CN102142431A - 集成器件和集成器件的制造方法 - Google Patents

集成器件和集成器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102142431A
CN102142431A CN2010105578039A CN201010557803A CN102142431A CN 102142431 A CN102142431 A CN 102142431A CN 2010105578039 A CN2010105578039 A CN 2010105578039A CN 201010557803 A CN201010557803 A CN 201010557803A CN 102142431 A CN102142431 A CN 102142431A
Authority
CN
China
Prior art keywords
junction surface
integrated device
substrate
forms
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010105578039A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102142431B (zh
Inventor
井出昌史
泷泽亨
依田薰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Watch Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Watch Co Ltd filed Critical Citizen Watch Co Ltd
Publication of CN102142431A publication Critical patent/CN102142431A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102142431B publication Critical patent/CN102142431B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4215—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical elements being wavelength selective optical elements, e.g. variable wavelength optical modules or wavelength lockers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/4232—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using the surface tension of fluid solder to align the elements, e.g. solder bump techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/3501—Constructional details or arrangements of non-linear optical devices, e.g. shape of non-linear crystals
    • G02F1/3505—Coatings; Housings; Supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0373—Conductors having a fine structure, e.g. providing a plurality of contact points with a structured tool
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09745—Recess in conductor, e.g. in pad or in metallic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0369—Etching selective parts of a metal substrate through part of its thickness, e.g. using etch resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明提供一种集成器件和集成器件的制造方法。其中，能够使基板上所搭载的部件在不加热的状态下高精度且简单地进行装配。集成器件中，在基板(100)上混载装配作为光学元件的LD121、波长转换元件122、和作为电气元件的驱动器IC123。光学元件和电气元件通过表面活化接合被接合在形成于基板(100)上的由金属材料构成的接合部(110、111、112)上。通过在该接合部(110、111、112)上形成有微凸起、且利用原子间的粘附力就能够在常温进行接合。

Description

集成器件和集成器件的制造方法
技术领域
本发明涉及在同一基板上搭载有光学元件和电气元件的集成器件和集成器件的制造方法。
背景技术
历来，已知有激光元件等光学元件(光素子)和IC等电气元件被混载于同一基板上的模块(例如参照下述专利文献1。)。专利文献1所述的模块是在由硅等构成的基板上装配有光学元件和控制光学元件的电气元件。在基板上形成有与光学元件进行光耦合且将光导出到外部的光波导管之模块也存在。
另外，在专利文献1所述的模块中，光学元件和电气元件相对于基板通过倒装芯片装配工艺被装配。即，在光学元件和电气元件的下面形成凸起(bump)，使该凸起与基板的电极等接触且加压加热而进行金属接合，由此进行装配。
另外还已知有一种与上述不同的技术，是将激光元件等的光学元件通过表面活化接合法相对于基板进行接合(例如参照专利文献2)。就表面活化接合法进行简单说明的话，是将覆盖物质表面的氧化膜、污染物等惰性层经等离子体处理等去除而使之活化，且使表面能高的原子彼此接触，从而利用原子间的粘附力(凝着力)以低温进行接合的方法。
