CN102187270A - 液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够抑制残像的发生的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置,其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶层,其中,上述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,上述第一电极和上述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,上述液晶层含有p型向列液晶,并且由在上述第一电极与上述第二电极之间产生的电场驱动,上述p型向列液晶在没有施加电压时,与上述第一基板和上述第二基板面垂直地取向,上述第一枝部和上述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,将上述第一枝部的前端包围的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隔,实质上为等间隔。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示装置。更详细而言,涉及适用于横向弯曲取向(TBA:Transverse Bend Alignment)模式的液晶显示装置的显示装置。
背景技术
液晶显示装置以薄型、轻量和低耗电为特征,广泛用于各个领域。而且,其显示性能随着时间的经过不断显著进步,现在已经达到优于CRT(阴极射线管)的程度。
液晶显示装置的显示方式由在单元(晶胞)内使液晶以何种方式排列来决定。以往,作为液晶显示装置的显示方式,已知有TN(Twisted Nematic:扭转向列)模式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment:多畴垂直取向)模式、IPS(In-plane Switching:面内开关)模式、OCB(Optically self-Compensated Birefringence:光学自补偿双折射)模式等。
而且,利用这样的显示方式的液晶显示装置在大量地生产。其中,例如TN模式的液晶显示装置被广泛普遍地使用。但是,TN模式的液晶显示装置在响应慢、视野角狭窄等方面有改善的余地。
与此相对,MVA模式是在有源矩阵基板的像素电极设置缝隙,并且在对置基板的对置电极设置液晶分子取向控制用的突起(肋),由此形成的边缘场(Fringe Field)使液晶分子的取向方向分散为多个方向。而且,MVA模式通过在施加电压时将液晶分子倾斜(倾倒)的方向分割成多个(Multi-domain:多畴),来实现广视野角。另外,MVA模式是垂直取向模式,因此具有与TN、IPS和OCB各模式相比能够得到高对比度的特征。但是,MVA模式不仅制造工序复杂,而且与TN模式同样,在响应慢这一方面有改善的余地。
对于该MVA模式的工艺(process)上的课题,提案有使用p型向列液晶作为液晶材料,用横向电场驱动该p型向列液晶的显示方式(在本说明书中,称为横向弯曲取向(TBA:Transverse Bend Alignment)模式)。在该方式中,横向电场用梳齿(栉齿)状电极等电极产生,液晶分子的取向方位被横向电场规定。另外,该方式是垂直取向模式,因此能够实现高对比度比。
例如,公开有一种液晶显示装置,其包括:相互相对的第一基板和第二基板;注入到上述第一和第二基板之间,相对上述第一和第二基板垂直地取向的液晶物质层;和形成在上述第一和第二基板中的一个基板,相互平行的至少两个以上的电极(例如参照专利文献1)。
这种TBA方式不需要利用突起物进行取向控制,因此像素结构简单,而且具有优秀的视野角特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-333171号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在TBA模式的液晶显示装置中,存在发生残像的情况。图31是表示TBA模式的液晶显示装置的残像评价画面的示意图,(a)表示白黑窗口图案(window pattern)显示时的情况,(b)表示整个中间灰度(中间调)图案(将整个画面显示为中间灰度的图案)显示时的情况。图32表示整个中间灰度图案显示时的图像元素的光学显微镜照片,(a)是中间灰度显示前显示有白图案的区域的图像元素,(b)是中间灰度显示前显示有黑图案的区域的图像元素。残像评价,通过如图31(a)所示显示30分钟最高灰度等级(255灰度等级)的白图案和最低灰度等级(0灰度等级)的黑图案之后,如图31(b)所示将整个画面显示为中间灰度(96灰度等级)进行。其结果是,在切换到中间灰度之后,如图32所示,在显示有白图案的区域的图像元素和显示有黑图案的区域的图像元素产生亮度差,特别是梳齿状电极(栉齿)的前端部附近(参照图32中用白色线包围的区域)的光量不同,其明暗的差异成为残像能被看到。而且,该残像超过容许范围的3秒,经过5分钟左右才消失。
本发明是鉴于上述现状而完成的,其目的在于提供一种能够抑制残像的发生的液晶显示装置。
解决课题的方法
本发明人们对能够抑制残像的发生的液晶显示装置进行了各种研究,着眼于液晶分子的取向。然后发现:在现有的TBA模式的液晶显示装置中,当灰度等级变化时,在梳齿状电极(栉齿)的前端区域,由于液晶分子的取向混乱或取向的对称性破坏,所以发生残像。并且发现通过以下方式,能够抑制当灰度等级变化时,在梳齿状电极(栉齿)的前端区域液晶分子的取向混乱或取向的对称性破坏的情况:第一电极的第一枝部与第二电极的第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,将第一枝部的前端包围的区域的第一电极和第二电极之间的间隔实质上为等间隔的方式;第一电极的第一枝部,前端的宽度与中央部的宽度不同,将第一枝部的前端包围的区域的第二电极的宽度,与第二电极的第二枝部的中央部的宽度不同,第一电极和第二电极维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向上述第一枝部的前端而变化的方式;第一电极的第一枝部和第二电极的第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,对与第一枝部的前端相邻的区域的第一电极和第二电极的间隙进行倒角处理的方式;或者,将这些方式组合而成的方式。由此,想到能够较好地解决上述课题,提出了本发明。
即,本发明的液晶显示装置(以下也称为本发明的第一液晶显示装置),其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶层,上述液晶显示装置的特征在于:上述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,上述第一电极和上述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,上述液晶层包含p型向列液晶,并且由在上述第一电极与上述第二电极之间产生的电场驱动,上述p型向列液晶在没有施加电压时,与上述第一基板和上述第二基板面垂直地取向,上述第一枝部和上述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,将上述第一枝部的前端包围的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隔,实质上为等间隔。由此,能够抑制残像的发生。而且,能够提高透过率。
另外,所谓“垂直”指只要是能够作为TBA模式的液晶显示装置发挥功能的范围即可,无需严格的垂直。即,上述“垂直”包括大致垂直。
作为本发明的第一液晶显示装置的结构,只要是以上述结构要素为必要而形成的即可,既可以包含其他结构要素,也可以不包含其他结构要素,没有特别限定。
以下,对本发明的第一液晶显示装置的优选方式进行详细说明。另外,也可以适当组合以下所示的各种方式。
将上述第二枝部的前端包围的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隔,可以实质上为等间隔。由此,能够进一步抑制残像的发生。
上述第一电极或上述第二电极可以具有曲折形的主干部。由此,能够提高成品率。
也可以,上述第一枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,将上述第一枝部的前端包围的区域的上述第二电极的宽度,与上述第二枝部的中央部的宽度不同。由此,能够进一步提高透过率。
另外此时也可以,上述第二枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,将上述第二枝部的前端包围的区域的上述第一电极的宽度,与上述第一枝部的中央部的宽度不同。由此,能够进一步提高透过率。
上述第一电极和上述第二电极,可以维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向上述第一枝部的前端而变化。由此,能够有效地抑制残像的发生,并且进一步提高透过率。
另外此时也可以,上述第一电极和上述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向上述第二枝部的前端而变化。由此,能够有效地抑制残像的发生,并且进一步提高透过率。
上述第一电极和上述第二电极中的至少一者,具备平面形状带有圆角的角部。由此,能够进一步抑制残像的发生。
本发明的第一液晶显示装置,可以是彩色液晶显示装置,上述像素也可以是图像元素(子像素)。
本发明可以是另一种液晶显示装置(以下,也称为本发明的第二液晶显示装置),其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶层,上述液晶显示装置的特征在于:上述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,上述第一电极和上述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,上述液晶层包含p型向列液晶,并且由在上述第一电极与上述第二电极之间产生的电场驱动,上述p型向列液晶在没有施加电压时,与上述第一基板和上述第二基板面垂直地取向,上述第一枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,将上述第一枝部的前端包围的区域的上述第二电极的宽度,与上述第二枝部的中央部的宽度不同,上述第一电极和上述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向上述第一枝部的前端而变化。由此,能够抑制残像的发生。另外,能够提高透过率。
另外,所谓“垂直”指只要是能够作为TBA模式的液晶显示装置发挥功能的范围即可,无需严格的垂直。即,上述“垂直”包括大致垂直。
作为本发明的第二液晶显示装置的结构,只要是以上述结构要素为必要而形成的即可,既可以包含其他结构要素,也可以不包含其他结构要素,没有特别限定。
以下,对本发明的第二液晶显示装置的优选方式进行详细说明。另外,也可以适当组合以下所示的各种方式。
也可以,上述第二枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,将上述第二枝部的前端包围的区域的上述第一电极的宽度,与上述第一枝部的中央部的宽度不同,上述第一电极和上述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向上述第二枝部的前端而变化。由此,能够进一步抑制残像的发生。
也可以,上述第一枝部和上述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,将上述第一枝部的前端包围的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隔,实质上为等间隔。由此,在第一枝部和第二枝部相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸的液晶显示装置中,能够有效地抑制残像的发生。
另外此时,将上述第二枝部的前端包围的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隔,可以实质上为等间隔。由此,在第一枝部和第二枝部相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸的液晶显示装置中,能够进一步有效地抑制残像的发生。
上述第一电极或上述第二电极可以具有曲折形的主干部。由此,能够提高成品率。
上述第一电极和上述第二电极中的至少一者,具备平面形状带有圆角的角部。由此,能够进一步抑制残像的发生。
本发明的第二液晶显示装置,可以是彩色液晶显示装置,上述像素也可以是图像元素(子像素)。
本发明可以是另一种液晶显示装置(以下,也称为本发明的第三液晶显示装置),其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在上述第一基板与上述第二基板之间的液晶层,上述液晶显示装置的特征在于:上述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,上述第一电极和上述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,上述液晶层包含p型向列液晶,并且由在上述第一电极与上述第二电极之间产生的电场驱动,上述p型向列液晶在没有施加电压时,与上述第一基板和上述第二基板面垂直地取向,上述第一枝部和上述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,与上述第一枝部的前端相邻的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隙,被进行了倒角处理。由此,能够抑制残像的发生。另外,能够提高透过率。
另外,所谓“垂直”指只要是能够作为TBA模式的液晶显示装置发挥功能的范围即可,无需严格的垂直。即,上述“垂直”包括大致垂直。
作为本发明的第三液晶显示装置的结构,只要是以上述结构要素为必要而形成的即可,既可以包含其他结构要素,也可以不包含其他结构要素,没有特别限定。
以下,对本发明的第三液晶显示装置的优选方式进行详细说明。另外,也可以适当组合以下所示的各种方式。
与上述第二枝部的前端相邻的区域的上述第一电极和上述第二电极的间隙,可以被进行了倒角处理。由此,能够进一步抑制残像的发生。
上述第一电极或上述第二电极可以具有曲折形的主干部。由此,能够提高成品率。
也可以,上述第一枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,将上述第一枝部的前端包围的区域的上述第二电极的宽度,与上述第二枝部的中央部的宽度不同。由此,能够进一步提高透过率。
另外此时也可以,上述第二枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,将上述第二枝部的前端包围的区域的上述第一电极的宽度,与上述第一枝部的中央部的宽度不同。由此,能够进一步提高透过率。
上述第一电极和上述第二电极,可以维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向上述第一枝部的前端而变化。由此,能够有效地抑制残像的发生,并且进一步提高透过率。
上述第一电极和上述第二电极,可以维持线对称的轮廓线,间隔随着向上述第二枝部的前端而变化。由此,能够有效地抑制残像的发生,并且进一步提高透过率。
上述第一电极和上述第二电极中的至少一者,可以具备平面形状带有圆角的角部。由此,能够进一步抑制残像的发生。
本发明的第三液晶显示装置,可以是彩色液晶显示装置,上述像素也可以是图像元素(子像素)。
发明效果
根据本发明的液晶显示装置,能够抑制残像的发生。
附图说明
图1是表示实施方式1的液晶显示装置的结构的平面示意图。
图2是表示对实施方式1的液晶显示装置施加电压时的液晶的取向分布的截面示意图。
图3是表示实施方式1的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线,(d)表示(b)中的A1-B1线方向上的截面。
图4是表示实施方式1的液晶显示装置的图,(a)是表示结构的平面示意图,(b)~(e)表示光学显微镜照片。
图5是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图6是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图7是表示图6所示的实施方式1的液晶显示装置的结构的放大平面示意图。
图8是表示图6所示的实施方式1的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线。
图9(a)是表示图6所示的实施方式1的液晶显示装置的光学显微镜照片的图,(b)是(a)的像素电极的枝部的前端附近的放大图。
图10是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图11是表示图10所示的实施方式1的液晶显示装置的图,(a)是平面示意图,(b)~(e)表示光学显微镜照片。
图12是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图13是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图14是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图15是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图16是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图17是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图18是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图19(a)~(d)是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的平面示意图。
图20是表示比较方式1的液晶显示装置的结构的平面示意图,(a)表示一个图像元素,(b)是(a)的放大图。
图21表示比较方式1的液晶显示装置的图像元素的光学显微镜照片。
图22是表示比较方式1的液晶显示装置的图,(a)表示像素电极的主干部附近的光学显微镜照片,(b)是表示像素电极的主干部附近的平面示意图。另外,图22是将L/S设定为4.0μm/4.0μm,施加最高灰度等级(255灰度等级)时的照片。
图23是表示比较方式1的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线,(d)表示沿(b)中的A2-B2线的截面。
图24是表示比较方式1的液晶显示装置的其他结构的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线,(d)表示沿(b)中的A3-B3线的截面。
