KR20070004329A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070004329A
KR20070004329A KR1020050059843A KR20050059843A KR20070004329A KR 20070004329 A KR20070004329 A KR 20070004329A KR 1020050059843 A KR1020050059843 A KR 1020050059843A KR 20050059843 A KR20050059843 A KR 20050059843A KR 20070004329 A KR20070004329 A KR 20070004329A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
film
color
substrate
gate
Prior art date
Application number
KR1020050059843A
Other languages
English (en)
Inventor
박소연
전백균
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050059843A priority Critical patent/KR20070004329A/ko
Publication of KR20070004329A publication Critical patent/KR20070004329A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

본 발명은 컬러 필터를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시 장치는 기판 상에 형성된 복수의 게이트 라인, 상기 기판 및 게이트 라인을 덮는 게이트 절연막, 상기 게이트 라인과 교차하도록 상기 게이트 절연막 상에 형성된 복수의 데이터 라인, 상기 데이터 라인을 덮는 보호막 및 상기 보호막상에 복수의 컬러막으로 형성된 컬러 필터막을 포함하되, 상기 복수의 컬러막이 만나는 부분은 두 컬러막이 상하로 중첩되게 형성된 적층막이다. 본 발명에 따르면, 화소 전극도 평탄하게 형성될 수 있어 측면 빛샘이 발생하거나 선경사각이 틀어지는 현상을 방지할 수 있으며, CR 특성이 향상된다.
표시 장치, COA 구조, 컬러 필터

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1은 일반적인 COA 구조의 어레이 기판을 보여주는 평면도,
도 2는 종래 기술에 따른 도 1의 Ⅰ-Ⅰ라인을 따라 취해진 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 1의 Ⅰ-Ⅰ라인을 따라 취해진 단면도,
도 4a 내지 도 4f는 도 3의 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
♧ 도면의 주요부분에 대한 참조부호의 설명 ♧
100 : 기판 120 : 게이트 전극
140 : 스토리지 전극 160 : 게이트 절연막
180 : 반도체층 180a : 액티브층
180b : 오믹 콘택층 200a : 소스 전극
200b : 드레인 전극 220 : 데이터 라인
240 : 보호막 260 : 컬러필터막
260R : 적색막 260G : 녹색막
260B : 청색막 300 : 슬릿 마스크
300a : 투명 패턴 300b : 불투명 패턴
300c : 슬릿 패턴
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 컬러 필터를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 장치(flat panel display,FPD)란 두께가 얇고 평탄한 화면을 제공하는 표시 장치로, 대표적으로 노트북 컴퓨터 모니터로 널리 쓰이는 액정 표시 장치(liquid crystal display device,LCD)나 대형 디지털 TV로 사용되는 플라즈마 디스플레이(PDP) 또는 휴대전화에 사용되는 유기 전계 발광 디스플레이(OELD) 등이 있다.
액정 표시 장치는 인가 전압에 따라 액체와 결정의 중간 상태 물질인 액정(liquid crystal)의 광투과도가 변화하는 특성을 이용하여, 입력되는 전기 신호를 시각 정보로 변화시켜 영상을 전달한다. 통상의 액정 표시 장치는 전극이 구비된 두 개의 기판과 기판 사이에 주입되는 액정으로 구성된다. 두 개의 기판에는 각각 상이한 전압이 인가되어 액정에 전계를 가하게 되며, 이 때 액정 분자들의 배열이 변경되어 광투과도가 변하게 된다. 이와 같은 액정 표시 장치는 동일한 화면 크기를 갖는 다른 표시 장치에 비하여 무게가 가볍고 부피가 작으며 작은 전력으로 동작하여 최근 널리 보급되고 있다.
일반적으로 이러한 액정 표시 장치의 두 기판은 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되는 어레이 기판과 컬러 필터와 공통 전극이 형성되는 컬러 필터 기판으로 구분되는데, 기판을 형성하는 과정에서 어레이 기판과 컬러 필터 기판의 오정렬(misalign)이 발생하여 빛샘과 같은 불량이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해서 컬러 필터 기판의 블랙 매트릭스의 폭을 넓게 형성할 수는 있지만, 이러한 경우 액정 표시 장치의 개구율이 낮아지게 된다.
따라서, 액정 표시 장치의 오정렬을 방지하고 개구율을 향상시키기 위해서 컬러 필터를 어레이 기판 상에 형성하는 방법이 제시되었는데, 이러한 구조를 COA 구조라고 한다.
