CN102157504A - 发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元 - Google Patents

发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元 Download PDF

Info

Publication number
CN102157504A
CN102157504A CN2011100221301A CN201110022130A CN102157504A CN 102157504 A CN102157504 A CN 102157504A CN 2011100221301 A CN2011100221301 A CN 2011100221301A CN 201110022130 A CN201110022130 A CN 201110022130A CN 102157504 A CN102157504 A CN 102157504A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
thermal radiation
electrode pad
luminescent device
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011100221301A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102157504B (zh
Inventor
安重仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102157504A publication Critical patent/CN102157504A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102157504B publication Critical patent/CN102157504B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元。发光器件封装包括:主体,该主体包括位于第一侧表面处的腔体;第一引线框架和第二引线框架,该第一引线框架和第二引线框架位于所述腔体中;发光器件,该发光器件连接到第一引线框架和第二引线框架;热辐射垫,该热辐射垫布置在所述主体的第二侧表面上;热辐射框架,该热辐射框架布置在所述主体的第三侧表面上;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,该第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在所述主体的第二侧表面上并且与热辐射垫间隔开。

Description

发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元
技术领域
实施例涉及发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元。
背景技术
发光二极管(LED)可以通过使用GaAs、A1GaAs、GaN、InGaN以及InGaAlP基化合物半导体材料来构成发光源。
这种LED被封装,以便用作发射各种颜色光的发光器件。该发光器件用作诸如照明指示器、字符指示器以及图像指示器等的各种产品的光源。
发明内容
实施例提供了具有新颍的热辐射散热结构的发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元。
实施例提供了一种发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元,该发光二极管封装具有主体并且在该主体的两侧布置有吸热板。
根据实施例,一种发光器件封装包括:主体,该主体包括位于第一侧表面处的腔体;第一引线框架和第二引线框架,该第一引线框架和第二引线框架位于所述腔体中;发光器件,该发光器件连接到第一引线框架和第二引线框架;热辐射垫,该热辐射垫布置在所述主体的第二侧表面上;热辐射框架,该热辐射框架布置在所述主体的第三侧表面上;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,该第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在所述主体的第二侧表面上并且与热辐射垫间隔开。
根据实施例,一种发光器件封装包括:主体,该主体包括腔体;第一引线框架和第二引线框架,该第一引线框架和第二引线框架位于所述腔体中;发光器件,该发光器件布置在第一引线框架上;热辐射垫,该热辐射垫从第一引线框架延伸并且该热辐射垫布置在所述主体的下表面上;热辐射框架,该热辐射框架接触所述主体的顶表面;第一电极焊盘,该第一电极焊盘布置在所述主体的下表面上,其中,该第一电极焊盘与热辐射垫间隔开,并且该第一电极焊盘从第一引线框架延伸;第二电极焊盘,该第二电极焊盘布置在所述主体的下表面上,其中,该第二电极焊盘与热辐射垫间隔开,并且该第二电极焊盘从第二引线框架延伸;以及树脂构件,该树脂构件位于所述腔体中。
根据实施例,一种灯单元包括:电路板,该电路板包括第一图案、第二图案和第三图案;以及位于所述电路板上的多个发光器件封装,其中,每个发光器件封装均包括:主体,该主体包括位于前表面处的腔体;第一引线框架和第二引线框架,该第一引线框架和第二引线框架位于所述腔体中;发光器件,该发光器件连接到第一引线框架和第二引线框架;热辐射垫,该热辐射垫布置在所述主体的下表面上并且连接到所述电路板的第二图案;热辐射框架,该热辐射框架位于所述主体的顶表面上;以及第一电极焊盘和第二电极焊盘,该第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在所述主体的下表面上,并且连接到所述电路板的第一图案和第三图案。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的透视图;
图2是图1的底视图;
图3是图1的平面视图;
图4是示出图1的框架结构的视图;
图5是沿着图1的线A-A截取的剖视图;
图6是沿着图1的线B-B截取的剖视图;
图7是沿着图1的线C-C截取的剖视图;
图8是示出根据第二实施例的发光器件封装的正视图;
图9是示出根据第三实施例的显示装置的视图;
图10是示出根据第三实施例的发光模块的视图;并且
图11是示出根据第四实施例的发光模块的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中,应当理解的是,当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时,它可以“直接”或“间接”位于另一基板、层(或膜)、区域、垫或图案上,或者也可以存在有一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这种位置。
为了方便或清楚起见,图中所示的每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外,这些元件的尺寸并不完全反映真实尺寸。
在下文中,将参考附图来描述实施例。
图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的透视图,图2是图1的底视图,并且图3是图1的平面视图。图4是示出图1的框架结构的视图,图5是沿着图1的线A-A截取的剖视图,并且图6是沿着图1的线B-B截取的剖视图。图7是沿着图1的线C-C截取的剖视图。
参考图1至图7,发光器件封装100包括:具有腔体115的主体110、第一引线框架121、第二引线框架131、热辐射垫124、第一电极焊盘122、第二电极焊盘132、热辐射框架141、发光器件150、以及树脂构件160。
例如,主体110可以包括从由以下项组成的组中选择的一个:诸如聚酰胺(尼龙)、PPA(聚邻苯二甲醯胺)、聚碳酸酯、苯氧基树脂、热塑性聚酯、PPS(聚苯硫醚)或聚合物合金等的树脂材料、硅材料、陶瓷基板、绝缘基板、以及金属基板(例如,MCPCB)。下面,将描述该主体110包括绝缘材料的示例。
在主体110中布置有多个引线框架121和123。当执行该主体110的注射成型时,可以将这些引线框架布置在主体110中并使其硬化。
可以将这些引线框架定义为第一引线框架121和第二引线框架131。
主体110包括:第一侧表面111,该第一侧表面111具有输出光的区域;第二侧表面112,在该第二侧表面112上布置有第一电极焊盘122和第二电极焊盘132;以及第三侧表面113,该第三侧表面113与第二侧表面112相对。第一侧表面111可以布置在第二侧表面112与第三侧表面113之间并且垂直于第二侧表面112。主体110的第一侧表面111、第二侧表面112以及第三侧表面113可以分别用作前表面、下表面以及顶表面,并且将会省略除了第一侧表面111的相反表面以及第二侧表面112和第三侧表面113之外的侧表面的详情。
腔体115布置在主体110的第一侧表面111中。通过使第一侧表面111的中央区域沿着第一侧表面111的相反方向凹陷来形成该腔体115。换言之,腔体115使第一侧表面111具有敞口的中央区域。
腔体115用作通过其输出光的区域。发光器件安装在主体110的第二侧表面112上。主体110的第三侧表面113用作第二侧表面112的相对表面并且可以露出。
腔体115的敞口区域可以具有多边形形状,或者该敞口区域的至少两侧可以具有半球形形状。
参考图1和图2,在主体110的第二侧表面112上布置有多个隔离部。这些隔离部在彼此间隔开的同时从第一侧表面111沿着第二侧表面112的方向(Z轴方向)延伸。这些隔离部可以布置成彼此平行。
这些隔离部包括第一隔离部112A和第二隔离部112B。第一隔离部112A布置在热辐射垫124与第一电极焊盘122之间。第二隔离部112B布置在热辐射垫124与第二电极焊盘132之间。
在主体110的第二侧表面112上形成有凹部112C、112D和112E,该凹部112C、112D、112E与第一隔离部112A、第二隔离部112B具有阶梯差。热辐射垫124、第一电极焊盘122以及第二电极焊盘132容纳在这些凹部112C、112D以及112E中。凹部112C、112D以及112E的底表面可以离所述第三侧表面113比离所述隔离部112A和112B的顶表面更近。
第一隔离部112A、热辐射垫124以及第二隔离部112B基本布置在同一平面上。热辐射垫124、第一电极焊盘122以及第二电极焊盘132可以具有相同尺寸或具有不同尺寸。
第一电极焊盘122布置在第一隔离部112A的一侧,而第二电极焊盘132布置在第二隔离部112B的与该一侧相反的另一侧。热辐射垫124布置在第一隔离部112A与第二隔离部112B之间。
第一隔离部112A阻止热辐射垫124与第一电极焊盘122接触,并且第二隔离部112B阻止热辐射垫124与第二电极焊盘132接触。第一隔离部112A和第二隔离部112B可以具有预定宽度,从而能够恒定地保持该热辐射垫124与第一电极焊盘122之间的间隔以及该热辐射垫124与第二电极焊盘132之间的间隔。
热辐射垫124的面积大于主体110的第二侧表面112的面积的40%。热辐射垫124的面积可以是第一电极焊盘122或第二电极焊盘132的面积的至少两倍。热辐射垫124的宽度可以是第一电极焊盘122的宽度的至少两倍。
参考图3,主体110的第三侧表面113可以具有与第二侧表面112的形状相对称的形状。例如,在第三侧表面113的两侧布置有第三隔离部113A和第四隔离部113B,并且在第三隔离部113A和第四隔离部113B的第一侧和第二侧形成有凹部113C、113D以及113E。热辐射框架141布置在第三隔离部113A与第四隔离部113B之间的凹部113C处,并且热辐射框架141的宽度可以比凹部113C的宽度窄。
热辐射框架141的面积可以小于热辐射垫124的面积。例如,热辐射框架141小于主体110的第三侧表面113的面积的40%。
参考图4至图6,第一引线框架121和第二引线框架131布置在腔体115中。第一引线框架121和第二引线框架131在腔体115中彼此电气隔离并且布置在腔体115的底表面上。
第一引线框架121包括热辐射垫124和第一电极焊盘122。热辐射垫124和第一电极焊盘122从第一引线框架121沿着第二侧表面112的方向延伸并向下弯曲。因为热辐射垫124不受第一电极焊盘122影响,所以可以有效进行热辐射。第二引线框架131包括第二电极焊盘132,并且该第二电极焊盘132从第二引线框架131沿着第二侧表面112的方向延伸并向下弯曲。
参考图2和图4,热辐射垫124从第一引线框架121的一侧沿着主体110的第二侧表面112的方向延伸并向下弯曲,从而该热辐射垫124布置在形成于主体110的第二侧表面112上的凹部112C处。
第一电极焊盘122从第一引线框架121的与上述一侧相反的另一侧沿着主体110的第二侧表面112的方向延伸并向下弯曲,从而该第一电极焊盘122布置在形成于主体110的第二侧表面112上的凹部112D处。如图7所示,凹部112D的深度D 1可以大约等于每个焊盘的厚度。
第二电极焊盘132从第二引线框架131沿着主体110的第二侧表面112的方向延伸并向下弯曲,从而该第二电极焊盘132布置在位于主体110的第二侧表面112上的凹部112E处。
参考图4,热辐射框架141与第一引线框架121的热辐射垫124相对,并且与第一引线框架121及第二引线框架131物理地隔离,从而该热辐射框架141不电连接到第一引线框架121和第二引线框架131。
在第一引线框架121上安装有发光器件,并且,第一引线框架121的长度至少是第二引线框架131的长度的两倍长。
热辐射垫124和第一电极焊盘122在彼此以预定间隔D2间隔开的同时从第一引线框架121突出,从而防止了与主体110的结合强度变弱。
在整个区域处,第一引线框架121的顶表面可以具有第一宽度W1,而在第一电极焊盘122与热辐射垫124之间的区域处,第一引线框架121的顶表面可以具有比第一宽度W1窄的第二宽度W2。第二宽度W1至少可以宽于所述腔体的底表面的宽度。
第一电极焊盘122的第二端122A从第一引线框架121的第二端向外(Z轴方向)突出了预定间隙G2,从而可以进一步增大结合面积和热辐射面积。换言之,第一电极焊盘122的与上述一侧相反的另一侧的表面可以具有从第一引线框架121的与上述一侧相反的另一侧的表面突出的阶状结构。
第二电极焊盘132的第一端132A从第二引线框架131的第一端向外(Z轴方向)突出了预定间隙G3。换言之,第二电极焊盘132的一个侧表面与第二引线框架131的一个侧表面形成阶状结构。因此,第二引线框架131的长度L3可以小于第二电极焊盘132的长度。由于该阶状结构,可以进一步增大第二电极焊盘132的结合面积和热辐射面积。
可以沿着与第二电极焊盘132相反的方向、从第一引线框架121的第一端121A将热辐射垫124切掉预定间隙G1。换言之,相对于第一引线框架121的第一侧表面,热辐射垫124的第一侧表面可以具有阶状结构。
第一电极焊盘122的长度L5可以与第二电极焊盘132的长度L4相同或不同。第一电极焊盘122的高度H1、热辐射垫124的高度H1以及第二电极焊盘132的高度H1可以彼此近似相同。
由于该间隙G1,热辐射垫124与第二电极焊盘132之间的距离D3可以比第一引线框架121与第二引线框架131之间的距离宽。因此,能够在焊接中防止热辐射垫124与第二电极焊盘132之间短路。热辐射垫124接收来自第一引线框架121的热量并散热。
热辐射框架141的长度L1等于热辐射垫124的长度L2或者比热辐射垫124的长度L2短。热辐射框架141与主体110的第三侧表面113接触,以散发从主体110发出的热量。在热辐射框架141的上端的中心部分处可以布置有至少一个凸起部142,并且该至少一个凸起部142可以插入到主体110中。通过使用该凸起部142,热辐射框架141固定到主体110,并且,能够通过主体110的凹部113C来防止热辐射框架141移动。
第一电极焊盘122、热辐射垫124以及第二电极焊盘132彼此排列成直线状,并且热辐射垫124可以与热辐射框架141相对地平行于该热辐射框架141。
参考图5和图6,主体110布置在热辐射垫124与第一引线框架121之间。热辐射垫124把传递到主体110的下部(例如第二侧表面)的热量散发出去。发光器件150布置在腔体115中,并且电连接到第一引线框架121和第二引线框架131。
发光器件150可以布置在第一引线框架121上,并且可以通过使用电线152来连接到第一引线框架121和第二引线框架131。发光器件150布置在具有热辐射垫124的第一引线框架121上。热辐射垫124和热辐射框架141离所述发光器件150比离所述第一电极焊盘122和第二电极焊盘132更近。
如图6所示,发光器件150、热辐射垫124以及热辐射框架141可以彼此排列成直线状。
发光器件150包括LED芯片。例如,发光器件150可以包括:处于可见光带内的诸如蓝光、绿光或红光LED等的LED芯片,或者处于UV光带内的LED芯片。发光器件150包括P-N结结构、N-P结结构、P-N-P结结构、N-P-N结结构中的一种,并且具有氮化物基半导体层。发光器件150可以通过倒装结合方案被结合到第一引线框架121和第二引线框架131,或者可以通过贴片方案被结合到第一引线框架121。该结合方案可以根据芯片的电极的位置或芯片的类型而变化。发光器件封装100可以包括与第一引线框架121及第二引线框架131连接的保护装置。
在腔体115中布置有树脂构件160。树脂构件160被填充在腔体115中以保护发光器件150。树脂构件160可以包括冷光材料,并且该冷光材料包括绿色、黄色或红色冷光材料中的至少一种,但本实施例不限于此。该冷光材料可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一种:YAG、TAG、硅酸盐、氮化物、氮氧化物基材料,但本实施例不限于此。树脂构件160可以具有单层结构或多层结构。如果树脂层160包括多层结构,则树脂构件160可以具有由折射率逐渐降低的多个树脂层堆叠而成的堆叠结构。在树脂构件160上可以形成有透镜。该透镜可以具有凸形和/或凹形形状,但本实施例不限于此。
根据第一实施例,在该发光器件封装中,与第一引线框架121连接的热辐射垫124布置在主体110的第二侧表面上,而不与第一引线框架121连接的热辐射框架141布置在与主体110的第二侧表面相对的第三侧表面上,从而,利用连接到主体110的热辐射框架141和通过第一引线框架121连接的热辐射垫124,能够散发由发光器件150产生的热量。因此,能够提高该发光器件封装100的热辐射效率,从而能够提高发光器件150的可靠性。
图7是沿着图1的线C-C截取的侧剖视图。参考图1和图7,凹部113D布置成与第一引线框架121的第一电极焊盘122对应,从而该主体110的下部分中的厚度可以比第一侧表面的厚度薄。因此,能够增加通过主体110的第三侧表面113的凹部113D实现的热辐射效率。在上面的结构中已经描述了与第二电极焊盘相对的凹部以及该第二电极焊盘的详情。
同时,尽管已经描述了第一电极焊盘122和第二电极焊盘132在腔体115中被直接引出到主体110的第一侧表面的结构,但第一电极122和第二电极132可以通过另一侧表面(左/右侧表面)被引出并且朝着主体110的第二侧表面弯曲。可以在本实施例的技术范围内进行这种结构修改。
图8是示出根据第二实施例的发光器件封装的正视图,尤其是示出引线框架的示意图。下面,将仅集中于与第一实施例的差异来描述第二实施例。
参考图8,在发光器件封装100A中,第一引线框架121A和第二引线框架131A布置在腔体115中,并且在第一引线框架121A和第二引线框架131A的至少一个中布置有多个发光器件150。第一引线框架121A和第二引线框架131A在腔体115中沿着该封装的纵向方向(X轴)延伸并且在腔体115中彼此面对。
所述多个发光器件150可以彼此并联或串联连接,并且可以包括具有相同颜色或不同颜色的多个LED芯片,但本实施例不限于此。
第一引线框架121A包括沿着主体110的第二侧表面的方向延伸的第一电极焊盘122和热辐射垫124,而第二引线框架131A包括沿着主体110的第二侧表面的方向延伸的第二电极焊盘132。
热辐射框架141布置在主体110的第三侧表面处,并且布置成与热辐射垫124相对,由此散发从主体110产生的热量。
图9是示出根据第三实施例的显示装置的分解透视图,而图10是示出图9的发光模块的分解图。
参考图9和图10,显示装置200包括:发光模块170,该发光模块170具有电路板165,在该电路板165上排列有多个发光器件封装100;反射板171;导光板173;光学片175;以及显示面板177。在这样的情况下,可以将发光模块170、反射板171、导光板173以及光学片175定义为一个灯单元。该灯单元可以将这些部件容纳在其盖内,该盖例如是底座或模具框架。该盖可以包括底盖并且可以包括金属材料。
发光模块170可以布置成与导光板173的至少一个侧表面对应。例如,发光模块170可以布置在导光板173的一个侧表面、两个侧表面、或者两个相邻的两个侧表面处,但本实施例不限于此。
发光模块170包括电路板165,在该电路板165上排列有多个发光器件封装100,并且这些发光器件封装100焊接到电路板165上。电路板165上布置有第一图案162和第三图案164。第一图案162用作与第一电极焊盘122相对应的第一电极图案,并且第二图案166用作与热辐射垫124相对应的热辐射图案。第三图案164可以用作与第二电极焊盘132相对应的第二电极图案。
布置在发光器件封装100的下部处的第一电极焊盘122、热辐射垫124以及第二电极焊盘132分别连接到电路板165的第一图案162、第二图案166以及第三图案164。能够通过焊接结合方案来进行该连接,但本实施例不限于此。
发光器件封装100的发光器件150受到驱动,并且,从发光器件150发出的大部分热量通过热辐射垫124和热辐射框架141散发掉。通过电路板165的第二图案166,可以散发从热辐射框架141传递的热量。另外,通过与热辐射垫124接触的金属板或空气,可以将传递到该热辐射垫124的热量散发掉。
布置在发光器件封装100上的热辐射框架141可以直接散发热量,或者可以通过作为金属材料(例如不锈钢材料)的底座来散发热量,但本实施例不限于此。在这种情况下,该底座可以与发光器件封装100的热辐射框架141接触。通过该底座的接触,所述发光器件能够有效散发热量。
导光板173布置在发光模块170的一侧。导光板173的光入射部分布置成与发光器件封装100的腔体、即发光器件封装100的出光表面相对应。
导光板173可以包括PC材料、或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯),并且在导光板173的顶表面和/或下表面上可以形成有反射图案,但本实施例不限于此。
导光板173将从发光器件封装110入射的光朝向整个区域引导,从而该光作为表面光而照射出去。反射板171布置在导光板173下方,并且光学片175和显示面板177布置在导光板173上方。
反射板171把从导光板173泄露的光朝着显示面板177反射,并且光学片175将从导光板173入射的光以均匀的亮度分布照射到显示面板177。
在这种情况下,光学片175可以包括漫射片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片中的至少一种。该漫射片使入射光漫射。水平和竖直棱镜片将入射光集中到显示区域上。该亮度增强片重新利用损耗的光以提高亮度。在这种情况下,可以按照先漫射片再棱镜片的顺序布置这些光学片175,但本实施例不限于此。
显示面板177布置在光学片175上。显示面板177包括LCD面板,彼此面对并且包括透明材料的第一基板和第二基板、以及布置在第一基板与第二基板之间的液晶层。显示面板177的一个表面上可以附接有偏振板,但本实施例不限于此。显示面板177利用穿过光学片175的光来显示信息。
显示装置200适用于便携式电话、膝上型电脑的监视器、以及电视。另外,包括电路板和发光二极管封装的发光模块可以用在诸如车辆头灯、街灯以及指示灯等的灯单元中。
图11是示出根据第四实施例的发光模块的正视图。
参考图11,在多个发光二极管封装100上布置有吸热板190。吸热板190可以包括具有优异导热性的不锈钢材料或金属材料。吸热板190可以与布置在发光二极管封装100的顶表面上的热辐射框架141形成表面接触。吸热板190将从热辐射垫124传递的热量散发到整个区域,从而能够进一步提高热辐射效率。
在本说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的任何引用均意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中各处出现的这类短语不必都表示同一实施例。此外,当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时,认为结合这些实施例中的其它实施例来实现这种特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例,但应当理解,本领域的技术人员可以构思出许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更特别地,在本公开、附图和所附权利要求的范围内,主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说,除了组成部件和/或布置结构方面的变化和修改之外,替代用途也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件封装,包括:
主体,所述主体包括位于第一侧表面处的腔体;
第一引线框架和第二引线框架,所述第一引线框架和所述第二引线框架位于所述腔体中;
发光器件,所述发光器件连接到所述第一引线框架和所述第二引线框架;
热辐射垫,所述热辐射垫布置在所述主体的第二侧表面上;
热辐射框架,所述热辐射框架布置在所述主体的第三侧表面上;以及
第一电极焊盘和第二电极焊盘,所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘布置在所述主体的所述第二侧表面上,其中,所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘与所述热辐射垫间隔开。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述发光器件布置在所述第一引线框架上,所述第一引线框架具有比所述第二引线框架长的长度。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述热辐射垫和所述第一电极焊盘从所述第一引线框架延伸,而所述第二电极焊盘从所述第二引线框架延伸。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述热辐射框架与所述第一引线框架及所述第二引线框架电气隔离。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装,其中,所述热辐射框架和所述热辐射垫布置在所述主体的相反侧。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括至少一个凸起部,所述至少一个凸起部从所述热辐射框架的一部分突出,其中,所述至少一个凸起部插入到所述主体中。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括:
第一隔离部,所述第一隔离部在所述主体的下表面上布置在所述热辐射垫与所述第一电极焊盘之间;以及
第二隔离部,所述第二隔离部布置在所述热辐射垫与所述第二电极焊盘之间。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述热辐射垫的面积大于所述主体的所述第二侧表面的面积的40%。
9.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述热辐射框架的面积小于所述热辐射垫的面积。
10.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,所述热辐射框架的面积是所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘中的一个的面积的至少两倍。
11.根据权利要求1所述的发光器件封装,其中,布置在所述腔体中的所述第一引线框架与所述第二引线框架之间的间隔比所述热辐射垫与所述第二电极焊盘之间的间隔窄。
12.根据权利要求1所述的发光器件封装,还包括位于所述腔体中的树脂构件。
13.一种灯单元,包括:
电路板,所述电路板包括第一图案、第二图案和第三图案;以及
位于所述电路板上的多个发光器件封装,其中,每个发光器件封装均包括:
主体,所述主体包括位于第一侧表面处的腔体;
第一引线框架和第二引线框架,所述第一引线框架和所述第二引线框架位于所述腔体中;
发光器件,所述发光器件连接到所述第一引线框架和所述第二引线框架;
热辐射垫,所述热辐射垫布置在所述主体的第二侧表面上,并且连接到所述电路板的所述第二图案;
热辐射框架,所述热辐射框架位于所述主体的第三侧表面上;以及
第一电极焊盘和第二电极焊盘,所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘布置在所述主体的所述第二侧表面上,其中,所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘连接到所述电路板的所述第一图案和所述第三图案。
14.根据权利要求13所述的灯单元,其中,所述热辐射垫和所述第一电极焊盘从所述第一引线框架延伸,而所述第二电极焊盘从所述第二引线框架延伸。
15.根据权利要求13所述的灯单元,还包括热辐射板,所述热辐射板布置在所述多个发光器件封装上,其中,所述热辐射板接触所述多个发光器件封装中的每一个的所述热辐射框架。
CN201110022130.1A 2010-01-18 2011-01-18 发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元 Active CN102157504B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100004410A KR101028195B1 (ko) 2010-01-18 2010-01-18 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR10-2010-0004410 2010-01-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102157504A true CN102157504A (zh) 2011-08-17
CN102157504B CN102157504B (zh) 2014-04-30

Family

ID=43881161

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110022130.1A Active CN102157504B (zh) 2010-01-18 2011-01-18 发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9112129B2 (zh)
EP (1) EP2346104A3 (zh)
JP (1) JP5718653B2 (zh)
KR (1) KR101028195B1 (zh)
CN (1) CN102157504B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
KR101840031B1 (ko) * 2011-08-18 2018-03-20 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
KR101908656B1 (ko) * 2012-04-09 2018-10-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101977718B1 (ko) * 2012-06-18 2019-08-28 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101979723B1 (ko) * 2012-06-18 2019-09-03 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR102034227B1 (ko) * 2012-06-18 2019-10-18 엘지이노텍 주식회사 조명장치
JP6275399B2 (ja) 2012-06-18 2018-02-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
KR101977717B1 (ko) * 2012-06-18 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101977719B1 (ko) * 2012-06-18 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101977722B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101977720B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101977723B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101977721B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR101977724B1 (ko) * 2012-06-27 2019-05-13 엘지이노텍 주식회사 조명장치
KR102033928B1 (ko) 2012-09-13 2019-10-18 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 조명 시스템
JP6142695B2 (ja) * 2013-06-28 2017-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102074721B1 (ko) * 2013-09-17 2020-02-07 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 액정표시장치
JP2015103557A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP6388012B2 (ja) * 2016-09-30 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI713237B (zh) * 2018-08-01 2020-12-11 大陸商光寶光電(常州)有限公司 發光二極體封裝結構
US10810932B2 (en) * 2018-10-02 2020-10-20 Sct Ltd. Molded LED display module and method of making thererof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1898809A (zh) * 2004-09-16 2007-01-17 日立Aic株式会社 Led反射板及led器件
US20090242915A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Chien-Lin Chang Chien Semiconductor light-emitting device
US20100001308A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Alti-Electronics Co.,Ltd. Side view light emitting diode package

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29825062U1 (de) 1997-07-29 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP3743186B2 (ja) * 1998-12-15 2006-02-08 松下電工株式会社 発光ダイオード
JP2007142044A (ja) 2005-11-16 2007-06-07 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた面光源
KR101235460B1 (ko) * 2006-02-14 2013-02-20 엘지이노텍 주식회사 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법
JP2007295706A (ja) 2006-04-24 2007-11-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 電気接続箱
WO2008002068A1 (en) 2006-06-27 2008-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side view type led package
TWM312020U (en) 2006-12-04 2007-05-11 Lighthouse Technology Co Ltd Light emitting diode package structure
TW200830581A (en) 2007-01-09 2008-07-16 Bright View Electronics Co Ltd Sideway lighting device
US7993038B2 (en) * 2007-03-06 2011-08-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device
JP4976168B2 (ja) 2007-03-06 2012-07-18 豊田合成株式会社 発光装置
JP5060172B2 (ja) * 2007-05-29 2012-10-31 岩谷産業株式会社 半導体発光装置
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
US7566159B2 (en) 2007-05-31 2009-07-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Side-emitting LED package with improved heat dissipation
KR100928635B1 (ko) * 2007-08-30 2009-11-27 주식회사 루멘스 측면 발광 다이오드 패키지
CN101803046B (zh) 2007-09-21 2012-09-05 昭和电工株式会社 发光装置、显示装置以及发光装置的制造方法
JP5230192B2 (ja) * 2007-12-27 2013-07-10 豊田合成株式会社 発光装置
JP2009295948A (ja) 2008-05-02 2009-12-17 Trion:Kk Led搭載用横発光型基板、led搭載横発光型基板、横発光型モジュール、受光素子搭載用横受光型基板、受光素子搭載横受光型基板、横受光型モジュール及び横型モジュール
JP2010003743A (ja) 2008-06-18 2010-01-07 Toshiba Corp 発光装置
KR101488453B1 (ko) * 2008-06-30 2015-02-02 서울반도체 주식회사 다면 리드단자를 갖는 led 패키지 및 그의 표면실장용리드프레임 구조체

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1898809A (zh) * 2004-09-16 2007-01-17 日立Aic株式会社 Led反射板及led器件
US20090242915A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Chien-Lin Chang Chien Semiconductor light-emitting device
US20100001308A1 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 Alti-Electronics Co.,Ltd. Side view light emitting diode package

Also Published As

Publication number Publication date
KR101028195B1 (ko) 2011-04-11
US20110198658A1 (en) 2011-08-18
JP5718653B2 (ja) 2015-05-13
EP2346104A3 (en) 2014-07-23
CN102157504B (zh) 2014-04-30
US9112129B2 (en) 2015-08-18
JP2011146715A (ja) 2011-07-28
EP2346104A2 (en) 2011-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102157504B (zh) 发光二极管封装和具有发光二极管封装的灯单元
CN102201525B (zh) 发光器件封装及具有该发光器件封装的照明系统
US10541235B2 (en) Light emitting device package
CN102185089B (zh) 发光装置及照明系统
EP2551927B1 (en) Light emitting device package
CN103682036A (zh) 发光装置
EP2562830B1 (en) Light emitting device package
US8783933B2 (en) Light emitting device package, and display apparatus and lighting system having the same
JP2013115116A (ja) Ledモジュール
KR101873585B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20120045539A (ko) 발광소자 패키지
KR101873997B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20120020601A (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
KR20130113027A (ko) 백라이트 유닛
KR20170009054A (ko) 라이트 유닛 및 이를 구비한 조명 장치
KR20130118552A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
KR20110125068A (ko) 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치
KR20120103039A (ko) 발광소자 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210818

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.