【先行技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开2007-72206号公报
【专利文献2】特开2005-311298号公报
但是，在上述结构的集成器件中，为了获得高性能的集成器件而混载由不同的材料构成的功能元件时，形成有光波导管的搭载基板因热过程(履歴)造成的变形蓄积，会引起光轴偏移等，因此不能使基板上所搭载的光学元件和基板上所形成的光波导管正确地进行光耦合。特别是随着混载的光学元件和电子元件的数量增加，工序数量增加，搭载基板的因热过程造成的变形的蓄积也增多，从而不能使基板上所搭载的光学元件和基板上所形成的光波导管正确地进行光耦合。即，为了使光学元件和光波导管正确地进行光耦合，就需要将光学元件和光波导管以亚微米的精度进行定位，但这尚未实现。
如专利文献1所述，通过倒装芯片装配工艺装配有光学元件和电气元件时所存在的问题是，因为光学元件、电气元件和基板被加热，所以由于各构件的热膨胀系数不同而导致各构件彼此发生错位。
另外，在对电气元件进行倒装芯片装配后使光学元件如专利文献2所述那样进行表面活化接合时，仍存在如下问题：即由于在电气元件的装配时基板被加热，导致基板发生翘曲，给在使光学元件进行表面活化接合时的位置精度带来不利影响。
除此之外，在将电气元件通过流动方式、回流方式相对于基板进行焊接装配时，也因为电气元件和基板被加热就会发生同样的问题。如此，在现有的集成器件中，在基板上搭载光学元件、电气元件还不能提高各自的位置精度。同样，也不能使搭载于基板上的光学元件和形成于基板上的光波导管正确地进行光耦合。
发明内容
本发明为了解除上述现有技术中的问题点，其目的在于，提供一种集成器件和集成器件的制造方法，其能够将基板上所搭载的部件在不加热的状态下高精度而简单地进行装配。
为了解决上述课题，达成其目的，本发明的集成器件是在基板上装配有光学元件和电气元件的集成器件，其特征在于，所述光学元件和所述电气元件经由表面活化接合技术被接合在所述基板上所形成的且由金属材料构件的接合部。
根据上述的构成，能够使热膨胀系数互不相同的材质所构成的光学元件和所述电气元件高精度且简单地装配在同一基板上的接合部。
另外，其特征在于，所述接合部具有微凸起构造。
根据上述的构成，因为设有形成于接合部的微凸起，所以能够在光学元件和电气元件的电极以表面活化接合技术容易地接合。
另外，其特征在于，所述金属材料是Au。
根据上述的构成，微凸起是容易发生塑性变形的材质，容易接合。
另外，其特征在于，作为所述光学元件的激光元件被接合在所述接合部。
另外，其特征在于，作为所述光学元件的波长转换元件被接合在所述接合部。
另外，其特征在于，作为所述光学元件的光接收元件被接合在所述接合部。
根据上述的构成，即使是由不同的材质构成、热膨胀系数不同的元件，不论搭载的顺序，都能够彼此互不影响地搭载在同一基板上。
另外，其特征在于，所述基板是硅基板。
另外，其特征在于，在所述硅基板内，内置有集成电路。
根据上述的构成，硅基板能够经由CMOS-LSI的形成工序而平坦化，能够形成构成光互连、电路的波导。另外，能够内置电气布线、逻辑LSI和温度传感器等的集成电路。
另外，本发明的集成器件的制造方法，是在基板上装配光学元件和电气元件的集成器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在所述基板上形成由金属材料构成的接合部之接合部形成工序；将所述光学元件和所述电气元件通过表面活化接合而接合在所述接合部的接合工序。
根据上述的构成，能够将热膨胀系数互不相同的材质所构成的光学元件和前述电气元件高精度且简单地装配于同一基板的接合部。
另外，其特征在于，在所述接合部形成工序中，形成具有所述微凸起构造的所述接合部，在所述接合工序中，对所述微凸起构造接合所述光学元件和所述电气元件。
根据上述的构成，光学元件和电气元件虽然热膨胀系数互不相同，却能够不论搭载的顺序而互不影响地搭载在同一基板上。
另外，在所述接合部形成工序中，其特征在于，形成由Au构成的所述接合部。
根据上述的构成，微凸起为易于发生塑性变形的材质，容易进行接合。
另外，其特征在于，所述接合部形成工序具有如下步骤：在所述基板上形成金属膜的金属膜形成步骤；在所述金属膜上形成第一抗蚀剂的第一抗蚀剂形成步骤；将形成有所述第一抗蚀剂的金属膜进行蚀刻，形成布线图案和作为所述接合部的金属图案的第一蚀刻步骤；在所述金属图案上形成第二抗蚀剂的第二抗蚀剂形成步骤；将形成有所述第二抗蚀剂的金属图案进行半蚀刻，形成接合用微凸起的第二蚀刻步骤。
根据上述的构成，能够将基板上所需要的金属膜即布线图案和接合部、以及接合部微凸起高效率地制造。
另外，在所述接合工序中，其特征在于，将作为所述光学元件的激光元件接合于所述接合部。
另外，在所述接合工序中，其特征在于，将作为所述光学元件的波长转换元件接合于所述接合部。
另外，在所述接合工序中，其特征在于，将作为所述光学元件的光接收元件接合于所述接合部。
另外，其特征在于，作为所述基板使用硅基板。
另外，其特征在于，还具有如下工序：在所述硅基板内形成集成电路的集成电路形成工序；使形成有所述集成电路的所述硅基板平坦化的平坦化工序。
根据上述的构成，硅基板能够经由CMOS-LSI的形成工序而平坦化，能够形成构成光互连、电路的波导。另外，能够内置电气布线、逻辑LSI和温度传感器等的集成电路。
根据本发明，即使是由不同的材质构成、热膨胀系数不同的元件，也能够不论搭载的顺序，互不影响地搭载于同一基板上。由此所起到的效果是，能够高精度且简单地在基板上装配光学元件和电气元件。
附图说明
图1是表示实施方式的集成器件的立体图。
图2是表示实施方式的集成器件的俯视图。
图3是表示接合部的微凸起制造工序的一例的工序图。
图4是表示在电极上所形成的微凸起的立体图。
图5是表示基板的波导形成工序的一例的工序图。
图6是表示使用了表面活化接合的部件装配的状态的图。
图7是表示基板的波导形成工序的一例的工序图。
图8是表示接合部的微凸起制造工序的一例的工序图。
图9是表示接合处的加强的工序的工序图。
图10是表示接合处的加强状态的立体图。
图11是表示基板上所形成的波导的结构的俯视图。
【符号说明】
100基板
101(101a～101c)LD搭载区域
102(102a～102c)波长转换元件搭载区域
103驱动器IC搭载区域
104波导
105端口
110、111、112接合部
120布线图案
121激光发光元件(LD)
122波长转换元件
123驱动器IC
301Au膜
301a槽
301b微凸起
302、303、503抗蚀剂膜
501硅氧化膜
502硅氮化膜
600污染物
1001分散器(dispenser)
1002树脂嵌条(fillet)
1201  90°间距转换器
1202多波长复用器
1203(1203a～1203c)检测器
1204控制部
1210(1210a、1210b)波导型定向耦合器
具体实施方式
以下参照附图，详细地说明本发明的集成器件和集成器件的制造方法的适当的实施方式。
(实施的方式)
(集成器件的构成)
本发明的集成器件，是在硅基板(Si平板：Si flat form)上混载作为光学元件的激光发光元件(LD)、波导、LD驱动电路、光接收元件和进行电子信息处理的由Si等构成的LSI，从而实现混合型的光电集成电路。作为该硅基板，优选使用将电气布线、逻辑电路LSI和温度传感器内置进而平坦化且形成有作为光互连、回路的波导之基板。
在该Si平板上，搭载例如以微型投影机(pico projector)装置的引擎作为基本功能时，作为光学元件搭载：LD、根据需要进行光的波长转换的铌酸锂(PPLN、LiNbO3)的具有波导的波长转换元件、和进行输出纠正的PD，除此之外，作为电气元件混载LD驱动电路、图像处理用的LSO、通信用LSI等的封装部件。
于是，在通过该混载所搭载的各器件的材料不同时，通常热膨胀系数和热传导率大不相同，但是在本发明中，在基板上所形成的金属制的电极上形成微凸起、且通过表面活化接合法装配光学和电子功能元件。由此，可将各元件以与现有技术相比较低的温度(例如常温)在基板上接合，因此混载不同材料的器件时以及不论搭载的顺序，都能够防止在接合界面的剥离和裂纹的发生。
图1是表示实施方式的集成器件的立体图。在Si材质的平板状的基板100上，混载有各种部件。在该图的例子中，搭载有多个LD121、将LD121所出射的光进行波长转换的波长转换元件122、LD121和波长转换元件122的驱动器IC123。
就LD121而言，由GaAs、GaN等的材质构成，对应于光的三原色R、G、B而配置有3个LD。波长转换元件122分别配置于R、G、B的系统，转换成R、G、B的光。例如仅是R的系统，也能够不配置波长转换元件122而成为直接出射LD121的R成分的光的构成。
除此之外，在基板100上，经过既定的平坦化工序之后，形成有构成将波长转换元件122所输出的光引导至端口105的光回路的波导104。在基板100内，虽然未图示，但预先内置有CPU、存储器等CMOSLSI(集成电路)、电气布线、温度传感器等。期望的构成为，在基板100上配置驱动器IC、视频处理器、MEMS驱动器等由功率消耗而发热的部件，在基板100的内部配置逻辑元件。在该基板100的下面设置有散热用的散热片。
图2是表示实施方式的集成器件的俯视图。是从图1的构成中去除了部件的状态。在LD搭载区域101，按照对应于光的三原色R、G、B的方式形成有3个LD搭载区域101a～101c。就波长转换元件搭载区域102而言，在R、G、B系统分别形成波长转换元件搭载区域102a～102c。
在驱动器IC搭载区域103，形成有与驱动器IC的电极位置相对应的多个接合部110。该接合部110与驱动器IC的电极接合，经由布线图案120被引出到LD搭载区域101和波长转换元件搭载区域102。另外，在LD搭载区域101和波长转换元件搭载区域102，也同样形成有与LD、波长转换元件的电极位置相对应的接合部111、112。将LD、波长转换元件和驱动器IC通过常温下进行的表面活化接合法(详情后述)搭载于该LD搭载区域101、波长转换元件搭载区域102、驱动器IC搭载区域103上。
(制造工序例1-接合部的微凸起形成例)
图3是表示接合部的微凸起制造工序的一例的工序图。该图3是图2的A-A线剖面图，在基板100上设有LD搭载区域101、波长转换元件搭载区域102和布线图案120。
首先，如工序(a)所示，在经过CMOS-LSI的形成工序而被平坦化的Si基板100上，形成材质为金的Au膜301。接着在工序(b)中，在作为电极要残留的部分形成抗蚀剂膜302。该电极是指上述接合部110、111、112。在图示的例子中，相当于图2所示的接合部111、112和布线图案120。
其次，如工序(c)所示，进行蚀刻，将未由抗蚀剂膜302覆盖的部分的Au膜301去除，而形成电极。然后如工序(d)所示，在电极之中的、装配部件的接合部111、112上形成微凸起用的抗蚀剂膜303。另外，在作为布线图案120剩余的部分，将抗蚀剂膜303在Au膜301的整个面形成。
最后在工序(e)中，通过半蚀刻，在抗蚀剂膜303间的接合部111、112形成既定深度的槽301a。由此，在除掉抗蚀剂膜303之后，在接合部111、112上形成微凸起301b。还有，接合部111、112在形成微凸起301b之后，微凸起301b下部仍由Au膜301连接，因此整体上是作为电极可以导电的状态。另外，布线图案120的部分，不形成微凸起，仍是平坦的图案的状态。
上述工序(d)中的抗蚀剂膜303，例如俯视下形成为多个圆形。由此在工序(e)中，在接合部111、112上形成有多个圆形的微凸起301b。图4是表示在电极上所形成的微凸起的立体图。该微凸起301b例如能够以直径Φ8μm、高2μm的程度形成。根据上述工序，能够高效率地制造基板100上所需要的金属膜即布线图案120、和接合部111、112以及接合部111、112的微凸起301b。
(基板上的波导形成工序)
图5是表示基板的波导形成工序的一例的工序图。表示图3所示的微凸起形成后的工序。工序(a)是在图3的工序(e)之后除掉抗蚀剂膜303的状态，在接合部111、112上形成有微凸起301b。接着，如工序(b)所示，通过等离子体CVD等，在基板100的整个面上形成硅氧化膜501和硅氮化膜502。
其后，如工序(c)所示，在形成波导104之处形成抗蚀剂膜503。然后，如工序(d)所示，进行蚀刻，去除波导104部分以外的硅氧化膜501和硅氮化膜502。最后，除掉抗蚀剂膜503，由此如工序(e)所示，由硅氧化膜501和硅氮化膜502构成的波导104的设置完毕。
(关于基于表面活化接合的部件装配工序)
表面活化接合技术，是将覆盖物质表面的氧化膜、灰尘(污染物)等惰性层经等离子体处理等除掉而使之活化，且使表面能高的原子彼此接触，从而利用原子间的粘附力进行接合的技术。但是，即使在以该技术对平坦的接合面进行彼此接合时，若不施加一定程度(100～150℃)的加热，则不能进行接合。在本申请发明中，为了使接合温度更低，通过在接合面的单侧，即在上述的基板100的接合部111、112等形成由易于发生塑性变形的Au的材质构成的微凸起301b，从而可以进行常温下的接合。
在此，关于表面活化接合的原理进行说明。在装配表面(接合部111、112等)上存在氧化膜、污染物。因此，通过等离子体清洗和由离子束进行的溅射蚀刻，使接合部111、112的表面活化，使接合部111、112处于具有结合键的原子露出的活性状态。由此，只要使作为接合对象的驱动器IC和波长转换元件的电极与接合部111、112接触，就能够使之进行原子间接合。
使用上述的表面活化接合技术，能够在基板100上进行部件常温接合。根据该表面活化接合，因为是无加热接合，所以具有下述的各优点。
1.不会发生由于热膨胀系数差异的残留应力造成的部件破坏。
2.不存在针对部件的热应力，不会发生部件的功能劣化。
3.因为是无加热和固相接合，所以装配时不会发生错位。
4.不会对其他部件产生热影响。
5.因为是原子的直接接合，所以接合层不会产生经时劣化。
列举在上述的基板100上所混载的部件的构成材料的热膨胀系数的例子。热膨胀系数一般是温度的函数，为了进行简单的比较而表示室温邻域的值。
·LD121材料
GaAs：5.7×10-6/K
GaN：5.6×10-6/K
·波长转换元件122材料
LiNbO3：X、Y轴向的热膨胀率1.54×10-5-5/K
Z轴向的热膨胀率0.75×10-5-5/K
·电子信息处理用LSI、LD驱动器(驱动器IC123)和Si平板Si：4.2×10-6-6/K
图6是表示使用了表面活化接合的部件装配的状态的图。在基板100上形成有接合部111、112，在这些接合部111、112上，经上述的工序而形成有多个微凸起301b。在该状态下通过上述的表面活化接合，使LD121和波长转换元件122接合。如(a)所示，基板100的接合部111、112和作为部件的LD121、波长转换元件122的电极通过氩等离子体进行清洗，使各自的表面活化。然后，如(b)所示，使LD21的电极701位于接合部111，使波长转换元件122的电极702位于接合部112，仅通过使其彼此接触加压，就能够在常温下进行接合，可以完成部件装配。
(制造工序例2-基板上的波导路形成工序)
在该工序中，先形成波导之后再形成微凸起。图7是表示基板的波导形成工序的一例的工序图。附加与制造工序例1同样的符号进行说明。首先，如工序(a)所示，通过等离子体CVD等，在基板100的整个面形成硅氧化膜501和硅氮化膜502。
之后，如工序(b)所示，在形成波导104之处形成抗蚀剂膜503。然后，如工序(c)所示，进行蚀刻，将波导104部分以外的硅氧化膜501和硅氮化膜502去除。其后，如工序(d)所示，除掉抗蚀剂膜503，由此，由硅氧化膜501和硅氮化膜502构成的波导104的设置完毕。然后如工序(e)所示，在Si的基板100上形成Au膜301。
(接合部的微凸起形成例)
图8是表示接合部的微凸起制造工序的一例的工序图。关于在图7(e)的工序后进行的工序进行说明。首先，在工序(a)中，在作为电极要残留的部分形成抗蚀剂膜302。该电极是指上述接合部110、111、112。在图示的例子中，相当于图2所示的接合部111、112和布线图案120。
其次，如工序(b)所示，进行蚀刻，将未由抗蚀剂膜302覆盖的部分的Au膜301去除，而形成电极。这时，将硅氧化膜501和硅氮化膜502所形成的波导104保留。然后如工序(c)所示，在电极之中的、装配部件的接合部111、112上形成微凸起用的抗蚀剂膜303。另外，在作为布线图案120剩余的部分，将抗蚀剂膜303形成于Au膜301的整个面。
其后在工序(d)中，通过半蚀刻，在抗蚀剂膜303间的接合部111、112上形成既定深度的槽301a。由此，如工序(e)所示，在除掉抗蚀剂膜303之后，在接合部111、112上形成微凸起301b。还有，接合部111、112在形成微凸起301b之后，微凸起301b下部仍由Au膜301连接，因此整体上是作为电极可导电的状态。另外，布线图案120的部分，不形成微凸起，而是平坦的图案的状态。
在上述制造工序例1、2中，均说明的是在图2由A-A线剖面切断之处的基板100上形成微凸起301b的例子，因此是在LD121和波长转换元件122的接合部111、112上形成有微凸起301b的结构，但是在接合部110上、即搭载驱动器IC123的电极上也能够同样形成。
(关于接合处的加强)
经上述的表面活化接合所接合的接合部，能够通过树脂的涂布对接合状态进行加强。图9是表示接合处的加强工序的工序图。图中表示从侧面观看波长转换元件122部分的图。
如图9的工序(a)所示，使波长转换元件122的电极702位于接合部112，使彼此接合后，如工序(b)所示，通过分散器(dispenser)1001等，以波长转换元件122的电极702和基板100上的接合部112的部分为中心涂布树脂(例如UV树脂)。然后，如工序(c)所示，从波长转换元件122侧面夹住接合部112、电极702跨越其与基板100上面之间而形成树脂嵌条(fillet，フイレツト)1002。由此，能够使搭载于基板100上的波长转换元件122更强固地接合。在该图中，是对于波长转换元件122的接合加强进行说明，但如图10的立体图所示，如果是搭载于基板100上的部件，则对于上述的LD121、驱动器IC123等其他部件也能够同样地进行接合加强。
(使用波导的复用器的结构)
图11是表示在基板上所形成的波导的结构的俯视图。图11的记述为了方便而改变了图2所示的尺寸。图11中，在基板100上配置有LD121(121a～121c)、兼有90度弯曲部的90°间距转换器(pitch converter，ピツチコンバ一タ)1201(1201a～1201c)、多波长复用器1202、检测器1203(1203a、1203b)、控制部1204等。多波长复用器1202由波导型定向耦合器1210a、1210b构成。例如，LD121a使用AlInGaP(红色：R)的半导体激光器、LD121b使用InGaN(蓝色：B)的半导体激光器。另外，LD121c也可以使用直接发光型的绿色(G)的LD，但在图示的例子中，为GaAs(近红外，例如1064nm)的LD，配置波长转换元件122。
如图2所示，与LD121a～121c装配间隔相比，多波长复用器1202的波导型定向耦合器1210a、1210b的间隔非常狭窄。因此为了使LD121侧的波导的间隔距离与多波长复用器1202侧的间隔距离匹配，将兼有90度弯曲部的90°间距转换器1201(1201a～1201c)设于LD121的连接用波导和多波长复用器1202的输入之间的角部分。借助该90°间距转换器1201(1201a～1201c)而使光的行进方向改变90°。作为90°间距转换器1201，除了在内侧设有共振区域的方式以外，也能够使用不设共振区域的单纯的90°弯头型的波导。
对于多波长复用器(也称合波器)1202的合波进行说明。在波导型定向耦合器1210中，使两个波导在耦合长度的这一长度范围平行接近配置。然后，从两个输入端口入射波长不同的至少两个的多条入射波，由此对于从多个入射波之中由波长选择性选择的多条入射波进行合波，使合波后的光波从一个输出端口出射。未合波的波长的光波从余下的输出端口出射。
具体来说，如图11所示，在3个LD121所连接的3个波导之中邻接的R、B两个波导间，以耦合长度L1形成第一级的波导型定向耦合器1210a。其次，在耦合R、B的波导和余下的G的波导之间，以耦合长度L2形成第二级的波导型定向耦合器1210b。从各波导分别入射不同波长的光R、G、B。从LD121a入射的R(波长λ1)的光和从LD121b入射的B(波长λ2)的光，具有波导型定向耦合器1210a的耦合长度L1而被合波(耦合)。其后，被合波的R、B的光与G的光具有波导型定向耦合器1210b的耦合长度L2而被合波(耦合)。所合波的RGB的光从端口105输出。
另外，在图示的例子中，将为了监测蓝色(B)的光输出的检测器(PD)1203a连接于波导型定向耦合器1210a的另一方的输出端口，而将用于监测绿色(G)的光输出的检测器1203b连接在波导型定向耦合器1210b的另一方的输出端口。另外，将用于监测红色(R)光的输出的检测器1203c配置在LD121a的背光侧。
根据上述的多波长复用器1202，可成为仅仅多级连接波导型定向耦合器1210这样简单的结构，利用各级的波导型定向耦合器1210将波长不同的光波依次耦合，由此将多个入射波阶段性地合波。根据该结构，不必使用棱镜等空间光学系统的元件就能够将多个波长不同的光波进行合波，可以抑制部件个数的增加而实现小型化。
根据以上说明的集成器件，在电极上形成微凸起，使用表面活化接合法，由此在形成有作为光互连的波导的同一平坦化基板上，能够将材质不同的部件即光学元件和电气元件的全部以低温简单地搭载。
由此，根据本发明，能够抑制基板的应变，另外，即使是上述光学元件和电气元件这样的热膨胀系数的差异大的部件，也不用介意其热过程，就能够高精度地装配在同一基板上。由于能够在同一基板上混载功能不同的光学元件和电气元件，能够使该集成器件具有的功能提高，能够减少使用集成器件的装置的基板的数量，能够实现装置整体的小型化、低成本化和可靠性的提高。
另外，Si的基板100的内部还内置有其他LSI，根据这一结构，可以制造更高性能的集成器件。
【产业上的利用可能性】
如上，本发明的集成器件，对于将多种不同的部件搭载在同一基板上的情况有用，特别适用于混载材质不同、热膨胀系数不同的光学元件和电气元件等的混合型光电子集成电路，以及使用该集成器件的投影机、通信用模块、高性能照明等的装置。

Claims (17)

1.一种集成器件，其在基板上装配有光学元件和电气元件，其特征在于，
所述光学元件和所述电气元件经由表面活化接合技术被接合在所述基板上所形成的且由金属材料构件的接合部。
2.根据权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述接合部具有微凸起构造。
3.根据权利要求1或2所述的集成器件，其特征在于，所述金属材料为Au。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的集成器件，其特征在于，作为所述光学元件的激光元件被接合在所述接合部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的集成器件，其特征在于，作为所述光学元件的波长转换元件被接合在所述接合部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的集成器件，其特征在于，作为所述光学元件的光接收元件被接合在所述接合部。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的集成器件，其特征在于，所述基板是硅基板。
8.根据权利要求7所述的集成器件，其特征在于，在所述硅基板内，内置有集成电路。
9.一种集成器件的制造方法，该集成器件在基板上装配有光学元件和电气元件，其特征在于，
所述集成器件的制造方法包括如下工序：
接合部形成工序，其在所述基板上形成由金属材料构成的接合部；和
接合工序，其将所述光学元件和所述电气元件通过表面活化接合而接合在所述接合部。
10.根据权利要求9所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合部形成工序中，形成具有所述微凸起构造的所述接合部，
在所述接合工序中，对所述微凸起构造接合所述光学元件和所述电气元件。
11.根据权利要求9或10所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合部形成工序中，形成由Au构成的所述接合部。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，所述接合部形成工序具有：
在所述基板上形成金属膜的金属膜形成步骤；
在所述金属膜上形成第一抗蚀剂的第一抗蚀剂形成步骤；
将形成有所述第一抗蚀剂的金属膜进行蚀刻，形成布线图案和作为所述接合部的金属图案的第一蚀刻步骤；
在所述金属图案上形成第二抗蚀剂的第二抗蚀剂形成步骤；
将形成有所述第二抗蚀剂的金属图案进行半蚀刻，形成接合用微凸起的第二蚀刻步骤。
13.根据权利要求9～12中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合工序中，将作为所述光学元件的激光元件接合在所述接合部。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合工序中，将作为所述光学元件的波长转换元件接合在所述接合部。
15.根据权利要求9～14中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，在所述接合工序中，将作为所述光学元件的光接收元件接合在所述接合部。
16.根据权利要求9～15中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，作为所述基板使用硅基板。
17.根据权利要求9～16中任一项所述的集成器件的制造方法，其特征在于，还具有如下工序：
集成电路形成工序，其在所述硅基板内形成集成电路；
平坦化工序，其使形成有所述集成电路的所述硅基板平坦化。
CN201010557803.9A 2009-11-20 2010-11-19 集成器件和集成器件的制造方法 Active CN102142431B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-265055 2009-11-20
JP2009265055A JP2011109002A (ja) 2009-11-20 2009-11-20 集積デバイスおよび集積デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102142431A true CN102142431A (zh) 2011-08-03
CN102142431B CN102142431B (zh) 2015-11-25

Family

ID=44061898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010557803.9A Active CN102142431B (zh) 2009-11-20 2010-11-19 集成器件和集成器件的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9049806B2 (zh)
JP (1) JP2011109002A (zh)
CN (1) CN102142431B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102823000A (zh) * 2010-04-08 2012-12-12 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN103917915A (zh) * 2011-11-07 2014-07-09 西铁城控股株式会社 激光光源
CN103931063A (zh) * 2011-11-10 2014-07-16 西铁城控股株式会社 光集成设备
CN104221233A (zh) * 2012-03-26 2014-12-17 西铁城控股株式会社 激光光源装置及激光光源装置的制造方法
CN104299923A (zh) * 2013-07-18 2015-01-21 西铁城控股株式会社 接合装置以及接合方法
CN106461862A (zh) * 2014-05-09 2017-02-22 国立大学法人福井大学 合波器、使用该合波器的图像投影装置和图像投影系统
US10658545B2 (en) 2010-05-31 2020-05-19 Nichia Corporation Light emitting device in which light emitting element and light transmissive member are directly bonded

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013029826A (ja) * 2011-06-22 2013-02-07 Citizen Holdings Co Ltd 光デバイス及び光デバイスの製造方法
JP5847473B2 (ja) * 2011-07-21 2016-01-20 シチズンホールディングス株式会社 光モジュール
JP2013092758A (ja) * 2011-10-04 2013-05-16 Citizen Holdings Co Ltd 光デバイス及び光デバイスの製造方法
JP6214968B2 (ja) * 2012-08-27 2017-10-18 シチズン時計株式会社 光デバイス
JP6100503B2 (ja) * 2012-11-01 2017-03-22 日本電信電話株式会社 実装方法
WO2014084368A1 (ja) * 2012-11-29 2014-06-05 シチズンホールディングス株式会社 レーザ光源
US10408999B2 (en) 2014-05-09 2019-09-10 National University Corporation University Of Fukui Multiplexer
JP1528936S (zh) * 2015-01-14 2015-07-13
JP1528485S (zh) * 2015-01-14 2015-07-13
JP1528484S (zh) * 2015-01-14 2015-07-13
DE102015002176A1 (de) * 2015-02-24 2016-08-25 Jenoptik Laser Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Diodenlasers und Diodenlaser
JP6443426B2 (ja) * 2016-11-08 2018-12-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20200026080A1 (en) * 2017-11-28 2020-01-23 North Inc. Wavelength combiner photonic integrated circuit with edge coupling of lasers
JP2020068286A (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 富士通株式会社 光デバイス及びその製造方法
US20220336433A1 (en) * 2019-09-11 2022-10-20 Rockley Photonics Limited Siliconized heterogeneous optical engine
US11373991B2 (en) 2020-02-06 2022-06-28 Lumileds Llc Methods of manufacturing light-emitting devices with metal inlays and bottom contacts
CN116325197A (zh) * 2020-07-21 2023-06-23 亮锐有限责任公司 具有金属嵌体和顶部触点的发光器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1402030A (zh) * 2001-08-21 2003-03-12 佳能株式会社 光元件、光波导装置、它们的制造方法以及使用它们的光电混载基板
JP2007072206A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Nec Corp 電気・光混載モジュール及びその製造方法
CN101017956A (zh) * 2006-02-08 2007-08-15 中国科学院微电子研究所 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
WO2008094642A1 (en) * 2007-01-31 2008-08-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic and optical circuit integration through wafer bonding
US20080245843A1 (en) * 2004-01-22 2008-10-09 Bondtech Inc. Joining Method and Device Produced by this Method and Joining Unit

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6276695A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 カシオ計算機株式会社 回路基板の製造方法
DE19549395A1 (de) * 1995-02-07 1996-10-31 Ldt Gmbh & Co Bilderzeugungssysteme zur Bestimmung von Sehfehlern an Probanden und für deren Therapie
JP3104654B2 (ja) * 1997-10-17 2000-10-30 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板および半導体レーザモジュール
JP3458944B2 (ja) * 1999-01-06 2003-10-20 日本電信電話株式会社 ハイブリッド集積素子およびその製造方法
US6829390B2 (en) 2001-08-27 2004-12-07 Oridus, Inc. Method and apparatus for transmitting image updates employing high compression encoding
JP4036786B2 (ja) * 2003-04-24 2008-01-23 唯知 須賀 電子部品実装方法
JP2006120956A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板
US20060177173A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Sioptical, Inc. Vertical stacking of multiple integrated circuits including SOI-based optical components
EP1953814B1 (en) * 2005-11-25 2017-09-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wafer level package structure and method for manufacturing same
US7692278B2 (en) * 2006-12-20 2010-04-06 Intel Corporation Stacked-die packages with silicon vias and surface activated bonding
US7747116B2 (en) * 2007-09-05 2010-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Flexible optoelectric interconnect and method for manufacturing same
JP5181158B2 (ja) * 2007-10-24 2013-04-10 ボンドテック株式会社 接合方法およびこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1402030A (zh) * 2001-08-21 2003-03-12 佳能株式会社 光元件、光波导装置、它们的制造方法以及使用它们的光电混载基板
US20080245843A1 (en) * 2004-01-22 2008-10-09 Bondtech Inc. Joining Method and Device Produced by this Method and Joining Unit
JP2007072206A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Nec Corp 電気・光混載モジュール及びその製造方法
CN101017956A (zh) * 2006-02-08 2007-08-15 中国科学院微电子研究所 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法
WO2008094642A1 (en) * 2007-01-31 2008-08-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic and optical circuit integration through wafer bonding

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102823000A (zh) * 2010-04-08 2012-12-12 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
US9293642B2 (en) 2010-04-08 2016-03-22 Nichia Corporation Light emitting device including light emitting element and wavelength converting member with regions having irregular atomic arrangments
US9293643B2 (en) 2010-04-08 2016-03-22 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device including light emitting element and wavelength converting member
US10658545B2 (en) 2010-05-31 2020-05-19 Nichia Corporation Light emitting device in which light emitting element and light transmissive member are directly bonded
CN103917915A (zh) * 2011-11-07 2014-07-09 西铁城控股株式会社 激光光源
CN103917915B (zh) * 2011-11-07 2016-09-21 西铁城控股株式会社 激光光源
CN103931063A (zh) * 2011-11-10 2014-07-16 西铁城控股株式会社 光集成设备
CN103931063B (zh) * 2011-11-10 2017-04-19 西铁城时计株式会社 光集成设备
CN104221233A (zh) * 2012-03-26 2014-12-17 西铁城控股株式会社 激光光源装置及激光光源装置的制造方法
CN104221233B (zh) * 2012-03-26 2017-04-05 西铁城时计株式会社 激光光源装置的制造方法
CN104299923A (zh) * 2013-07-18 2015-01-21 西铁城控股株式会社 接合装置以及接合方法
CN106461862A (zh) * 2014-05-09 2017-02-22 国立大学法人福井大学 合波器、使用该合波器的图像投影装置和图像投影系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN102142431B (zh) 2015-11-25
JP2011109002A (ja) 2011-06-02
US9049806B2 (en) 2015-06-02
US20110122481A1 (en) 2011-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102142431A (zh) 集成器件和集成器件的制造方法
CN111480236A (zh) 用于高密度集成光子器件的直接键合的光电子互连件
CN111492281B (zh) 带uv窗口的无源光纤耦合器
US7523547B2 (en) Method for attaching a flexible structure to a device and a device having a flexible structure
US9631781B2 (en) Optical integrated device
US20190123231A1 (en) Optoelectronic integrated semiconductor module and method for manufacturing same
JP2009069668A (ja) 光導波路搭載基板及びその製造方法
KR100957338B1 (ko) 광섬유 엔진 제조 방법
EP2500757A1 (en) Method of manufacturing optical module
JP2007086367A (ja) 光ピン、光ピンコネクタ及び光路変換用モジュール
JPH05267559A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP5908698B2 (ja) レーザ光源およびレーザ光源の製造方法
JP3966084B2 (ja) 光素子
JP4234061B2 (ja) 光導波路デバイスの製造方法
US20200132951A1 (en) Optical device and method of manufacturing the same
US20070164297A1 (en) Optical-element integrated semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof
US7101092B2 (en) Module having a circuit carrier and an electro-optical transducer and method for producing the same
JP2003043309A (ja) 光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュール
JP2002033505A (ja) 面型受光素子、その製造方法、およびこれを用いた装置
JPH04372109A (ja) 貼り合わせ基板とその製造方法及びその基板を用いた半導体装置
JP5104039B2 (ja) 光基板の製造方法
KR20080077622A (ko) 마이크로 디바이스 패키징을 위한 캐리어 기판
JP2005019648A (ja) 光部品実装用基板およびその製造方法ならびに光モジュール
JP4321598B2 (ja) 光素子
JP2003322741A (ja) 光電子混載基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Citizen Watch Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Citizen Watch Co., Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder