CN102242399A - 钒酸钇晶体的退火方法 - Google Patents
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Abstract
目前生产钒酸钇晶体的过程中,原料熔体中的五价钒易转变成多种低价钒,同时产生氧空位,使晶体偏黑,影响使用,同时因为钒酸钇晶体的热应力,切割时容易开裂。本发明确定了一种退火的方法,包括退火的温度和退火的时间及其相应的速度,能够有效消除晶体中存在的氧空位,提高了晶体的透过性能,减少生长时的氧气用量,同时减少钒酸钇晶体的热应力,避免切割时开裂。
Description
技术领域
本发明涉及提拉法生长的钒酸钇(YVO4)晶体的退火方法,属于晶体热处理领域。
技术背景
钒酸钇晶体是一种优秀的双折射光学晶体,在光电产业中得到广泛的应用。目前采用的钒酸钇晶体的退火方法不能解决晶体发黑和切割时容易开裂的问题。
发明创造内容
目前生产钒酸钇晶体的过程中,原料熔体中的五价钒易转变成多种低价钒,同时产生氧空位,使晶体偏黑,影响使用。同时因为钒酸钇晶体的热应力,切割时容易开裂。退火后这些问题没有得到改善。
本发明确定了一种钒酸钇晶体退火的方法,包括退火的温度和退火的时间及其相应速度,能够有效消除晶体中存在的氧空位,提高了晶体的透过性能,减少了生长时的氧气用量,同时减少了钒酸钇晶体的热应力,避免切割时候的开裂。
本发明创造的技术方案为:
(1)清洗钒酸钇晶体,去除晶体表面存在的杂质物;
(2)把钒酸钇晶体放入炉膛内;
(3)升温,800℃以下时升温速度80℃/小时,800℃到1100℃时50℃/小时;
(4)恒温,1100℃15小时;
(5)降温,1100℃到800℃降温速度50℃/小时,800℃以下时80℃/小时。
附图说明
附图:采用本方法退火过程图。
具体实施方式
以下结合附图进一步详细说明本发明的的实施例。
(1)清洗钒酸钇晶体,去除晶体表面存在的杂质物;(2)把钒酸钇晶体放入炉膛内;(3)升温,800℃以下时升温速度80℃/小时,800℃到1100℃时50℃/小时;(4)恒温,1100℃15小时;(5)降温,1100℃到800℃降温速度50℃/小时,800℃以下时80℃/小时。
Claims (1)
1. 一种提拉法生长的钒酸钇(YVO4)晶体的退火方法,包括:(1)清洗YVO4晶体,去除晶体表面存在的杂质物;(2)把YVO4晶体放入炉膛内;(3)升温,800℃以下时升温速度80℃/小时,800℃到1100℃时50℃/小时;(4)恒温,1100℃15小时;(5)降温,1100℃到800℃降温速度50℃/小时,800℃以下时80℃/小时。
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PB01 | Publication | ||
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Addressee: Weizhao Optical Science-Technology Co., Ltd., Shanghai Document name: Notification that Application Deemed to be Withdrawn |
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C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20111116 |