JP3104654B2 - 半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板および半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板および半導体レーザモジュールInfo
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- H01S5/022—Mountings; Housings
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
用いられるアレイ型の半導体レーザモジュールに関し、
特に、半導体レーザの配列ピッチと光ファイバの配列ピ
ッチが異る半導体レーザモジュール、およびその半導体
レーザモジュールに用いられるピッチ変換基板に関す
る。
用いられるアレイ型の半導体レーザモジュールに関し、
特に、半導体レーザの配列ピッチと光ファイバの配列ピ
ッチが異る半導体レーザモジュール、およびその半導体
レーザモジュールに用いられるピッチ変換基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、アレイ型の半導体レーザモジュー
ルでは、光信号の伝送路となる複数本の光ファイバが一
定のピッチで並列に配列され、各光ファイバに与えられ
る光信号の光源としては半導体レーザが用いられる。半
導体レーザは、光ファイバの配列ピッチと等しいピッチ
で配列した、光ファイバの数と同じ数の半導体レーザ素
子を一体化して一つのチップとしたものが用いられ、こ
のチップが基板に実装されている。
ルでは、光信号の伝送路となる複数本の光ファイバが一
定のピッチで並列に配列され、各光ファイバに与えられ
る光信号の光源としては半導体レーザが用いられる。半
導体レーザは、光ファイバの配列ピッチと等しいピッチ
で配列した、光ファイバの数と同じ数の半導体レーザ素
子を一体化して一つのチップとしたものが用いられ、こ
のチップが基板に実装されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体モジュールでは、複数の半導体レーザ素
子を一体化して基板に実装しているので、実装時の熱応
力が大きい、半導体レーザ素子の発光時の放熱性が悪く
チャンネル間（半導体レーザ素子間）の熱干渉の影響が
大きい、一体化したチップの歩留まりが悪いといった問
題があった。
た従来の半導体モジュールでは、複数の半導体レーザ素
子を一体化して基板に実装しているので、実装時の熱応
力が大きい、半導体レーザ素子の発光時の放熱性が悪く
チャンネル間（半導体レーザ素子間）の熱干渉の影響が
大きい、一体化したチップの歩留まりが悪いといった問
題があった。
【０００４】特に、チップの歩留まりを考慮すると、１
つの半導体レーザ素子に不具合が生じると、他の半導体
レーザ素子が正常に機能していても、チップ全体が不良
品となってしまい、他の半導体レーザ素子が無駄になっ
てしまう。このような無駄は、チャンネル数が増大する
ほど顕著になる。従って、正常な半導体レーザ素子の無
駄をなくするためには、複数の半導体レーザ素子をチッ
プ化したものを用いるのではなく、個々の半導体レーザ
素子を光ファイバの配列ピッチに合わせて基板に実装す
ることが考えられる。しかし、アレイ型の半導体レーザ
モジュールにおける光ファイバの配列ピッチは微細であ
り、そのピッチと等しいピッチで半導体レーザ素子を基
板に実装することは非常に困難である。
つの半導体レーザ素子に不具合が生じると、他の半導体
レーザ素子が正常に機能していても、チップ全体が不良
品となってしまい、他の半導体レーザ素子が無駄になっ
てしまう。このような無駄は、チャンネル数が増大する
ほど顕著になる。従って、正常な半導体レーザ素子の無
駄をなくするためには、複数の半導体レーザ素子をチッ
プ化したものを用いるのではなく、個々の半導体レーザ
素子を光ファイバの配列ピッチに合わせて基板に実装す
ることが考えられる。しかし、アレイ型の半導体レーザ
モジュールにおける光ファイバの配列ピッチは微細であ
り、そのピッチと等しいピッチで半導体レーザ素子を基
板に実装することは非常に困難である。
【０００５】そこで本発明は、アレイ型の半導体レーザ
モジュールにおいて、半導体レーザ素子の実装時や発光
時の熱に関する問題点を抑制し、かつ、半導体レーザ素
