CN102164868A - 制备用于亚毫米级导电格栅的具有亚毫米级开口的掩模的方法、掩模及亚毫米级导电格栅 - Google Patents

制备用于亚毫米级导电格栅的具有亚毫米级开口的掩模的方法、掩模及亚毫米级导电格栅 Download PDF

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Abstract

本发明涉及制备具有亚毫米级开口(1、10)的掩模的方法，其中，将第一溶剂中的胶体纳米颗粒的第一溶液沉积而得到遮蔽层，所述颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg，在低于温度Tg的温度下进行称为第一遮蔽层的遮蔽层的干燥，直至得到具有基本上直边缘的亚毫米级开口的二维网络的掩膜，由此限定被称为网络掩模区的掩模区，通过在第二掩蔽区的表面上进行液体沉积而形成固体掩模区，所述固体掩模区相邻于并接触网络掩膜区，和/或形成至少一个覆盖区，所述覆盖区与网络掩模区接触，和/或在第一遮蔽层干燥后，通过液体途径填充网络掩模区的部分开口，形成经填充的掩模区。本发明还涉及所得的掩模和导电格栅。

Description

制备用于亚毫米级导电格栅的具有亚毫米级开口的掩模的方法、掩模及亚毫米级导电格栅
技术领域
本发明涉及为制得亚毫米级导电格栅而制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，涉及该掩模及由此所得的格栅。
背景技术
能够得到微米大小的金属格栅的生产技术是已知的。这些技术的优点在于可以得到小于1欧姆/平方的表面电阻，同时还能保持约75-85％的透光率(TL)。但是，这些格栅的产生基于通过光刻法的金属层蚀刻技术，其造成与预期的应用不相符的高成本。
文献US 7172822本身描述了不规则网络导体的制备，其基于使用破裂的二氧化硅溶胶-凝胶掩模。在其进行的实例中，将基于水、乙醇和二氧化硅前体(TEOS)的溶胶沉淀，蒸发溶剂，并在120℃下对沉淀物进行30分钟退火，以形成0.4μm厚的破裂的溶胶-凝胶掩模。
该文献US7172822的图3揭示了二氧化硅溶胶-凝胶掩模的形态。图中显示，沿优选方向形成了取向的细裂纹线，并且有弹性材料破裂现象的分叉特征。这些主裂纹线偶然也会经由分叉将彼此相接。
裂纹线之间的区域在两个特征尺寸上不对称：一是平行于裂纹生长方向的，为0.8-1mm，另一个是垂直方向的，为100-200μm。
采用溶胶-凝胶掩模的开裂来制备电极的该方法通过消除例如对光刻法(将抗蚀剂暴露在辐射/光束下，并使其显现)的依赖，形成了对网络导体制造方法的公认进步，但该方法尚需改进，特别是为了与工业要求(可靠、简单化和/或减少生产步骤、降低成本等)相配合。
还可以观察到，该制备方法不可避免地需要(可化学或物理上)可改性的子层(sublayer)在开口处的沉积，以产生有利的粘合(如金属胶体的粘合)，或使得能够进行用于金属后生长的催化剂接枝，因此该子层在网状结构生长过程中具有功用。
此外，归因于弹性材料的开裂机理，裂纹的断面是V形的，由此必须使用后掩模工艺，以使金属网从位于V底部的胶体颗粒开始生长。
此外，该不规则网络电极和连接系统的电学和/或光学性质、和/或其它的连接功能都可以得到改善。
发明内容
因此，为了客服现有技术的缺陷，本发明旨在提出一种制备具有至少一个亚毫米级特征尺寸(至少对于线条(strand)的宽度A’或甚至与线条之间的间距B’)的导电格栅的方法，所述导电格栅特别地与至少一个电源供应组件电接触。
该方法应简单、经济、特别是没有(光)蚀刻步骤、灵活(特别适于任何连接系统设计)，甚至在大表面积下也能够够实施。
此外，所述格栅的光学性能和/或导电性能应至少与现有技术中的那些格栅性能相当。
对于这个目的，本发明的第一主题是一种制造用于亚毫米级导电格栅的掩模的方法，所述掩模具有亚毫米级开口、尤其是微米级开口(至少对于开口的宽度而言)，在基底、特别是透明基底和/或平面基底的主表面上，通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、以及使其干燥来制备掩模，其中，
-对于所述遮蔽层，将稳定并分散在第一溶剂中的胶态纳米颗粒的第一溶液沉积，所述纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg；
-在低于温度Tg的温度下进行被称为第一遮蔽层的遮蔽层干燥，直至得到被称为网络掩模的具有二维网状亚毫米级开口的掩模，其具有基本上直的掩模区域边缘，所述网络掩模位于被称为网络掩模区的区域中，
并且，所述方法还另外包括通过将第二遮蔽层液体沉积于表面上而形成固体掩模区，所述固体掩模区相邻于并接触所述网络掩模区，
和/或所述方法包括通过在表面上放置至少一个覆盖层而形成至少一个覆盖区，所述覆盖区与网络掩模区接触，
和/或在干燥所述第一遮蔽层之后，所述方法包括通过液体填充(特别是部分填充，在一部分厚度上)部分所述网络掩模区的开口，或者甚至通过液体沉积覆盖部分网络掩模区的开口而形成经填充的掩模区。
首先，根据本发明的具有开口的网络的掩模和根据本发明的所述掩膜的其制备方法具有多项优点。
通过本发明的方法，可以形成布满整个遮掩表面的开口网眼，并使得可得到各相同性的性质。
开口网络具有比现有技术中的破裂的二氧化硅溶胶-凝胶显著增多的互连。
具有开口网络的掩模在网络的至少一个特征方向(因此其平行于基底的表面)，或甚至在两个(所有)方向上具有无规则的、非周期性的结构。
为了得到基本上直的边缘，需要以下两点：
-为了提高分散性而选择限制尺寸的颗粒，因此选择纳米颗粒，其优选具有至少一个特征(平均)尺寸例如平均直径是10-300nm，或甚至50-150nm；和
-稳定溶剂中的纳米颗粒(特别通过表面电荷处理，如通过表面活性剂、控制pH值)，以防止其由于重力原因沉降和/或下降而团聚在一起
此外，调节纳米颗粒的浓度，优选5重量％、或甚至10重量％至60重量％，更优选为20％至40％。要避免加入粘结剂(或者只加入足够少量的粘合剂，以使其不影响掩模)。
干燥导致第一遮蔽层收缩，并引起纳米颗粒在表面的摩擦，从而在该层中产生张应力，使其通过松弛而形成开口。
在一个步骤中，干燥使所述溶剂得到去除，从而形成所述开口。
在干燥后，由此获得簇(cluster)形态的纳米颗粒堆叠物，该簇具有各种尺寸，并被自身各种尺寸的开口隔开。即使它们可以聚集，该纳米颗粒仍然是可辨别的。该纳米颗粒不会熔融形成连续层。
在低于玻璃化转变温度的温度下进行干燥，以便产生开口网络。实际上已经观察到，在该玻璃化转变温度以上干燥时，会在整个厚度上形成了连续层或至少无裂缝的层。
因此，在该基底上沉积了不牢固的粘合层，其仅仅由(硬质)堆叠物、优选球形的纳米颗粒构成。这些硬的纳米颗粒在它们自身之间或它们与基底表面之间不会形成强化学键。仍然是由范德华力或静电力类型的弱力来提供层的内聚。
使用冷或温热的纯水、尤其含水溶剂，就能够容易地消除获得的掩模，而无需强碱性的溶液或潜在污染性的有机化合物。因此，所述溶剂优选是水基的或甚至是完全水性的。
通过选择足够高Tg的第一溶液的纳米颗粒，可以(基本上)在低于50℃的温度下、优选在环境温度下、典型地在20℃-25℃之间进行干燥步骤(以及还优选存在的沉积步骤)。因此，与溶胶-凝胶掩模不同，退火不是必需的。
第一溶液的颗粒的玻璃化转变温度Tg和干燥温度之间的差异优选大于10℃，或甚至20℃。
第一层的干燥步骤可基本上在大气压下进行，而不是例如在真空下进行干燥。
可改进干燥参数(控制参数)，特别是湿度和干燥速率，以调节开口之间的距离B、开口的大小A和/或B/A的比例。
湿度越高(在其它所有条件都相同下)，则A越小。
温度越高(在其它所有条件都相同下)，则B越大。
可以通过标准的液体技术，使(水性或非水性的)第一溶液胶体沉积。
对于湿法技术，可提及的有：
-旋涂；
-帘涂；
-浸涂；
-喷涂；和
-流涂。
在第一实施方案中，第一溶液包含聚合物纳米颗粒，优选所述溶剂是水基的，或甚至完全是水性的。
因此，例如可以选择丙烯酸共聚物类、苯乙烯类、聚苯乙烯类、聚(甲基)丙烯酸酯类、聚酯类或它们的共混物。
由此，所述遮蔽层(在干燥前)可基本由胶体纳米颗粒的堆叠体(因此是不溶于所述溶剂的材料的纳米颗粒)构成，其是可识别的，并特别是聚合物的。
所述聚合物纳米颗粒可优选地由固体的水不溶性聚合物构成。
应理解术语“基本上包含”是指所述遮蔽层可任选包含作为痕量物的其它化合物，其不应影响掩模的性质(开口网络的形成、易于去除等)。
第一胶体的水溶液优选由水和聚合物胶体颗粒构成，因此其不应包含任何其它的化学试剂(如颜料、粘结剂、增塑剂等)。此外，所述胶体水分散体优选是用于形成所述掩模的唯一化合物。
不同于二氧化硅溶胶-凝胶法，第一溶液是自然稳定的，其中纳米颗粒已形成。第一溶液优选不包含或(包含可忽略量的)聚合物前体型的反应性组分。
由此，网络掩模(干燥后)可基本由优选聚合物的纳米堆叠体的、可识别的纳米颗粒构成。聚合物纳米颗粒由水不溶性的固体聚合物构成。
第一溶液可选或累计地可包含优选二氧化硅、氧化铝或氧化铁的无机纳米颗粒。
归因于额外的遮蔽，本发明的方法由此可形成一个或多个固体区，所述区域预期为电绝缘的。
这些区域可具有下述的各种功能：
-分离区，用于将格栅区分离为两个格栅区块，例如用于适配加热格栅的加热源或用于形成若干电极；
-在格栅和上电极连接系统之间的分离区；
-为了传输信息的通讯窗；和
-用于防止摩擦和腐蚀的消空区(demargination zone)。
因此，就能够在制备格栅期间以及不在制备所述格栅后或在整合格栅的完整装置期间，形成与所述格栅接触的电绝缘区。
事实上，在常规的电可控装置中，具有加热导电涂层的加热区通常产生自对连续涂层的化学蚀刻或激光侵蚀。
并且，在特别是OLED型的电可控装置中，导电格栅作为下电极(最靠近基底的电极)时，通过对典型地由ITO构成的导电层的化学侵蚀，通常可将总线分隔为上电极。
自然地，根据本发明的方法，就可以通过限定格栅的一个或多个沉积区和一个或多个固体区，(通过覆盖、填充、借助于层)按需选择固体区的设计，以防止导电的沉积。
通过层的填充和/或液体沉积，和/或通过覆盖(即增加的固体掩模)，可形成：
-至少一个固体线条(即直的或弯曲的)或多个固体条(即平行、固定间隙的等)，特别地位于格栅区的边缘，所述一个或多个固体条优选在一个(且相同)格栅的边缘上开口；
-和/或多个固体几何图案(即单独的、圆形的、周期性或非周期性网络排列的，等等)，其特别在格栅区内或在空白区上。
尤其特别地希望的是形成微细固体(或经填充)的图案，例如宽度小于500μm，如小于或等于250μm的图案。
填充层如第二遮蔽层没有开裂，或至少没有沿整个深度开裂。
仅与网络掩模相同地是，第二遮蔽层和/或经填充的掩模可具有足够低的机械强度以被去除(如果需要)，不用损坏所述基底，也不用损坏连接系统和格栅，但是机械强度仍应足够高，以耐受导电格栅材料的沉积，并在其上形成阻隔层。
由此，在经填充的掩模区的形成过程中，液体沉积可覆盖网络掩模。对于固体形成区或经填充、或甚至经覆盖的掩模区，可沉积负载有颗粒、特别是矿物、微米尺度颗粒的浆料。所述颗粒可以是如金属氧化物，如氧化铝、TiO2或BaTiO3。
浆料没有经过热处理来固结。例如，它可以包含玻璃熔料，或任何未交联的有机或无机粘结剂。
该浆料可优选地溶于水或溶于醇，特别是稀醇(如20％的异丙醇和35％的水)。
可以通过任何已知的产生满意分辨率的印刷技术来沉积所述浆料，如筛网印刷。
对固体区而言，可使用固态沉积的可剥离的粘性聚合物(如专利申请EP-A-1 610 940中所描述的那些)。但是，固态沉积需要相对复杂的沉积设备。此外，剥离步骤通常耗时费力，并且可能会在基底表面上遗留痕量的粘合剂。
对经填充的区域而言，可以通过固体途径(粉末等)或通过CVD或PVD来沉积材料。再次地，固态沉积却需要相对复杂和/或昂贵的沉积设备。由此，本发明倾向液体沉积的应用。
对于固体区而言，可使用聚合物膜。
在第一实施方案中，由液体途径形成的可剥离的粘性聚合物膜选自迄今为止已知的表面(输送等)保护膜。
如所说明的，例如通过专利US 5 866 199，在玻璃上沉积聚合物溶液(特别是乙烯基类共聚物的溶液)，在反应后得到粘结玻璃并通过剥离可去除的连续膜。
专利申请US 2002/0176988也描述聚合物水分散体的沉积，其形成可剥离的保护膜(特别如实施例3中所描述的)。
其它可剥离膜是市售的，其包括：
-购自APCIS的溶剂相蓝墨水420S，通过筛网印刷、使用刷子或喷枪可将其涂覆；
-无溶剂的Plastisol可剥离清漆140-60044/27，其可通过筛网印刷涂覆，聚合在160-180℃下进行几分钟，或在200℃处理过程中其是水溶性的；
-购自APCIS的可剥离(且是水溶性的)清漆140-20004 PRINT COLOR，其可通过筛网印刷涂覆；
-耐水性可剥离的清漆AQAPEEL 550，其是聚碳酸酯系的聚氨酯清漆；和
-购自KHANTI CORROSION的基于改性乙烯基树脂的可剥离清漆。
在第二个实例中，聚合膜选自从液相得到的聚合膜，并且其可使用水溶液清洗去除。该膜优选与网络掩模同时用水去除。
目前该膜还被研发作为保护膜。如专利申请US 2002/0176988描述了各种聚合物的水溶液的沉积，其形成可通过用水洗涤而除去的保护膜。通常，得自聚合物水溶液(如前述的专利申请US 2002/0176988中所述的聚乙烯醇或聚环氧乙烷，或如专利申请WO 00/50354中的丙烯酸类)可容易地用水去除，因为所述聚合物本身就是水溶性的。
其它水溶性膜是市售的，其包括：
-购自Coates Screen Inks GmbH的产品LAB-N210350：60；
-购自APCIS的水溶性清漆140-20004 PRINT COLOR，其可通过筛网印刷涂覆；
-购自Marabu的产品Ultraglass UVGL和Ultraglass UVGO；
-购自Lascaux Lift Solution的产品Lascaux Screen Filler和Lascaux Screen Painting Fluid的产品；和
-购自BASF/BTC的产品POLIGEN ES9101018、ES 91022和ES91025。
此外，现有的膜是得自水分散体的，因此是水不溶性聚合物的膜，其需要使用碱性溶液(如基于同样在专利申请US 2002/0176988中描述的氢氧化铵)，或需要使用特殊的洗涤剂和有机产品，以在用水清洁前将所述膜从玻璃表面脱离(如在专利US 5 453 459中所述)。这些溶液或洗涤剂必须谨慎操作，和/或其是对环境相对有害的，并因此未用于本发明中。
相似地，通过强碱性溶液常规去除溶胶-凝胶掩模会损坏掩模和相邻的表面。
因此，对固体形成区，可通过沉积经溶解的聚合物的水溶液(不是分散体)，如上述那些特别是基于聚乙烯醇的溶液来形成可剥离的聚合物膜或可溶性聚合物膜。然后通过用水溶液洗涤去除所述可溶性聚合物膜。
为了形成经填充的区，还可用提供可剥离的粘性膜的前述聚合分散体或溶液填充网络掩模的开口，或可通过开口沉积经溶解的聚合物，特别是基于聚乙烯醇的聚合溶液，然后通过水溶液洗涤去除经填充的掩模，此时选择第一溶液为(基本)水性的。
优选地，(对于固体区或经填充的区)寻求研发通过液体途径沉积的掩模，其具有充分的对导电沉积的耐受性，但却可使用纯水去除。
对于固体形成区或经填充的掩模区而言，由此可优选地沉积在优选水性溶剂中稳定和分散的胶体纳米颗粒的溶液，所述纳米颗粒(由至少一种固体且不溶于所述溶剂的材料构成)具有特定的玻璃化转变温度Tg，并且第二遮蔽层或经填充区的干燥在大于所述温度Tg，并优选地小于或等于50℃的温度下进行。
与第一遮蔽层相同，第二遮蔽层和/或填充材料因此可基本由胶态颗粒的堆叠体(因此是不溶于所述溶剂的纳米颗粒)构成，其可识别并特别地是聚合物的。所述聚合物纳米颗粒由不溶于水的固体聚合物构成。
应理解术语“基本上由…构成”是指所述第二遮蔽层和/或填充层可任选地包含痕量的其它化合物，该化合物不影响掩模的性质(开口网络的形成、易于去除等)。
与第一遮蔽层相同，第二遮蔽层和/或填充层的胶体水溶液优选由水和聚合物胶体颗粒构成，因此不包含任何其它的化学试剂(如颜料、粘结剂、增塑剂等)。相似地，所述胶体水分散体是优选用于形成掩模的唯一化合物。
第二遮蔽层和/或填充层在高于聚合物的玻璃化转变温度Tg的温度下干燥，以得到连续的层。如前所述，确实发现了在低于该玻璃化转变温度Tg的温度下，干燥伴有开口的产生，其破坏遮蔽层的连续性质。
在不大于70℃、或甚至50℃的温度下优选地干燥基于聚合纳米颗粒的第二遮蔽层和/或填充层，以便于容易地维持可清晰识别的颗粒，其在干燥时不会相互并结。事实上，过高的温度具有产生的膜不再由可识别的微小硬球体构成、而由相互粘结的颗粒构成的危险，这会损害后续去除的容易性。
第二遮蔽层和/或填充层优选地在接近环境温度或略高的温度下，例如在25-35℃的温度下干燥。优选不使用加热手段(如红外灯)和/或不使用强制干燥手段如通风、吹热/冷空气的系统，但任选不排除采用温和的干燥手段(在略高于环境温度的温度下)，该手段可以利用热空气干燥或一些红外灯。
事实上，过长或过强的加热或干燥带来的风险在于成膜，其中聚合物颗粒不再可识别、而是相互粘结、部分或甚至全部熔化，然后所得的膜难以去除。强制干燥或加热手段通常是时间上无意义的，因为已观察到在几分钟内，通常少于3分钟或甚至少于2分钟，所述层就会非常自然地干燥。
另一方面，得自聚合物水分散体(不是得自胶体溶液的)的膜不溶于水，且具有相当高的内聚力，原因可能在于化学聚合物反应或颗粒的部分熔化和粘结现象，这需要使用碱性溶液或特殊的有机产品。
通常，优选第二遮蔽层和/或填充层的胶体颗粒的形状和大小基本不因干燥而变化。该特征一般性地证明了所述颗粒间不存在强键，这是得到用水去除的所期待效果的决定性因素。其通常得自在相对于聚合物的玻璃化转变温度不过高的温度下进行的快速干燥。
在胶体水分散体和/或在经干燥的第二遮蔽层和/或填充层中，胶体聚合颗粒的平均粒径优选40-500nm之间，特别是50-300nm，并且甚至80-250nm。
所述聚合物优选丙烯酸聚合物，或共聚物如苯乙烯/丙烯酸共聚物。该种类型的聚合物具有对玻璃表面非常弱的粘性的优势，这使得所述层可容易地去除。
此外，丙烯酸分散体易于得自提供可控制和可重复尺寸的乳液聚合反应。可使用其它类型的聚合物，如聚氨酯。
在分散体中所使用的聚合物优选地是完全聚合的，以防止在干燥和/或后续过程中各颗粒之间的任何聚合反应。特别地，这些化学反应会不满意地提高第二遮蔽层和/或填充层的内聚力，并阻碍用纯水将其去除。
第二遮蔽层和/或填充层的各聚合物的玻璃化转变温度优选小于或等于30℃。确实观察到玻璃化转变温度对所得层的耐水性有影响。当聚合物的玻璃化转变温度小于约20℃时，第二遮蔽层和/或填充层易于用冷水去除。对于较高的玻璃化转变温度(因此需要在更高温度下干燥)，所得层更耐受冷水，但可使用温水去除。
可通过各种技术如流涂、浸涂、帘涂或喷涂来沉积胶体水分散体。
为了有更好的分辨率，优选在格栅区后制备固体掩模区和/或覆盖区。特别地，可沉积第一遮蔽层，以基本覆盖整个主表面，随后产生覆盖区。
由此，将覆盖物沉积在网络掩模上。
所述覆盖物是添加的固体件，其通常是扁平的，如金属膜或塑料膜。其可以是由例如镍或任何其它磁性材料制得的掩模(因此可利用在与网络掩模面的相对面上的磁铁将其支撑)，或由不锈钢或由铜制得。所述覆盖物任选地可以是经刺孔的。
相似地，优选在形成固体掩模区之前形成网络掩模。
此外，网络掩模区可以是任何形状的、直的或弯曲的、如几何形状的(长方形、正方形、圆形)的。
经填充的区和/或第二遮蔽层区和/或覆盖区本身还可以是直或弯曲的任何形状，如几何形状(长方形、正方形等)。
此外，归因于第一遮蔽层的性质，特别是通过温和、简单的光学和/或机械手段，还可选择性地去除部分网络掩模而不损坏相邻的表面。
网络掩模的材料应具有足够低的机械强度，以使其能够被去除且不损坏基底，但该机械强度也应足够强，以承受格栅用导电材料的沉积。
优选自动进行的网络掩模的去除可如下进行：
-通过机械作用，特别是通过吹气(密集空气流等)、通过使用非研磨性元件(毡、织物、擦子类型的)摩擦，通过使用切割部件(刀片等)切割；
-和/或通过升华、通过烧蚀，其通过激光型装置。
可以根据期望的分辨率、以及残留保持与去除装置接触的掩模边缘上的效果来选择去除的类型。
在一个实施方案中，可以更简单地在基底的整个表面上进行第一溶液的液体沉积，并特别地如下部分地去除网络掩模：
-至少沿网络掩模的一个边(优选靠近基底边缘)，以产生至少一个固体条(用于连接系统和/或其它电学功能)；
-沿网络掩模的两个边，以便形成彼此相对的或在两个相邻边上的两个固体条；以及
-提供网络掩模(完全)的轮廓线，以便在整个周边(长平方框架，环形物，等等)上形成固体条。
通过部分去除，由此制得一个或多个准备承受导电沉积以作为固体层的区域。
由此还可一次性(in one go)形成所述格栅和一个或多个连接系统元件和/或其它电功能元件。
在本发明中，应理解术语“连接系统区”是指当所述格栅用作电极或加热格栅时额外的电流馈接区(feed zone)区。
由此，可将电源供应线或任何其它的连接元件(通过焊接、通过粘结、通过加压)与一个或多个连接系统区连接。这个方案优选是如现有技术文献US 7172822中所建议的使电线与格栅直接连接，对其来说，点连接不是非不牢固的(具有不良电连接的危险)
因此，连续导电固体区的形成会限制不良电连接的风险，不会增加目标设备的成本或其制造时间。
当然，另外通过限定用于格栅的一个或多个沉积区域以及用于固体导体(电源)的一个或多个区域，就可以选择定制“连接系统”的设计。
所述方法还可包括通过机械和/或光学法部分去除至少一个固体掩模区(通过液体沉积)或填充掩模区，在该表面上形成无遮蔽区。第二遮蔽层或填充层的沉积可将网络掩模区和无遮蔽区分开。
可以通过适宜的局部去除和/或通过合适的固体遮蔽(填充层、覆盖物等)来预先形成标记(例如对准标记)、装饰元件、识别元件、标志或商标。
用于遮蔽层沉积的表面是成膜的，如果溶剂是水性的，则其特别优选是亲水性的。
术语“亲水性的”应该理解为表示在其上直径为1mm的一滴水的接触角小于15°、或甚至小于10°的表面。
优选透明的所述基底的表面是：玻璃、塑料(例如聚碳酸酯)或石英；或其是任选增加功能的子层：亲水层(二氧化硅层，例如在塑料上的)和/或碱金属阻隔层和/或格栅材料的粘合促进层，和/或(透明)导电层，和/或着色的或不透明的装饰性层和/或任选的蚀刻终止层。
在文献US 7172822中描述的制造电极的方法不可避免地要求在裂缝处沉积可(化学或物理)改性的子层，以便如所说明地产生(例如金属胶体的)有利的粘合，或者以便可以进行用于金属后生长的催化剂接枝，因此，该子层对网络的生长过程具有功能作用。
根据本发明的子层不需要是用于格栅材料电解沉积的生长层。
在遮蔽层和基底之间可有若干子层。
由此，根据本发明的基底还可包括作为基础层的子层，因此该层最靠近基底，其是连续的碱金属阻隔层。在导电沉积的情况下(尤其是形成电极)，所述基础层保护格栅材料不受任何污染(该污染可以导致诸如剥离的机械缺陷)，而且还可保留其导电性。
基础层是坚固的，并可以快速轻松地使用各种方法进行沉积。例如，通过热解技术，特别是可以在气相中使用该法(通常简称为CVD的“化学气相沉积法”)进行沉积。该项技术是有利于本发明的，因为通过适当地调节沉积参数，就可以得到非常致密的强化阻隔层。
基础层可任选掺杂铝和/或硼，以使其在真空下的沉积更为稳定。基础层(任选掺杂的单层或多层)的厚度可以是10-150nm，更优选15-50nm。
所述基础层可以优选为：
-基于硅氧化物的，以及通式SiOC的碳氧化硅的层，
-基于氮化硅、氮氧化硅、碳氧氮化硅、通式SiNOC的层，特别是SiN，尤其是Si3N4。
非常特别地，优选(主要)通过掺杂或未掺杂的氮化硅Si3N4制得的基础层。氮化硅非常快速地沉积，并形成对碱金属的极佳阻隔。
对于提高金属格栅材料(银、金)特别与玻璃的粘合促进层，可以选择基于NiCr、Mo或MoCr、Ti、Nb、Al的、单一或混合的、掺杂或未掺杂的金属氧化物(ITO等)层，例如厚度小于或等于5nm的层。
当所述基底是疏水性的时，可以添加亲水层，如二氧化硅层。
所选的玻璃基底通常是玻璃件(glazing)，如扁平或弯曲的、单个或多个(双层、三层等)玻璃件，强化玻璃件或退火的玻璃件、无色或着色的玻璃件、其厚度特别是1-19nm，更特别是2-10nm，或甚至在3-6nm。
可以通过使用大气压等离子体源来清洁开口网络。
本发明还提出一种基底，在其主表面上承载有：
-称为网络掩模的具有亚毫米级开口的掩模，其具有基本上直边缘的掩模区，所述网络掩模包括(优选基本上由以下构成)可识别的、优选为聚合物的、特别基本上为球形的纳米颗粒的堆叠体，例如其具有大于50℃的玻璃化转变温度，所述掩模位于被称为网络掩模区的区域中，网络掩模优选位于亲水性表面上；
-至少一个固体遮蔽区，其相邻于网络掩模区；
-和/或至少一个经填充的网络掩模区；
-和/或至少一个覆盖区，其具有覆盖网络掩模区的覆盖物。
(如果合适，在干燥后)一层或多层的遮蔽层的厚度优选在2-100μm，特别是5-50μm，或甚至是10-30μm。
固体遮蔽区和/或经填充的区和/或覆盖物可以例如将网络掩模区分隔为两个区域。所述固体遮蔽区和/或经填充的区和/或覆盖物可以将网络掩模区与无遮蔽区分开。
此外，主表面可以承载至少一个未遮蔽的第二区，其相邻于并与所述网络掩模区接触。在加热格栅的情况下，布置所述固体遮蔽区以适配加热源(调节电流分布)。
归因于根据本发明的制备方法，可以以较低的成本可得到具有合适的特征尺度的由无规则(形状和/或大小)、非周期性图案构成的掩模：
-网络的开口的(平均)宽度A是微米级的，或甚至是纳米级的，特别是几百纳米至几十微米，特别是200nm-50μm；
-图案的(平均)尺寸B(其是在相邻开口之间的尺寸)是毫米级的，或甚至是亚毫米级的，特别是5-800μm，或甚至在100-250μm；
-B/A之比是可调节的，特别是该比值与颗粒的性质相关，其尤是7-20或甚至40；
-在掩模的给定区域中，或甚至在大部分或整个表面上，开口的最大宽度与开口的最小宽度之间的差小于4，或甚至小于或等于2；
-在掩模的给定区域中，或甚至在大部分或整个表面上，最大图案尺寸与最小图案尺寸的差小于4，或甚至小于或等于2；
-在掩模的给定区域中，或甚至在大部分或整个表面上，开口图案(非通孔或“盲”孔)的数量小于5％，或甚至小于或等于2％，因此，有限的或几乎为零的网络破裂任选减少，并可通过网络蚀刻来消除；
-对给定的图案来说，在给定区域或整个表面上的大部分或甚至全部图案，作为图案特征的最大尺寸与作为图案特征的最小尺寸之间的差小于2，以加强各向同性；以及
-对于网络的大部分或甚至所有片段而言，边缘被恒定隔开、平行，尤其是以10μm的尺寸级别隔开(例如，通过放大200倍的光学显微镜观察到的)。
宽度A可以是例如1至20μm，或甚至是1至10μm，而B可以是50至200μm。
这使得随后可以产生由平均线条宽度A’和线条B’之间的(平均)间距所限定的格栅，该平均线条宽度A’基本上与开口宽度A一致，该线条之间的平均间距B’基本上与开口之间的间距B(网眼的尺寸)一致。
特别是，线条的尺寸A’优选可以在几十微米到几百纳米之间。可以选择B’/A’之比在7和20之间、或乃至30到40。
由开口限定的图案(以及在所得格栅的网眼中)具有不同的形状，典型地具有三条、四条或五条边；例如主要的是具有四条边；和/或具有不同的尺寸，其无规则和非周期地分布。
对于(各网眼)大部分或甚至全部的图案，在图案相邻两条边之间的角度可以是60°-110°，特别是80°-100°。
在一种结构中，得到了具有(任选近似平行的)开口的主网络和具有(任选与平行网络近似垂直)开口的次级网络，其位置与距离是无规则的。例如，次级开口具有如小于主开口的宽度。
可以选择改变其它的控制参数，以调节B、A和/或B/A之比，参数选自在尤其由纳米织构化基底而致密的(compacted)胶体与基底表面之间的摩擦系数、纳米颗粒的尺寸、初始纳米颗粒浓度、溶剂性质、和依赖于沉积技术的厚度。
所述网络掩模的厚度可以是亚微米至数十微米大小的。遮蔽层的厚度越大，A(分别地，B)越大。
浓度越高(所有其它条件相同)，B/A越低。
网络掩模开口的边缘基本上是直的，即沿相对于表面呈80°到100°或甚至呈85°到95°的中平面。
而且，这些由光刻法形成的格栅的特征尺寸通常是规则的和周期性的形状(正平方、矩形)，其形成了20-30μm宽的金属线条的网络，线条彼此之间间隔例如300μm，当利用点光源照射这些格栅时，它们就成为衍射图案的源。产生具有无规图案的格栅更加困难且昂贵。要产生的每个图案都要求有特定的掩模。
此外，这些现有技术的生产技术的分辨率极限是约数十微米，由此使得图案具有美学可视性。
因此，根据本发明的网络掩模使得能够预期低成本的、具有其它形状的、任何尺寸的不规则格栅。
根据本发明，线条的尺寸可以是非常小的(数微米)，并且线条的厚度是非常小的(例如500nm)。因此，所述格栅具有低电阻(＜2欧姆)和高透光率(＞80％)，并且是几乎不可见的。
该掩模将使得能够制造具有真正网眼或铺面(paving)的不规则格栅，在至少一个(格栅)方向上的无规则格栅，而不是如文献US 7172822中所提出的简单网络导体。
因此，本发明还涉及制备在基底主表面上的亚毫米级导电格栅和(所谓)功能区的方法，其依次包括：
-在干燥第一遮蔽层和形成固体遮蔽区(如果合适，使其干燥)和/或填充的掩模区(如果合适，使其干燥)，和/或放置覆盖物之后，沉积导电材料；
-(直接或间接地)通过已限定的网络掩模的开口而沉积在表面上，直至开口的一部分深度被填充；
并包括
-去除第一遮蔽层，露出亚毫米级导电格栅；
-去除第二遮蔽层和/或填充层和/或覆盖物，留下裸露的功能区。
该导电格栅可形成可电控制系统和/或加热格栅的一个或多个(半透明的)电极。
当然，也可在固体掩模区和/或填充的掩膜区和/或覆盖物上沉积导电沉积物。
然后，线条的分布(即线条的网络，限定网眼的线条)可以基本是开口网络的复制物。
归因于网络掩模开口的直边(其沿开口的边缘不产生或几乎不产生沉积)，由此可以移除经涂覆的掩模而不损坏格栅。
出于简化原因，使用格栅材料的直接沉积技术可以是有利的。沉积可以穿过开口进行，并可以在该掩模上进行。
优选地，通过液体途径进行第一遮蔽层的去除，使用对格栅呈惰性的溶剂来，例如用水、丙酮、乙醇、NMP(N-甲基吡咯烷酮)，所述溶剂任选地是热的溶剂和/或超声辅助的。
第二遮蔽层和/或填充的层的去除可在第一遮蔽层去除之前、之后或同时进行。
优选地，通过液体途径，特别通过一种且相同、优选水性的溶剂，在一个步骤中进行第一遮蔽层、第二遮蔽层和/或填充的层的去除。
对于所述的去除，水优选是纯水，其意是指它不包含有机化合物(如洗涤剂)或无机化合物(如铵盐)，除了难以避免的痕量物。所用水的pH优选6-8，特别是6.5-7.5。pH有时也可低于6，特别是在去离子水的情况下。
所述方法还可包括将所述导电材料沉积在无遮蔽区，其相邻于并与网络掩模区接触，或相邻于固体遮蔽区或填充的掩模区。
所述方法可包括将绝缘材料沉积在裸露功能区中，如二氧化硅或氮化硅(特别通过磁控溅射或等离子体CVD)。
导电材料的沉积可以是特别通过等离子体的大气压沉积、真空下的沉积、和通过溅射或通过蒸发的沉积。
由此，可选择一种或多种能够在环境温度下进行、和/或简单(特别是比不可避免地需要催化剂的催化沉积简单)的、和/或导致致密沉积物的沉积技术。
通过电解，可将导电材料沉积在导电材料上。
由此使用由Ag、Cu、Au或其它合用的高电导率金属构成的电极，通过电解充电任选地完成沉积。
当基底是绝缘基底时，电解沉积可以在去除掩模之前或之后进行。
通过改变B’/A’之比(线条之间的间隔B’与线条宽度A’之比)，对于格栅得到1-20％之间的雾度值。
本发明还涉及基底，其优选是透明的，在主表面上承载有亚毫米级不规则的导电格栅，也就是说在该格栅的至少一个方向上(因此与该基底平行)具有(闭合的)、特别是无规则网眼的线条、以及相邻于且优选接触所述格栅的功能区的二维网状网络。
该格栅和功能区尤其可以由承载有预先限定的掩模的基底形成，或由已经预先限定的制备方法形成。
所述表面还可以承载相邻于、优选接触电导性材料如所述电导性材料的固体导电区。
该固体导电区可以是宽的，特别是长方形的线条。
所述格栅具有一个或多个以下方面的特征：
-线条间的(平均)间隔(B’)与亚毫米级线条(平均)宽度(A’)之比为7-40；
-格栅的网眼是无规则的(非周期性的)，并具有多种形状和/或大小；
-由线条限定的网眼具有3和/或4和/或5条边，例如大多是4条边；
-格栅具有在至少一个格栅方向、优选在两个方向上的非周期性(或无规)结构；
-对于在给定区域或整个表面上的大部分或甚至全部网眼，网眼的最大特征尺寸和网眼的最小特征尺寸之间的差小于2；
-对于大部分或甚至全部网眼，一个网眼的两个相邻边之间的角度为60°-110°，特别是80°-100°。
-在给定格栅区域中或甚至在大部分或所有表面上的线条的最大宽度和最小宽度之间的差小于4，或甚至小于或等于2。
-在给定格栅区域中或甚至在大部分或所有表面上的最大网眼尺寸(形成网眼的线条间的间隔)和最小网眼尺寸孩之间的差小于4，或甚至小于或等于2；
-在给定格栅区域中或甚至在大部分或所有表面上的未封闭的网眼和/或断线(“盲孔”)片断的量小于5％，或甚至小于或等于2％，即有限量的或甚至几乎为零的网络会破裂；
-对于大多数的部分来说，线条的边缘被恒定地隔开，尤其以10μm的尺度隔离，其基本上呈直线平行(例如通过光学显微镜在200倍放大下观察到的)。
根据本发明的格栅可具有各向同性的电性质。
不同于现有技术中具有特定(favored)方向的网络导体，根据本发明的不规则格栅可以不衍射点光源。
线条的厚度可以基本在厚度上是不变的，或在底部更宽些。
根据本发明的格栅可包括具有(任选几乎平行的)线条的主网络，和(任选几乎垂直于平行开口网络的)线条的次级网络。
根据本发明的格栅可在基底的至少一个表面部分上沉积，特别是如上所述的具有玻璃功能的、由塑料或无机材料构成基底上沉积。
根据本发明的格栅可在子层上沉积，该子层是如上所述的亲水层和/或粘合促进层和/或阻隔层和/或装饰层。
根据本发明的导电格栅可具有0.10-30欧姆/平方的薄膜电阻。有利地是，根据本发明的导电格栅可具有小于或等于5欧姆/平方，或小于或等于1欧姆/平方，或甚至为0.5欧姆/平方的薄膜电阻，特别是对于厚度大于或等于1μm、优选小于10μm或甚至小于或等于5μm的格栅。
所述基底可以是直或弯曲的(例如用于同轴灯的管件)，并且是硬质、软质或半软质的。
直基底的主表面可以是长方形、正方形或甚至是任何其它形状的(圆形、椭圆形、多边形等)。
所述基底可以是大尺寸的，如具有大于0.02m2，或甚至是0.5m2或1m2的表面积。
所述基底可基本是透明的、无机的或由塑料如聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或PET、聚乙烯醇缩丁醛PVB、聚氨酯PU、聚四氟乙烯PTFE等构成。
所述基底优选地是玻璃、特别由钠钙硅玻璃构成。
所述基底在当其基本上是透明的时，以及当其基于无机材料(例如钠钙玻璃)时，或当其基于塑料(如聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或PET)时，可具有玻璃功能。
为了透射紫外辐射，所述基底可优选地选自石英、二氧化硅、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、硅酸硼玻璃或含少于0.05％Fe2O3的玻璃。
举例来说，在3mm的厚度：
-氟化镁或氟化钙在整个UV谱带，即在UVA(315-380nm)、UVB(280-315nm)、UVC(200-280nm)和VUV(大约10-200nm)的范围内可以透射80％以上、或乃至90％；
-石英和某些高纯度二氧化硅在整个UVA、UVB和UVC谱带范围内可以透射80％以上、或乃至90％。
-硼硅玻璃，如购自Schott的Borofloat的，在整个UVA谱带范围内可以透射70％以上；和
-具有小于0.05％Fe(III)或Fe2O3的钠钙硅玻璃、尤其购自Saint-Gobain的玻璃Diamant、购自Pilkington的玻璃Optiwhite和购自Schott的玻璃B270在整个UVA谱带范围上可以透射70％以上、或乃至80％。
但是，钠钙硅玻璃，如购自Saint-Gobain的玻璃Planilux在大于360nm时具有大于80％的透射率，这对于一些构造和一些应用就足够了。
覆盖有格栅的基底的(总)透光率可以大于或等于50％，更优选大于或等于70％，特别是70％-86％。
覆盖格栅的基底在给定的UV带中的(总)透光率可以大于或等于50％，更优选大于或等于70％，特别是70％-86％。
在第一格栅区和第二格栅区中，B’/A’的比率可以不同，比如至少是两倍。
所述第一和第二格栅区在形状上和尺寸上可以相同或不同。
网络的透光率取决于线条间的平均距离B’对线条A’的平均宽度之比B’/A’。
优选地，B’/A’之比是5-15，更优选地约为10，以容易地保持透光率并便于制备。例如，B’和A’分别等于约50μm和5μm。
特别地，线条平均宽度A’选择为100nm-30μm，优选小于或等于10μm，或甚至是5μm，以限制其可视性，且大于或等于1μm，以便于制备和易于维持高电导率和透明形。
特别地，还可另外选择线条间的平均距离B’大于线条A’，其值在5μm-300μm，或甚至在20-100μm，以便易于维持透明性。
线条的厚度可以在100nm-5μm，特别是微米级的，更优选0.5-3μm，以便易于维持透明性和高电导率。
根据本发明的格栅可覆盖较大的表面积，如大于或等于0.02m2、或甚至大于或等于0.5m2或1m2的表面积。
格栅可形成分为几个区的电极、不同电势的多个共平面的电极、或加热格栅，并且功能区可以是用于格栅区(加热区或电极区)的分离区。
所述格栅还可形成加热格栅，其一个或多个功能区(管线等)可用于适配加热源。
所述基底可包括相邻于格栅的固体导电区，格栅可形成(最接近基底的)下电极，并且功能区可作为用于固体导电区的分离区，该固体导电区如用于上电极的连接区。
根据本发明的格栅可特别地用作(最接近基底的)下电极，用于特别是底部发光的OLED，或底部和顶部发光的OLED。
格栅可形成运输工具的天线玻璃件(挡风玻璃、后窗、侧窗等)的天线包覆层或加热格栅；
-建筑物玻璃件或运输工具的玻璃件(挡风玻璃、后窗、侧窗等)。所述基底可以对带有信息的辐射(如玻璃或塑料基底)过于不透明，并且功能区可形成通讯窗(电子不停车收费系统等)。
事实上，现有技术就使得能够通过在光谱的不可见范围中的电磁辐射，将信号和数据传输用于各种宽广范围的应用中，无论其是用于运输工具或用于建筑物。
由此，例如现将红外发射器和接收器用于远程控制报警或锁定系统。对于汽车，该技术能够传输有关交通局势或有关车辆位置的信息，能够使用税务识别系统进行对话，或能够计算将一辆车与其它车分开的距离，而对于建筑物，它能够记录人们的到达。对于这些应用，可使用微波(如5.6GHz)或紫外发射器和接收器。
微波技术本身能够进行许多其它的功能，如在数字网络、数字音频广播中通过无线技术的传输，而无论它是否通过卫星进行，以及通过无线检测系统定位车辆。
因此，对于信号和数据的传输，其可以提供通讯窗。
通讯窗可以是任何形状的(正方形、长方形等)。它可优选地放置在外围，如沿玻璃件的一边，优选非连接系统的边缘。
格栅可以是具有电功能的层(电极、加热格栅)，功能区围绕格栅(形成轮廓)，特别是基底的外框。
举例来说，这使得可以防止摩擦(特别是与车身接触)和/或防止格栅受腐蚀。
多层层叠的玻璃件(EVA、PU、PVB等类型的层叠中间层)可将承载有根据本发明所述格栅的基底与功能区结合。
本发明还涉及在透光性操作中的玻璃件中加入格栅，所述格栅例如通过前述的掩模制作方法得到。
术语“玻璃件”应广义理解，其包含任何基本上透明的具有玻璃功能的材料，其由玻璃和/或聚合物材料(如聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸酯PMMA)制得。承载基底和/或反基底、即位于活性系统一侧的基底可以是硬质的、软质的或半软质的。
本发明还涉及在此类设备中主要作为玻璃件或镜面的各种应用：它可以用作生产建筑玻璃件，特别是外用玻璃件、室内隔板或玻璃门。它还可以用作交通工具如火车、飞机、汽车、轮船及工地运输工具的窗户、顶棚或室内隔板。
它们还可以作用投射屏幕的显示屏、电视或计算机屏幕、触敏显示屏、发光表面和加热玻璃件等。
由此，其目的是将如上所述具有功能区的亚毫米级不规则格栅用作：
-在具有可变的光学和/或能量性质的电化学和/或电控装置中的电极(单层或多层电极)，所述装置是如液晶装置或光伏装置或有机或无机发光装置(TFEL等)、特别是平面灯的灯具、任选平面的UV灯；
-加热装置的加热格栅，如用于车辆(挡风玻璃、后窗玻璃、舷窗、等等)，用于散热器、毛巾加热器或冷藏柜类型的电制品，用于除霜、抗冷凝、抗雾化等等作用。
在几个区域中的导电格栅形成一个或多个电极，功能区则被用来分隔所述区域。
谨此提醒，在电致变色系统中，存在“全固体”的电致变色系统(在本发明范围内，术语“全固体”定义为多层叠层的所有层都具有无机特性)或“全聚合物”的电致变色系统(在本发明范围内术语“全聚合物”定义为多层叠层的所有层都具有有机特性)、或混合或混杂的电致变色系统(其中叠层的层具有有机和无机特性)、或液晶或紫精(viologen)体系
谨此提醒，放电灯包括作为活性元件的磷光体。平面灯尤其包括保持略微隔离、并且气密密封的两个玻璃基底，以便包含减压的气体，一般隔离小于几毫米，其通常在紫外线区中放电产生辐射，由此激发磷光体，然后使其放出可见光。
平面UV灯可以具有相同的结构，当然对于至少一个内壁可以选择能透射UV(如前所述)的材料。由等离子体气体和/或由适宜的辅助磷光体直接产生紫外辐射。
作为平面UV灯的例子，可以参考WO 2006/090086、WO 2007/042689、WO 2007/023237和WO 2008/023124，通过引用将它们结合在此。
电极(阳极和阴极)之间的放电可以是非同平面的(“平面-平面”)，而阳极和阴极通过表面或在厚度上各自与基底相连(内部或外部，一个内部和另一个外部、至少一个在基底内，等等)，例如专利WO 2004/015739、WO 2006/090086或WO 2008/023124所描述的，通过引用将其结合在此。
在UV灯和平面灯中，电极(阳极和阴极)之间的放电可以是同平面的(阳极和阴极在一个且相同的平面中、在一个且相同的基底上)，如专利WO 2007/023237所描述的，通过引用将其结合在此。因此，当电极是共面的时，可使用一个或多个绝缘区，以分隔不同电势的电极(组)。
其也可以是另外类型的名为无机发光器件的照明系统，其活性元件是基于掺杂磷光体的无机发光层，例如选自：ZnS:Cu，Cl；ZnS:Cu，Al；ZnS:Cu，Cl，Mn或CaS或SrS。优选用绝缘层将这个层与电极隔开。在文献EP 1553153A中描述了上述玻璃件的例子(使用例如在表6中的材料)。
液晶玻璃件可以用作可变的光散射玻璃件。它基于使用聚合物材料系的薄膜，并设置于两个导电层之间，液晶滴、尤其具有正介电各向异性的向列型液晶被分散在所述材料中。当向该薄膜施加电压时，液晶定向在最佳取向上，由此能够显示。在没有施加电压的情况下，液晶不会排列，薄膜变得散射并且阻止显示。尤其在欧洲专利EP 0238164和美国专利US4435047、US 4806922和US 4732456中描述了上述薄膜的例子。一旦将这种薄膜层压和并入两个玻璃基底之间，则其由SAINT-GOBAIN GLASS以商标名称Privalite出售。
事实上，可以使用任何基于以术语“NCAP”(向列曲线排列相)或“PDLC”(聚合物分散体晶)或“CLC”(胆甾基液晶)而为人们熟知的液晶的设备。
后者还可以包含二向色的染料，尤其是在液晶滴内的溶液中。然后可以连带地调整该系统的光散射和光吸收。
还可以使用例如基于胆甾基液晶的凝胶，其包含少量的交联聚合物，如在专利WO 92/19695中所描述的。
因此，本发明最后涉及承载不规则亚毫米级导电格栅和功能区的基底用于以下方面的用途：具有可变的光学和/或能量性质的电化学和/或电控装置，特别是液晶装置或光伏装置或发光装置，特别是有机或无机发光装置、放电灯，特别是平面放电灯、UV放电灯，特别是平面UV放电灯；导电格栅在多区域中形成一个或多个电极，功能区则被用以分隔所述区域。
因此，本发明最后涉及承载具有功能区和固体导电区的不规则的亚毫米级导电格栅的基底用于以下方面的用途：在有机发光装置中或在连接至单一基底的下电极和上电极之间具有电活性系统的任何其它装置中的用途，其中，所述导电格栅是被称为下电极的电极，所述功能区被用来将所述格栅与固体导电区分开，以连接被称为上电极的电极。
附图说明
以下将借助非限制性的实施例和附图详细描述本发明：
-图1-2d所示为得自本发明方法的网络掩模；
-图3a为举例说明根据本发明的网络掩模开口断面特征的SEM图；
-图3b是说明固体掩模区的SEM示意图；
-图3c示意性地显示了根据本发明的网络掩模的正视图，其具有两个根据本发明的固体遮蔽区和两个根据本发明的无遮蔽区；
-图3d示意性地显示了根据本发明的网络掩模的正视图，其具有三个根据本发明的固体遮蔽区和三个根据本发明的无遮蔽区；
-图3e示意性示出了根据本发明的网络掩模的正视图，其具有三个根据本发明的固体遮蔽区和六个根据本发明的无遮蔽区；
-图3f示意性示出了根据本发明的网络掩模的正视图，其具有三个根据本发明的固体遮蔽区和两个根据本发明的无遮蔽区；
-图3g示意性示出了根据本发明的网络掩模的正视图，其具有两个根据本发明的固体遮蔽区和四个根据本发明的无遮蔽区；
-图4显示了根据本发明的导电格栅的俯视图；
-图5和图6显示了具有不同干燥前沿(drying front)的网络掩膜；
-图7和图8显示了根据本发明的导电格栅的部分SEM图。
-图9和图10显示了根据本发明的导电格栅的部分俯视图；以及
-图11和图12示意性示出了根据本发明的导电格栅的俯视图。
具体实施方式
网络掩模的制备
通过旋涂以湿法技术将稳定于水中的、基于丙烯酸类共聚物的胶体纳米颗粒的单一乳液沉积在具有玻璃功能的基底1的主表面上，所述乳液的浓度为40wt％，pH值为5.1，粘度为15mPa.s；所述基底例如是平面的并且是无机的。胶体纳米颗粒的特征尺寸为80-100nm，由DSM出售，商品名为Neocryl XK 52，并且其具有115℃的Tg。
然后进行包含所述胶体颗粒的层的干燥，以蒸发溶剂并形成开口。所述干燥可通过任何合适的方法，并在低于Tg的温度(热空气干燥等)下，如在环境温度下进行。
在干燥步骤中，体系自动重排，并形成包括开口10的网络的网络掩模1。它划出图案，其示例性的实施方案显示在图1和图2中(400μm×500μm的视图)。
不需采用退火而得到了稳定的网络掩模1，其具有随后称为A的开口(平均)宽度和随后称为B的开口(平均)间隔所确定的结构。该稳定的网络掩模随后以比值B/A定义。
更具体地，它是一个二维的开口网络，其被“网眼化”，“网眼”几乎不破裂或互连破裂(几乎没有堵塞的开口或盲的开口片段)。
评价干燥温度的影响。在20％RH、10℃下干燥产生80μm的网眼(参见图2a)，而在30％RH、20℃下干燥产生130μm的网眼(参见图2b)。
评估干燥条件的影响，特别是湿度的影响。这次通过流涂将基于XK52的层沉积，得到在样品底部和顶部之间的厚度变化(10μm-20μm)，造成网眼大小的变化。湿度越高，B越小。
  干燥   位置   网眼大小B(μm)
  10℃-20％湿度   顶部   65
10℃-20％湿度 底部 80
10℃-80％湿度 顶部 45
10℃-80％湿度 底部 30
30℃-20％湿度 顶部 60
  30℃-20％湿度   底部   130
30℃-80％湿度 顶部 20
30℃-80％湿度 底部 45
还通过调节例如致密胶体和基底表面之间的摩擦系数、或纳米颗粒的大小、或甚至蒸发速率、或初始颗粒浓度、或溶剂性质、或取决于沉积技术的厚度等，来改变该B/A比值。
为了显示说明这些不同的可能性，以下给出试验设计，其通过调节浸涂机的上升速率沉积两种浓度(C0和0.5×C0)和不同厚度的胶体溶液。观察到可以通过改变浓度和/或干燥速率来改变B/A比值。下表中给出结果。
使用不同厚度的薄膜拉伸机以C0＝40％的浓度沉积胶体溶液。这些试验表明，线条的大小和开口的间距可通过调节胶体层的初始厚度来改变。
Figure BPA00001332040900262
最后，通过Ag结(nodules)掩模、使用大气压等离子体来蚀刻玻璃表面，改进基底的表面粗燥度。该粗燥度是与胶体接触的区域大小的数量级，其提高这些胶体与基底之间的摩擦系数。下表显示了改变摩擦系数对B/A比值和掩模形态的影响。结果显示，得到了在同样初始厚度下的较小网眼尺寸以及增加的B/A之比。
Figure BPA00001332040900271
在另一个示例性实施方案中，通过旋涂含有前述胶体颗粒的一个且相同的乳液而得到的开口网络的尺寸参数见下表中所示。旋涂设备的不同旋转速度改变了掩模的结构。
 旋转速度(rpm) B：开口的间距(μm) A：开口的宽度(μm)   B/A之比
 200 40 2   20
 400 30 2   15
 700 20 1   20
 1000 10 0.5   20
考察干燥前沿的增长(参见图5和6)对掩模形态的影响。干燥前沿的存在使得产生了具有大致平行开口的网络，其方向垂至于该干燥前沿。另一方面，存在大致与平行网络结构垂直的开口的次级网络，其中线条的布局与距离是无规则的。
在实施所述方法的该步骤中，得到了网络掩模1。
网络掩模1的形态研究表明，开口10具有直的掩模区边缘的断面。可参照使用SEM得到的掩模1的部分透视图的图3a。
在图3a中显示了断面，其具有以下特殊的优点：
-可以特别是在一个步骤中沉积大厚度的材料；和
-在去除掩模后，能够保持与掩模一致的图案，特别是在厚度较大的情况下。
由此所得的网络掩模可直接使用，或通过各种后处理进行改性。如果在开口的底部没有胶体颗粒，因此就需要引入具有最大粘合力的材料，以填充具有玻璃功能的基底的开口(这在下文中将详细描述)。
本发明人还另外发现，可使用等离子源作为清洁位于开口底部的有机颗粒的源，由此随后能够改善用作格栅的材料的粘合。
作为示范性的实施方案，在借助于大气压力下的等离子源、使用基于氧气/氦气的混合物的转移电弧等离子体进行清洁时，可以改善在开口底部沉积的材料的粘合力，并加宽所述开口。可以使用由Surfx公司出售的商标为“ATOMFLOW”的等离子源。
在另一个实施方案中，使基于丙烯酸类共聚物的胶体颗粒的单一乳液沉积，所述乳液稳定于水中，其浓度为50wt％，pH值为3、粘度为200mPa.s。胶体颗粒的特征尺寸为约118nm，由DSM公司出售，商标为NEOCRYL XK 38
Figure BPA00001332040900281
，其Tg为71℃。得到的网络结构见图2c中所示。开口之间的间距在50和100μm之间，而开口的宽度范围在3和10μm之间。
在另一个实施方案中，对特征尺寸约10-20nm的40％的胶体二氧化硅溶液进行沉积，胶体二氧化硅例如Sigma Aldrich公司销售的产品LUDOXAS40。B/A之比约为30，如图2e所示。
通常，可在有机(特别是水性的)溶剂中沉积如15％-50％的二氧化硅胶体。
一旦得到了网络掩模1，其优选覆盖整个基底2的主表面，则可期待其遮蔽全部(以固体形式地)一个或多个区。
通过纳米颗粒分散体的固体遮蔽或填充
首先通过填充网络掩模可得到固体掩模。在第一个实例中，为了在给定区域中填充网络掩模的间隙，使用购自DSM NeoResins的名为NeoCrylXK-240的丙烯酸共聚物的纳米颗粒水分散体。所述分散体含48重量％的水和52重量％的丙烯酸共聚物颗粒，其平均直径约为180nm(使用光散射法、通过已知方法测定)。聚合物的玻璃化转变温度为-4℃。25℃下分散体的粘度为160mPa.s，其pH为7.5。
通过浸涂法将所述分散体沉积在玻璃基底上，不采用强制通风地在环境温度下干燥数分钟(通常为2-3分钟)后，所得层是连续的，并具有约20μm的厚度。该保护层的透光率约为88％，雾度约为30％。
但是，在室温下可通过使用纯水(其中未加入有机添加剂)的喷涂而非常容易地去除所述层。
在第二个实例中，为了填充某些区域中的网络掩模的间隙，所使用的胶体分散体是购自DSM NeoResins的名为NeoCryl XK-87的丙烯酸共聚物的水分散体。该分散体含49重量％的水和51重量％的苯乙烯/丙烯酸共聚物颗粒，其平均直径约为210nm。聚合物的玻璃化转变温度约为24℃。分散体25℃下的粘度为250mPa.s，并且其pH为7.4。
在如第一实例的条件下涂覆该分散体，但在此在35℃下进行干燥，以保持高于所述聚合物的玻璃化转变温度的温度。
其光学和耐磨性与第一实例中的那些性质相似。但是，所述层是耐冷水的。另一方法，通过使用温水(约30-35℃)，用海绵或布轻轻擦拭就可容易地去除所述层。
所述固体掩模还可得自遮蔽材料的液体沉积，如与上述用于填充操作的那些相同材料的液体沉积。由此，形成了相邻于(任选与其接触)部分覆盖基底的网络掩模区的一个或多个固体掩模区。
由此图3b显示了通过扫描电子显微镜拍摄得到的由根据本发明的固体遮蔽层1’覆盖的玻璃样品的截面图，固体遮蔽层1’得自所描述类型的胶体溶液。如图所示，玻璃基底2的部分覆盖有根据本发明的固体遮蔽层，其中仅有一部分在图中可以看见。层1’由纳米颗粒数量级的集合体构成，其是可完美识别的。
网络掩模可优选(在如基底的给定部分上)首先形成，然后沉积相邻固体掩模的遮蔽材料。
或者，先形成一个或多个固体掩模区，然后在剩余的区域中沉积网络掩模的胶体溶液(和/或作为固体区中的重叠层overlayer)。
固体掩模还可以通过将覆盖物优选放置在网络掩模上而得到。例如，选择使由镍制得的覆盖物被设置在主遮蔽面的相对面上的磁铁吸持。由此形成一个或多个覆盖区。
最后，可以如通过筛网印刷地通过液体途径，将负载微米尺寸的、优选溶于水的无机颗粒的浆料沉积在网络掩模上，以及沉积在将要被牢固地遮蔽的一个或多个网络掩模区中。
通过水溶性膜的固体遮蔽或填充
通过筛网印刷形成水溶性膜。使用20g PVA粉末，如购自KUKARAY的MOWIOL，将其与80g冷水混合。在90-95℃下加热混合物，同时混合30分钟。然后用环境空气冷却，并且通过筛网印刷将其涂覆在网络掩模上(形成填充的掩模区)和/或邻接网络掩模区(形成相邻的固体区)。
优选与网络掩模同时地用水去除该膜。
部分去除
网络掩模1优选地占据了基底2的全部表面。一旦得到网络掩模，以及制得一个或多个固体区(覆盖区、固体遮蔽区、经填充的区)，则如通过吹气或通过激光去除一个或多个预先划定的(经填充或未填充的)网络掩模区和/或固体掩模(通过液体途径得到的)，以产生无遮蔽的区域。
该去除可包括例如：
-去除一个或多个横向(或纵向)的数毫米宽的长方形条；
-勾划出由此构造网络掩模框架的无遮蔽区。
图3c-图3g中所示为具有经填充的区和经移除的区的网络掩模实例。
图3c示意性示出了根据本发明的网络掩模1的正视图，其具有两个根据本发明的固体遮蔽区30、31和两个根据本发明的无遮蔽区41、42。
第一固体遮蔽区30是长方形的，在纵向边缘上，例如居中的。其使得可将其用于制备汽车玻璃件或建筑物玻璃件的通讯窗。
第二固体遮蔽区31(完全)包围网络掩模，由此形成外框(“消空区”)。例如，其使得可将其用于防止摩擦和/或保护导电格栅免受腐蚀。
这避免了产生固体层的消空(demargination)。
每个固体区都可如前面所说明的制备如下：通过沉积聚合物纳米颗粒溶液、通过形成水溶性膜、通过形成可剥离的膜、通过沉积经负载的浆料。
两个无遮蔽区41、42是在侧边缘上的两个外围平行线条形式的，这是为了制备连接系统区(通常称为总线电流引线)。
或者，可以通过在格栅上额外沉积而形成总线，例如通过在这些区域以及额外的沉积中筛网印刷银浆料和/或沉积固体/填充的掩模。
图3d示意性示出了根据本发明的网络掩模1的正视图，其具有三个根据本发明的固体遮蔽区31-33和三个根据本发明的无遮蔽区41-43。
第一固体遮蔽区31(完全)包围网络掩模，由此形成外框(“消空区”)。例如，其使得可将其用于防止摩擦和/或保护导电格栅免受腐蚀。其还可避免产生固体层的消空。
第二和第三固体遮蔽区32、33是两个平行线条形式的，其将网络掩模分隔为三个区11-13。
三个无遮蔽区41、42、43是外围线条形式的，如沿同一纵向边缘，这是为了用于在网络掩模区中形成的导电格栅而制备连接系统区(通常称为总线的电流引线)。
由此可制备如在各区域具有可变颜色的活性材料的电致变色装置。导电格栅形成电极。
图3e示意性示出了根据本发明的网络掩模的正视图，其具有三个根据本发明的固体遮蔽区31、32、33和六个根据本发明的无遮蔽区。
第一固体遮蔽区31完全包围网络掩模，由此形成外框(“消空区”)。例如，其使得可将其用于防止摩擦和/或保护导电格栅免受腐蚀。其还可避免产生固体层的消空。
第二和第三固体遮蔽区32、33是两个平行线条形式的，其将网络掩模分隔为三个区11-13。
六个无遮蔽区41-46是2列3个平行外围线条形式的，如沿两个纵向的边缘，这是为了用于在网络掩模区中形成的导电格栅而制备连接系统区(通常称为总线的电流引线)。
由此可制备如加热装置(散热器或抗冷凝的玻璃件)。导电格栅形成加热格栅。
图3f示意性示出了根据本发明的网络掩模1的正视图，其具有三个根据本发明的固体遮蔽区34-36和两个根据本发明的无遮蔽区41、42。
两个无遮蔽区41、42是在横向边缘上两个外围平行线条形式的，这是为了用于在网络掩模区中形成导电格栅而制备连接系统区(通常称为总线的电流引线)。
三个固体遮蔽区34、35、36是部分截断网络掩模1的平行线条形式的。
这使得可在加热装置中通过改变电流途径而改变加热参数。导电格栅形成加热格栅。
每个固体区都可如前面所说明的制备如下：通过沉积聚合物纳米颗粒溶液、通过形成水溶性膜、通过形成可剥离的膜、通过沉积经负载的浆料。
对于微小的固体区(如小于100微米数量级的)，例如优选可通过筛网印刷形成水溶性膜。
图3g示意性示出了根据本发明的网络掩模1的正视图，其具有两个根据本发明的固体遮蔽区37、38和四个根据本发明的无遮蔽区41、41’、42、42’。
两个无遮蔽区41、42是以两个平行外围线条形式的，如沿纵向边缘的，这是为了用于在网络掩模区中形成导电格栅而制备连接系统区(通常称为总线的电流引线)。
两个其它的无遮蔽区41、42是以两个平行外围线条形式的，如沿纵向边缘的，这是为了用于上电极而制备连接系统区(通常称为总线的电流引线)。
每个固体区都可如前面所说明的制备如下：通过沉积聚合物纳米颗粒溶液、通过形成水溶性膜、通过形成可剥离的膜、通过沉积经负载的浆料。
对于微小的固体区37、38(如500μm或更小的数量级的)，例如，可将聚合物纳米颗粒的溶液沉积在两个边缘上，并对这些区域进行激光侵蚀(部分去除)，以形成无遮蔽区41’、42’。
通过两个固体遮蔽区37、38，从网络掩模区1中分隔出这两个无遮蔽区41’、42’。
然后，导电电极可形成OLED装置的电极。
格栅的制备
在部分去除掩模后，通过电导沉积制备导电格栅5(其优选地具有至少一个或多个连接系统)。
为了进行制备，将导电材料沉积在无遮蔽区上，并通过掩模1，直到开口10被部分填充。
所述材料选自导电性材料，如铝、银、铜、镍、铬、这些金属的合金、导电氧化物，特别选自ITO、IZO、ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、SnO2:F和SnO2:Sb。
可以例如通过磁控溅射或蒸气沉积来进行该沉积步骤。所述材料沉积在开口网络内，以填充开口，填充进行至如掩模高度约一半的厚度。
为了从网络掩模露出格栅结构，以及去除固体或经填充的遮蔽层，可进行“提空”(lift off)步骤。该操作因弱范德华力所产生的纳米颗粒内聚现象而促成(无粘结剂或退火产生的粘结)。
然后将基底浸没于含水和丙酮的溶液中(清洁溶液，根据纳米颗粒的性质选择)，然后漂洗，以去除所有纳米颗粒覆盖的部分。因使用超声以降解纳米颗粒掩模而得以加速该现象，并露出互补的部分(材料填充的开口网络)，这将形成格栅和功能性空缺部分。
图4中显示了使用SEM得到的具有由此得到的线条50的导电格栅5的照片。
以下给出铝基格栅的电学和光学特性。
Figure BPA00001332040900331
因该特别的格栅结构，可低成本地得到与电控系统相容的电极，同时其还具有高导电性质。
图7和图8显示了铝构成的格栅5的线条的SEM细节俯视(透视)图。观察到线条50具有相对平滑和平行的边缘。
包括根据本发明的格栅5的所述电极具有0.1-30欧姆/m2的电阻率和70％-86％的LT，这使其能够被用作完全令人满意的透明电极。
优选地，特别为了实现该电阻率水平，金属格栅的总厚度为100nm-5μm。
在该厚度范围，电极保持透明，即它在可见范围具有低的光吸收率，甚至在格栅存在下(因其尺寸，其网络几乎是不可见的)。
所述格栅在至少一个方向上具有非周期性或无规则的结构，这使其可避免衍射现象，并导致15％-25％的光掩蔽。
例如，图4所示的包括具有700nm的宽度、并间隔10μm金属线条50的格栅5给予基底80％的透光率，对比之下，裸露时透光率为92％。
本实施方式的另一优点在于，能够根据格栅来调节雾度值。
例如，对于小于15μm的内部线条间距(尺寸B’)，雾度值约4％-5％。
对于100μm的间距，雾度小于1％，而B’/A’不变。
线条间距(B’)约5μm，线条尺寸A’为0.3μm时，得到约20％的雾度。雾度大于5％时，可利用该现象作为去除界面上的光或捕捉光的手段。
在沉积所述掩模材料之前，可以特别是通过真空沉积来沉积促进格栅材料粘合的子层。
例如可以将镍沉积在格栅材料铝上。图9中显示了该格栅。
例如，可以将ITO、NiCr或Ti沉积在格栅材料银上。
为了增大金属层的厚度，并由此减少格栅的电阻，可以通过电解(可溶性阳极法)在银格栅上沉积铜的重叠层。
通过磁控溅射的覆盖有粘合促进子层和银格栅的玻璃可构成试验装置的阴极；阳极由铜片构成。通过溶解，可具有保持Cu2+离子浓度的作用，并由此在整个沉积过程中保持沉积速度不变。
电解溶液(浴)由硫酸铜水溶液(CuSO4.5H2O＝70gl-1)构成，其中加入有50ml硫酸(H2SO4，10N)。在电解中，溶液温度为23±2℃。
沉积条件如下：电压≤1.5V，并且电流≤1A。
将间距3-5cm的相同大小的阳极和阴极平行放置，以得到垂直的场线。
铜层在银格栅上是均匀的。沉积的厚度随电解时间和电流密度及沉积形态而增大。在下表和图10中显示了其结果。
在这些格栅上进行的SEM观测表明，网眼的尺寸B’是30μm±10μm，线条A’的尺寸为2-5μm。
图11和图12示意性示出了根据本发明的导电格栅5的俯视图。
在图11中，格栅区被分为四个独立的圆形区域51-54。各区域被环状固体连接区61-64包围，其是例如通过在沉积格栅材料之前通过去除网状掩膜而得到的。
各环状连接区连接至导向外围公用通道65的连接通道61’-64’。
在环状连接区之间，基底2不包括导电材料，而是形成电绝缘区70。这已通过例如在该区域填充沉积在整个表面上的网络掩膜而得以实现。
在图12中，格栅区5被分为6个电极组51-56’：阳极和阴极。
例如，可以通过在沉积格栅材料之前去除网络掩膜，而使阳极51-56与第一外围总线61连接。
例如，可以通过在沉积格栅材料之前去除网络掩膜，而使阴极51’-56’与第二外围总线62连接。
各阳极51-56和各阴极51’至56’之间的放电间距80被限定。
在电极之间，基底2不包括导电材料，而是形成电绝缘区70。这已通过例如在该区域填充沉积在整个表面上的网络掩膜而得以实现。

Claims (37)

1.一种制备具有亚毫米级开口(10)的掩模(1)的方法，在基底的主表面上，通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、并使其干燥来形成所述掩模，其特征在于，
-对于所述遮蔽层，将稳定和分散在第一溶剂中的胶体纳米颗粒的第一溶液沉积，所述纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg；
-在低于温度Tg的温度下进行被称为第一遮蔽层的遮蔽层干燥，直至得到被称为网络掩模的具有亚毫米开口的二维网络的掩模，其具有基本上直的掩模区边缘，所述网络掩模位于被称为网络掩模区的区域中，
并且其特征在于，所述方法包括通过液体沉积在第二遮蔽层的表面上形成固体掩模区，所述固体掩模区与所述网络掩模区相邻并接触，
和/或所述方法包括通过在所述表面上放置至少一个覆盖物而形成至少一个覆盖区，所述覆盖区与所述网络掩模区接触，
和/或在第一遮蔽层干燥之后，所述方法包括通过将一部分所述网络掩模区的开口进行液体填充，形成经填充的掩模区。
2.权利要求1的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，在低于50℃的温度、优选在环境温度下进行第一遮蔽层的干燥。
3.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第一溶液的溶剂是水性的，所述纳米颗粒是聚合物的，优选丙烯酸类共聚物、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或它们的共混物，和/或包含无机纳米颗粒，优选二氧化硅、氧化铝或氧化铁。
4.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，在低于温度50℃、优选在环境温度下干燥通过液体途径沉积的第二遮蔽层和/或经填充的区。
5.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，对于通过液体途径形成固体区或经填充的掩模区，将包含稳定并分散在优选水性溶剂中的胶体纳米颗粒的第二溶液沉积，所述纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg，并且第二遮蔽层或经填充的区在高于所述温度Tg的温度下被干燥。
6.前一权利要求的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二溶液的每种聚合物的玻璃化转变温度Tg小于或等于30℃。
7.权利要求5或6的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二溶液包含聚合物纳米颗粒，优选丙烯酸共聚物、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或它们的共混物，和/或包含无机的纳米颗粒，优选二氧化硅、氧化铝或氧化铁。
8.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，就固体区或经填充的掩膜区的形成而言，通过热处理来沉积负载有微米级的非固结无机颗粒的浆料。
9.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，就固体区的形成而言，在所述网络掩模形成后，通过沉积溶解的聚合物的水溶液而形成可剥离的粘合聚合物膜，或形成可溶性聚合物膜，聚合物尤其基于聚乙烯醇，然后用水溶液洗涤去除所述可溶性聚合物膜。
10.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，就经填充的区的形成而言，通过所述开口来沉积溶解的聚合物的聚合物溶液，所述聚合物尤其基于聚乙烯醇，然后用水溶液洗涤来除去经填充的掩模，选择所述第一溶液是水性的。
11.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，将一个或多个所述覆盖物放置在所述网络掩模上。
12.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二遮蔽层或填充层的沉积或覆盖物将所述网络掩模区分为至少两个区域。
13.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，所述方法包括通过机械和/或光学去除所述网络掩模区的至少一个外围部分，所述网络掩膜任选为填充区，和/或通过部分机械和/或光学去除至少一个固体或经填充的掩模区，而在所述表面形成无遮蔽区。
14.权利要求10的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二遮蔽层或填充层的沉积或覆盖物将网络掩模区和无遮蔽区分开。
15.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第一溶液和/或如果合适的第二溶液或填充溶液的纳米颗粒的形状和大小基本不受干燥改变。
16.一种基底，在其主表面上承载有：
-具有亚毫米开口网络的掩模，其包括具有基本直边开口的可识别纳米颗粒的多层，由此限定网络掩模区、
-至少一个固体遮蔽区，其与所述网络掩模区相邻，
-和/或至少一个掩模区，其具有经填充的网络、
-和/或至少一个覆盖区，其具有覆盖网络掩模区的覆盖物。
17.权利要求16的基底，其特征在于，所述固体遮蔽区和/或经填充区将所述网络掩模区或固体遮蔽区分为至少两个区域，和/或经填充的区将所述网络掩模区与第一无遮蔽区分开。
18.权利要求16的基底，其特征在于，所述主表面承载至少一个第二无遮蔽区，其与所述网络掩模区相邻并接触。
19.权利要求16-18之一的基底，其中第一遮蔽层和或第二遮蔽层的厚度为2-100μm，特别是5-50μm。
20.权利要求16-18之一的基底，其中所述网络掩模的开口间距(B)与线条的亚毫米级宽度(A)之比为7-40，和/或宽度A为200nm-50μm，距离B为5-500μm。
21.一种在基底的主表面上制备亚毫米级导电格栅和相邻的功能区的方法，该方法依次包括：
-在干燥第一遮蔽层和形成固体遮蔽区和/或经填充的掩模区和/或放置覆盖物之后，使导电材料通过权利要求16-20之一所述的网络掩模或权利要求1-15之一的方法所得的网络掩模的开口而沉积在表面上，直至开口的部分深度被填充，
并包括：
-去除第一遮蔽层，露出所述亚毫米的导电格栅，
-去除第二遮蔽层和/或填充的层和/或覆盖物，留下裸露的功能区。
22.前一权利要求的制备不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的方法，其特征在于，第一遮蔽层通过液体途径，特别是通过优选水性溶剂的溶剂来去除。
23.权利要求21的制备不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的方法，其特征在于，在一个步骤中通过液体途径，特别是通过优选水性溶剂的一种且相同的溶剂来去除第一遮蔽层、第二遮蔽层和/或填充层。
24.权利要求21-23之一的制备不规则亚毫米级导电格栅和功能区的方法，其特征在于，其包括将所述导电材料沉积在相邻并接触所述网络掩模区的无遮蔽区。
25.权利要求21-24之一的制备不规则亚毫米级导电格栅和功能区的方法，其特征在于，通过大气压沉积，特别是通过等离子体、通过真空下的沉积、通过溅射或通过蒸发来进行所述沉积。
26.权利要求21-25之一的制备不规则亚毫米级导电格栅和功能区的方法，其特征在于，其包括在裸露的功能区中沉积绝缘材料。
27.一种基底，在其主表面上承载有：
-由导电材料制得的不规则的亚毫米级格栅，
-裸露的或由电绝缘材料制得的与格栅相邻的至少一个功能区，
其通过权利要求21-26之一所述的格栅制备方法得到。
28.权利要求27的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，格栅的线条间距与亚毫米级线条宽度之比为7-40。
29.权利要求27-28之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述格栅在两个方向上具有非周期性或无规则的结构。
30.权利要求27-29之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述格栅的经涂覆的基底的透光率大于70％，特别是70％-86％，和/或所述格栅的经涂覆的基底在给定的UV范围中的透光率大于70％，特别是70％-86％。
31.权利要求27-30之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述基底包括相邻于格栅的固体导电区，所述格栅形成电极，并且优选填充有绝缘材料的所述功能区是优选由所述导电材料构成的固体导电区的分隔区。
32.权利要求27-31之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述格栅形成分为几个区的电极、或多个具有不同电势的共面电极、或形成加热格栅，其特征还在于，优选裸露的功能区将所述格栅区分开。
33.权利要求27-31之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述格栅形成加热格栅，其特征还在于，优选裸露的功能区用以适配加热源。
34.权利要求27-31之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述格栅形成天线包覆物、或运输工具玻璃件的加热格栅，优选裸露的功能区形成通信窗口。
35.权利要求27-34之一的承载有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底，其特征在于，所述格栅是具有电功能的层，并且优选裸露的功能区围绕所述格栅。
36.承载有权利要求27-35之一的具有不规则的亚毫米级导电格栅和功能区的基底用于以下方面的用途：在具有可变的光学和/或能量性质的电化学和/或电控装置中、特别是液晶装置或光伏装置或发光装置，特别是有机或无机发光装置、放电灯，特别是平面放电灯、UV放电灯，特别是平面UV放电灯中的用途；其中所述导电格栅由形成一个或多个电极的几个区制得，而功能区用于分隔该多个区。
37.承载有权利要求27-35之一的具有功能区和固体导电区的不规则的亚毫米级导电格栅的基底用于以下方面的用途：在有机发光装置中或在连接至单一基底的下电极和上电极之间具有电活性系统的任何其它装置中的用途，其中，所述导电格栅是被称为下电极的电极，所述功能区被用来将所述格栅与固体导电区分开，以连接被称为上电极的电极。
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