从液晶层侧朝密封构件的外侧方向连续设置在阵列基板上的阵列配线形成为裂缝(slit)形式,以由此进行充分照射UV光(紫外光)的UV密封,从而防止UV密封溶出到液晶层(例如参见日本公开专利申请No.2007-233029)。
但是,形成为裂缝形式的阵列配线的形成方法可能显著地限制了阵列配线的设计灵活性。在具有两个彼此相对的透明基板和形成在两个透明基板之间的显示层的其它显示装置中,例如,在两个透明基板之间形成有机EL膜的有机电致发光(EL)显示装置中,也可能类似地产生上述问题。
发明内容
鉴于上述问题,本发明旨在提供一种能够在保持形成在透明基板上的配线的设计灵活性的同时提高显示质量的显示装置和该显示装置的制造方法。
本发明的实施例提供了下述显示装置和显示装置的制造方法。
所述显示装置包括:第一透明基板,其具有包括显示区域和周边区域的表面,所述周边区域包围所述显示区域并包括配线图案形成区域和配线图案非形成区域;配线图案,其形成在所述配线图案形成区域上方,具有遮光能力;和结构体,其在所述周边区域上方形成为使所述配线图案非形成区域露出并覆盖所述配线图案。此外,所述显示装置还包括:密封材料,其在所述周边区域上方形成为覆盖所述配线图案非形成区域并包围所述结构体;显示层,其形成在所述显示区域上方;和第二透明基板,其形成在所述结构体、所述密封材料和所述显示层上方。
所述显示装置的制造方法包括下述步骤:在第一透明基板的表面侧上方形成正性光致抗蚀剂层,所述第一透明基板具有包括显示区域和周边区域的表面,所述周边区域包围所述显示区域。在所述周边区域上方形成有具有遮光能力的配线图案,所述正性光致抗蚀剂层覆盖所述周边区域。此外,所述方法还包括下述步骤:通过将所述配线图案用作掩模,使用来自后表面侧的光对上方形成有所述正性光致抗蚀剂层的所述第一透明基板进行照射,曝光所述正性光致抗蚀剂层;以及通过对经曝光的所述正性光致抗蚀剂层进行显影并选择性地保留位于所述配线图案上方的所述正性光致抗蚀剂层来形成结构体。另外,所述方法还包括下述步骤:在上方形成有所述结构体的所述第一透明基板的所述周边区域的上方形成包围所述结构体的密封材料;通过使第二透明基板隔着所述结构体和所述密封材料堆叠在所述第一透明基板的所述表面的上方来形成堆叠体;以及使用来自所述第一透明基板的所述后表面侧的光照射所述堆叠体,固化所述密封材料。
根据本发明实施例的所述显示装置和所述显示装置的制造方法能够在保持形成在透明基板上的配线的设计自由度的同时提高显示质量。
附图说明
图1是表示根据第一实施例的显示装置的一个示例的剖面图;
图2是表示根据第二实施例的液晶显示装置的一个示例的剖面图;
图3是表示根据第二实施例的液晶显示装置的一个示例的平面图;
图4A和图4B是图3的放大平面图;
图5是表示根据第二实施例的液晶显示装置的变型示例的剖面图;
图6是显示根据第三实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的流程图;
图7A~图7J是表示根据第三实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的步骤图;
图8是表示根据第四实施例的液晶显示装置的一个示例的剖面图;
图9是表示根据第五实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的流程图;及
图10A~图10J是表示根据第五实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的步骤图。
具体实施方式
下面将参考附图对本发明的实施例进行说明。
第一实施例
图1是表示根据本发明的第一实施例的显示装置的一个示例的剖面图。
显示装置10包括透明基板11,透明基板11的表面11a包括显示区域A1和包围显示区域A1的周边区域A2。此外,周边区域A2包括配线图案形成区域A3和配线图案非形成区域A4。
在配线图案形成区域A3上方形成具有遮光能力的配线图案12。多个诸如TFT之类的晶体管(未图示)以阵列形式形成在显示区域A1上方。配线图案12构成电连接至这些晶体管的周边电路。此外,在显示区域A1上方形成多个透明电极(未图示)。多个透明电极中的每个透明电极分别电连接至各个晶体管。
在周边区域A2上方形成结构体13,结构体13使配线图案非形成区域A4露出并覆盖配线图案12。