子を有効に使用できる、半導体レーザモジュール用ピッ
チ変換基板および半導体レーザモジュールを提供するこ
とを目的とする。
モジュールにおいて、半導体レーザ素子の実装時や発光
時の熱に関する問題点を抑制し、かつ、半導体レーザ素
子を有効に使用できる、半導体レーザモジュール用ピッ
チ変換基板および半導体レーザモジュールを提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板は、
アレイ型の半導体レーザモジュールにおいて光源である
半導体レーザ素子と光ファイバとを光結合するのに用い
られるピッチ変換基板であって、半導体レーザ素子を互
いに間隔をおいて並列に配置するために、それぞれ半導
体レーザ素子が実装される複数の電極パッドを備えた光
源部と、前記電極パッドの数と同じ数の光ファイバを所
定のピッチで並列に並べて保持するための光ファイバ固
定部と、前記光源部と前記光ファイバ固定部との間に設
けられ、それぞれ前記電極パッドに実装される半導体レ
ーザ素子から発せられる光を前記光ファイバ固定部に保
持される光ファイバに伝送する複数の導波路が形成され
たピッチ変換部とを有する。
本発明の半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板は、
アレイ型の半導体レーザモジュールにおいて光源である
半導体レーザ素子と光ファイバとを光結合するのに用い
られるピッチ変換基板であって、半導体レーザ素子を互
いに間隔をおいて並列に配置するために、それぞれ半導
体レーザ素子が実装される複数の電極パッドを備えた光
源部と、前記電極パッドの数と同じ数の光ファイバを所
定のピッチで並列に並べて保持するための光ファイバ固
定部と、前記光源部と前記光ファイバ固定部との間に設
けられ、それぞれ前記電極パッドに実装される半導体レ
ーザ素子から発せられる光を前記光ファイバ固定部に保
持される光ファイバに伝送する複数の導波路が形成され
たピッチ変換部とを有する。
【０００７】また、本発明の半導体モジュールは、複数
の半導体レーザ素子が互いに間隔をおいて並列に配列さ
れた光源部と、前記半導体レーザの数と同じ数の光ファ
イバが所定のピッチで並列に配列されて固定された光フ
ァイバ固定部と、前記半導体レーザ素子から発せられた
光を前記光ファイバに伝送する複数の導波路が形成され
たピッチ変換部とを有する。さらに、上記光源部、光フ
ァイバ固定部およびピッチ変換部は同一の基板上に構成
されている。
の半導体レーザ素子が互いに間隔をおいて並列に配列さ
れた光源部と、前記半導体レーザの数と同じ数の光ファ
イバが所定のピッチで並列に配列されて固定された光フ
ァイバ固定部と、前記半導体レーザ素子から発せられた
光を前記光ファイバに伝送する複数の導波路が形成され
たピッチ変換部とを有する。さらに、上記光源部、光フ
ァイバ固定部およびピッチ変換部は同一の基板上に構成
されている。
【０００８】上記のとおり構成された本発明では、光源
部に設けられた半導体レーザ素子から発せられた光は、
ピッチ変換部の導波路を通って光ファイバへと導かれる
ので、光ファイバの配列ピッチにかかわらず、光源部で
の半導体レーザ素子の配列を任意のピッチとすることが
できる。その結果、光源部には、各半導体レーザ素子を
互いに間隔をおいて配置できるので、半導体レーザ素子
の発光時の放熱性が向上する。しかも、半導体レーザ素
子を一つずつ実装することができるようになるので、半
導体レーザ素子の実装時に加えられる熱も少なくてすむ
し、各半導体レーザ素子のうちの幾つかに不具合が生じ
ても、その半導体レーザ素子の交換で対処でき、他の半
導体レーザ素子はそのまま利用可能である。
部に設けられた半導体レーザ素子から発せられた光は、
ピッチ変換部の導波路を通って光ファイバへと導かれる
ので、光ファイバの配列ピッチにかかわらず、光源部で
の半導体レーザ素子の配列を任意のピッチとすることが
できる。その結果、光源部には、各半導体レーザ素子を
互いに間隔をおいて配置できるので、半導体レーザ素子
の発光時の放熱性が向上する。しかも、半導体レーザ素
子を一つずつ実装することができるようになるので、半
導体レーザ素子の実装時に加えられる熱も少なくてすむ
し、各半導体レーザ素子のうちの幾つかに不具合が生じ
ても、その半導体レーザ素子の交換で対処でき、他の半
導体レーザ素子はそのまま利用可能である。