도 1은 일반적인 COA 구조의 어레이 기판을 보여주는 평면도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 COA 구조의 어레이 기판을 보여주는 단면도로서 도 1의 Ⅰ-Ⅰ라인을 따라 취해진 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 투명한 절연 기판(10) 상에 게이트 전극(12)과 스토리지 전극(14)이 형성된 후 게이트 절연막(16)이 형성된다. 게이트 절연막(16)상에 비정질의 실리콘으로 형성되는 액티브층(18a)과 불순물 이온이 주입된 비정질의 실리콘으로 형성되는 오믹 콘택층(18b)으로 구성되는 반도체층(18)이 형성된다. 소스/드레인 전극(20a,20b)과 데이터 라인(22)이 형성된다. 보호막(24)이 기판 전면에 형성된다. 보호막(24) 상에 컬러 필터막(26)이 형성된다. 일반적으로 컬러 필터막(26)은 복수의 컬러막 즉, 적색막(26R), 녹색막(26G), 청색막(26B)으로 구성된다.
적색막(26R)과 녹색막(26G)이 만나는 부분과 녹색막(26G)과 청색막(26B)이 만나는 부분은 겹쳐져서 요철부(26Gp,26Bp)가 형성된다. 도시되지 않았지만, 적색막(26R)과 청색막(26B)이 만나는 부분에서도 요철부가 형성된다. 이러한 요철부(26Gp,26Bp)는 상판에 형성된 블랙 매트릭스(미도시)에 의해 가려지는 부분이지만, 화소 전극(28)을 형성하는 과정에서 화소 전극(28)이 이 요철부(26Gp,26Bp)를 올라 타게 될 경우 액정 방향이 바뀌는 영역이 발생하게 된다. 이는 대비비(contrast ratio,CR) 특성 등을 저하시키는 원인이 될 수 있을 뿐만 아니라, 선경사각(pretilt angle)이 틀어질 수 있다. 또한 COA 구조는 개구율을 높이는데 유리한 구조로 블랙 매트릭스의 폭을 작게 설계하는 것이 주요 장점이지만, 각 컬러막이 만나는 부분에서의 돌출부(26Gp,26Bp)의 폭에 차이가 발생함으로써 오히려 블랙 매트릭스의 폭을 크게 하여야 할 수도 있다.
본 발명은 이상에서 언급한 상황을 고려하여 제안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 컬러막들이 만나는 부분에 요철부가 형성되지 않는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면은 표시 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판 및 상기 기판 상에 형성된 복수의 게이트 라인, 상기 기판 및 게이트 라인을 덮는 게이트 절연막, 상기 게이트 라인과 교차하도록 상기 게이트 절연막 상에 형성된 복수의 데이터 라인 및, 상기 데이 터 라인을 덮는 보호막, 상기 보호막상에 복수의 컬러막으로 형성된 컬러 필터막을 포함하되, 상기 컬러막들이 만나는 부분은 두 컬러막이 상하로 중첩되게 형성된 적층막이다. 상기 적층막의 상부면은 컬러막의 중첩되지 않는 다른 영역과 평탄할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면 컬러막들이 만나는 부분에 요철부가 형성되지 않으므로 요철부에 의한 문제점을 방지할 수 있다.
상기 적층막은 상기 데이터 라인 상에 형성될 수 있고, 상기 적층막의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 작은 것이 바람직하다.
상기 적층막은 상부막과 하부막으로 구분되고, 상부막의 두께는 화소 영역의 대부분에 형성되는 상기 컬러막 두께의 반과 같거나 그보다 작을 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 측면은 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 복수의 게이트 라인을 형성하고, 상기 기판 및 게이트 라인을 덮는 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 상기 게이트 라인과 교차하는 복수의 데이터 라인을 형성하고, 상기 게이트 절연막 및 데이터 라인을 덮는 보호막을 형성하고, 상기 보호막 상에 복수의 컬러막으로 구성된 컬러 필터막을 형성하되, 상기 컬러막이 만나는 부분은 두 컬러막을 상하로 중첩되게 하는 적층막 구조로 형성하고, 상기 적층막의 상부면을 컬러막의 중첩되지 않는 다른 영역과 평탄하게 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 적층막은 상부막과 하부막으로 구분되고, 상기 적층막은 빛의 투과량을 조절할 수 있는 반투명 패턴을 포함하는 마스크를 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 상부막의 두께는 상기 반투명 패턴을 포함하는 마스크에 의해서 조절할 수 있다. 상기 반투명 패턴은 슬릿 패턴, 격자 형태의 패턴 또는 반투명막일 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
도면들에 있어서, 층(또는 막) 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되게 표현될 수 있다. 또한, 층(또는 막) 이 다른 층(또는 막) 또는 기판 상(위)에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층(또는 막) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조부호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 COA 구조의 어레이 기판을 보여주는 단면도로서 도 1의 Ⅰ-Ⅰ라인을 따라 취해진 것이다.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 게이트 전극(120) 및 스토리지 전극(140) 이 있다. 기판 전면을 덮는 게이트 절연막(160)이 있다. 게이트 전극(120) 상에 비정질의 실리콘으로 형성되는 액티브층(180a)과 불순물 이온이 주입된 비정질의 실리콘으로 형성되는 오믹 콘택층(180b)으로 구성되는 반도체층(180)이 있다. 소스/드레인 전극(200a,200b) 및 데이터 라인이 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 COA 구조의 어레이 기판에서는 데이터 라인(220)이 반도체층(180) 상에 있지만, 게이트 절연막(160) 상에 위치할 수 있다.
기판 전면을 덮는 보호막(240)이 있다. 보호막(240) 상에 컬러 필터막(260)이 있다. 컬러 필터막(260)은 적색막(260R), 녹색막(260G), 청색막(260B)으로 구성된다. 적색막(260R)과 녹색막(260G)이 만나는 부분에서는 녹색막의 상부막(260Gt)과 적색막의 하부막(260Rb)으로 구성되는 적층막(260GR)이 있다. 녹색막(260G)과 청색막(260B)이 만나는 부분에서도 마찬가지로 청색막의 상부막(260Bt)과 녹색막의 하부막(260Gb)으로 구성된 적층막(260BG)이 있다. 도시되지 않았지만, 적색막(260R)과 청색막(260B)이 만나는 부분에서도 적층막이 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 종래 기술과 달리 컬러막의 요철부(도 2의 참조부호 26Gp 및 26Bp)가 형성되어 있지 않다.
스토리지 전극(140) 상의 드레인 전극(200b)과 콘택하는 화소 전극(280)이 있다. 녹색막(260G) 상에 화소전극(280)이 위치한다. 녹색막(260G)과 인접하고 있는 적색막(260R)과 청색막(260B)에서도 동일한 형태로 화소 전극(280)이 위치한다. 본 발명의 일 실시예에서는 화소 전극(280)과 드레인 전극(200b)이 스토리지 전극(140) 상에서 콘택이 되기 때문에 드레인 전극(200b)이 스토리지 전극(140)까 지 확장하여 위치한다. 물론, 화소 전극(280)과 드레인 전극(200b)과의 콘택은 박막 트랜지스터가 있는 부분에 위치할 수도 있다. 이 경우에는 드레인 전극(200b)은 스토리지 전극(140)까지 확장될 필요가 없다.
종래 기술과 달리 본 발명에서는 컬러막(260R,260G,260B) 상에 요철부(도 2의 참조부호 26Gp 및 26Bp)가 형성되어 있지 않고, 평탄하기 때문에 컬러막(260R,260G, 260B) 상에 위치하는 화소 전극(280)도 요철부를 올라 타는 일이 없이 평탄하게 형성되어 있다.
따라서, 본 발명에 따르면 화소 전극(280)이 평탄하게 형성됨으로써 액정 방향이 바뀌는 영역을 줄일 수 있다. 이에 의해 선경사각이 바뀌는 현상과 CR 특성의 감소 및 측면 빛샘의 발생 등을 방지할 수 있다.
이하에서는 컬러막들이 만나는 부분에 요철부가 형성되지 않는 COA 구조의 어레이 기판을 제조하는 방법을 살펴본다. 도 4a 내지 도 4f는 도 3의 기판을 제조하는 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 투명한 절연 기판(100) 상에 스퍼터링 방법등을 이용하여 금속막을 증착한 후, 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통하여 게이트 전극(120)과 스토리지 전극(140)이 형성된다.
도 4b를 참조하면, 기판 전면에 실리콘 질화막 등으로 된 게이트 절연막(160)이 형성된다. 게이트 절연막(160) 상에 비정질의 실리콘과 불순물 이온이 주입된 비정질의 실리콘을 차례로 증착한 후 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통하 여 패터닝하면, 반도체층(180)이 형성된다. 반도체층(180)은 비정질 실리콘층인 액티브층(180a)과 불순물 이온이 주입된 비정질 실리콘층인 오믹 콘택층(180b)을 포함한다.
도 4c를 참조하면, 스퍼터링 방법 등을 이용하여 제2 금속막을 증착한 후 이를 패터닝하면 소스/드레인 전극(200a,200b) 및 데이터 라인(220)이 형성된다. 또한 소스 전극(200a)과 드레인 전극(200b)을 마스크로 사용하여 소스 전극(200a)과 드레인 전극(200b) 사이에 노출된 반도체층(180)의 일부가 제거된다. 이때 불순물 이온이 주입된 오믹 콘택층(180b)은 소스 전극(200a)과 드레인 전극(200b)을 따라 두 개의 영역으로 분리된다. 이로서 게이트 전극(120), 소스 전극(200a), 드레인 전극(200b), 반도체층(180)을 포함하는 박막트랜지스터가 완성된다. 드레인 전극(200b)이 스토리지 전극(140) 상까지 형성되어 있는데, 이는 후술하는 바와 같이 화소 전극(미도시)과 드레인 전극(200b)의 콘택이 스토리지 전극(140) 상에서 형성되기 때문이다.
도 4d를 참조하면, 기판 전면에 적색의 음성형 감광성 유기막을 도포한 후 노광 및 현상 공정을 통하여 적색막(260R)이 형성된다. 노광 공정시 사용되는 슬릿 마스크(300)에는 빛이 투과되는 투명 패턴(300a), 빛이 투과되지 않는 불투명 패턴(300b) 이외에 빛의 투과량을 조절할 수 있는 슬릿(slit) 패턴(300c)이 형성되어 있다.
이와 같은 슬릿 마스크(300)를 통하여 적색의 감광성 유기막에 빛을 조사하면 빛에 직접 노출되는 부분의 감광성 유기막은 완전히 경화되며, 슬릿 패턴(300c) 에 대응되는 부분은 빛의 투과량이 적으므로 감광성 유기막은 소정 두께만큼 경화되며, 불투명 패턴(300b)으로 가려진 부분의 감광성 유기막은 원래의 경화되지 않은 상태로 존재한다.
이와 같이 선택 노광된 적색의 감광성 유기막을 현상하면, 도 4d에 도시한 바와 같이 경화된 부분만 남게 된다. 이때, 슬릿 패턴(300c)을 통하여 빛이 적게 투과된 부분인 적색막(260R)의 가장자리 부분(260Rb)은 투명 패턴(300a)을 통하여 빛에 완전히 노출된 부분인 적색막(260R)의 중앙부보다 얇은 두께의 유기막이 남게 된다. 즉,유기막이 완전히 경화되어 현상 과정에서 그대로 평탄하게 남는 부분이 적색막(260R)의 중앙부가 되고, 적색막(260R)의 양쪽 가장자리 부분(260Rb)은 부분적으로 경화되어 중앙부보다 얇은 두께로 남게 된다. 적색막(260R)의 왼쪽 가장자리 부분은 도시되지 않았지만, 오른쪽 가장자리 부분(260Rb)과 대칭되는 형태로 형성된다. 다만, 노광 시간을 길게 하면 유기막이 모두 경화될 수 있으므로 주의해야 한다. 양성형 감광성 유기막을 사용하는 경우에는 상술한 바와 달리 빛이 투과되는 부분이 제거된다.
도 4e를 참조하면, 기판 전면에 녹색의 감광성 유기막을 도포한 후 노광 및 현상 공정을 통하여 녹색막(260G)이 형성된다. 적색막(260R)을 형성할 때처럼 슬릿 마스크(300)를 사용하여 노광한 후 현상하면, 적색막(260R)과 만나는 부분에 슬릿 마스크에 의해 형성된 얇은 적색막(260Rb)과 녹색막(260Gt)의 적층막(260GR)이 형성되고, 반대편 가장자리 부분(260Gb)은 투명 패턴(300a)을 통하여 빛에 완전히 노출된 부분인 녹색막(260R)의 중앙부보다 얇은 두께의 유기막이 남게 된다.
도 4f를 참조하면, 기판 전면에 청색의 감광성 유기막을 도포한 후 노광 및 현상 공정을 통하여 청색막(260B)이 형성된다. 적색막(260R)과 녹색막(260G)을 형성할 때처럼 슬릿 마스크(300)를 사용하여 노광한 후 현상하면, 녹색막(260G)과 만나는 부분에 슬릿 마스크에 의해 형성된 얇은 녹색막(260Gb)과 청색막(260Bt)의 적층막(260BG)이 형성된다. 도시되지 않았지만, 청색막(260B)과 적색막(260R)이 만나는 부분에서도 적층막이 형성된다.
후속 공정에서 스토리지 전극 상의 컬러막과 보호막을 제거한 후 화소 전극을 형성하면, 도 3에 도시된 것과 같아진다. 본 발명에 따른 일 실시예에서는 화소 전극과 드레인 전극의 콘택이 스토리지 전극 상에 형성되지만, 박막 트랜지스터가 위치하는 곳에 콘택이 형성될 수 있다. 이러한 경우에는 드레인 전극이 스토리지 전극까지 확장하여 형성되지 않아도 된다.
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.
그러므로, 본 발명의 범위는 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 본 발명에 의하면, 컬러 필터가 어레이 기판에 형성되는 COA 구조의 어레이 기판에서 컬러막들이 만나는 부분이 컬러막의 중첩되지 않는 다른 영역과 평탄하게 형성됨으로써 화소 전극도 평탄하게 형성될 수 있다. 따라서, 측면 빛샘이 발생하거나 선경사각이 틀어지는 현상을 방지할 수 있으며, CR 특성이 향상된다.

Claims (9)

  1. 기판,
    상기 기판 상에 형성된 복수의 게이트 라인,
    상기 기판 및 게이트 라인을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 라인과 교차하도록 상기 게이트 절연막 상에 형성된 복수의 데이터 라인 및,
    상기 데이터 라인을 덮는 보호막,
    상기 보호막 상에 복수의 컬러막으로 형성된 컬러 필터막을 포함하되,
    상기 컬러막들이 만나는 부분은 두 컬러막이 상하로 중첩되게 형성된 적층막 인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적층막의 상부면은 상기 컬러막의 중첩되지 않는 다른 영역과 평탄한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 적층막은 상기 데이터 라인 상에 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 적층막의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적층막은 상부막과 하부막으로 구분되고, 상부막의 두께는 화소 영역의 대부분에 형성된 상기 컬러막 두께의 반과 같거나 그보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 기판 상에 복수의 게이트 라인을 형성하고,
    상기 기판 및 게이트 라인을 덮는 게이트 절연막을 형성하고,
    상기 게이트 절연막상에 상기 게이트 라인과 교차하는 복수의 데이터 라인을 형성하고,
    상기 게이트 절연막 및 데이터 라인을 덮는 보호막을 형성하고,
    상기 보호막 상에 복수의 컬러막으로 구성된 컬러 필터막을 형성하되,
    상기 컬러막들이 만나는 부분은 두 컬러막을 상하로 중첩되게 하는 적층막 구조로 형성하되, 상기 적층막의 상부면을 컬러막의 중첩되지 않은 다른 영역과 평탄하게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 적층막은 상부막과 하부막으로 구분되고, 상기 상부막 및 하부막은 빛의 투과량을 조절할 수 있는 반투명 패턴을 포함하는 마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부막의 두께는 상기 반투명 패턴을 포함하는 마스크에 의해서 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 반투명 패턴은 슬릿 패턴, 격자 형태의 패턴 또는 반투명막인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
KR1020050059843A 2005-07-04 2005-07-04 표시 장치 및 그 제조 방법 KR20070004329A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050059843A KR20070004329A (ko) 2005-07-04 2005-07-04 표시 장치 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050059843A KR20070004329A (ko) 2005-07-04 2005-07-04 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070004329A true KR20070004329A (ko) 2007-01-09

Family

ID=37870594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050059843A KR20070004329A (ko) 2005-07-04 2005-07-04 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070004329A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9818768B2 (en) 2014-12-26 2017-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9818768B2 (en) 2014-12-26 2017-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate for display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101064189B1 (ko) 컬러필터 기판, 표시패널 및 이의 제조방법
US9977280B2 (en) COT type liquid crystal display device
JP4235576B2 (ja) カラーフィルタ基板及びそれを用いた表示装置
US8045077B2 (en) Liquid crystal display device and fabrication method thereof
KR101980773B1 (ko) 컬러필터를 가지는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101799492B1 (ko) 액정표시장치
KR20140037782A (ko) 어레이 기판, 디스플레이 패널, 및 어레이 기판의 제조 방법
CN109031801B (zh) 一种液晶显示面板及其制备方法
KR101937771B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20110016242A (ko) 액정표시장치
JP2003186022A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR101956814B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102299630B1 (ko) Tft 기판의 제조 방법 및 그 구조
JP3637016B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
KR20080021994A (ko) 표시 패널 및 이의 제조 방법
US7696027B2 (en) Method of fabricating display substrate and method of fabricating display panel using the same
KR20130030649A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20070004329A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20070077702A (ko) 표시 장치 및 그 형성 방법
US8530291B2 (en) Method for manufacturing display device
KR20080054629A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100695298B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7365818B2 (en) Liquid crystal display device comprising a refraction layer formed between one of the data and gate bus lines and the pixel electrode and method of fabricating the same
KR101919455B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR20070071259A (ko) 액정표시소자 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination