CN102199784A - 双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法 - Google Patents

双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法。将铝箔先进行电化学抛光;接着用小电流预氧化,再在一定电压下继续氧化,然后,用磷酸/铬酸的混合液除去氧化铝膜;最后对铝箔进行二次氧化,扩孔,得到几乎无铝基的高度有序双层贯通多孔氧化铝膜。本发明通过以小电流进行预氧化,以及调整氧化铝膜位置的方法,实现了在较高电压下使铝箔稳定氧化而不发生击穿。在较短的时间内得到几乎无铝基的高度有序双层贯通多孔氧化铝膜。该方法工艺简单,成本低,成功率高,可用于纳米材料、器件等的制备。

Description

双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法,属于材料科学技术领域。
背景技术
多孔氧化铝薄膜由于具有规则、有序的精细六角孔洞结构及稳定的物理化学性质,在一维纳米材料、纳米阵列、纳米器件的制备方面得到了广泛的应用。目前多孔氧化铝薄膜的制备方法已经比较成熟。现有技术已有多个专利公开了氧化铝薄膜的制备方法,如CN03136606.6,CN200310111834.1,CN200510007195.3,CN200710039634.8,CN200910089254.4等。通常多孔氧化铝薄膜的制备方法是:铝箔先在氩气或氮气气氛中进行退火;然后以草酸、硫酸或磷酸等为电解液,在一定条件下进行二次阳极氧化得到底部为铝基的氧化铝膜。通常用CuCl2、SnCl4、HgCl2等溶液除掉铝基。以上制备方法中需要一些特制的装置,而且除铝基的整个过程需要非常仔细,否则氧化铝膜很容易被破坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法。以简易反应装置,在较短的时间内即可得到孔径60nm~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜,简化了制备过程,降低了成本。
具体的,本发明所说的双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法包括以下步骤:
(1)在冰水浴(~0℃)条件下,将高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为100~200mA,抛光时间为1~3min,抛光后铝箔两面都非常光亮;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为1~7mA的条件下预氧化0.5~1h,此时在铝箔的两面都形成了一层氧化膜,为了避免铝箔被击穿,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提 起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面,然后继续在电压为30~40V,电流为5~15mA的条件下氧化1.5~3h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,电压为10~20V,电流为1~7mA的条件下预氧化0.5h;然后,控制电压为30~40V、电流为5~15mA、氧化5~15h。随着氧化时间的进行,铝箔两面的氧化层逐渐增厚,当厚度达到一定程度后,铝停止被氧化,此时铝开始缓慢溶解,电流由开始的5~15mA逐渐减小,直至最后接近于0,铝几乎全部溶解,得到浅黄色或白色、且较脆的双层氧化铝膜;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度30℃、0.5mol/L H3PO4中扩孔10~60min,冲洗干净,即得到内孔径为60~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜。
本发明取得的积极效果是:(1)本发明选用高纯铝箔,通过小电流预氧化的以及调整氧化铝膜的位置的方法,避免了铝箔被击穿,最后得到了内孔径在60~100nm,膜总厚度约为100μm的高度有序双层贯通多孔氧化铝膜。(2)简化了氧化铝膜的制备过程,工艺简单,反应易于控制。采用本方法可以高效的制备高度有序的双层贯通多孔氧化铝膜,可用于纳米结构材料、器件等的制备。
附图说明
图1为实施例1制得的双层贯通多孔氧化铝膜图。
图2和图3分别给出实施例2制得的氧化铝薄膜的横截面和表面的场发射扫描电镜图。图中可以看出,此时几乎无铝存在,而且两层膜的孔基本相通。氧化铝薄膜的内孔径在80~100nm,膜总厚度约为100μm。
图4为实施例3制得的双层贯通多孔氧化铝膜的场发射扫描电镜图。
具体实施方式
下面的实施例用于说明本发明。
实施例1
(1)在冰水浴(~0℃)条件下,将99.999%高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为200mA,抛光时间为1min;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为7mA的条件下预氧化0.5h后,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面1mm,继续在电压为30V,电流为5~8mA的条件下氧化3h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度为50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为7mA的条件下预氧化0.5h,然后,控制电压为40V、电流为10~15mA、氧化时间为5h;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度为30℃,0.5mol/L H3PO4中扩孔20min,冲洗干净,即得到内孔径为60~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜,如图1所示。
实施例2
(1)在冰水浴(~0℃)条件下,将99.999%高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为200mA,抛光时间为1min;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为5mA的条件下预氧化1h后,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面2mm,继续在电压为40V,电流为10~15mA的条件下氧化1.5h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度为50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V, 电流为5mA的条件下预氧化0.5h,然后,控制电压为40V、电流为10~15mA、氧化时间为8h;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度为30℃,0.5mol/L H3PO4中扩孔40min,冲洗干净,即得到内孔径为60~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜,如图2、3所示。
实施例3
(1)在冰水浴(~0℃)条件下,将99.999%高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为150mA,抛光时间为2min;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为3.5mA的条件下预氧化0.5h后,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面3mm,继续在电压为35V,电流为8~10mA的条件下氧化2h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度为50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为3.5mA的条件下预氧化0.5h,然后,控制电压为35V、电流为8~10mA、氧化时间为10h;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度为30℃,0.5mol/L H3PO4中扩孔30min,冲洗干净,即得到内孔径为60~80nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜,如图4所示。
实施例4
(1)在冰水浴(~0℃)条件下,将99.999%高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为100mA,抛光时间为3min;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为3.5mA的条件下预氧化0.5h后,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面约5mm,继续在电压为35V,电流为8~10mA的条件下氧化2h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度为50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为3.5mA的条件下预氧化0.5h,然后,控制电压为30V、电流为5~8mA、氧化时间为15h;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度为30℃,0.5mol/L H3PO4中扩孔60min,冲洗干净,即得到内孔径为60~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜。
实施例5
(1)在冰水浴(~0℃)条件下,将99.999%高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为100mA,抛光时间为3min;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,在电压为10~20V,电流为1mA的条件下预氧化1h后,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面约4mm,继续在电压为35V,电流为8~10mA的条件下氧化2h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度为50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,控制电压10~20V,电流在1mA的条件下预氧化0.5h,然后,控制电压为35V、电流为8~10mA、氧化时间为10h;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度为30℃,0.5mol/L H3PO4中扩孔10min,冲洗干净,即得到内孔径为60~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜。

Claims (1)

1.一种双层贯通多孔氧化铝膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)在冰水浴条件下,将高纯铝箔浸入高氯酸与乙醇的体积比为1∶4的混合液中进行电化学抛光,电流为100~200mA,抛光时间为1~3min;
(2)在搅拌下,将抛光后的高纯铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,电压为10~20V,电流为1~7mA的条件下预氧化0.5~1h,微调铝箔(氧化膜)的位置,向上提起铝箔,使铝箔片顶端稍露出电解液面,继续在电压为30~40V,电流为5~15mA的条件下氧化1.5~3h;
(3)将步骤(2)所得铝箔在温度50℃的条件下,在0.6mol/L H3PO4和0.18mol/L H2CrO4按等体积混合的混合液中浸泡1h,除去铝箔表面的氧化膜;
(4)对铝箔进行二次氧化:
将步骤(3)所得到的铝箔在0.3mol/L草酸电解液中,电压为10~25V,电流为1~7mA的条件下预氧化0.5~1h,然后,控制电压为30~40V、电流为5~15mA、氧化5~15h,得到浅黄色或白色、且较脆的双层氧化铝膜;
(5)将步骤(4)得到的双层氧化铝膜在温度为30℃、0.5mol/L H3PO4中扩孔10~60min,冲洗干净,得到内孔径为60~100nm,膜总厚度约为100μm的双层贯通多孔氧化铝膜。 
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