【０００９】特に、光ファイバ固定部に、各光ファイバ
の配列ピッチと等しいピッチで複数のＶ溝を形成するこ
とで、導波路と光ファイバの光軸の位置決めが容易に行
えるようになる。さらに、Ｖ溝への光ファイバの固定を
接着剤で行う場合には、光ファイバ固定部とピッチ変換
部との間に両者を隔てる溝を形成することで、接着剤が
Ｖ溝から溢れても、溢れた接着剤は光ファイバ固定部と
ピッチ変換部とを隔てる溝に流れるので、接着剤が光フ
ァイバや導波路の端面に付着することはなくなる。
の配列ピッチと等しいピッチで複数のＶ溝を形成するこ
とで、導波路と光ファイバの光軸の位置決めが容易に行
えるようになる。さらに、Ｖ溝への光ファイバの固定を
接着剤で行う場合には、光ファイバ固定部とピッチ変換
部との間に両者を隔てる溝を形成することで、接着剤が
Ｖ溝から溢れても、溢れた接着剤は光ファイバ固定部と
ピッチ変換部とを隔てる溝に流れるので、接着剤が光フ
ァイバや導波路の端面に付着することはなくなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】図１は、本発明のピッチ変換基板の一実施
形態の斜視図である。このピッチ変換基板は、アレイ型
の半導体レーザモジュールにおいて光源である半導体レ
ーザ素子と光ファイバとをの光結合のために用いられる
もので、図１に示すように、複数本の導波路２１が形成
されたピッチ変換部２０を中央部に有し、このピッチ変
換部２０を挟んで、一端側が、後述するアレイファイバ
の５１光ファイバ５２（図３参照）が固定される光ファ
イバ固定部３０となり、他端側が、後述する半導体レー
ザ素子５３(図３参照）が実装される光源部１０となる
１枚の基板で構成される。本実施形態では、ピッチ変換
基板の１大きさは、長さが１０ｍｍ、幅が４ｍｍ、高さ
が０．４５ｍｍとした。
形態の斜視図である。このピッチ変換基板は、アレイ型
の半導体レーザモジュールにおいて光源である半導体レ
ーザ素子と光ファイバとをの光結合のために用いられる
もので、図１に示すように、複数本の導波路２１が形成
されたピッチ変換部２０を中央部に有し、このピッチ変
換部２０を挟んで、一端側が、後述するアレイファイバ
の５１光ファイバ５２（図３参照）が固定される光ファ
イバ固定部３０となり、他端側が、後述する半導体レー
ザ素子５３(図３参照）が実装される光源部１０となる
１枚の基板で構成される。本実施形態では、ピッチ変換
基板の１大きさは、長さが１０ｍｍ、幅が４ｍｍ、高さ
が０．４５ｍｍとした。
【００１２】各導波路２１は並列に配列されており、入
力端における配列ピッチが出力端における配列ピッチよ
りも大きくなるように形成される。なお、導波路２１の
出力側の配列ピッチは、このピッチ変換基板１に接続さ
れるアレイファイバ５１の各光ファイバ５２の配列ピッ
チと等しい。通常のアレイファイバ５１では光ファイバ
５２の配列ピッチは２５０μｍであるので、本実施形態
では、導波路２１は、出力端での配列ピッチが２５０μ
ｍ、入力端での配列ピッチが５００μｍとなるように形
成した。
力端における配列ピッチが出力端における配列ピッチよ
りも大きくなるように形成される。なお、導波路２１の
出力側の配列ピッチは、このピッチ変換基板１に接続さ
れるアレイファイバ５１の各光ファイバ５２の配列ピッ
チと等しい。通常のアレイファイバ５１では光ファイバ
５２の配列ピッチは２５０μｍであるので、本実施形態
では、導波路２１は、出力端での配列ピッチが２５０μ
ｍ、入力端での配列ピッチが５００μｍとなるように形
成した。
【００１３】導波路２１としては、石英系導波路が代表
的な例として挙げられる。石英系導波路の断面構成につ
いて、図２を参照して説明する。ＳｉまたはＩｎＰから
なるベース部２５上には、ＰＳＧ（リンをドープした石
英ガラス）からなる下部クラッド層２６が形成され、そ
の上に、ＰＳＧにＧｅを加えたＧＰＳＧからなるコア層
２７が、導波路２１の形状にパターニングされて形成さ
れる。さらに、コア層２７が形成された下部クラッド層
２６上に、下部クラッド層２６と同じ組成からなる上部
クラッド層２８が形成され、これによりコア層２７が覆
われる。光信号は、このコア層２７を通って伝送され
る。
的な例として挙げられる。石英系導波路の断面構成につ
いて、図２を参照して説明する。ＳｉまたはＩｎＰから
なるベース部２５上には、ＰＳＧ（リンをドープした石
