CN102253534B

CN102253534B - 显示装置制造方法和显示装置

Info

Publication number: CN102253534B
Application number: CN201110120314.1A
Authority: CN
Inventors: 永泽耕一
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Japan Display West Inc
Priority date: 2010-05-17
Filing date: 2011-05-10
Publication date: 2015-06-17
Anticipated expiration: 2031-05-10
Also published as: TW201142442A; US20110281491A1; US8475223B2; JP2011242506A; TWI442148B; CN102253534A

Abstract

本发明公开了显示装置制造方法和显示装置。所述方法包括如下步骤：在第一透明基板的表面上方形成正型光致抗蚀剂，所述第一透明基板设有形成在所述第一透明基板的所述表面上的晶体管，所述正型光致抗蚀剂覆盖所述晶体管；将光从所述第一透明基板的背面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，对所述正型光致抗蚀剂进行曝光；对这样曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下位于所述晶体管上方的所述正型光致抗蚀剂，由此形成隔离件；以及在所述第一透明基板的所述表面上方层叠第二透明基板，且所述隔离件位于所述第一透明基板与所述第二透明基板之间。本发明在抑制了因隔离件引起的漏光的同时，能够增大开口率。

Description

显示装置制造方法和显示装置

相关申请的交叉参考

本申请包含与2010年5月17日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2010-112997的公开内容相关的主题，在此将该优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及显示装置制造方法和显示装置。

背景技术

已存在一种具有阵列基板和滤色器基板的显示装置。在此情况下，在阵列基板中，在透明基板上以阵列形式形成有多个诸如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)等晶体管。此外，滤色器基板层叠在阵列基板的上方，且在滤色器基板与阵列基板之间有液晶层，并且滤色器基板的滤色器形成在透明基板上。

在该显示装置中，为了确保形成液晶层用的空间的目的，在阵列基板与滤色器基板之间设置有多个隔离件。因为在该多个隔离件所存在的区域中没有形成液晶层，所以就有一种可能性：透过隔离件而传输的光通常会漏出从而减小了对比度。

为此，在阵列基板中，在与设置有隔离件的区域相对应的区域中形成有用于遮光的遮光图形。然而，在此结构中，需要在阵列基板中新设置有形成该遮光图形用的区域。因此，像素中的透光区域即开口区域有所减小。总之，像素的开口率(aperture ratio)减小了。

另一方面，已知一种用于将隔离件设置在阵列基板的形成有TFT的区域上方的技术。由于TFT具有能够遮光的金属图形，因而TFT兼用作遮光区域。为此，将隔离件设置在形成有TFT的区域上方，就能够将隔离件转用为遮光图形，从而成为用来解决因隔离件引起的漏光的措施。利用该技术，因为不需要在阵列基板中新设置有形成遮光图形用的区域，因而能够增大像素的开口率。

例如，已知这样一种技术：利用该技术，在形成于有源元件侧基板上的有源元件的上方形成间隙控制层，该间隙控制层用于对在有源元件侧基板与对置侧基板之间所界定的间隙进行控制。这种技术例如记载在日本专利特许公报第Hei 10-62789号(以下称作专利文件1)中。

另外，作为隔离件的制造方法之一，已知这样的技术：利用该技术，在形成有遮光层的基板上形成感光树脂并利用该遮光层作为掩模从背面侧对感光树脂进行曝光之后，进行显影和烘烤处理，从而在该遮光层上选择性地形成了隔离件。这种技术例如记载在日本专利特许公报第Hei5-307181号中。另外，已知这样一种技术：利用该技术，使用基板上的黑矩阵图形作为掩模，利用线性光束进行背面曝光图形化处理，从而在平行的基板之间形成突起体(protrusion body)。这种技术例如记载在日本专利特许公报第Hei 7-120767号中。

然而，对于专利文件1所记载的技术，是在对置侧基板上形成要成为隔离件的间隙控制层之后，让有源元件侧基板和对置侧基板彼此重叠。因此，存在如下可能性：由于重叠精度的误差，间隙控制层会从形成有有源元件的区域偏移从而跨界至透光区域，而因此跨界后的间隙控制层会发生漏光。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，因此，本发明的目的是期望提供能够在抑制因隔离件引起的漏光的同时增大开口率的显示装置制造方法以及显示装置。

为了实现上述期望，本发明一个实施方案提供了一种显示装置制造方法，所述方法包括如下步骤：在第一透明基板的表面上方形成正型光致抗蚀剂，所述第一透明基板设有形成在所述第一透明基板的所述表面上的晶体管，所述正型光致抗蚀剂覆盖所述晶体管；将光从所述第一透明基板的背面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，对所述正型光致抗蚀剂进行曝光；对这样曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下位于所述晶体管上方的所述正型光致抗蚀剂，由此形成隔离件；以及在所述第一透明基板的所述表面上方层叠第二透明基板，且所述隔离件位于所述第一透明基板与所述第二透明基板之间。

本发明另一实施方案提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一透明基板，在所述第一透明基板的表面上形成有晶体管；隔离件，所述隔离件形成在所述第一透明基板的所述表面上方，所述隔离件位于用于构成所述晶体管的漏极电极的上方，且在材料上由正型光致抗蚀剂制成；液晶层，所述液晶层以包围着所述隔离件的方式形成在所述第一透明基板的所述表面上方；以及第二透明基板，所述第二透明基板层叠在所述第一透明基板的所述表面上方，且所述隔离件和所述液晶层位于所述第二透明基板与所述第一透明基板之间。

如上文所述，根据本发明的显示装置制造方法及显示装置，在抑制了因隔离件引起的漏光的同时，能够增大开口率。

附图说明

图1是示出了本发明第一实施例显示装置的制造方法的流程图。

图2A至图2F分别是示出了本发明第一实施例显示装置的制造方法中的制造工序的截面图。

图3是示出了本发明第一实施例中的阵列基板中的金属图形的布局示例的俯视平面图。

图4是示出了本发明第一实施例中的阵列基板中的遮光区域的布局示例的俯视平面图。

图5是示出了本发明第一实施例中的阵列基板的示例的截面图。

图6是示出了本发明第二实施例显示装置的制造方法的流程图。

图7A至图7F分别是示出了本发明第二实施例显示装置的制造方法中的制造工序的截面图。

具体实施方式

下面参照附图具体说明本发明的各优选实施例。

第一实施例

图1是示出了本发明第一实施例显示装置的制造方法的流程图。另外，图2A至图2F分别是示出了本发明第一实施例显示装置的制造方法中的制造工序的截面图。下面，根据图1的流程图并且参照图2A至图2F的工序图，说明本发明第一实施例显示装置的制造方法。

首先，说明阵列基板侧的制造方法。

步骤S10

如图2A所示，在透明基板100的表面101上形成晶体管110。例如使用玻璃基板作为透明基板100。例如使用薄膜晶体管(TFT)作为晶体管110。在透明基板100中以阵列的形式设置多个像素区域，并且在每个像素区域中形成晶体管110。晶体管110用作开关元件，该开关元件用于控制向设置在每个像素区域中的透明电极(未图示)的供电。

另外，晶体管110具有栅极电极、源极电极以及漏极电极，这些电极由能够遮光的金属图形构成。晶体管110兼用作基于这种金属图形进行遮光的遮光图形。

值得注意的是，在透明基板100的表面101上形成覆盖晶体管110的平坦化膜120。使用具有钝化用途的无机膜或者具有平坦化用途的有机膜作为平坦化膜120。另外，也可将上述无机膜和上述有机膜层叠起来，由此用作平坦化膜120。在平坦化膜120上形成与用于控制液晶取向的液晶模式相符合的像素电极等。这里，将其中在透明基板100的表面101上形成有晶体管110、平坦化膜120以及与液晶模式相符合的像素电极结构的基板组件称作阵列基板100a。

步骤S11

接着，在阵列基板100a上形成正型光致抗蚀剂130。正型光致抗蚀剂130例如含有作为感光剂的重氮萘醌磺酸酯化合物(naphthoquinonediazide sulfonic acid ester compound)。另外，例如将含有丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的共聚物用作正型光致抗蚀剂130中的树脂。例如，通过利用旋转涂敷方法将液态的正型光致抗蚀剂130涂敷到阵列基板100a上，由此形成正型光致抗蚀剂130。

步骤S12

接着，如图2B所示，光从透明基板100的背面102侧照射至形成有正型光致抗蚀剂130的阵列基板100a，由此对正型光致抗蚀剂130进行曝光。在曝光量为400mJ/cm²的条件下，照射例如将i～g射线的波长用作主波长的光，从而进行上述曝光。

在此曝光过程中，正型光致抗蚀剂130的除了位于晶体管110上方的区域以外的区域被曝光。正型光致抗蚀剂130的位于晶体管110上方的区域未被曝光，这是因为该区域被晶体管110遮挡了曝光用光。也就是说，使用晶体管110作为掩模，以自对准方式将正型光致抗蚀剂130选择性地曝光。

步骤S13

接着，如图2C所示，光经过掩模140从透明基板100的表面101侧照射至形成有正型光致抗蚀剂130的阵列基板100a，由此将正型光致抗蚀剂130选择性地曝光。在曝光量为200mJ/cm²的条件下，照射例如将i～g射线的波长用作主波长的光，从而进行上述曝光。在进行上述曝光时，使用诸如步进式曝光机(stepper)等能够执行对准操作的曝光形成图形用装置。

在此曝光过程中，选择性地曝光正型光致抗蚀剂130的如下区域：由于晶体管110以外的其他金属图形的存在因而在上述步骤S12的曝光阶段中还没有被曝光的区域；以及期望最终不会残留有正型光致抗蚀剂130的区域(例如位于焊盘区域上方的区域等)。值得注意的是，在顺序上，步骤S13中的工序也可与上述步骤S12中的工序替换。

步骤S14

接着，如图2D所示，对上述这样曝光后的正型光致抗蚀剂130进行显影。在该显影过程中，将正型光致抗蚀剂130的分别经过步骤S12中的曝光工序和经过步骤S13中的曝光工序而被曝光的部分除去，并将正型光致抗蚀剂130的位于晶体管110上方的部分选择性地留下从而成为隔离件150。

步骤S15

接下来，对隔离件150进行紫外线(UV)固化(硬化)。这样，通过曝光后烘烤(post exposure bake)工序中的热回熔(thermal reflow)就能够抑制隔离件150的变形。值得注意的是，当隔离件150由具有足够高的玻璃化转变点(glass-transition point)的材料制成时，可以不进行UV固化。

步骤S16

接下来，对隔离件150进行曝光后烘烤，由此对隔离件150进行主烘烤(main baking)。

步骤S17

接下来，利用印刷方法在阵列基板100a上方形成取向膜(未图示)。

步骤S18

接下来，视需要，可对形成在阵列基板100a上方的取向膜进行摩擦(rubbing)。

下面说明滤色器基板侧的制造方法。

步骤S19

首先，如图2E所示，在透明基板200的表面201上形成滤色器(colorfilter：CF)210。例如使用玻璃基板或聚碳酸酯基板等作为透明基板200。滤色器210由树脂膜构成，该树脂膜内包含有具有三原色(红色(R)、绿色(G)和蓝色(B))的染料或颜料。这里，将其中在透明基板200的表面201上形成有滤色器210的基板组件称作滤色器基板200a。

步骤S20

接着，利用印刷方法在滤色器基板200a上方形成取向膜(未图示)。

步骤S21

接下来，视需要，可对形成在滤色器基板200a上方的取向膜进行摩擦。

下面说明将阵列基板100a和滤色器基板200a相互层叠起来的工序。

步骤S22

首先，向阵列基板100a或滤色器基板200a任何一者供给密封材料(未图示)。沿着阵列基板100a或滤色器基板200a的外缘涂抹该密封材料。

步骤S23

接着，如图2F所示，将滤色器基板200a层叠在阵列基板100a上，且隔离件150位于两者之间。这里，让透明基板100的表面101与透明基板200的表面201相互面对，以这种方式使得滤色器基板200a层叠在阵列基板100a上且隔离件150位于两者之间。也就是说，阵列基板100a和滤色器基板200a通过上述密封材料相互粘接。

因此，隔离件150使阵列基板100a与滤色器基板200a之间保持有预定空间。值得注意的是，在第一实施例中，是通过对形成在阵列基板100a上的正型光致抗蚀剂130进行图形化来形成隔离件150。为此，与使用单独形成的隔离件150的情况相比，例如能够提高隔离件150相互之间在高度上的均一性。另外，由于是使用正型光致抗蚀剂作为隔离件材料，因此即使当滤色器基板200a侧具有复杂的台阶状结构，也能够通过从表面执行选择性的半曝光(half exposure)来灵活地使隔离件150的高度均一化。这样，就能够使得在阵列基板100a与滤色器基板200a之间所限定的间隙均一化。

在阵列基板100a与滤色器基板200a之间以包围着隔离件150的方式形成液晶层160。在阵列基板100a和滤色器基板200a相互层叠之前，向阵列基板100a和滤色器基板200a任何一者供给液晶材料，由此形成液晶层160。或者，在阵列基板100a和滤色器基板200a相互层叠之后，向阵列基板100a与滤色器基板200a之间所限定的空间供给液晶材料，由此形成液晶层160。

按照上述工序制造出了显示装置。值得注意的是，在该显示装置中，显示用光(即，背光)是从透明基板100的背面102侧照射。

下面，将要说明的是关于包括形成在阵列基板100a中的晶体管110在内的金属图形的布局。

在透明基板100的表面101上方形成有多条栅极线300和多条信号线310。该多条栅极线300和该多条信号线310以相互交叉的方式进行延伸。各条栅极线300例如由钼(Mo)制成，而各条信号线310例如由铝(Al)制成。被栅极线300和信号线310包围而成的多个像素区域320以阵列形式设置在透明基板100的表面101上。

在像素区域320中设置有栅极电极330、源极电极340和漏极电极350，栅极电极330是从栅极线300分支出来而形成的，源极电极340与信号线310电连接。源极电极340和漏极电极350每一者例如由用钛(Ti)和铝(Al)制成的层叠膜形成。晶体管110由栅极电极330、源极电极340和漏极电极350构成。值得注意的是，漏极电极350与形成在像素区域320上方的透明电极(未图示)电连接。

由于金属图形能够遮光，因而其中设有金属图形的区域成为遮光区域。

图4是示出了第一实施例中的阵列基板中的遮光区域的布局示例的俯视平面图。

如图4所示，阵列基板100a的设置有栅极线300、信号线310、栅极电极330、源极电极340和漏极电极350的区域一概成为遮光区域360。此外，遮光区域360以外的其他区域成为能够让光透过的透光区域，即开口区域370。这里，开口区域370在像素区域320中的比率被称作开口率。

在上述步骤S12的背面曝光工序中，正型光致抗蚀剂130的位于遮光区域360上方的区域没有被曝光，而正型光致抗蚀剂130的位于开口区域370上方的区域被曝光了。

另外，在上述步骤S13的曝光工序中，将光选择性地照射至位于遮光区域360上方的正型光致抗蚀剂130的需要被除去的区域，即如下区域：该区域中，不需要用正型光致抗蚀剂130形成隔离件150。例如，正型光致抗蚀剂130的位于栅极线300和信号线310上方的区域被曝光。

如果在栅极线300和信号线310上方一概地形成有隔离件150，则当在阵列基板100a上方供给液晶材料时就可能会阻拦液晶材料，从而不能将液晶材料均匀地供给至阵列基板100a。另外，由于栅极线300和信号线310每一者的线宽很小，因而形成在栅极线300和信号线310上方的隔离件150的宽度也必然很小，因而会变得不稳固而倒掉。

在第一实施例中，将隔离件150形成在栅极电极330、源极电极340和漏极电极350上方，这些电极每一者的面积相对较宽。结果，能够形成稳固的几乎不会倒掉的隔离件150。特别地，由于漏极电极350具有很大的面积，因此隔离件150优选设置在漏极电极350上方。

如上所述，在第一实施例中，隔离件150形成在遮光区域360的上方。为此，由于不需要为了解决因隔离件150引起的漏光而新设置遮光图形，因此能够增大开口率。例如，如果在位于图4所示的开口区域370中的区域371内设置有隔离件150，则需要在区域371中设置遮光图形。于是，开口区域370的面积就会变小从而降低开口率。

下面，将要说明的是关于阵列基板110a中的晶体管110的细节。

图5是示出了第一实施例中的阵列基板的示例的截面图。

在透明基板100的表面101上形成有栅极电极330。此外，在透明基板100的表面101上形成有覆盖栅极电极330的栅极绝缘膜380。另外，在栅极绝缘膜380上形成有半导体层390，该半导体层390从栅极电极330上方延伸至栅极电极330的两侧。在半导体层390的夹着栅极电极330的两个区域中分别设有源极区域391和漏极区域392。

另外，在透明基板100的表面101上方形成有覆盖半导体层390的层间绝缘膜400。在该层间绝缘膜中设有接触孔401和接触孔402，通过接触孔401使半导体层390的源极区域391露出来，通过接触孔402使半导体层390的漏极区域392露出来。

另外，将源极电极340和漏极电极350形成得分别填充在形成于层间绝缘膜400中的接触孔401和接触孔402内。源极电极340通过接触孔401与半导体层390的源极区域391电连接。此外，漏极电极350通过接触孔402与半导体层390的漏极区域392电连接。另外，在层间绝缘膜400上形成有覆盖源极电极340和漏极电极350的平坦化膜120。使用具有钝化用途的无机膜或者具有平坦化用途的有机膜作为平坦化膜120。另外，也可将上述无机膜和上述有机膜层叠起来，由此用作平坦化膜120。在平坦化膜120上形成有与用于控制液晶取向的液晶模式相符合的像素电极等。

在其中形成有晶体管110、平坦化膜120和像素电极结构的阵列基板100a上，形成有多个隔离件150。这些隔离件150分别位于栅极电极330、源极电极340和漏极电极350的上方。通过在上述步骤S12中以栅极电极330、源极电极340和漏极电极350作为掩模进行曝光，并且通过在上述步骤S14中进行显影，以自对准方式实现了图形化，由此形成了隔离件150。

为此，这些隔离件150以很高的位置精度分别设置在栅极电极330、源极电极340和漏极电极350的上方。也就是说，多个隔离件150被布置为不会跨界至开口区域370。

值得注意的是，为了使隔离件150分别小于栅极电极330、源极电极340和漏极电极350，例如，仅需要在上述步骤S12的曝光工序中增大曝光量。因为增大曝光量会使得曝光也在横向上扩展，所以各隔离件150的宽度就会变小。

如前所述，第一实施例包括如下工序：在形成有晶体管110的透明基板100的上方形成正型光致抗蚀剂130的工序；以及将光从背面102侧照射至透明基板100(该透明基板100上方形成有正型光致抗蚀剂130)从而对正型光致抗蚀剂130进行曝光的工序。

这样，以晶体管110作为掩模，以自对准方式对正型光致抗蚀剂130进行了曝光。因此，能够以很高的位置精度将隔离件150设置在晶体管110上方。

也就是说，能够以不会跨界至开口区域370的方式形成隔离件150，并能够抑制因隔离件150引起的漏光。

另外，隔离件150被设置在晶体管110的上方。于是，由于不需要为了解决因隔离件150引起的漏光而新设置遮光图形，因而能够增大开口率。

下面，说明将本发明第一实施例显示装置的制造方法应用于定向核(oriented nuclear)形成过程的实施例，该实施例作为本发明的第二实施例。

第二实施例

图6是示出了本发明第二实施例显示装置的制造方法的流程图。此外，图7A至图7F是示出了本发明第二实施例显示装置的制造方法中的制造工序的截面图。下面，根据图6的流程图并且参照图7A至图7F的工序图，说明本发明第二实施例显示装置的制造方法。在图7A至图7F中，与图2A至图2F中对应的部分分别用相同的附图标记或符号表示，并且为了简洁而省略了对它们的重复说明。

首先，将要说明的是阵列基板侧的制造方法。

步骤S30

如图7A所示，在透明基板100的表面101上形成晶体管110和遮光图形111。遮光图形111设置于定向核形成区域中。遮光图形111是由用钼或钛等制成的金属图形形成。另外，例如，遮光图形111和晶体管110都是通过对同一金属层进行图形化而形成的。

在透明基板100的表面101上形成覆盖晶体管110和遮光图形111的平坦化膜120。使用具有钝化用途的无机膜或者具有平坦化用途的有机膜作为平坦化膜120。另外，也可将上述无机膜和上述有机膜层叠起来，由此用作平坦化膜120。在平坦化膜120上形成与用于控制液晶取向的液晶模式相符合的像素电极等。这里，将其中在透明基板100的表面101上形成有晶体管110、平坦化膜120以及与液晶模式相符合的像素电极结构的基板组件称作阵列基板100b。

步骤S31

接着，在阵列基板100b上形成正型光致抗蚀剂130。

步骤S32

接着，如图7B所示，光从透明基板100的背面102侧照射至形成有正型光致抗蚀剂130的阵列基板100b，由此对正型光致抗蚀剂130进行曝光。

在此曝光过程中，正型光致抗蚀剂130的除了位于晶体管110和遮光图形111上方的区域以外的区域被曝光。正型光致抗蚀剂130的位于晶体管110和遮光图形111上方的区域未被曝光，这是因为该区域被晶体管110和遮光图形111遮挡了曝光用光。也就是说，以晶体管110和遮光图形111作为掩模，以自对准方式选择性地曝光正型光致抗蚀剂130。

步骤S33

接着，如图7C所示，光经过掩模141从透明基板100的表面101侧照射至形成有正型光致抗蚀剂130的阵列基板100b。

在此曝光过程中，选择性地曝光正型光致抗蚀剂130的如下区域：由于晶体管110以外的其他金属图形的存在因而在上述步骤S32的曝光阶段中还没有被曝光的区域；以及期望最终不会残留有正型光致抗蚀剂130的区域(例如位于焊盘区域上方的区域等)。

另外，这时，对位于定向核形成区域中的正型光致抗蚀剂130进行的是半曝光。

值得注意的是，在顺序上，步骤S33中的工序也可与上述步骤S32中的工序替换。

步骤S34

接着，如图7D所示，对上述这样曝光后的正型光致抗蚀剂130进行显影。在该显影过程中，将正型光致抗蚀剂130的分别经过步骤S32中的曝光工序和经过步骤S33中的曝光工序而被曝光的那些部分除去，并将正型光致抗蚀剂130的位于晶体管110上的部分选择性地留下从而成为隔离件150。另外，正型光致抗蚀剂130的位于遮光图形111上方的部分也被选择性地留下从而成为定向核151。值得注意的是，因为位于定向核形成区域中的正型光致抗蚀剂130经历的是半曝光，所以定向核151的高度低于隔离件150的高度。

步骤S35

接下来，对隔离件150和定向核151都进行UV固化。于是，通过曝光后烘烤工序中的热回熔就能够抑制隔离件150和定向核151的变形。值得注意的是，当隔离件150和定向核151是由具有足够高的玻璃化转变点的材料制成时，可以不进行UV固化。

步骤S36

接下来，对隔离件150和定向核151进行曝光后烘烤，由此对隔离件150和定向核151都进行主烘烤。

步骤S37

接下来，利用印刷方法在阵列基板100b上方形成取向膜(未图示)。

下面说明滤色器基板侧的制造方法。

步骤S38

首先，如图7E所示，在透明基板200的表面201上形成滤色器210。这里，将其中在透明基板200的表面201上形成有滤色器210的基板组件称作滤色器基板200b。

步骤S39

接着，在滤色器基板200b上形成保护层(未图示)。视需要，可在该保护层中形成台阶部。

步骤S40

接下来，在滤色器基板200b的上方形成铟锡氧化物(ITO)图形(未图示)。

步骤S41

接下来，在滤色器基板200b的上方形成突起图形(未图示)。值得注意的是，在顺序上，步骤S41中的工序可与上述步骤S40中的工序替换。另外，可以仅形成上述ITO图形和上述突起图形中的任一者。

步骤S42

接下来，利用印刷方法在滤色器基板200b上方形成取向膜(未图示)。

下面，说明将阵列基板100b或滤色器基板200b相互层叠起来的工序。

步骤S43

首先，向阵列基板100b或滤色器基板200b任何一者供给密封材料(未图示)。沿着阵列基板100b或滤色器基板200b的外缘涂抹该密封材料。

步骤S44

接着，如图7F所示，将滤色器基板200b层叠在阵列基板100b上，且隔离件150位于两者之间。也就是说，阵列基板100b和滤色器基板200b通过上述密封材料相互粘接。

在阵列基板100b与滤色器基板200b之间以包围着隔离件150并覆盖定向核151的方式形成液晶层160。

按照上述工序制造出了显示装置。在第二实施例中，能够在以这种方式形成隔离件150时的背面曝光工序及显影工序中形成定向核151。为此，能够简化定向核151的形成工序。

另外，在第二实施例中，类似于第一实施例的情况，能够以不会跨界至开口区域370的方式形成隔离件150。因此，能够抑制因隔离件150引起的漏光。另外，隔离件150被形成在晶体管110的上方。于是，由于不需要为了解决因隔离件150引起的漏光而新设置遮光图形，因而能够增大开口率。

第三实施例

下面说明本发明第三实施例的显示装置。

本发明第三实施例的显示装置包括：透明基板100，在该透明基板100的表面101上形成有晶体管110；隔离件150，该隔离件150形成在透明基板100的表面101上方，且位于用于构成晶体管110的漏极电极350上方，并且在材料上由正型光致抗蚀剂130制成；液晶层160，该液晶层160以包围着隔离件150的方式形成在透明基板100的表面101上方；以及透明基板200，该透明基板200层叠在透明基板100的表面101上方，且隔离件150和液晶层160位于透明基板200与透明基板100之间。

本领域的技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。

Claims

1.一种显示装置制造方法，所述方法包括如下步骤：

在第一透明基板的表面上方形成正型光致抗蚀剂，所述第一透明基板设有形成在所述第一透明基板的所述表面上的晶体管，所述正型光致抗蚀剂覆盖所述晶体管；

将光从所述第一透明基板的背面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，以通过利用所述晶体管的源极电极、栅极电极和漏极电极作为掩膜对所述正型光致抗蚀剂进行选择性曝光；

对这样曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下所述正型光致抗蚀剂位于所述晶体管的所述源极电极、所述栅极电极和所述漏极电极上方的部分，由此形成分别位于所述源极电极、所述栅极电极和所述漏极电极上方的多个隔离件；以及

在所述第一透明基板的所述表面上方层叠第二透明基板，且所述隔离件位于所述第一透明基板与所述第二透明基板之间。

2.如权利要求1所述的显示装置制造方法，还包括如下步骤：

将光从所述第一透明基板的所述表面侧照射至在上方形成有所述正型光致抗蚀剂的所述第一透明基板，对所述正型光致抗蚀剂选择性地进行曝光。

3.如权利要求2所述的显示装置制造方法，其中，

所述第一透明基板的所述表面上形成有具有遮光性能的遮光图形，将所述正型光致抗蚀剂形成得覆盖所述晶体管和所述遮光图形，并且

对曝光后的所述正型光致抗蚀剂进行显影，选择性地留下分别位于所述晶体管的所述源极电极、所述栅极电极和所述漏极电极上方以及所述遮光图形上方的所述正型光致抗蚀剂，由此分别形成所述多个隔离件和定向核。

4.如权利要求3所述的显示装置制造方法，还包括如下步骤：

对位于所述遮光图形上方的所述正型光致抗蚀剂进行半曝光。

5.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，在所述第一透明基板与所述第二透明基板之间以包围着所述隔离件的方式形成液晶层。

6.如权利要求1所述的显示装置制造方法，其中，所述晶体管含有具有遮光性能的金属图形。

7.如权利要求1至6任一项所述的显示装置制造方法，其中，

在所述第二透明基板的表面上方形成滤色器，并且

以所述第一透明基板的所述表面与所述第二透明基板的所述表面相互面对的方式，将所述第二透明基板层叠在所述第一透明基板的所述表面上方。

8.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一透明基板，在所述第一透明基板的表面上形成有晶体管；

多个隔离件，所述多个隔离件形成在所述第一透明基板的所述表面上方，所述多个隔离件分别位于所述晶体管的源极电极、栅极电极和漏极电极上方，且在材料上由正型光致抗蚀剂制成；

液晶层，所述液晶层以包围着所述隔离件的方式形成在所述第一透明基板的所述表面上方；以及

第二透明基板，所述第二透明基板层叠在所述第一透明基板的所述表面上方，且所述隔离件和所述液晶层位于所述第二透明基板与所述第一透明基板之间。

9.如权利要求8所述的显示装置，还包括：

遮光图形，所述遮光图形具有遮光性能并且形成在所述第一透明基板的所述表面上；以及

定向核，所述定向核由正型光致抗蚀剂制成，所述定向核形成在所述第一透明基板的所述表面上方，且位于所述遮光图形上方。