CN111856783A - 光器件及其制作方法 - Google Patents

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蒋旼锡
韩相儁
金信昊
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Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST
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Abstract

本发明涉及光器件及其制作方法，更详细地，涉及如下的光器件，即，上述光器件包括：下部电极；绝缘膜，形成于上述下部电极上；多个上部电极，形成于上述绝缘膜上；以及多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置。多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极，多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同，相邻的多个上述第一电极之间配置上述第二电极相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离，相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间的距离为第二距离，上述第二距离与上述第一距离互不相同。

Description

光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及光器件及其制作方法，更详细地，涉及光调制器及其制作方法。
背景技术
改变入射光的透射、反射、偏光、相位、强度、路径等的光学器件广泛应用于多种光学装置。并且，为了在光系统内通过需要的方式控制上述性质而提供了多种结构的光调制器。
以往的波调制器使用了液晶或微型单位的镜面。使用液晶的调制器通过施加电或热信号来运作。使用液晶的调制器利用根据信号确定液晶整列方向的性质来调节对于入射光的反应。使用微型镜面的调制器(例如，数字镜面器件(DMDs，Digital mirror devices))利用分别调节多个微型镜面的方向来向需要的方向反射入射光的原理。
超表面为改变入射光的特征且具有薄的厚度的光学物质。与使用液晶或微型镜面的现有技术相比，超表面呈现出得到提高的调制性能，可以将要素(element)大小缩小至比波长小数十倍的大小。并且，可根据通过超表面的特性获取需要形态的反射光或透射光，因此，作为平面镜头(Flat-lens)、超小型全息摄影、激光雷达(Lidar)、隐形(Cloaking)等的核心技术积极进行研究。
石墨烯作为构成超表面的物质，具有良好的特征。第一，其特性通过所施加的电压改变。若构成利用石墨烯的超表面，则可通过施加电信号来调节调制程度。上述方式为调节石墨烯的费米能的方式，因此，与以往使用液晶的方式相比，可以获得更快的调制速度。第二，石墨烯等离子体的大小比自由空间里的光子的大小小几百倍。这是实现超表面的小型化的重要特性。
发明内容
本发明的目的在于，提供光特性得到提高的光器件。
本发明的其他目的在于，提供光特性得到提高的光器件的制作方法。
本发明概念的光器件可包括：下部电极；绝缘膜，形成于上述下部电极上；多个上部电极，形成于上述绝缘膜上；以及多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置，多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极和第二电极，多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同，在相邻的多个上述第一电极之间配置多个上述第二电极，相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离，相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间的距离为第二距离，上述第二距离与上述第一距离互不相同。
本发明再一概念的光器件可包括：下部电极；绝缘膜，形成于上述下部电极；多个上部电极，在上述绝缘膜上；以及多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置于，多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极，多个上述可变电导率图案包括分别与多个上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案，多个上述第一电极及第二电极具有相同的第一宽度，多个上述第一可变电导率图案具有第二宽度，多个上述第二可变电导率图案具有与第二宽度不同的第三宽度。
本发明另一概念的光器件可包括：下部电极；绝缘膜，形成于上述下部电极；多个上部电极，形成于上述绝缘膜；以及多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置，多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极，多个上述可变电导率图案包括分别与多个上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案，相邻的多个上述第一电极及第二电极，隔着上述第一可变电导率图案以第一距离隔开，相邻的多个上述第一电极及第二电极隔着上述第二可变电导率图案以第二距离隔开，上述第一距离与第二距离互不相同。
本发明的光器件可以在维持中红外线反射波的振幅的情况下调节相位，或者在维持中红外线反射波的相位的情况下调节振幅。换言之，当向本发明的光器件入射的情况下，可以分别独立地调节反射波的振幅和相位。如上所述，本发明的光器件可以自由地调节中红外线的波。本发明的光器件可适用于镜头、激光雷达用光束转向器件、超宽带远距离通信、能动热辐射控制等。
附图说明
图1为示出本发明实施例的光器件的立体图。
图2为图1的A-A'线的剖视图。
图3、图4、图5为示出本发明实施例的光器件的制作方法的立体图。
图6为示出本发明实施例的光器件的立体图。
图7为图6的A-A'线的剖视图。
图8为示出本发明实施例的光器件的立体图。
图9为图8的A-A'线的剖视图。
图10为示出本发明实施例的光器件的立体图。
图11A及图11B分别为图10的A-A'线及B-B'线的剖视图。
图12为示出本发明实施例的光器件的立体图。
具体实施方式
为了充分理解本发明的构成及效果，参照附图，详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明并不局限于以下揭示的实施例，而是可以体现为多种形态并可以进行多种变更。只是，通过本实施例的说明，本发明将变得完整，并向本发明所属领域的普通技术人员提供本发明的完整范畴。
在本实施例中，在提及一种结构要素形成于其他结构要素的情况下，意味着可以直接在形成于其他结构要素或者在它们之间形成第三结构要素。并且，图中，为了有效地说明技术内容而放大了结构要素的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的结构要素。
本说明书中所述的实施例将参照本发明的理想或例示性剖视图和/或俯视图进行说明。图中，为了有效地说明技术内容而放大了膜及区域的厚度。因此，图中例示的区域具有简要属性，图中例示的区域的形状用于例示器件区域的特定形态，而并非用于限定发明的范畴。在本说明书的多种实施例中，为了记述多种结构要素而使用了第一、第二、第三等术语，但这些结构要素并不局限于上述术语。这些术语仅用于区分两种结构要素。在此说明且例示的实施例包括自身互补的的实施例。
本说明书中使用的术语用于说明实施例，而并非用于限定本发明。在本说明书中，只要没有特别提及，则单数型包括复数型。在说明书中使用的“包括(comprices)”和/或“包括(comprising)”意味着所提及的结构要素并不排除一个以上的其他结构要素的存在或追加。
图1为示出本发明实施例的光器件的立体图。图2为图1的A-A'线的剖视图。
参照图1及图2，本发明实施例的光器件可以包括光调制器(light modulator，LM)。光调制器LM包括基板SUB、下部电极LEL、绝缘膜IL、上部电极UEL及可变电导率图案(variable conductance pattern，GA)。基板SUB可以包括如硅基板的半导体基板。
在基板SUB上可以形成下部电极LEL。下部电极LEL可以呈平板形态(flat plateshape)。下部电极LEL可以包含金属物质(例如，钛、钽、钨、金、银、铜或铝)及导电性金属氮化物(例如，钛氮化物或钽氮化物)中的至少一种。下部电极LEL可以施加接地电压。虽然并未图示，在基板SUB与下部电极LEL之间也可以追加形成膜(例如，绝缘膜)。
在下部电极LEL上可以形成绝缘膜IL。绝缘膜IL可以包含氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。作为一例，绝缘膜IL的厚度可以大于下部电极LEL的厚度。
在绝缘膜IL上可以形成多个上部电极UEL。多个上部电极UEL可以包括多个第一电极EL1及多个第二电极EL2。多个上部电极UEL，即，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以包含金属物质(例如，钛、钽、钨、金、银、铜或铝)以及导电性金属氮化物(例如，钛氮化物或钽氮化物)中的至少一种。多个第一电极EL1及第二电极EL2可以包含相同的导电性物质。
多个第一电极EL1及第二电极EL2可以沿着第一方向D1相互平行地延伸。从平面观点上，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以呈线形态或杆形态。多个第一电极EL1及第二电极EL2可以沿着第二方向D2交替排列。换言之，在相邻的多个第一电极EL1之间可以配置第二电极EL2。相邻的多个第二电极EL2之间可以配置第一电极EL1。
多个第一电极EL1可以具有第一宽度W1。多个第二电极EL2也可以具有第一宽度W1。换言之，实质上，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以具有相同宽度。作为本发明的另一实施例，多个第一电极EL1的宽度可以与多个第二电极EL2的宽度互不相同，并不特别限定于图2所示的形态。
多个第一电极EL1之间的间距可以为第一间距P1。多个第二电极EL2之间的间距也可以为第一间距P1。换言之，多个第一电极EL1可以按第一间距排列。多个第二电极EL2也可以按第一间距排列。
第一电极EL1与相邻的第二电极EL2之间的沿着第二方向D2的距离可以为第一距离L1。第二电极EL2与相邻的第一电极EL1之间的沿着第二方向D2的距离可以为第二距离。第二距离L2可以大于第一距离L1。
相邻的多个第一电极EL1之间的第二电极EL2可以在相邻的多个上述第一电极EL1之间的中心位置偏移。相邻的多个上述第一电极EL1中的一个与第二电极EL2之间的距离可以为第一距离L1，相邻的多个上述第一电极EL1中的另一个与第二电极EL2之间的距离可以为第二距离L2。
多个第一电极EL1可以共同施加第一电压V1。多个第二电极EL2可以共同施加第二电压V2。第二电压V2可以与第一电压V1互不相同。
在绝缘膜IL上可以形成可变电导率图案GA。多个可变电导率图案GA可以包括多个第一可变电导率图案GA1以及多个第二可变电导率图案GA2。
多个第一可变电导率图案GA1以及第二可变电导率图案GA2可以沿着第一方向D1相互平行地延伸。从平面观点上，多个第一可变电导率图案GA1及第二可变电导率图案GA2可以呈线形态或杆形态。多个第一可变电导率图案GA1以及第二可变电导率图案GA2可以沿着第二方向D2交替排列。
多个第一可变电导率图案GA1可分别与多个第一电极EL1的侧壁相邻配置。多个第二可变电导率图案GA2可分别与多个第二电极EL2的侧壁相邻配置。第一可变电导率图案GA1可以与相邻的第一电极EL1相接触。换言之，第一可变电导率图案GA1可以与相邻的第一电极EL1电连接。第二可变电导率图案GA2可以与相邻的第二电极EL2相接触。换言之，第二可变电导率图案GA2可以与相邻的第二电极EL2电连接。
多个第一可变电导率图案GA1可以具有第二宽度W2。多个第二可变电导率图案GA2可以具有第三宽度W3。第三宽度W3可以大于第二宽度W2。作为一例，第二宽度W2可以是第一距离L1的一半，第三宽度W3可以是第二距离L2的一半。
多个可变电导率图案GA可以根据向多个上部电极UEL施加的电压改变其的导电率。作为一例，多个可变电导率图案GA可以包含石墨烯(graphene)、氧化铟锡(ITO；IndiumTin Oxide)或黑磷(Black Phosphorus)。优选地，可变电导率图案GA可以包含具有单层结构的二维物质。
石墨烯可以具有单层结构(monolayer)或2至10层层叠的多层结构(multi-layer)。包含石墨烯的多个可变电导率图案GA可以具有二维结构。作为一例，包含石墨烯的可变电导率图案GA可以形成利用石墨烯等离子体的超表面。
本发明实施例的光器件向多个第一电极EL1施加第一电压V1，向多个第二电极EL2施加第二电压V2。由此，可以向与多个第一电极EL1相结合的多个第一可变电导率图案GA1和与多个第二电极EL2相结合的多个第二可变电导率图案GA2提供不同的费米能。作为一例，在多个可变电导率图案GA包含石墨烯的情况下，可通过调节石墨烯的费米能来对光进行调制。
在本发明的光器件中，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以交替排列，由此，两种共振特性可以相互弥补。本发明的光器件可以适当组合第一电压V1和第二电压V2，由此，在维持中红外线反射波的振幅的情况下可以调节相位，或者在维持中红外线反射波的相位的情况下可以调节振幅。换言之，当中红外线向本发明的光调制器LM入射时，可以通过调节第一电压V1和第二电压V2来分别独立地调节反射波的振幅和相位。
如上所述，本发明的实施例的光器件可以自由地调节中红外线的波。因此，本发明实施例的光器件可以适用于镜头、激光雷达用光束转向器件、超宽带远距离通信、能动热辐射控制等。
图3、图4、图5为示出本发明实施例的光器件的制作方法的立体图。
参照图3，在基板SUB上可以形成下部电极LEL。下部电极LEL可以包含金属物质及导电性金属氮化物中的至少一种。可以利用蒸发工艺或镀金工艺来形成下部电极LEL。
在下部电极LEL上可以形成绝缘膜IL。绝缘膜IL可以包含氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜。可以利用蒸发工艺来形成绝缘膜IL。
参照图4，在绝缘膜IL可以形成多个上部电极UEL。多个上部电极UEL可以包括交替排列的多个第一电极EL1及多个第二电极EL2。
作为一例，形成多个上部电极UEL的工序包括在绝缘膜IL上形成电极膜的工序及对上述电极膜进行图案化来形成多个第一电极EL1及第二电极EL2的工序。作为另一例，形成多个上部电极UEL的工序包括利用掩膜在绝缘膜IL上直接形成多个第一电极EL1及第二电极EL2的工序。多个第一电极EL1及第二电极EL2可以同时形成。并且，在形成多个第一电极EL1在后可以形成多个第二电极EL2。
参照图5，在多个上部电极UEL上可以形成可变导电率膜GAL。作为一例，形成可变导电率膜GAL的工序包括在基板SUB的前部面执行蒸汽工艺的工序。作为另一例，形成可变导电率膜GAL的工序可包括将可变导电率膜GAL转移到多个上部电极UEL的步骤。
再次参照图1及图2，可通过对可变导电率膜GAL进行图案化来形成多个可变电导率图案GA。多个可变电导率图案GA可以包括多个第一可变电导率图案GA1及第二可变电导率图案GA2。多个第一可变电导率图案GA1及第二可变电导率图案GA2可以分别与多个第一电极及第二电极的侧壁相邻形成。
图6为示出本发明实施例的光器件的立体图。图7为图6的A-A'线的剖视图。在本实施例中，省略了对于与参照上述图1及图2说明的光器件重复的技术特征的详细说明，对不同之处进行详细说明。
参照图6及图7，实质上，多个第一可变电导率图案GA1及第二可变电导率图案GA2可以具有相同的宽度。例如，多个第一可变电导率图案GA1可以具有第二宽度W2，多个第二可变电导率图案GA2也可以具有第二宽度W2。
图8为示出本发明实施例的光器件的立体图。图9为图8的A-A'线的剖视图。在本实施例中，省略了对于与参照上述图1及图2说明的光器件重复的技术特征的详细说明，对不同之处进行详细说明。
参照图8及图9，多个第一电极EL1可以具有第一侧壁SW1及与第一侧壁SW1相向的第二侧壁SW2。第二侧壁SW2可以与第一侧壁SW1沿着第二方向D2隔开。多个第二电极EL2可以具有第一侧壁SW1及与第一侧壁SW1相向的第二侧壁SW2。
多个第一可变电导率图案GA1可以配置于第一电极EL1及与第一电极EL1沿着第二方向D2相邻的第二电极EL2之间。换言之，第一可变电导率图案GA1可以配置于第一电极EL1的第二侧壁SW2与第二电极EL2的第一侧壁SW1之间。第一可变电导率图案GA1可以与第一电极EL1的第二侧壁SW2隔开，也可以与第二电极EL2的第一侧壁SW1隔开。换言之，第一可变电导率图案GA1可以与多个第一电极EL1及第二电极EL2隔开。
多个第二可变电导率图案GA2可以配置于第二电极EL2及与第二电极EL2沿着第二方向D2相邻的第一电极EL1之间。换言之，第二可变电导率图案GA2可以配置于第二电极EL2的第二侧壁SW2与第一电极EL1的第一侧壁SW1之间。第二可变电导率图案GA2可以与第二电极EL2的第二侧壁SW2隔开，也可以与第一电极EL1的第一侧壁SW1隔开。换言之，第二可变电导率图案GA2可以与多个第一电极EL1及第二电极EL2隔开。
图10为示出本发明实施例的光器件的立体图。图11A及图11B分别为图10的A-A'线及B-B'线的剖视图。在本实施例中，省略了对于与参照上述图1及图2说明的光器件重复的技术特征的详细说明，对不同之处进行详细说明。
参照图10、图11A及图11B，在绝缘膜IL上可以形成多个上部电极UEL。多个上部电极UEL可以包括多个第一电极EL1及多个第二电极EL2。第一电极EL1及第二电极EL2可以分别呈板形态。从平面观点上，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以呈多角形(例如，四角形)形态。
多个第一电极EL1及第二电极EL2可以在绝缘膜上二维排列。多个第一电极EL1及第二电极EL2可以沿着第二方向D2交替排列。并且，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以沿着第一方向D1交替排列。
例如，在一个第一电极EL1的周围可以配置四个第二电极EL2。四个上述第二电极EL2可以与一个上述第一电极EL1沿着第一方向D1及第二方向D2相邻。在一个第二电极EL2的周围可以配置四个第一电极EL1。四个上述第一电极EL1可以与一个上述第二电极EL2沿着第一方向D1及第二方向D2相邻。
实质上，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以具有相同大小。实质上，多个第一电极EL1及第二电极EL2可以具有相同的平面积形态。
多个第一电极EL1可以沿着第一方向D1按第一间距P1排列。多个第一电极EL1可以沿着第二方向D2按第一间距P1排列。多个第二电极EL2可以沿着第二方向D2按第一间距P1排列。
在绝缘膜IL上可以形成可变电导率图案GA。可变电导率图案GA可以呈网格形态。具体地，可变电导率图案GA可以包括：多个第一延伸部EP1，沿着第一方向D1延伸；多个第二延伸部EP2，沿着第一方向D1延伸；多个第三延伸部EP3，沿着第二方向D2延伸；以及多个第四延伸部EP4，沿着第二方向D2延伸。
多个第一延伸部EP1及第二延伸部EP2可以沿着第二方向D2交替排列。多个第三延伸部EP3及第四延伸部EP4可以沿着第一方向D1交替排列。多个第一延伸部EP1及第三延伸部EP3可以具有第二宽度W2。多个第二延伸部EP2及第四延伸部EP4可以具有第三宽度W3。
第一延伸部EP1、第二延伸部EP2、第三延伸部EP3及第四延伸部EP4可以相互交叉来形成一个开口OP。在开口OP内可以配置第一电极EL1或第二电极EL2。
图12为示出本发明实施例的光器件的立体图。在本实施例中，省略了对于与参照上述图1及图2说明的光器件重复的技术特征的详细说明，对不同之处进行详细说明。
本发明的光调制器LM可以省略下部电极LEL下方的基板SUB。例如，虽并未图示，在光调制器LM的两端可以配置对其进行支撑的支撑体，图12所示的光调制器LM的活性区域可以浮在(suspended)空中。
本实施例的下部电极LEL可以为透射中红外线的电极。作为一例，下部电极LEL可以包含透明导电性氧化物(transparent conducting oxide，TCO)。透明导电性氧化物可以选自由氧化烟锡(Indium tin oxide，ITO)、掺氟氧化锡(F-doped tin oxide，FTO)、氧化锌(Zinc oxide，ZnO)、二氧化钛(Titanium dioxide，TiO2)、掺镓氧化锌(Ga-doped zincoxide，GZO)、掺铝氧化锌(Al-doped zinc oxide，AZO)及它们的组合组成的组中。作为另一例，下部电极LEL中可以包含掺硅。

Claims (20)

1.一种光器件，其特征在于，
包括：
下部电极；
绝缘膜，形成于上述下部电极上；
多个上部电极，形成于上述绝缘膜上；以及
多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置，
多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极和第二电极，
多个上述第一电极之间的间距与多个上述第二电极之间的间距相同，
在相邻的多个上述第一电极之间配置多个上述第二电极，
相邻的多个上述第一电极中的一个与上述第二电极之间的距离为第一距离，
相邻的多个上述第一电极中的另一个与上述第二电极之间的距离为第二距离，
上述第二距离与上述第一距离互不相同。
2.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，可变电导率图案包含石墨烯、氧化铟锡或黑磷。
3.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，多个上述可变电导率图案包括分别与上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案。
4.根据权利要求3所述的光器件，其特征在于，
多个上述第一可变电导率图案直接与上述第一电极的一侧相接触，
多个上述第二可变电导率图案直接与上述第二电极的一侧相接触。
5.根据权利要求4所述的光器件，其特征在于，
多个上述第一可变电导率图案与相邻的上述第二电极隔开，
多个上述第二可变电导率图案分别与相邻的上述第一电极隔开。
6.根据权利要求3所述的光器件，其特征在于，
多个上述第一可变电导率图案均与相邻的上述第一电极及上述第二电极隔开，
多个上述第二可变电导率图案均与相邻的上述第一电极及上述第二电极隔开。
7.根据权利要求3所述的光器件，其特征在于，
多个上述第一电极及第二电极具有相同的第一宽度，
多个上述第一可变电导率图案具有第二宽度，
多个上述第二可变电导率图案具有与上述第二宽度不同的第三宽度。
8.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，上述下部电极呈平板形态。
9.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，
上述上部电极呈沿着第一方向延伸的线形态，
多个上述可变电导率图案沿着上述上部电极向上述第一方向延伸。
10.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，
向多个上述第一电极共同施加第一电压，
向多个上述第二电极共同施加第二电压，
上述第二电压与上述第一电压互不相同。
11.一种光器件，其特征在于，
包括：
下部电极；
绝缘膜，形成于上述下部电极上；
多个上部电极，形成于上述绝缘膜上；以及
多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置于，
多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极，
多个上述可变电导率图案包括分别与多个上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案，
多个上述第一电极及第二电极具有相同的第一宽度，
多个上述第一可变电导率图案具有第二宽度，
多个上述第二可变电导率图案具有与第二宽度不同的第三宽度。
12.根据权利要求11所述的光器件，其特征在于，
相邻的多个上述第一电极及第二电极隔着上述第一可变电导率图案以第一距离隔开，
相邻的多个上述第一电极及第二电极隔着上述第二可变电导率图案以第二距离隔开，
上述第一距离与第二距离互不相同。
13.根据权利要求11所述的光器件，其特征在于，多个上述第一电极间的间距与多个上述第二电极间的间距相同。
14.根据权利要求11所述的光器件，其特征在于，
多个上述上部电极呈沿着第一方向延伸的线形态，
多个上述可变电导率图案沿着多个上述上部电极向上述第一方向延伸。
15.根据权利要求14所述的光器件，其特征在于，多个上述第一电极及第二电极沿着与上述第一方向交叉的第二方向交替排列。
16.一种光器件，其特征在于，
包括：
下部电极；
绝缘膜，形成于上述下部电极；
多个上部电极，形成于上述绝缘膜；以及
多个可变电导率图案，在上述绝缘膜上，分别与多个上述上部电极相邻配置，
多个上述上部电极包括交替排列的多个第一电极及第二电极，
多个上述可变电导率图案包括分别与多个上述第一电极及第二电极相邻配置的多个第一可变电导率图案及第二可变电导率图案，
相邻的多个上述第一电极及第二电极，隔着上述第一可变电导率图案以第一距离隔开，
相邻的多个上述第一电极及第二电极隔着上述第二可变电导率图案以第二距离隔开，
上述第一距离与第二距离互不相同。
17.根据权利要求16所述的光器件，其特征在于，多个上述第一电极间的间距与多个上述第二电极间的间距相同。
18.根据权利要求16所述的光器件，其特征在于，
多个上述第一电极及第二电极具有相同的第一宽度，
多个上述第一可变电导率图案具有第二宽度，
多个上述第二可变电导率图案具有与上述第二宽度不同的第三宽度。
19.根据权利要求16所述的光器件，其特征在于，
多个上述上部电极呈沿着第一方向延伸的线形态，
多个上述可变电导率图案沿着多个上述上部电极向上述第一方向延伸。
20.根据权利要求16所述的光器件，其特征在于，
多个上述第一可变电导率图案直接与上述第一电极的一侧相接触，
多个上述第二可变电导率图案直接与上述第二电极的一侧相接触。
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