英ガラス）からなる下部クラッド層２６が形成され、そ
の上に、ＰＳＧにＧｅを加えたＧＰＳＧからなるコア層
２７が、導波路２１の形状にパターニングされて形成さ
れる。さらに、コア層２７が形成された下部クラッド層
２６上に、下部クラッド層２６と同じ組成からなる上部
クラッド層２８が形成され、これによりコア層２７が覆
われる。光信号は、このコア層２７を通って伝送され
る。
【００１４】また、図１に示したように、ピッチ変換部
２０と光ファイバ固定部３０との間には、ピッチ変換基
板１を幅方向に横切る矩形状の溝３５が形成され、光源
部１０ではピッチ変換基板１の高さがピッチ変換部２０
の高さよりも低くなっている。これにより、各導波路２
１の入力端および出力端ではコア層２７(図２参照）が
露出している。
２０と光ファイバ固定部３０との間には、ピッチ変換基
板１を幅方向に横切る矩形状の溝３５が形成され、光源
部１０ではピッチ変換基板１の高さがピッチ変換部２０
の高さよりも低くなっている。これにより、各導波路２
１の入力端および出力端ではコア層２７(図２参照）が
露出している。
【００１５】光ファイバ固定部３０では、溝３５の側壁
からピッチ変換基板１の一端にかけて、光ファイバ５２
(図３参照）を位置決め固定するための複数本のＶ溝３
１が形成されている。Ｖ溝３１の数は導波路２１の数と
等しく、各Ｖ溝３１は、それぞれ導波路２１と対向する
位置に形成される。Ｖ溝３１の深さは、Ｖ溝３１に光フ
ァイバ５２が保持されたとき、光ファイバ５２の光軸が
導波路２１のコア層２７（図２参照）の光軸と一致する
ように設計される。
からピッチ変換基板１の一端にかけて、光ファイバ５２
(図３参照）を位置決め固定するための複数本のＶ溝３
１が形成されている。Ｖ溝３１の数は導波路２１の数と
等しく、各Ｖ溝３１は、それぞれ導波路２１と対向する
位置に形成される。Ｖ溝３１の深さは、Ｖ溝３１に光フ
ァイバ５２が保持されたとき、光ファイバ５２の光軸が
導波路２１のコア層２７（図２参照）の光軸と一致する
ように設計される。
【００１６】一方、光源部１０には、それぞれ半導体レ
ーザ素子５３（図３参照）を実装するための複数の実装
用パッド１１が設けられている。実装用パッド１１の数
は導波路２１の数と等しく、各実装用パッド１１はそれ
ぞれ導波路２１と対応する位置に、導波路２１の入力端
での配列ピッチと等しいピッチで配置される。実装用パ
ッド１１から導波路２１のコア層２７までの高さは、実
装用パッド１１に半導体レーザ素子５３が実装されたと
き、半導体レーザ素子５３から出射するレーザ光がコア
層２７に入射するように設計される。
ーザ素子５３（図３参照）を実装するための複数の実装
用パッド１１が設けられている。実装用パッド１１の数
は導波路２１の数と等しく、各実装用パッド１１はそれ
ぞれ導波路２１と対応する位置に、導波路２１の入力端
での配列ピッチと等しいピッチで配置される。実装用パ
ッド１１から導波路２１のコア層２７までの高さは、実
装用パッド１１に半導体レーザ素子５３が実装されたと
き、半導体レーザ素子５３から出射するレーザ光がコア
層２７に入射するように設計される。
【００１７】また、光源部１０には、各実装用パッド１
１とそれぞれ電気的に接続される複数の配線用パッド１
２が設けられる。各配線用パッド１２には、それぞれ実
装用パッド１１に実装される半導体レーザ素子５３を駆
動する駆動源（不図示）が電気的に接続される。
１とそれぞれ電気的に接続される複数の配線用パッド１
２が設けられる。各配線用パッド１２には、それぞれ実
装用パッド１１に実装される半導体レーザ素子５３を駆
動する駆動源（不図示）が電気的に接続される。
【００１８】上記のとおり構成されたピッチ変換基板１
は、図３に示すように、光源部１０の各実装用パッド１
１にそれぞれ半導体レーザ素子５３が実装され、光ファ
イバ固定部３０にアレイファイバ５１が固定されて、半
導体レーザモジュール５０となる。アレイファイバ５１
は、複数本の光ファイバ５２を所定のピッチで配列に保
持したもので、各光ファイバ５２が、それぞれＶ溝３１
に位置決め固定される。これにより、各光ファイバ５２
と各導波路２１との光軸の位置合わせを容易に行うこと
ができ、半導体レーザ素子５３が発光すると、その光は
ピッチ変換部２０の導波路２１を通って、対応する光フ
ァイバ５２に入射される。
は、図３に示すように、光源部１０の各実装用パッド１
１にそれぞれ半導体レーザ素子５３が実装され、光ファ
イバ固定部３０にアレイファイバ５１が固定されて、半
導体レーザモジュール５０となる。アレイファイバ５１
は、複数本の光ファイバ５２を所定のピッチで配列に保
持したもので、各光ファイバ５２が、それぞれＶ溝３１
に位置決め固定される。これにより、各光ファイバ５２
と各導波路２１との光軸の位置合わせを容易に行うこと
ができ、半導体レーザ素子５３が発光すると、その光は
ピッチ変換部２０の導波路２１を通って、対応する光フ
ァイバ５２に入射される。
【００１９】実装用パッドへ１１の半導体レーザ素子５
３の実装は、パッシブアライメント実装により行われ
る。また、Ｖ溝３１への光ファイバ５２の固定は、接着
剤により行われる。光ファイバ５２をＶ溝３１に接着剤
で固定する際、接着剤がＶ溝３１から溢れた場合でも、
光ファイバ固定部３０とピッチ変換部２０とは溝３５に
よって仕切られているので、溢れた接着剤は溝３５の中
に溜まり、光ファイバ５２の端面や導波路２１の出力端
に付着することはない。その結果、導波路と光ファイバ
との間での光信号の伝送が接着剤によって妨げられるこ
とがなくなる。
３の実装は、パッシブアライメント実装により行われ
る。また、Ｖ溝３１への光ファイバ５２の固定は、接着
剤により行われる。光ファイバ５２をＶ溝３１に接着剤
で固定する際、接着剤がＶ溝３１から溢れた場合でも、
光ファイバ固定部３０とピッチ変換部２０とは溝３５に
よって仕切られているので、溢れた接着剤は溝３５の中
に溜まり、光ファイバ５２の端面や導波路２１の出力端
に付着することはない。その結果、導波路と光ファイバ
との間での光信号の伝送が接着剤によって妨げられるこ
とがなくなる。
【００２０】以上説明したように、半導体レーザ素子５
３からの光を、導波路２１を介して光ファイバ５２に導
くことで、アレイファイバ５１での光ファイバ５２の配
列ピッチにかかわらず、その光源となる半導体レーザ素
子５３の配列ピッチを任意に設定することができる。そ
の結果、半導体レーザ素子５３の配列ピッチを大きくす
ることができ、複数の半導体レーザ素子５３を、互いに
間隔をおいて、しかも、１つずつ基板５に実装すること
ができるようになる。
３からの光を、導波路２１を介して光ファイバ５２に導
くことで、アレイファイバ５１での光ファイバ５２の配
列ピッチにかかわらず、その光源となる半導体レーザ素
子５３の配列ピッチを任意に設定することができる。そ
の結果、半導体レーザ素子５３の配列ピッチを大きくす
ることができ、複数の半導体レーザ素子５３を、互いに
間隔をおいて、しかも、１つずつ基板５に実装すること
ができるようになる。
【００２１】このように、半導体レーザ素子５３を１つ
ずつ基板に実装することで、従来に比べ、基板への実装
時に加わる熱量が小さくてすむので、半導体レーザ素子
５３の実装時の熱応力の影響を低く抑えることができ
る。さらに、各半導体レーザ素子５３は互いに間隔をお
いて実装されるので、半導体レーザ素子５３の発光時に
生じる熱の放熱性を向上させることができる。
ずつ基板に実装することで、従来に比べ、基板への実装
時に加わる熱量が小さくてすむので、半導体レーザ素子
５３の実装時の熱応力の影響を低く抑えることができ
る。さらに、各半導体レーザ素子５３は互いに間隔をお
いて実装されるので、半導体レーザ素子５３の発光時に
生じる熱の放熱性を向上させることができる。
【００２２】また、半導体レーザ素子５３を１つずつ実
装できることにより、１つの半導体レーザ素子５３の不
具合が他の半導体レーザ素子５３に影響を与えなくな
る。つまり、実装用パッド１１に実装された半導体レー
ザ素子５３のうちの幾つかに不具合が生じた場合には、
その不具合が生じた半導体レーザ素子５３を交換すれ
ば、残りの正常な半導体レーザ素子５３をそのまま使用
することができ、半導体レーザ素子５３の無駄がなくな
る。
装できることにより、１つの半導体レーザ素子５３の不
具合が他の半導体レーザ素子５３に影響を与えなくな
る。つまり、実装用パッド１１に実装された半導体レー
ザ素子５３のうちの幾つかに不具合が生じた場合には、
その不具合が生じた半導体レーザ素子５３を交換すれ
ば、残りの正常な半導体レーザ素子５３をそのまま使用
することができ、半導体レーザ素子５３の無駄がなくな