图25是表示实施方式2的液晶显示装置的结构的平面示意图。
图26是表示实施方式2的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线。
图27是表示实施方式2的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)的结果的图,(a)是使像素电极的电位为6V时的结果,(b)是使像素电极的电位为3V时的结果。
图28是表示实施方式3的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)结果的图,是使像素电极的电位为6V时的结果。
图29是表示比较方式2的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)结果的图,(a)是使像素电极的电位为6V时的结果,(b)是使像素电极的电位为3V时的结果。
图30是表示比较方式5的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)的结果的图,是使像素电极的电位为6V时的结果。
图31是表示TBA模式的液晶显示装置的残像评价画面的示意图,
(a)表示白黑窗口图案显示时的情况,(b)表示整个中间灰度图案显示时的情况。
图32表示整个中间灰度图案显示时的图像元素的光学显微镜照片,(a)是中间灰度显示前显示有白图案的区域的图像元素,(b)是中间灰度显示前显示有黑图案的区域的图像元素。
具体实施方式
以下揭示实施方式,参照附图对本发明进行更详细的说明,但本发明并非仅限定于这些实施方式。
另外,在以下的各实施方式中,令从正面看液晶显示装置(显示面)时的三点钟方向、十二点钟方向、九点钟方向和六点钟方向分别为0°方向(方位)、90°方向(方位)、180°方向(方位)和270°方向(方位),令通过三点钟和九点钟的方向为左右方向,令通过12点钟和六点钟的方向为上下方向。
(实施方式1)
本实施方式的液晶显示装置是采用横向电场方式中被称为TBA方式的液晶显示装置,该横向电场方式通过使基板面方向的电场(横向电场)作用于液晶层来控制液晶分子的取向,进行图像显示。
图1是表示实施方式1的液晶显示装置的结构的平面示意图。另外,在以下的图中仅图示了一个或两个图像元素,但是在本实施方式的液晶显示装置的显示区域(图像显示区域)呈矩阵状地设置有多个图像元素(子像素)。
本实施方式的液晶显示装置具备液晶显示面板,液晶显示面板具有相对配置的一对基板即有源矩阵基板(TFT阵列基板)和对置基板,以及夹持在它们之间的液晶层。
在有源矩阵基板和对置基板的外主面上(液晶层的相反侧),设置有一对直线偏光板。一对直线偏光板的一个的吸收轴在上下方向上配置,一对直线偏光板的另一个的吸收轴在左右方向上配置。这样,一对直线偏光板成正交尼科耳配置。另外,本实施方式的液晶显示面板是常黑模式的液晶显示面板。
有源矩阵基板和对置基板,通过设置成包围(围绕)显示区域的密封剂贴合。另外,有源矩阵基板1和对置基板2隔着塑料珠等间隔物相对配置。而且,在有源矩阵基板和对置基板之间的空隙,封入液晶材料作为构成光学调制层的显示用介质,由此形成液晶层。
液晶层含有具有正的介电各向异性的向列液晶材料(p型向列液晶材料)。p型向列液晶材料的液晶分子,在设置在有源矩阵基板和对置基板的液晶层一侧的表面的垂直取向膜的取向限制力的作用下,在没有施加电压时(基于后述的像素电极和共用电极的电场没有产生时),呈现垂直取向。更具体而言,垂直取向膜附近的p型向列液晶材料的液晶分子的长轴,在没有施加电压时,相对于有源矩阵基板和对置基板分别构成88°以上(更优选为89°以上)的角度。
面板光路差(retardation)dΔn(单元间隙d与液晶材料的双折射率Δn的积)优选为275~460nm,更优选为280~400nm。像这样,dΔn的下限,模式的关系上优选为绿550nm的半波长以上;dΔn的上限,优选为能够用负C板单层的法线方向的光路差Rth补偿的范围内。负C板是为了对黑显示时使观察方向从显示面的法线方向倾倒的情况下所发生的泛白(浮白)和/或色调变化进行补偿而设置的。虽然也可以考虑将负C板层叠来获得Rth,但成本会变高。液晶材料的介电常数Δε优选为10~25,更优选为15~25。Δε的下限,由于白电压(白显示时的电压)为高电压而优大约10(更优选15)以上。另外,Δε由于越大而越能够使驱动电压低电压化故优选。但是,如果当前以使用能够容易得到的材料为前提,则如上所述Δε的上限优选为25以下。
对置基板在无色透明的绝缘基板的一个(液晶层一侧的)的主面上,具有对各图像元素间进行遮光的黑矩阵(BM)层、与各图像元素相对应地设置的多个色层(彩色滤光片)和覆盖这些结构而设置在液晶层一侧的表面的垂直取向膜。BM层由含有Cr等不透明金属、碳的丙烯酸树脂等不透明的有机膜等形成,形成在与相邻的图像元素的边界区域相对应的区域。另一方面,色层是为了进行彩色显示而使用的,由含有颜料的丙烯酸树脂等透明有机膜等形成,主要形成在图像元素区域。
像这样,本实施方式的液晶显示装置是在对置基板上具备色层的彩色液晶显示装置(彩色显示的有源矩阵型液晶显示装置),由输出R(红)、G(绿)、B(蓝)各色光的三个图像元素构成一个像素。另外,构成各像素的图像元素的颜色的种类和数目没有特别限定,能够适当设定。即,在本实施方式的液晶显示装置中,各像素例如可以由青、品红和黄这三色的图像元素构成,也可以由四色以上的图像元素构成。
另一方面,有源矩阵基板,在无色透明的绝缘基板的一个基板(液晶层一侧的)的主面上,具有栅极总线、Cs总线、源极总线、作为开关元件且单个设置在各图像元素的TFT、与各TFT连接的漏极配线(漏极)、分别设置在各图像元素的像素电极20、共用地设置在各图像元素的共用电极30和以覆盖这些结构的方式设置在液晶层一侧的表面的垂直取向膜。
设置在有源矩阵基板和对置基板的垂直取向膜,由聚酰亚胺等公知的取向膜材料涂敷形成。垂直取向膜通常不进行摩擦处理,但是在没有施加电压时能够使液晶分子相对膜表面大致垂直地取向。
在有源矩阵基板的液晶层一侧的主面上,如图1所示,与各图像元素相对应地设置有像素电极20,并且设置有与相邻的所有图像元素连续(一体)形成的共用电极30。
通过作为开关元件的薄膜晶体管(TFT),从源极总线(宽度例如为5μm)向像素电极20供给规定电平的图像信号。另外,源极总线在相邻的图像元素间沿上下方向延伸。各像素电极20通过设置在层间绝缘膜的接触孔,与TFT的漏极配线电连接。另一方面,各图像元素共用的公用(common)信号被供给到共用电极30。另外,共用电极30与产生公用信号的电路(公用电压发生电路)连接,并且设定为规定的电位。
另外,源极总线在显示区域外与源极驱动器(数据线驱动电路)连接。此外,栅极总线(宽度例如为5μm),在相邻的图像元素间沿左右方向延伸。栅极总线在显示区域外与栅极驱动器(扫描线驱动电路)连接,在显示区域内与TFT的栅极连接。此外,从栅极驱动器以规定的定时,将扫描信号以脉冲的方式供给到栅极总线。扫描信号通过线顺序(line sequential)方式被施加到各TFT。而且,通过输入扫描信号,TFT仅在一定期间为接通状态,在TFT为接通状态的期间,在规定的定时将图像信号施加到与TFT连接的像素电极20。由此,将图像信号写入液晶层。
此外,图像信号被写入液晶层之后,在施加有图像信号的像素电极20和与该像素电极20相对的共用电极30之间被保持一定期间。即,在像素电极20和共用电极30之间,在一定期间形成电容(液晶电容)。此外,为了防止所保持的图像信号漏泄,形成与液晶电容并联的保持电容。保持电容在各图像元素中,形成在TFT的漏极配线和Cs总线(电容保持配线,宽度例如为5μm)之间。另外,Cs总线与栅极总线平行地设置。
像素电极20由ITO等透明导电膜、铝、铬等的金属膜等形成。俯视液晶显示面板时的像素电极20的形状为梳齿状。更具体而言,像素电极20具有俯视时T字状的主干部(连接部)21和俯视时线状的枝部(梳齿)22。主干部21以将图像元素区域上下二等分的方式设置在上下和0°方向上,枝部22与主干部21连接,且设置在45°或315°方向上。
共用电极30也由ITO等透明导电膜、铝等的金属膜等形成,并且在各图像元素内俯视时具有梳齿形状。更具体而言,共用电极30具有俯视时格子状的主干部(连接部)31和俯视时线状的枝部(梳齿)32。主干部31以与栅极总线和源极总线平面地重叠的方式配置在上下左右方向,枝部32与主干部31连接,且设置在135°或215°方向上。
像这样,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32,具有相互相补的平面形状,并且具有一定的间隔以相互不同的方式配置。即,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32,配置成在同一平面内相互平行地对峙。进一步换言之,梳齿状的像素电极20和梳齿状的共用电极30,以梳齿(枝部22、枝部32)相互咬合的方式相对配置。由此,能够在像素电极20和共用电极30之间高密度地形成横向电场,能够以更高的精度控制液晶层。此外,像素电极20和共用电极30具有相对于通过图像元素的中心的左右方向上的中心线对称的平面形状。
另外,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32,相对于相邻的图像元素间的边界线(上下左右方向)倾斜地延伸(伸展)。另外,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32与相邻的图像元素间的边界线构成的角的大小,即枝部22、32的长度方向与该边界线构成的角的大小只要不是90°则不特别限定,但是优选45±2°(更优选45±1°)。如果超过45±2°,则存在发生透过率降低的情况。
像素电极20的枝部22以沿着共用电极30的主干部31的延伸方向(即长度方向)的方式,其前端的平面形状呈锥状(台形状)地变细。此外同样地,共用电极30的枝部32,以沿着像素电极20的主干部21的延伸方向(即长度方向)的方式,其前端的平面形状呈锥状(台形状)地变细。此外,像素电极20的枝部22的前端,被共用电极30的主干部31和枝部32的根部包围。此外同样地,共用电极30的枝部32的前端,被像素电极20的主干部21和枝部22的根部包围。
而且,主干部31的延伸方向和枝部32的延伸方向构成的锐角一侧的、主干部31与枝部32的根部的连结部分,以使像素电极20和共用电极30的间隔大致一定的方式变粗。即,位于主干部31的长度方向与枝部32的长度方向构成的锐角一侧的枝部32的根部(根),和主干部31的连结部分,以使像素电极20和共用电极30的间隔大致一定的方式变粗。
下面,也将像素电极和共用电极的间隔(电极间的间隔)称为“电极间隔”,也将像素电极和共用电极的间隙(电极间的间隙)称为“电极间隙”。
另外,对与像素电极20的枝部22的锐角部分相对应的区域中(间隙)的电极的间隙进行倒角处理。即,对包围枝部22前端的区域(部分)中的电极的间隙,以使电极间隔大致一定的方式进行倒角处理,其结果是,电极的间隙的、包围枝部22的区域(部分)的外周(外侧的轮廓)的内角,不是锐角,而仅设定为90°以上的角。
这样,对与枝部22的前端相邻的区域中的电极的间隙,即电极的间隙的与枝部22的前端(前端部)相邻的区域(部分)进行倒角处理。
另外,对共用电极30的枝部32的前端附近的共用电极30和像素电极20的形状,也同样设定。
像素电极20的枝部22的宽度(粗细一定的区域的短边方向的长度),和共用电极30的枝部32的宽度(粗细一定的区域的短边方向的长度),在枝部22和枝部32相对的区域中,全都实质上相同。基于增大透过率的观点,像素电极20和共用电极30的宽度,优选尽可能地细,在当前的工艺规则(process rule)中,优选设定为1~4μm(更优选为2.5~4.0μm)左右。下面,也将像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32的宽度简称为线宽L。
电极间隔(电极的间隙的宽度)S没有特别限定,但是优选为2.5~20.0μm(更优选为4.0~12.0μm)。如果超过20.0μm或不到2.5μm,则存在发生透过率降低的情况。
图2是表示对实施方式1的液晶显示装置施加电压时的液晶的取向分布的截面示意图。
本实施方式的液晶显示装置,通过TFT对像素电极20施加图像信号(电压),在像素电极20与共用电极30之间产生基板(有源矩阵基板1和对置基板2)面方向(水平方向,与基板面平行的方向)的电场
(横向电场)。而且,利用该电场驱动液晶,使各图像元素的透过率变化,进行图像显示。
更详细而言,本实施方式的液晶显示装置,通过施加电场,在液晶层3内形成电场强度的分布。而且,由此使液晶分子的排列发生歪斜。然后,利用该歪斜使液晶层3的光路差变化。更详细而言,液晶层3的初始取向状态是垂直取向。然后,对梳齿状的像素电极20和共用电极30施加电压,在液晶层3内产生横向电场,由此形成弯曲状的电场。其结果是,如图2所示,形成彼此的指向矢方向相差180°的两个畴,并且在各畴内,向列液晶材料的液晶分子呈现弯曲状的液晶排列(弯曲取向)。
另外,在两个畴相邻的区域(通常在电极的间隙的中心线上),液晶分子与施加电压值无关地总是垂直地取向。因此,在该区域,与施加电压值无关地总是产生较暗的线(暗线)。
此外,像素电极20和共用电极30分别如图1所示,具有延伸方向相互正交的两种枝部22和枝部32。因此,在液晶层3内产生电场方向相互正交的两种弯曲状的电场。此外,两种弯曲状的电场,形成在一个图像元素内。即,由于在各种枝部22和枝部32中分别形成两个畴,所以在一个图像元素内形成总计四个畴。由此,能够在上下左右全方位上实现无偏斜的视野角补偿。
图3是表示实施方式1的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线,(d)表示(b)中的A1-B1线方向上的截面。另外,该仿真用下述仿真条件进行。另外,图3表示使像素电极20的电位为6.5V时的结果。
(仿真条件)
·L/S=4.0μm/4.0μm(即L=4μm,S=4μm)
·像素电极:施加AC(交流)电压(振幅0~13.0V,频率60Hz)
其中,Vc(振幅中心电位)设定为与共用电极的电位相同
·共用电极:施加DC(直流)电压0V
·Δn:0.1
·d:4.0μm
·Δε:19
另外,振幅中心电位是指振幅的中心电位。
其结果是,本实施方式的液晶显示装置,如图3(d)所示,从下基板(有源矩阵基板1)一侧到上基板(对置基板2)一侧,在液晶层3内的各深度,等电位线的间隔大致均匀。即,如图3(c)所示,在液晶层3的中间层,等电位线的间隔也大致一定。此外,线宽L较大,电极的间隙处的等电位线较密。但是,在液晶层3的中间层,不发生等电位线向像素电极20和共用电极30上的蔓延(绕入)。像这样在枝部22和枝部32的前端附近等电位线是等间隔,因此如图3所示,在枝部22和枝部32的前端附近,液晶分子也总是相对于暗线(与施加电压值无关系地液晶分子总是垂直取向的区域)对称地倾倒。因此,将枝部22和枝部32的前端包围的区域的电极的间隙处液晶取向的中心变得稳定。即,如图3(a)所示,在枝部22和枝部32的前端附近,总是在电极的间隙的相同的位置也产生暗线,暗线的位置不发生变化。因此,由于与暗线相邻、显示相互不同的光学特性的两个畴的面积比也不发生变化,其结果是,不发生残像。
另外,将枝部22和枝部32的前端包围的区域的电极间隔大致一定地设定。因此,如图3(c)所示,在枝部22和枝部32附近能够抑制在电极的间隙产生电场不起作用的区域,其结果是,能够抑制透过率的损失。
如上所述,本发明人们发现TBA模式的液晶显示装置具有如下述表1所示的特性。即,如果从下基板侧到上基板侧液晶层内的各深度(特别是中间层)的等电位线的间隔均匀,则即使例如使灰度等级大幅变化,电极的间隙处的液晶取向的中心(暗线)也总是稳定。因此,如果以使从下基板侧到上基板侧液晶层内的各深度的等电位线的间隔均匀的方式,对枝部22和枝部32的前端的形状、以及将枝部22和枝部32的前端包围的区域的电极形状进行设定,则能够抑制随着灰度等级变化而在枝部22和枝部32的前端附近发生取向混乱或取向的对称性破坏,其结果是,能够抑制残像的发生。另一方面,如果从下基板侧到上基板侧液晶层内的各深度(特别是中间层)的等电位线的间隔不均匀,即如果将电极形状设定为从下基板侧到上基板侧液晶层内的各深度的等电位线的间隔不均匀,则当使灰度等级大幅变化时,电极的间隙处的液晶取向中心(暗线)不稳定,容易发生残像。
[表1]
此外发现,当垂直取向膜的取向控制力较强时,残像不容易发生,另一方面,当该取向控制力较弱时,残像容易发生。
图4是表示实施方式1的液晶显示装置的图,(a)是表示结构的平面示意图,(b)~(e)表示光学显微镜照片。另外,光学显微镜观察是通过制作满足上述仿真条件的面板来进行的。作为液晶材料使用MJ08356(默克(Merck)公司制),作为取向膜材料使用AL61960(JSR公司制)。此外,图4(b)是使像素电极20的电位为6.5V时的结果,
(c)是使像素电极20的电位为3.5V时的结果,(d)是使像素电极20的电位为2.5V时的结果,(e)是使像素电极20的电位为2.0V时的结果。
本实施方式的液晶显示装置中,如图3(c)所示,能够抑制在枝部22和枝部32的前端附近的电极的间隙产生电场不起作用的区域。因此,如图4(b)所示,能够有效地抑制在枝部22和枝部32的前端附近透过率发生损失。另外,如图4(b)~(e)所示,在任意的电压施加状态下,电极的间隙处的液晶取向的中心(暗线)均稳定,能够抑制发生残像。
以上,根据本实施方式的液晶显示装置,将包围像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32各自的前端(前端部)的区域的电极间隔S设定为实质上的等间隔。
即,枝部22的前端(前端部)和共用电极30的包围枝部22的前端的部分之间的间隔,实质上一定。
此外同样地,枝部32的前端(前端部)和像素电极20的包围枝部32的前端的部分之间的间隔,也可以实质上一定。
由此,在枝部22和枝部32的前端附近,液晶分子也总是相对于暗线对称地倾倒,枝部22和枝部32的前端附近的电极的间隙处液晶取向的中心变得稳定。其结果是,能够有效地抑制残像的发生。
另外,在使用一对直线偏光板的情况下,当俯视面板时在与一对直线偏光板的吸收轴平行(水平)或垂直方向上倾倒的液晶分子越少,透过率越大。此外,在与吸收轴平行或垂直的方向上倾倒的液晶分子,发生在枝部22和枝部32的前端附近。本实施方式的液晶显示装置,与后述的图10的方式相比,能够减少枝部22和枝部32的前端的数量。即,能够使在与吸收轴平行或垂直的方向上倾倒的液晶分子变少,因此本实施方式是容易获得透过率的方式。从而,本实施方式的液晶显示装置,适用于不容易获得透过率、具有小的图像元素的液晶显示装置。
另外,本实施方式的液晶显示装置,在一个图像元素中具有四个畴,因此能够使上下左右的视野角特性对称。
另外,也可以仅将像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32中的一者的前端包围的区域的电极间隔S实质上是等间隔。但是,基于抑制图像元素在更广的范围内发生残像的观点,如上所述,优选将像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32两者的前端包围的区域的电极间隔S实质上为等间隔。
此外,根据本实施方式,将枝部22和枝部32的前端包围的区域的电极间隔S,也可以不是严密的等间隔。具体而言,在图1所示的例子中,将像素电极20和共用电极30的角部彼此连结的区域的电极的间隙,比将像素电极20和共用电极30的边彼此连结的区域的电极的间隙大若干。即,像素电极20的角部和与该角部相对的共用电极30的角部之间的间隔(角部间隔),比像素电极20的边的部分和与共用电极30的该像素电极20的边的部分相对的边的部分之间的间隔(边间隔)大若干。但是,即使不使将枝部22和枝部32的前端包围的区域的电极间隔S完全为等间隔,如图3所示,由于能够使从下基板侧到上基板侧液晶层内的各深度(特别是中间层)的等电位线的间隔大致均匀,所以能够抑制残像的发生。
另外,如图1所示使电极间隔为大致等间隔的情况下,上述角部间隔必定为上述边间隔的倍以下。在这种程度的情况下,在由像素电极20的边的一部分和共用电极30的与该像素电极20的边的一部分相对的边的一部分夹着的区域(等间隔区域)作用的电场,比在等间隔区域以外的区域作用的电场强。因此,等间隔区域的液晶分子运动较快,另一方面,与等间隔区域相比电极间隔大的区域(等间隔区域以外的区域)的液晶分子,从等间隔区域的液晶分子运动后开始运动。但是,等间隔区域以外的区域的液晶分子运动的速度,不是成为残像的程度的速度(缓慢)。此外,电极间隔最大的部分的液晶分子,主要在上下方向上进行横卧(直立)动作。即,在与偏光板的吸收轴(透过轴)平行或垂直的方向上倾倒(直立)。因此,该部分的液晶分子对透过率变化(残像)基本上不产生影响。
进一步,根据本实施方式,对与枝部22和枝部32的前端相邻的区域的电极的间隙,即电极的间隙的与枝部22和枝部32的前端相邻的区域(部分)进行倒角处理。因此,能够将像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32的前端区域中的电极间隔S实质上等间隔地设定以便不发生残像,其结果是,可以说也能够抑制残像的发生。
图5是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
像素电极20的枝部22可以仅在45°方向上设置,并且共用电极30的枝部32可以仅在225°方向上设置。即,本实施方式的图像元素可以具有两个畴。由此,也能够抑制残像的发生。
图6是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。
图7是表示图6所示的实施方式1的液晶显示装置的结构的放大平面示意图。
像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32分别如图6所示,具有两种宽度,与前端和根部相比,前端和根部以外的中央部的宽度可以较细。换言之,枝部22和枝部32的前端(根部)以外的中央部中的电极间隔S,可以比枝部22和枝部32的前端(根部)处的电极间隔S宽。
像这样,枝部22的前端的宽度与中央部的宽度不同,将枝部22的前端包围的区域的共用电极30的宽度,与枝部32的中央部的宽度不同。即,枝部22的前端(前端部)的宽度与枝部22的中央部的宽度不同,共用电极30的包围枝部22的前端(前端部)的部分(通常是枝部22的根部和主干部21)的宽度,与枝部32的中央部的宽度不同。
同样地,枝部32的前端的宽度与中央部的宽度不同,将枝部32的前端包围的区域的像素电极20的宽度,与枝部22的中央部的宽度不同。即,枝部32的前端(前端部)的宽度与枝部32的中央部的宽度不同,像素电极20的包围枝部32的前端(前端部)的部分(通常是枝部32的根部和主干部31)的宽度,与枝部22的中央部的宽度不同。
更具体而言,例如如图7所示,枝部22和枝部32的前端和根部的L/S被设定为4.0μm/4.0μm,与此相对,枝部22和枝部32的前端和根部以外的中央部的L/S被设定为2.5μm/5.5μm。
另外,中央部是除前端部和根部以外的部分,更优选位于枝部的长度方向上的大致中央的部分。
下述表2表示改变L/S时的面板透过率。另外,表3表示L/S和面板透过率的关系。如表2所示,只要电极间隔S在不太宽的范围内,透过率就随着电极间隔S的增大而增加。即,如表3所示,如果电极间隔(space)S变宽,则虽然等电位线的密度变疏,但是在电极的间隙处液晶分子沿基板面方向横卧的面积变大,因此透过率增大。但是,如果电极间隔S过宽,则等电位线的密度变得过小,透过率会降低。另一方面,如果电极间隔S变窄,则虽然等电位线的密度变密,但是在电极的间隙处液晶分子沿基板面方向横卧的面积变小,因此透过率减少。另外,如果线宽L变大,则能够使在液晶层的中间层等电位线向像素电极20和共用电极30上的蔓延变小,另一方面,如果线宽L变小,则能够使在液晶层的中间层等电位线向像素电极20和共用电极30上的蔓延会变大。
[表2]
[表3]
因此,根据图6所示的方式,由于在对残像的发生没有影响的枝部22和枝部32的中央部,能够确保电极的间隙较大,所以能够提高像素开口率,提高透过率。此外,枝部22的前端及根部与中央部相比宽度不同。此外同样地,枝部32的前端及根部与中央部相比宽度不同。因此,能够在前端和根部设定为对抑制残像有效的L/S,并且在中央部设定为尽可能获得透过率的L/S。
此外,图6所示的方式,与图1所示的方式同样地,能够减少枝部22和枝部32的前端的数目。即,由于能够使在与直线偏光片的吸收轴平行或垂直的方向上倾倒的液晶分子变少,所以图6所示的方式是容易获得透过率的方式。因此,该方式也适用于不容易获得透过率、具有小的图像元素的液晶显示装置。
图8是表示图6所示的实施方式1的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线。另外,该仿真中,将枝部22和枝部32的前端和根部的L/S设定为4.0μm/4.0μm,并且将枝部22和枝部32的前端和根部以外的中央部的L/S设定为2.5μm/5.5μm,除此以外使用上述仿真条件进行。另外,图8表示使像素电极20的电位为6.5V时的结果。
其结果是,在这种情况下,从下基板(有源矩阵基板)侧到上基板(对置基板)侧,在液晶层内的各深度,等电位线的间隔大致均匀。即,如图8(c)所示,在液晶层的中间层,等电位线的间隔也大致一定。另外,在枝部22和枝部32的前端区域,线宽L较大,且位于电极的间隙的等电位线较密。但是,在液晶层的中间层,没有发生等电位线向像素电极20和共用电极30上的蔓延。
进一步,像素电极20和共用电极30分别相对于电极的间隙的中心线维持线对称的轮廓线,并且其间隔随着向枝部22和枝部32的前端而变化。即,电极的间隔从枝部22的中央部向着前端变化,以使得像素电极20和共用电极30具有相对于电极的间隙的中心线线对称的轮廓线(平面形状)。同样地,电极的间隔从枝部32的中央部向着前端变化,以使得像素电极20和共用电极30具有相对于电极的间隙的中心线线对称的轮廓线(平面形状)。因此,如图8(c)所示,等电位线的间隔也从枝部22和枝部32的前端(根部),向着中央部平滑且均匀地扩展。因此,由于在电极间隔S变化的区域中等电位线也是等间隔,所以在电极间隔S发生变化的区域中液晶分子也总是相对于暗线对称地倾倒。即,如图8(a)所示,在电极间隔S发生变化的区域中,暗线也总是在电极的间隙的相同位置产生,暗线的位置不发生变化。其结果是,如图8(a)所示,在电极间隔S发生变化的区域中液晶取向的中心稳定,能够抑制在电极间隔S发生变化的区域中发生残像。
图9(a)是表示图6所示的实施方式1的液晶显示装置的光学显微镜照片的图,(b)是(a)的像素电极的枝部的前端附近的放大图。另外,在光学显微镜观察中,除改变了像素布局以外,使用与图4所示的液晶显示装置同样制作的液晶显示装置。另外,图9是像素电极20的电位为6.5V时的结果。
如图9(a)所示,由于将对残像的发生没有影响的枝部22和枝部32的中央部(例如参照图9(a)中用白色圆圈包围的区域)的电极的间隙设定得较大,所以能够提高透过率。另外,如图9(b)所示,在枝部22和枝部32的前端附近,暗线(与施加电压值无关地液晶分子总是垂直取向的区域)是均匀的。即,在枝部22和枝部32的前端附近,暗线总是位于电极的间隙的一定的位置(参照图9(b)中白线部分)。因此,没有发生残像。进一步,能够抑制在枝部22和枝部32的前端附近的电极的间隙产生电场不起作用的区域,能够有效地抑制在枝部22和枝部32的前端附近透过率发生损失(参照图9(b)中白色圆圈包围的区域)。
图10是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。如图10所示,像素电极20可以是俯视时梳齿状的电极,包括:在45°或135°方向上以大致90°的弯折角周期性地呈锯齿状地弯折的主干部21,和与主干部21的弯折部分连接且设置在45°、135°、225°或315°方向上的俯视时线状的枝部22。
另外,共用电极30可以是俯视时梳齿状的电极,包括:以与栅极总线及源极总线平面地重叠的方式配置在上下左右方向上的格子状的主干部31,和与主干部31连接且设置在45°、135°、225°或315°方向上的俯视时线状的枝部32。
另外此时,像素电极20和共用电极30分别如图10所示,具有延伸方向相互正交的两种枝部22和枝部32。因此,在液晶层内产生电场方向相互正交的两种弯曲状的电场。而且,两种弯曲状的电场,形成在一个图像元素内。即,由于在各种枝部22和枝部32中分别形成两个畴,所以在一个图像元素内形成有总计四个畴。从而,在该情况下,能够在上下左右全方位上实现无偏斜的视野角补偿。
另外此时,像素电极20的枝部22,与图1所示的方式同样地,以沿着共用电极30的主干部31的延伸方向的方式,其前端的平面形状呈锥状(台形状)地变细。另一方面,共用电极30的枝部32的前端的平面形状,不变细,而是呈方形状。而且,枝部32的前端,以电极间隔为大致一定的方式,被配置成俯视时呈方形状(U字形,更详细而言是有棱角的U字形)的像素电极20的主干部21和枝部22的根部包围。
图11是表示图10所示的实施方式1的液晶显示装置的图,(a)是平面示意图,(b)~(e)表示光学显微镜照片。另外,光学显微镜观察,除改变了像素布局以外,使用与图4所示的液晶显示装置同样制作的液晶显示装置。另外,图11(b)是使像素电极20的电位为6.5V时的结果,(c)是使像素电极20的电位为3.5V时的结果,(d)是使像素电极20的电位为2.5V时的结果,(e)是使像素电极20的电位为2.0V时的结果。
在该方式中,将枝部32的前端包围的区域的像素电极20和共用电极30的电极间隔S被设定为实质上等间隔。因此,如图11(b)~(e)所示,在任意的电压施加状态下,电极的间隙处的液晶取向的中心(暗线)均稳定,能够抑制残像的发生。
另外,在像素电极20的枝部22的前端附近,与图1所示的方式同样地,以电极间隔实质上为等间隔的方式,对像素电极20和共用电极30的间隙进行倒角处理。从而,在该区域也能够抑制残像的发生。
另外,共用电极30的将枝部32的前端包围的区域的电极间隔,被设定为大致一定。因此,如图11(b)所示,能够抑制在共用电极30的枝部32的前端附近在电极的间隙产生电场不起作用的区域,其结果是,能够抑制透过率的损失。
进一步,该方式与图1所示的方式相比,容易增加枝部22和枝部32的前端的数量。即,是在与吸收轴平行或垂直的方向上倾倒的液晶分子容易变多,不容易获得透过率的方式。因此,该方式适用于容易获得透过率,具有大的图像元素的液晶显示装置。另外,通过该方式能够提高成品率。这是由于,与图1所示的方式相比,该方式能够将像素电极20的主干部21和共用电极30的主干部32之间的距离设得更大,能够减轻漏泄不良。当枝部漏泄时,能够通过切断漏泄的枝部而使缺陷面积成为最小限,但是当主干部漏泄时,漏泄的主干部和枝部成为缺陷面积。
而且,该方式中,在一个图像元素中具有四个畴,因此也能够使上下左右的视野角特性对称。
图12是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。在图11所示的方式中,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32分别如图12所示,也具有两种宽度,与前端和根部相比,前端和根部以外的中央部的宽度可以较细。换言之,枝部22和枝部32的前端(根部)以外的中央部的电极间隔S,可以比枝部22和枝部32的前端(根部)的电极间隔S宽。更具体而言,例如枝部22和枝部32的前端和根部的L/S被设定为4.0μm/4.0μm,与此相对,枝部22和枝部32的前端和根部以外的中央部的L/S被设定为2.5μm/5.5μm。由此,在对残像的发生没有影响的枝部22和枝部32的中央部,能够确保电极的间隙较大,因此能够提高像素开口率,提高透过率。此外,枝部22的前端及根部与中央部相比宽度不同。此外同样地,枝部32的前端及根部与中央部相比宽度不同。因此,能够在前端和根部设定为对抑制残像有效的L/S,并且在中央部设定为尽可能获得透过率的L/S。
进一步,像素电极20和共用电极30分别相对于电极的间隙的中心线维持线对称的轮廓线,并且其间隔随着向枝部22和枝部32的前端而变化。因此,与图6所示的方式同样地,等电位线的间隔也从枝部22和枝部32的前端(根部)向着中央部平滑且均匀地扩展。因此,在电极间隔S发生变化的区域中也能够使等电位线为等间隔,在电极间隔S发生变化的区域中也能够使液晶分子总是相对于暗线对称地倾倒。即,在电极间隔S发生变化的区域中,也能够使暗线总是在电极的间隙的相同位置上产生,使暗线的位置不发生变化。其结果是,能够使电极间隔S发生变化的区域中液晶取向的中心稳定,抑制在电极间隔S发生变化的区域中发生残像。
图13是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。如图13所示,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32也可以,在图像元素的一半区域,在前端及根部与中央部L/S一定,与此相对,在图像元素的剩余一半的区域,中央部与前端及根部相比,线宽L较小,电极间隔S较大。即,该方式也可以说是将图1所示的方式和图6所示的方式的各自特征在一个图像元素内组合而成的方式。这样,通过在一个图像元素内设置多个L/S,使一个图像元素内存在多个V(电压)-T(透过率)特性。其结果是,能够抑制视角从正面方向倒向倾斜方向时发生的泛白现象。
另外,图像元素各自具有设置在45°或135°方向上的枝部22和枝部32,因此在一个图像元素中形成两个畴。但是,由于在相邻的两个图像元素间枝部22和枝部32正交,所以该方式中,在相邻的两个图像元素中形成四个畴。因此,能够使上下左右的视野角特性对称。
图14是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。如图14所示,像素电极20可以是俯视时梳齿状的电极,包括:以将图像元素区域上下二等分的方式设置在上下和0°方向上的俯视时倒L字状的主干部21;和与主干部21连接且设置在0°或90°方向上的俯视时线状的枝部22。
另外,共用电极30可以是俯视时梳齿状的电极,包括:以与栅极总线及源极总线平面地重叠的方式配置在上下左右方向上的格子状的主干部31;和与主干部31连接且设置在180°或270°方向上的俯视时线状的枝部32。
但是此时,配置成正交尼科尔的一对偏光板的一个的吸收轴配置在45°方向上,一对偏光板的另一个的吸收轴配置在135°方向上。
另外此时,像素电极20和共用电极30分别如图14所示,具有延伸方向相互正交的两种枝部22和枝部32。因此,在液晶层3内产生电场方向相互正交的两种弯曲状的电场。而且,两种弯曲状的电场,形成在一个图像元素内。即,由于在各种枝部22和枝部32分别形成两个畴,所以在一个图像元素内形成有总计四个畴。因此,在这种情况下,也能够在上下左右全方位上实现无偏斜的视野角补偿。
另外此时,像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32的前端的平面形状不变细,而是呈方形状。而且,枝部22和枝部32的前端,分别以电极间隔为大致一定的方式,被俯视时呈方形状(U字形,更详细而言是有棱角的U字形)地配置的像素电极20或共用电极30包围。
在该方式中,也将包围枝部22和枝部32各自的前端的区域的像素电极20和共用电极30的电极间隔S设定为实质上等间隔。因此,与图12所示的方式中的共用电极30(枝部32)的前端附近的情况同样地,在任意的电压施加状态下,电极的间隙处的液晶取向的中心(暗线)均稳定,能够抑制残像的发生。此外,能够抑制在枝部22和枝部32的前端附近在电极的间隙产生电场不起作用的区域,其结果是,能够抑制透过率的损失。
另外,枝部22和枝部32分别具有两种宽度,与前端和根部相比,前端和根部以外的中央部的宽度较细。换言之,枝部22和枝部32的前端(根部)以外的中央部的电极间隔S,也比枝部22和枝部32的前端(根部)的电极间隔S宽。由此,在对残像的发生没有影响的枝部22和枝部32的中央部,能够确保电极的间隙较大,因此能够提高像素开口率,提高透过率。另外,枝部22的前端及根部与中央部相比宽度不同。此外同样地,枝部32的前端及根部与中央部相比宽度不同。因此,能够在前端和根部设定为对抑制残像有效的L/S,并且在中央部设定为尽可能获得透过率的L/S。
进一步,像素电极20和共用电极30分别相对于电极的间隙的中心线维持线对称的轮廓线,并且其间隔随着向枝部22和枝部32的前端而变化。因此,与图6和图12所示的方式同样地,等电位线的间隔也从枝部22和枝部32的前端(根部)向着中央部平滑且均匀地扩展。因此,在电极间隔S发生变化的区域中也能够使等电位线为等间隔,在电极间隔S发生变化的区域中也能够使液晶分子总是相对于暗线对称地倾倒。即,在电极间隔S发生变化的区域中,也能够使暗线总是产生在电极的间隙的相同位置上,使暗线的位置不发生变化。其结果是,能够使在电极间隔S发生变化的区域中液晶取向的中心稳定,抑制在电极间隔S发生变化的区域中发生残像。
而且,该方式中,在一个图像元素中具有四个畴,因此也能够使上下左右的视野角特性对称。
图15是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。在图14所示的方式中,像素电极20也可以如图15所示,包括:以将图像元素区域上下二等分的方式设置在左右方向上的俯视时线状的主干部21;和与主干部21连接且设置在90°或270°方向上的俯视时线状的枝部22。
另外此时,共用电极30也可以包括:以与栅极总线和源极总线平面地重叠的方式配置在上下左右方向上的格子状的主干部31;和与主干部31连接且设置在270°或90°方向上的俯视时线状的枝部32。
这样,图15所示的方式中,图像元素可以具有两个畴。由此,也能够抑制残像的发生。另外,图15所示的液晶显示装置能够使图像元素面积的利用效率为最大,因此能够提高透过率。
图16是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。在图14所示的方式中,像素电极20也可以如图16所示,包括:以沿着图像元素的边界的方式设置在上下方向上的俯视时线状的主干部21;和与主干部21连接且设置在0°方向上的俯视时线状的枝部22。
另外此时,共用电极30也可以包括:以与栅极总线和源极总线平面地重叠的方式配置在上下左右方向上的格子状的主干部31;和与主干部31连接且设置在180°方向上的俯视时线状的枝部32。
这样,图16所示的方式中,图像元素可以具有两个畴。由此,也能够抑制残像的发生。另外,图16所示的液晶显示装置,与后述的图17所示的方式相比,能够减少枝部22和枝部32前端的数量。即,能够使在与吸收轴平行或垂直的方向上倾倒的液晶分子变少,因此该方式是容易获得透过率的方式。因此,图16所示的液晶显示装置适用于不容易获得透过率,具有小的图像元素的液晶显示装置。
图17是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。在图14所示的方式中,像素电极20也可以如图17所示,包括:以将图像元素区域左右二等分的方式设置在上下方向上的俯视时线状的主干部21;和与主干部21连接且设置在0°或180°方向上的俯视时线状的枝部22。
另外此时,共用电极30也可以包括:以与栅极总线和源极总线平面地重叠的方式配置在上下左右方向上的格子状的主干部31;和与主干部31连接且设置在180°或0°方向上的俯视时线状的枝部32。
这样,图17所示的方式中,图像元素可以具有两个畴。由此,也能够抑制残像的发生。另外,图17所示的液晶显示装置,与图16所示的方式相比,容易增加枝部22和枝部32的前端的数量。即,在与吸收轴平行或垂直的方向上倾倒的液晶分子容易变多,因此该方式是不容易获得透过率的方式。因此,图17所示的液晶显示装置适用于容易获得透过率,具有大的图像元素的液晶显示装置。
图18是表示实施方式1的液晶显示装置的其他结构的平面示意图。在图14所示的方式中,如图18所示,设置在90°(上下)方向上的像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32的中央部的电极间隔,与设置在0°(左右)方向上的像素电极20的枝部22和共用电极30的枝部32的中央部的电极间隔可以不同。这样,通过在一个图像元素内设置多个L/S,使一个图像元素内存在多个V(电压)-T(透过率)特性。其结果是,能够抑制将视角从正面方向倒向倾斜方向时产生的泛白现象。
另外,相邻的两个图像元素的一个中,设置在90°方向上的枝部22和枝部32的中央部的电极间隔比设置在0°方向上的枝部22和枝部32的中央部的电极间隔窄。另一方面,相邻的两个图像元素的另一个中,设置在90°方向上的枝部22和枝部32的中央部的电极间隔比设置在0°方向上的枝部22和枝部32的中央部的电极间隔宽。由此,在两个图像元素中能够形成电极间隔为两种(宽、窄)的四个畴。因此,能够抑制将视角从正面方向倒向倾斜方向时发生的泛白现象,并且能够使上下左右的视野角特性对称。
这样,该方式中,在两个图像元素中具有四个畴,因此能够在抑制泛白,并且能够使上下左右的视野角特性对称。
图19(a)~(d)是表示实施方式1的液晶显示装置的变形例的平面示意图。本实施方式的像素电极20和共用电极30的角部(角)的平面形状,如图19(a)~(d)所示,可以是呈圆弧状地带有圆角。由此,能够使将枝部22和枝部32的前端包围的区域的电极间隔S为更严密的等间隔。因此,能够更有效地抑制残像的发生。另外,像素电极20和共用电极30通常用光刻法进行图案形成,但是如果图像元素尺寸小、曝光装置的分辨率低,则角容易带有圆角。因此,该方式适用于图像元素尺寸小的情况或曝光装置的分辨率低的情况。另外,带有圆角的角部的曲率并没有特别的限定,根据所期望的图像元素布局进行适当设定即可。另外,像素电极20和共用电极30的角部(角)的平面形状,呈椭圆弧状地带有圆角即可。
(比较方式1)
图20是表示比较方式1的液晶显示装置的结构的平面示意图,(a)表示一个图像元素,(b)是(a)的放大图。图21表示比较方式1的液晶显示装置的图像元素的光学显微镜照片。另外,图21是将L/S设定为2.5μm/7.5μm,施加最高灰度等级(255灰度等级)时的照片。图22是表示比较方式1的液晶显示装置的图,(a)表示像素电极的主干部附近的光学显微镜照片,(b)是表示像素电极的主干部附近的平面示意图。另外,图22是将L/S设定为4.0μm/4.0μm,施加最高灰度等级(255灰度等级)时的照片。
如图20所示,本比较方式的液晶显示装置包括:具有主干部121和枝部122的梳齿状的像素电极120;和具有主干部131和枝部132的梳齿状的共用电极130。但是,将枝部122或枝部132包围的区域的电极的间隙不进行倒角处理,该区域的电极间隔也不是等间隔。另外,将像素电极120的枝部122和共用电极130的主干部131之间的间隔,与像素电极120的主干部121和共用电极130的枝部132之间的间隔一同设定为3.5μm。
其结果是,如图21、22所示,在主干部121、132附近光不会透过,本比较方式的液晶显示装置,透过率的损失较大。这被认为是由于基于该区域的电极产生的取向控制力较弱。
图23是表示比较方式1的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线,(d)表示沿(b)中的A2-B2线的截面。另外,该仿真采用实施方式1的仿真条件进行。其中,设定为L/S=2.5μm/3.5μm。图23表示使像素电极120的电位为6.5V时的结果。
其结果是,本比较方式的液晶显示装置如图23(d)所示,由于线宽L较小且电极间隔S较窄,所以发生等电位线向像素电极20和共用电极30上的蔓延。另外,从下基板(有源矩阵基板101)侧到上基板(对置基板102)侧,在液晶层103内的各深度,等电位线的间隔不均匀,如图23(c)所示,特别是在液晶层103的中间层,等电位线的间隔散乱。这样,在枝部122和枝部132的前端附近等电位线不再是等间隔,因此在枝部122和枝部132的前端附近,液晶分子不相对于暗线(与施加电压值无关地液晶分子总是垂直取向的区域)对称地倾倒。因此,将枝部122和枝部132的前端包围的区域的电极的间隙处液晶取向的中心不稳定。即,如图23(a)所示,在枝部122和枝部132的前端附近,暗线不总是在电极的间隙的相同位置上发生,暗线的位置会发生变化。因此,与暗线相邻、显示相互不同的光学特性的两个畴的面积比也发生变化,因此结果是容易发生残像。
图24是表示比较方式1的液晶显示装置的其他结构的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线,(d)表示(b)中的A3-B3线的截面。另外,该仿真采用实施方式1的仿真条件进行。其中,设定为L/S=2.5μm/7.5μm。另外,图24表示使像素电极120的电位为6.5V时的结果。
其结果是,本比较方式的液晶显示装置,如图24(d)所示线宽L较小,但是由于电极间隔S较宽,所以没有发生等电位线向像素电极20和共用电极30上的蔓延。但是,从下基板(有源矩阵基板101)侧到上基板(对置基板102)侧,在液晶层103内的各深度,等电位线的间隔不均匀,如图24(c)所示特别是在液晶层103的中间层,等电位线的间隔散乱。因此,与图23的情况同样,容易发生残像。
(实施方式2)
图25是表示实施方式2的液晶显示装置的结构的平面示意图。
本实施方式的液晶显示装置,除了像素电极和共用电极的布局不同以外,具有与实施方式1的液晶显示装置同样的结构,因此仅详细说明与实施方式1不同的方面。
本比较方式的液晶显示装置如图25所示,包括:具有主干部221和枝部222的梳齿状的像素电极220;和具有主干部231和枝部232的梳齿状的共用电极230。此外,包围枝部222或枝部232的区域的电极的间隙不进行倒角处理,该区域的电极间隔也不是等间隔。
图26是表示实施方式2的液晶显示装置的仿真结果的图,(a)是光学仿真(取向仿真)的结果,(b)表示电极表面的等电位线,(c)表示液晶层的中间层的等电位线。另外,此仿真采用实施方式1的仿真条件进行。其中,设定为L/S=4.0μm/4.0μm。另外,将像素电极220的枝部222和共用电极230的主干部231之间的间隔,以及像素电极220的主干部221和共用电极230的枝部232之间的间隔,也设定为4.0μm。图26表示使像素电极220的电位为6.5V时的结果。
其结果是,本实施方式的液晶显示装置,从下基板(有源矩阵基板)侧到上基板(对置基板)侧,在液晶层内的各深度,等电位线的间隔大致均匀。即,如图26(c)所示,在液晶层的中间层,等电位线的间隔也大致一定。因此,在枝部222和枝部232的前端附近,液晶分子也总是相对于暗线(与施加电压值无关地液晶分子总是垂直取向的区域)对称倾倒。因此,将枝部222和枝部232的前端包围的区域的电极的间隙处液晶取向的中心稳定。即,如图26(a)所示,在枝部222和枝部232的前端附近,暗线也总是在电极的间隙的相同位置上产生,暗线的位置不发生变化。因此,由于与暗线相邻、显示相互不同的光学特性的两个畴的面积比也不发生变化,所以结果是不容易发生残像。
但是,在图26(c)中,如用圆包围的区域那样,在枝部222和枝部232的前端附近在电极间隙产生电场不起作用的区域,其结果是,透过率发生损失。
(实施方式3)
实施方式3的液晶显示装置,除了设定为L/S=4.0μm/12.0μm以外,具有与实施方式2的液晶显示装置相同的结构。
(比较方式2)
比较方式2的液晶显示装置,除了设定为L/S=2.5μm/7.5μm以外,具有与实施方式2的液晶显示装置相同的结构。
(比较方式3)
比较方式3的液晶显示装置,除了设定为L/S=2.5μm/5.0μm以外,具有与实施方式2的液晶显示装置相同的结构。
(比较方式4)
比较方式4的液晶显示装置,除了设定为L/S=2.5μm/4.0μm以外,具有与实施方式2的液晶显示装置相同的结构。
(比较方式5)
比较方式5的液晶显示装置,除了设定为L/S=2.5μm/3.5μm以外,具有与实施方式2的液晶显示装置相同的结构。
对于实施方式2、3和比较方式2~5,制作面板,进行与用图31说明的评价方法相同的残像评价,将得到的结果用下述表4表示。另外,在残像评价中,除改变了像素布局以外,使用与图4所示的液晶显示装置同样制作的液晶显示装置。其结果是,在实施方式2、3中,没有发生残像,但在比较方式2~5中,发生了残像。
[表4]
图27是表示实施方式2的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)的结果的图,(a)是使像素电极的电位为6V时的结果,(b)是使像素电极的电位为3V时的结果。图28是表示实施方式3的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)的结果的图,是使像素电极的电位为6V时的结果。图29是表示比较方式2的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)的结果的图,(a)是使像素电极的电位为6V时的结果,(b)是使像素电极的电位为3V时的结果。图30是表示比较方式5的液晶显示装置的光学仿真(取向仿真)的结果的图,是使像素电极的电位为6V时的结果。另外,对比较方式3、4的液晶显示装置也同样地进行仿真。另外,这些仿真采用与实施方式1的仿真条件同样的条件进行。另外,将实施方式2、3和比较方式2~5的光学仿真结果汇总,用下述表5表示。
[表5]
这个结果表明,实施方式2、3的液晶显示装置,如表5和图27、28(参照图中的白线)所示,当施加6V和3V时,暗线(与施加电压值无关地液晶分子总是垂直取向的区域)均匀。即,当施加6V和3V时,暗线总是位于电极的间隙的一定位置上。因此,能够认为实施方式2、3的液晶显示装置没有发生残像。
另一方面,比较方式2~5的液晶显示装置,如表5和图29(b)(参照图中的白线)所示,当施加3V时,暗线均匀。即,当施加3V时,暗线总是位于电极的间隙的一定位置上。但是,如表5和图29(a)、图30(参照图中的白线)所示,当施加6V时,暗线不均匀。即,当施加6V时,暗线不位于电极的间隙的一定位置上。因此,在比较方式2~5的液晶显示装置中,能够认为在从白灰度等级(最高灰度等级)向中间灰度变化的图像元素中,暗线移动,在该暗线移动的期间视认出残像。
本申请以2008年10月14日提出的日本国专利申请2008-265562号为基础,基于巴黎条约和进入国的法规主张优先权。该申请的全部内容作为参照并入本申请中。
附图符号说明
1:有源矩阵基板(TFT阵列基板)
2:对置基板
3:液晶层
20:像素电极
21:主干部
22:枝部
30:共用电极
31:主干部
32:枝部
Claims (22)
1.一种液晶显示装置,其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层,所述液晶显示装置的特征在于:
所述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,
所述第一电极和所述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,
所述液晶层包含p型向列液晶,并且由在所述第一电极与所述第二电极之间产生的电场驱动,
所述p型向列液晶在没有施加电压时,与所述第一基板和所述第二基板面垂直地取向,
所述第一枝部和所述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,
将所述第一枝部的前端包围的区域的所述第一电极和所述第二电极的间隔,实质上为等间隔。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:
将所述第二枝部的前端包围的区域的所述第一电极和所述第二电极的间隔,实质上为等间隔。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极或所述第二电极具有曲折形的主干部。
4.如权利要求1~3中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,
将所述第一枝部的前端包围的区域的所述第二电极的宽度,与所述第二枝部的中央部的宽度不同。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第二枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,
将所述第二枝部的前端包围的区域的所述第一电极的宽度,与所述第一枝部的中央部的宽度不同。
6.如权利要求1~5中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向所述第一枝部的前端而变化。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向所述第二枝部的前端而变化。
8.如权利要求1~7中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极中的至少一者,具备平面形状带有圆角的角部。
9.一种液晶显示装置,其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层,所述液晶显示装置的特征在于:
所述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,
所述第一电极和所述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,
所述液晶层包含p型向列液晶,并且由在所述第一电极与所述第二电极之间产生的电场驱动,
所述p型向列液晶在没有施加电压时,与所述第一基板和所述第二基板面垂直地取向,
所述第一枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,
将所述第一枝部的前端包围的区域的所述第二电极的宽度,与所述第二枝部的中央部的宽度不同,
所述第一电极和所述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向所述第一枝部的前端而变化。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第二枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,
将所述第二枝部的前端包围的区域的所述第一电极的宽度,与所述第一枝部的中央部的宽度不同,
所述第一电极和所述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向所述第二枝部的前端而变化。
11.如权利要求9或10所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一枝部和所述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,
将所述第一枝部的前端包围的区域的所述第一电极和所述第二电极的间隔,实质上为等间隔。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置,其特征在于:
将所述第二枝部的前端包围的区域的所述第一电极和所述第二电极的间隔,实质上为等间隔。
13.如权利要求9~12中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极或所述第二电极具有曲折形的主干部。
14.如权利要求9~13中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极中的至少一者,具备平面形状带有圆角的角部。
15.一种液晶显示装置,其包括:相互相对配置的第一基板和第二基板;和夹持在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层,所述液晶显示装置的特征在于:
所述第一基板具有包括第一枝部的梳齿状的第一电极和包括第二枝部的梳齿状的第二电极,
所述第一电极和所述第二电极,在像素内平面地相互相对配置,
所述液晶层包含p型向列液晶,并且由在所述第一电极与所述第二电极之间产生的电场驱动,
所述p型向列液晶在没有施加电压时,与所述第一基板和所述第二基板面垂直地取向,
所述第一枝部和所述第二枝部,相对于相邻的像素间的边界线倾斜地延伸,
与所述第一枝部的前端相邻的区域的所述第一电极和所述第二电极的间隙,被进行了倒角处理。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置,其特征在于:
与所述第二枝部的前端相邻的区域的所述第一电极和所述第二电极的间隙,被进行了倒角处理。
17.如权利要求15或16所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极或所述第二电极具有曲折形的主干部。
18.如权利要求15~17中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,
将所述第一枝部的前端包围的区域的所述第二电极的宽度,与所述第二枝部的中央部的宽度不同。
19.如权利要求18所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第二枝部的前端的宽度与中央部的宽度不同,
将所述第二枝部的前端包围的区域的所述第一电极的宽度,与所述第一枝部的中央部的宽度不同。
20.如权利要求15~19中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向所述第一枝部的前端而变化。
21.如权利要求20所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极,维持线对称的轮廓线,并且间隔随着向所述第二枝部的前端而变化。
22.如权利要求15~21中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述第一电极和所述第二电极中的至少一者,具备平面形状带有圆角的角部。
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