此外,例如,在周边区域A2上方,密封材料14与结构体13形成在同一层中。例如,密封材料具有可通过紫外光进行固化的光固化特性。密封材料14形成为包围结构体13。也就是说,密封材料14形成为使配线图案12露出并覆盖配线图案非形成区域A4。
在显示区域A1上方形成显示层15。例如,将液晶层或有机EL膜用作显示层15。
另外,在结构体13、密封材料14和显示层15上方形成透明基板16。在透明基板16上方形成如滤色器(未图示)和透明电极(未图示)等。因此,透明基板16布置成隔着结构体13和包封在结构体13周围的密封材料14与透明基板11相对。
如上所述,在显示装置10中,结构体13在周边区域A2上方形成为使配线图案非形成区域A4露出并覆盖配线图案12,且密封材料14形成为包围结构体13。也就是说,在用于固化密封材料14的光被配线图案12遮住的位置处,形成结构体13而没有形成密封材料14。这可以使密封材料14形成为充分固化状态,从而抑制了密封材料14溶出到显示层15的可能性。
此外,在显示装置10中,不必改变配线图案12的布置和形状,因此,也未限制配线图案12的设计灵活性。
接下来,将显示装置10应用到液晶显示装置的实施例作为本发明的第二实施例进行说明。
第二实施例
图2是表示根据第二实施例的液晶显示装置的示例的剖面图。
液晶显示装置100包括透明基板110,透明基板110的表面111包括显示区域A11、包围显示区域A11的周边区域A12和位于周边区域A12外侧的引出配线形成区域A13。此外,周边区域A12包括配线图案形成区域A14和配线图案非形成区域A15。例如,将玻璃基板用作透明基板110。
在配线图案形成区域A14上方形成具有遮光能力的配线图案120。例如,将金属图案用作配线图案120。配线图案120构成周边电路,并且,例如,由多个配线图案形成配线图案120。例如,多个配线图案120形成在多个层中。
多个诸如TFT之类的晶体管130以阵列形式形成在显示区A11上方。在附图中,显示了一个作为代表的晶体管130。晶体管130电连接到配线图案120。在显示区域A11中的间隔件形成区域的上方形成遮光图案137。
晶体管130具有栅极131、覆盖栅极131的栅极绝缘膜132、形成在栅极绝缘膜132上方的半导体层133、覆盖半导体层133的层间绝缘膜134、源极135和漏极136,源极135和漏极136形成在层间绝缘膜134上方并电连接到半导体层133。
多条引出配线150隔着绝缘膜140形成在引出配线形成区域A13的上方。引出配线150电连接到配线图案120。
在显示区域A11和周边区域A12上方形成覆盖配线图案120和晶体管130的绝缘膜160。绝缘膜160的上表面被平坦化。绝缘膜160同时形成为使引出配线150露出。
在绝缘膜160上方形成透明电极170。例如,将铟锡氧化物(ITO)用作透明电极170。透明电极170位于显示区域A11的上方。透明电极170电连接到晶体管130的漏极136,晶体管130控制供应到透明电极170的电压电源。
在绝缘膜160上方形成结构体180、密封材料190、液晶层200和间隔件210。在周边区域A12上方,结构体180形成为使配线图案非形成区域A15露出并覆盖配线图案120。例如,将诸如树脂之类的抗蚀剂材料(resist material)作为结构体180。
密封材料190在周边区域A12上方与结构体180形成在同一层中,并形成为包围结构体180。也就是说,密封材料190形成为使配线图案120露出并覆盖配线图案非形成区域A15。例如,密封材料190具有可通过紫外光进行固化的光固化特性。例如,将如下材料等用作密封材料190的材料:通过将光聚合引发剂(photo polymerization initiator)混合到丙烯酸(acrylic)/环氧类(epoxy-based)热固化树脂中而获得该材料。
在显示区域A11上方形成液晶层200。液晶层200的侧面201与密封材料190接触。在遮光图案137上方形成间隔件210,液晶层200包围间隔件210。
在结构体180、密封材料190、液晶层200和间隔件210上方形成透明电极220。例如,将ITO用作透明电极220。
保护层230隔着透明电极220形成在结构体180、密封材料190、液晶层200和间隔件210上方。在保护层230上方形成黑色阻光部240和滤色器(CF)250。
黑色阻光部240具有遮光能力。黑色阻光部240形成在周边区域A12和引出配线形成区域A13上方。滤色器250形成在显示区域A11上方。例如,滤色器250是由包含染料或包含具有红(R)、绿(G)和蓝(B)三原色的颜料的树脂膜形成。
透明基板270隔着黑色阻光部240和滤色器250形成在保护层230上方。透明基板270的表面271与透明基板110的表面111相对。例如,将玻璃基板用作透明基板270。
接下来,在下面将说明液晶显示装置100的平面结构。
图3是表示根据第二实施例的液晶显示装置的一个示例的平面图。图4A和4B是图3的放大平面图。在图3中,省略了透明基板110上方的除引出配线150之外的结构的图示。在图4中,省略了绝缘膜160以及绝缘膜160上方的结构的图示。
如图3所示,透明基板110的表面111包括位于中心的显示区域A11、包围显示区域A11的周边区域A12和位于周边区域A12外侧的引出配线形成区域A13。在引出配线形成区域A13上方布置引出配线150。
如图4A所示,配线图案120布置在周边区域A12上方。在这个结构中,布置多个具有不同宽度的配线图案120。如图4B所示,在显示区域A11上方布置多条信号线300、多条栅极线310和多个晶体管130。显示区域A11包括多个由信号线300和栅极线310包围的像素区域A11a。每一像素区域A11a布置有晶体管130。
如上所述,在液晶显示装置100中,在周边区域A12上方形成使配线图案非形成区域A15露出并覆盖配线图案120的结构体180,密封材料190形成为包围结构体180。也就是说,在用于固化密封材料190的光被配线图案120遮住的位置处,形成结构体180但没有形成密封材料190。这能够使密封材料190形成为充分固化状态,从而抑制密封材料190溶出到液晶层200的可能性。
此外,在液晶显示装置100中,不必改变配线图案120的布置和形状,因此,也没有限制配线图案120的设计灵活性。
接下来,将下文将说明液晶显示装置100的变型示例。
变型示例
图5是表示根据第二实施例的液晶显示装置的变型示例的剖面图。
在液晶显示装置100a中,周边区域A12包括配线图案形成区域A14a和配线图案形成区域A14b,配线图案形成区域A14b的宽度大于配线图案形成区域A14a的宽度。在配线图案形成区域A14a上方形成配线图案120a,在配线图案形成区域A14b上方形成配线图案120b。
在周边区域A12上方,结构体180形成为使配线图案非形成区域A15和配线图案120a露出,并覆盖配线图案120b。其它结构与液晶显示装置100中的结构相同。
也就是说,在液晶显示装置100a中,结构体180不形成在具有较小宽度的配线图案形成区域A14a上方,而是形成在宽度大于配线图案形成区域A14a的配线图案形成区域A14b上方。
由于该特征的原因,在液晶显示装置100a中,使密封材料190增加了与配线图案形成区域A14a相应的形成面积,由此能够增强密封材料190与绝缘膜160和透明电极220的粘合性。
可以预见,使用来回传播的光从配线图案120a周边照射位于具有较小宽度的配线图案形成区域A14a上方的密封材料190,由此固化密封材料190。因此,也能够使密封材料190形成为充分固化状态。
接下来,将液晶显示装置100和100a的制造方法作为本发明的第三实施例进行说明。
第三实施例
图6是表示根据第三实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的流程图。图7A~图7J是表示根据第三实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的步骤图。下文将使用图7A~7J的步骤图来说明根据第三实施例的液晶显示装置的制造方法和图6的流程图。在第三实施例的说明中,对制造液晶显示装置100和100a的所有步骤中的代表性步骤进行说明。
将首先说明阵列基板侧的制造方法。
步骤S10
首先,如图7A所示,在透明基板110的表面111上方形成配线图案120(或配线图案120a和120b)和晶体管(未图示)。在周边区域A12上方形成配线图案120(或配线图案120a和120b),并在显示区域A11上方形成晶体管。
此外,在透明基板110的表面111上方,绝缘膜160形成为覆盖配线图案120(或配线图案120a和120b)和晶体管。将通过在透明基板110的表面111上方形成配线图案120(或配线图案120a和120b)、晶体管和绝缘膜160而获得的单元称作阵列基板110a。
步骤S11
接下来,如图7B所示,在阵列基板110a上形成正性光致抗蚀剂层320。例如,正性光致抗蚀剂层320是包含重氮萘醌磺酸酯化合物(naphthoquinone diazide sulfonate ester compound)作为光增敏剂(photosensitizing agent)的树脂。例如,通过使用旋涂法(spin-coatingmethod)在阵列基板110a上方施加液态正性光致抗蚀剂材料形成正性光致抗蚀剂层320。
步骤S12
接下来,如图7C所示,使用来自透明基板110的后表面112侧的光对其上方形成有正性光致抗蚀剂层320的阵列基板110a进行照射,从而曝光正性光致抗蚀剂层320。例如在曝光量为400mJ/cm2的条件下使用其主波长处于i射线波长~g射线的波长范围内的光进行照射,由此进行该曝光。
通过这个曝光,除了配线图案120(或配线图案120a和120b)上方的区域之外,正性光致抗蚀剂层320均受到曝光。由于对正性光致抗蚀剂层320中的位于配线图案120(或配线图案120a和120b)上方的部分区域进行照射的光被配线图案120(或配线图案120a和120b)遮住,所以该部分区域没有被曝光。也就是说,配线图案120(或配线图案120a和120b)充当掩模,于是通过自对准选择性地曝光正性光致抗蚀剂层320。
步骤S13
接下来,如图7D所示,借助掩模330使用来自透明基板110的表面111侧的光对其上方形成有正性光致抗蚀剂层320的阵列基板110a进行照射,从而选择性地曝光正性光致抗蚀剂层320。例如在曝光量为200mJ/cm2的条件下使用其主波长处于i射线波长~g射线波长范围内的光进行照射,由此进行该曝光。通过使用诸如对准光刻机(aligner)或步进式曝光机(stepper)之类的能够对准的曝光图案化装置来进行该曝光。
通过这个曝光,正性光致抗蚀剂层320中的由于存在有除配线图案120(或配线图案120a和120b)之外的金属图案的原因而在上述步骤S 12的曝光中没有被曝光的部分区域和正性光致抗蚀剂层320中的不希望最终保留的区域被选择性曝光。例如,在该步骤中,对位于引出配线150上方的正性光致抗蚀剂层320进行曝光。此外,例如,在液晶显示装置100a的制造方法中,该步骤对位于配线图案120a上方的正性光致抗蚀剂层320进行曝光。
也能够将步骤S13和步骤S12之间的步骤顺序进行交换。或者,也能够同时进行步骤S13和步骤S12。
步骤S14
接下来,如图7E所示,对经曝光的正性光致抗蚀剂层320进行显影(development)。通过显影,将在步骤S12的曝光和在步骤S13的曝光中被曝光的正性光致抗蚀剂层320移除,并选择性地保留位于配线图案120(或配线图案120b)上方的正性光致抗蚀剂层320以作为结构体180。
由于通过将配线图案120(或配线图案120b)用作掩模从而以自对准方式形成结构体180,所以结构体180以高的位置精度布置在配线图案120(或配线图案120b)上方。
步骤S15
接下来,对结构体180进行UV固化。这能够抑制由于结构体180的后烘干步骤中的热回流(heat reflow)的原因而导致的结构体180的变形。如果结构体180具有足够高的玻璃态转变温度(glass transitiontemperature),则不必进行UV固化。
步骤S16
接下来,对结构体180进行后烘干,以使结构体180经历主烘烤(mainfiring)。
步骤S17
接下来,通过印刷法(printing)在阵列基板110a上方形成取向膜(未图示)。
步骤S18
接下来,根据需要对形成在阵列基板110a上方的取向膜进行研磨(rubbing)。
接着,下文将说明滤色器基板侧的制造方法。
步骤S19
首先,如图7F所示,在透明基板270的表面271上方形成滤色器250和黑色阻光部240。将通过在透明基板270的表面271上方形成滤色器250和黑色阻光部240而获得的单元称作滤色器基板270a。
步骤S20
接下来,通过印刷法在滤色器基板270a上方形成取向膜(未图示)。
步骤S21
接下来,根据需要对滤色器基板270a上方形成的取向膜进行研磨。
接着,下文将说明阵列基板110a和滤色器基板270a的堆叠步骤。
步骤S22
首先,如图7G所示,在阵列基板110a上方提供密封材料190。密封材料190引入到透明基板110的周边区域A12的上方使得覆盖结构体180。密封材料190可提供到滤色器基板270a侧上。
步骤S23
接下来,如图7H所示,在提供有密封材料190的阵列基板110a上方提供液晶材料340。在透明基板110的显示区域A11的上方提供液晶材料340。例如,通过使用分液器(dispenser)进行滴入的方式提供液晶材料340。液晶材料340可提供在滤色器基板270a侧上。
步骤S24
接下来,如图7I所示,滤色器基板270a隔着结构体180、密封材料190或液晶材料340堆叠在阵列基板110a上方,从而形成堆叠体350。具体地,通过密封材料190使阵列基板110a和滤色器基板270a彼此接合。滤色器基板270a堆叠在阵列基板110a上方,使得透明基板110的表面111与透明基板270的表面271彼此相对。
由于在将滤色器基板270a堆叠在阵列基板110a上方时产生压力的原因,液晶材料340在阵列基板110a、滤色器基板270a和密封材料190所包围的空间内分散,并填满这个空间。由此,形成液晶层200。此外,由于在将滤色器基板270a堆叠在阵列基板110a上方时产生压力的原因,位于结构体180上方的密封材料190被排挤到结构体180的周边。
可在使阵列基板110a和滤色器基板270a彼此接合之后而不是在上述步骤S23中提供液晶材料340。在这种情况下,例如,借助设置在密封材料190中的开口将液晶材料340从外部注入到阵列基板110a、滤色器基板270a和密封材料190所包围的空间中。
步骤S25
接下来,如图7J所示,使用UV光从透明基板110的后表面112侧照射堆叠体350,于是固化密封材料190。
步骤S26
接下来,加热堆叠体350以固化液晶层200。
以上述方式,制造液晶显示装置100和100a。
如上所述,在第三实施例中,使用来自透明基板110的后表面112侧的用于固化密封材料190的光照射在配线图案120上方形成有结构体180的堆叠体350。也就是说,在用于固化密封材料190的光被配线图案120遮挡的位置处,形成结构体180而没有形成密封材料190。这能够使用光照射密封材料190的整个表面,并能够在整个表面上充分固化密封材料190。因此,能够抑制密封材料190溶出到液晶层200中的可能性。
此外,不必改变配线图案120(或配线图案120a和120b)的布置和形状,因此,也没有限制配线图案120(或配线图案120a和120b)的设计灵活性。
接下来,下文将在液晶显示装置100中形成取向核(alignmentnucleus)的实施例作为本发明的第四实施例进行说明。
第四实施例
图8是表示根据第四实施例的液晶显示装置的一个示例的剖面图。
除了液晶显示装置100的结构之外,液晶显示装置100b还具有下述结构。
在液晶显示装置100b中,在显示区域A11上方形成具有遮光能力的遮光图案360和370。例如将钼(Mo)的金属图案用作遮光图案360和370。绝缘膜160形成为覆盖遮光图案360和370。
在绝缘膜160上方形成取向核380。取向核380形成在遮光图案360上方。液晶层200形成为覆盖取向核380。取向核380控制液晶层200的定位。在遮光图案370上方形成间隔件210。
虽然附图仅示出一个取向核380和一个间隔件210,但也可形成多个取向核380和多个间隔件210。取向核380和间隔件210使用与结构体180相同的材料。在这种结构中,诸如树脂之类的抗蚀剂材料用作取向核380和间隔件210的材料。
如上所述,在液晶显示装置100b中,结构体180、取向核380和间隔件210是由同一材料形成。这能够抑制材料成本。此外,与液晶显示装置100相类似,能够使密封材料190形成为充分固化状态,于是抑制密封材料190溶出到液晶层200中的可能性。
接着,下文将液晶显示装置100b的制造方法作为本发明的第五实施例进行说明。
第五实施例
图9是表示根据第五实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的流程图。图10A~图10J是表示根据第五实施例的液晶显示装置的制造方法的一个示例的步骤图。下文使用图10A~图10J的步骤图来说明第五实施例的液晶显示装置的制造方法和图9的流程图。在第五实施例的说明中,对制造液晶显示装置100b的所有步骤中的代表性步骤进行说明。
将首先说明阵列基板侧的制造方法。
步骤S30
首先,如图10A所示,在透明基板110的表面111上形成配线图案120、晶体管(未图示)以及遮光图案360和370。配线图案120形成在周边区域A12上方,晶体管形成在显示区域A11上方。遮光图案360形成在显示区域A11中的取向核形成区域上方,遮光图案370形成在显示区域A11中的间隔件形成区域上方。
此外,在透明基板110的表面111上,绝缘膜160形成为覆盖配线图案120、晶体管以及遮光图案360和370。将通过在透明基板110的表面111上形成配线图案120、晶体管以及遮光图案360和370而获得的单元称作阵列基板110b。
步骤S31
接下来,如图10B所示,在阵列基板110b上方形成正性光致抗蚀剂层320。例如通过使用旋涂法在阵列基板110b上施加液态正性光致抗蚀剂材料而形成正性光致抗蚀剂层320。
步骤S32
接下来,如图10C所示,使用来自透明基板110的后表面112侧的光对其上形成有正性光致抗蚀剂层320的阵列基板110b进行照射,从而曝光正性光致抗蚀剂层320。例如在曝光量为400mJ/cm2的条件下使用其主波长处于i射线波长~g射线波长范围内的光进行照射,由此进行该曝光。
通过这个曝光,除配线图案120上方和遮光图案360和370上方的区域外,正性光致抗蚀剂层320均受到曝光。由于照射正性光致抗蚀剂层320位于配线图案120以及遮光图案360和370上方的部分区域的光被配线图案120以及遮光图案360和370遮住,因此该部分区域没有受到曝光。也就是说,将配线图案120以及遮光图案360和370用作掩模,由此通过自对准选择性地曝光正性光致抗蚀剂层320。
步骤S33
接下来,如图10D所示,借助掩模331使用来自透明基板110的表面111侧的光对其上形成有正性光致抗蚀剂层320的阵列基板110b进行照射,于是选择性地曝光正性光致抗蚀剂层320。例如在曝光量为200mJ/cm2的条件下使用其主波长处于i射线波长~g射线波长范围内的光进行照射,由此进行该曝光。通过使用诸如对准光刻机或步进式曝光机之类的能够对准的曝光图案化装置来进行该曝光。
通过这个曝光,正性光致抗蚀剂层320的由于存在配线图案120以及遮光图案360和370之外的金属图案的原因而没有在上述步骤S32的曝光中受到曝光的部分区域以及正性光致抗蚀剂层320中的不希望最终保留的区域被选择性到曝光。例如,在这个步骤中,对位于引出配线150上方的正性光致抗蚀剂层320进行曝光。
另外,此时,对位于取向核形成区域上方(即,遮光图案360上方)的正性光致抗蚀剂层320进行部分曝光(half exposure)。
也能够交换该步骤S33和上述步骤S32之间的步骤顺序。或者,也可以同时进行步骤S33和步骤S32。
步骤S34
接下来,如图10E所示,对经曝光的正性光致抗蚀剂层320进行显影。通过显影,移除在步骤S32的曝光中和在步骤S33的曝光中进行曝光的正性光致抗蚀剂层320,选择性地保留位于配线图案120上方的正性光致抗蚀剂层320以作为结构体180。
此外,选择性地保留位于遮光图案360上方的正性光致抗蚀剂层320以充当取向核380。另外,选择性地保留位于遮光图案370上方的正性光致抗蚀剂层320以充当间隔件210。由于作为取向核380的前身的正性光致抗蚀剂层320经历了部分曝光,所以取向核380的高度低于结构体180和间隔件210的高度。
通过将配线图案120以及遮光图案360和370用作掩模并由此以自对准方式形成结构体180、取向核380和间隔件210。因此,结构体180、取向核380和间隔件210以高的位置精度布置在配线图案120以及遮光图案360和370的上方。
步骤S35
接下来,对结构体180、取向核380和间隔件210进行UV固化。这能够抑制由于对结构体180、取向核380和间隔件210的后烘干步骤中的热回流而导致的结构体180、取向核380和间隔件210的变形。如果结构体180、取向核380和间隔件210具有足够高的玻璃态转变温度,则不必进行UV固化。
步骤S36
接下来,对结构体180、取向核380和间隔件210进行后烘干,从使结构体180、取向核380和间隔件210经历主烘烤。
步骤S37
接下来,通过印刷法在阵列基板110b上方形成取向膜(未图示)。
接着,下文将说明滤色器基板侧的制造方法。
步骤S38
首先,如图10F所示,在透明基板270的表面271上方形成滤色器250和黑色阻光部240。将通过在透明基板270的表面271上方形成滤色器250和黑色阻光部240而获得的单元称作滤色器基板270b。
步骤S39
接下来,通过印刷法在滤色器基板270b上方形成取向膜(未图示)。
接着,下文将说明阵列基板110b和滤色器基板270b的堆叠步骤。
步骤S40
首先,如图10G所示,在阵列基板110b上提供密封材料190。密封材料190引入到透明基板110的周边区域A12的上方使得覆盖结构体180。密封材料190可提供在滤色器基板270b侧上。
步骤S41
接下来,如图10H所示,在其上提供有密封材料190的阵列基板110b的上方提供液晶材料340。液晶材料340提供在透明基板110的显示区域A11的上方。例如通过使用分液器进行滴入的方式提供液晶材料340。液晶材料340可提供在滤色器基板270b侧上。
步骤S42
接下来,如图10I所示,滤色器基板270b隔着结构体180、密封材料190、间隔件210和液晶材料340堆叠在阵列基板110b上方,从而形成堆叠体351。具体地,通过密封材料190使阵列基板110b和滤色器基板270b彼此接合。
间隔件210控制阵列基板110b和滤色器基板270b之间的间距。滤色器基板270b堆叠在阵列基板110b上方使得透明基板110的表面111和透明基板270的表面271彼此相对。
此外,由于在将滤色器基板270b堆叠在阵列基板110b上方时产生压力的原因,液晶材料340在阵列基板110b、滤色器基板270b和密封材料190所包围的空间内分散,并填满该空间。由此,形成液晶层200。此外,由于在将滤色器基板270b堆叠在阵列基板110b上方时产生压力的原因,位于结构体180上的密封材料190被排挤到结构体180的周边。
可以在阵列基板110b和滤色器基板270b彼此接合之后而不是在上述步骤S41中提供液晶材料340。在这种情况下,例如通过设置在密封材料190中的开口将液晶材料340从外部注入到阵列基板110b、滤色器基板270b和密封材料190所包围的空间。
步骤S43
接下来,如图10J所示,从透明基板110的后表面112侧使用UV光照射堆叠体351,于是固化密封材料190。
步骤S44
接下来,加热堆叠体351以固化液晶层200。
以上述方式,制造液晶显示装置100b。
如上所述,在第五实施例中,可通过使用用于形成结构体180的后表面曝光步骤和显影步骤来形成取向核380和间隔件210。这能够简化取向核380和间隔件210的形成步骤。
此外,类似于第三实施例,在第五实施例中,也能够使用光照射密封材料190的整个表面,可在整个表面上充分固化密封材料190。因此,能够抑制密封材料190溶出到液晶层200中的可能性。
此外,不必改变配线图案120的布置和形状,因此,也没有限制配线图案120的设计灵活性。
本领域技术人员应当理解,依据设计要求和其它因素,可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
Claims (15)
1.一种显示装置,其包括:
第一透明基板,其具有包括显示区域和周边区域的表面,所述周边区域包围所述显示区域并包括配线图案形成区域和配线图案非形成区域;
配线图案,其形成在所述配线图案形成区域上方,具有遮光能力;
结构体,其在所述周边区域上方形成为使所述配线图案非形成区域露出并覆盖所述配线图案;
密封材料,其在所述周边区域上方形成为覆盖所述配线图案非形成区域并包围所述结构体;
显示层,其形成在所述显示区域上方;和
第二透明基板,其形成在所述结构体、所述密封材料和所述显示层上方。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中
所述周边区域包括第一配线图案形成区域和第二配线图案形成区域,所述第二配线图案形成区域的宽度大于所述第一配线图案形成区域的宽度,
在所述第一配线图案形成区域上方形成第一配线图案,在所述第二配线图案形成区域上方形成第二配线图案,以及
所述结构体形成为使所述第一配线图案露出并覆盖所述第二配线图案。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中
在所述结构体与所述第二透明基板之间以及所述密封材料与所述第二透明基板之间形成遮光层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中
将抗蚀剂用作所述结构体的材料。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中
所述抗蚀剂是正性抗蚀剂。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中
将液晶层用作所述显示层。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中
将具有光固化特性的树脂用作所述密封材料。
8.一种显示装置的制造方法,所述方法包括下述步骤:
在第一透明基板的表面侧上方形成正性光致抗蚀剂层,所述第一透明基板具有包括显示区域和周边区域的表面,所述周边区域包围所述显示区域,在所述周边区域上方形成有具有遮光能力的配线图案,所述正性光致抗蚀剂层覆盖所述周边区域;
通过将所述配线图案用作掩模,使用来自后表面侧的光对上方形成有所述正性光致抗蚀剂层的所述第一透明基板进行照射,曝光所述正性光致抗蚀剂层;
通过对经曝光的所述正性光致抗蚀剂层进行显影并选择性地保留位于所述配线图案上方的所述正性光致抗蚀剂层来形成结构体;
在上方形成有所述结构体的所述第一透明基板的所述周边区域的上方形成包围所述结构体的密封材料;
通过使第二透明基板隔着所述结构体和所述密封材料堆叠在所述第一透明基板的所述表面的上方来形成堆叠体;以及
使用来自所述第一透明基板的所述后表面侧的光照射所述堆叠体,固化所述密封材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,还包括下述步骤:
通过掩膜,使用来自所述表面侧的光对上方形成有所述正性光致抗蚀剂层的所述第一透明基板进行照射,选择性地曝光所述正性光致抗蚀剂层。
10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中
在所述显示区域上方形成具有遮光能力的遮光图案,
所述正性光致抗蚀剂层形成为覆盖所述周边区域和所述遮光图案,以及
通过对经曝光的所述正性光致抗蚀剂层进行显影并选择性地保留位于所述配线图案和所述遮光图案上方的所述正性光致抗蚀剂层来形成所述结构体、间隔件和取向核。
11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法,还包括下述步骤:
对位于所述遮光图案上方的所述正性光致抗蚀剂层进行部分曝光。
12.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,还包括下述步骤:
在所述显示区域上方形成显示层,
其中,将液晶层用作所述显示层。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法,其中
通过滴入液晶材料来形成所述液晶层。
14.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法,其中
用于从所述第一透明基板的所述后表面侧照射所述堆叠体的所述光是紫外光。
15.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法,其中
将具有光固化特性的树脂用作所述密封材料。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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Owner name: JAPAN DISPLAY WEST INC. Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION Effective date: 20121107 |
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C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121107 Address after: Aichi Applicant after: Japan display West Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Applicant before: Sony Corp. |
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C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C05 | Deemed withdrawal (patent law before 1993) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111123 |