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、導波路を
介して半導体レーザ素子と光ファイバとを光結合してい
るので、光ファイバの配列ピッチにかかわらず、半導体
レーザ素子の配置を任意に設定することができる。その
結果、各半導体レーザ素子を互いに間隔をおいて配置す
ることができ、半導体レーザ素子の発光時に生じる熱の
放熱性を向上させることができる。また、各半導体レー
ザ素子を一つずつ実装できるため、半導体レーザ素子の
実装時の熱応力の影響を低く抑えることができるように
なるとともに、半導体レーザ素子に不具合が生じても、
他の半導体レーザ素子はそのままで、その不具合が生じ
た半導体レーザ素子への処置だけで対応することができ
る。
介して半導体レーザ素子と光ファイバとを光結合してい
るので、光ファイバの配列ピッチにかかわらず、半導体
レーザ素子の配置を任意に設定することができる。その
結果、各半導体レーザ素子を互いに間隔をおいて配置す
ることができ、半導体レーザ素子の発光時に生じる熱の
放熱性を向上させることができる。また、各半導体レー
ザ素子を一つずつ実装できるため、半導体レーザ素子の
実装時の熱応力の影響を低く抑えることができるように
なるとともに、半導体レーザ素子に不具合が生じても、
他の半導体レーザ素子はそのままで、その不具合が生じ
た半導体レーザ素子への処置だけで対応することができ
る。
【００２４】特に、光ファイバ固定部に、各光ファイバ
の配列ピッチと等しいピッチで複数のＶ溝を形成するこ
とで、導波路と光ファイバの光軸の位置決めを容易に行
うことができる。さらに、Ｖ溝への光ファイバの固定を
接着剤で行う場合には、光ファイバ固定部とピッチ変換
部との間に両者を隔てる溝を形成することで、導波路や
光ファイバの端面に接着剤が付着するのを防止すること
ができる。
の配列ピッチと等しいピッチで複数のＶ溝を形成するこ
とで、導波路と光ファイバの光軸の位置決めを容易に行
うことができる。さらに、Ｖ溝への光ファイバの固定を
接着剤で行う場合には、光ファイバ固定部とピッチ変換
部との間に両者を隔てる溝を形成することで、導波路や
光ファイバの端面に接着剤が付着するのを防止すること
ができる。
【図１】本発明のピッチ変換用光回路の一実施形態の斜
視図である。
視図である。
【図２】図１に示したピッチ変換用光回路のピッチ変換
部での横断面図である。
部での横断面図である。
【図３】図１に示したピッチ変換用光回路にアレイファ
イバおよび半導体レーザ素子を搭載して半導体レーザモ
ジュールとした斜視図である。
イバおよび半導体レーザ素子を搭載して半導体レーザモ
ジュールとした斜視図である。
１ ピッチ変換基板 １０ 光源部 １１ 実装用パッド １２ 配線用パッド ２０ ピッチ変換部 ２１ 導波路 ２５ ベース部 ２６ 下部クラッド層 ２７ コア層 ２８ 上部クラッド層 ３０ 光ファイバ固定部 ３１ Ｖ溝 ３５ 溝 ５０ 半導体レーザモジュール ５１ アレイファイバ ５２ 光ファイバ ５３ 半導体レーザ素子
Claims (6)
- 【請求項１】 アレイ型の半導体レーザモジュールにお
いて光源である半導体レーザ素子と光ファイバとを光結
合するのに用いられるピッチ変換基板であって、 半導体レーザ素子を互いに間隔をおいて並列に配置する
ために、それぞれ半導体レーザ素子が実装される複数の
電極パッドを備えた光源部と、 前記電極パッドの数と同じ数の光ファイバを所定のピッ
チで並列に並べて保持するための光ファイバ固定部と、 前記光源部と前記光ファイバ固定部との間に設けられ、
それぞれ前記電極パッドに実装される半導体レーザ素子
から発せられる光を前記光ファイバ固定部に保持される
光ファイバに伝送する複数の導波路が形成されたピッチ
変換部とを有する、半導体レーザモジュール用ピッチ変
換基板。 - 【請求項２】 前記光ファイバ固定部には、各光ファイ
バの配列ピッチと等しいピッチで複数本のＶ溝が形成さ
れ、これら各溝にそれぞれ光ファイバが固定される請求
項１に記載の半導体レーザモジュール用ピッチ変換基
板。 - 【請求項３】 前記ピッチ変換部と前記光ファイバ固定
部との間には前記ピッチ変換部と前記光ファイバ固定部
とを隔てるための溝が形成され、光ファイバは前記Ｖ溝
に接着剤で固定される請求項２に記載の半導体レーザモ
ジュール用ピッチ変換基板。 - 【請求項４】 複数の半導体レーザ素子が互いに間隔を
おいて並列に配列された光源部と、 前記半導体レーザの数と同じ数の光ファイバが所定のピ
ッチで並列に配列されて固定された光ファイバ固定部
と、 前記半導体レーザ素子から発せられた光を前記光ファイ
バに伝送する複数の導波路が形成されたピッチ変換部と
を有し、 前記光源部、前記光ファイバ固定部および前記ピッチ変
換部は同一の基板上に構成されている 半導体レーザモジ
ュール。 - 【請求項５】 前記基板の光ファイバ固定部には、前記
各光ファイバの配列ピッチと等しいピッチで複数本の溝
が形成され、これら各溝にそれぞれ前記光ファイバが固
定されている請求項４に記載の半導体レーザモジュー
ル。 - 【請求項６】 前記基板の、前記ピッチ変換部と前記光
ファイバ固定部との間には前記ピッチ変換部と前記光フ
ァイバ固定部とを隔てるための溝が形成され、前記光フ
ァイバは前記Ｖ溝に接着剤で固定される請求項５に記載
の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09285682A JP3104654B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板および半導体レーザモジュール |
| EP98119632A EP0909968A1 (en) | 1997-10-17 | 1998-10-16 | Pitch-converting substrate used in semiconductor lasermodule and semiconductor lasermodule |
| US09/174,308 US6141366A (en) | 1997-10-17 | 1998-10-19 | Pitch-converting substrate used in semiconductor lasermodule and semiconductor lasermodule |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09285682A JP3104654B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板および半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119066A JPH11119066A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3104654B2 true JP3104654B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=17694691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09285682A Expired - Fee Related JP3104654B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 半導体レーザモジュール用ピッチ変換基板および半導体レーザモジュール |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6141366A (ja) |
| EP (1) | EP0909968A1 (ja) |
| JP (1) | JP3104654B2 (ja) |
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| WO2004104666A1 (ja) | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光学素子、光伝送ユニット及び光伝送システム |
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| US6975784B1 (en) * | 2004-09-10 | 2005-12-13 | Intel Corporation | Singulated dies in a parallel optics module |
| JP2007027398A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学部品実装用サブマウント、及び光送受信モジュール |
| JP5185895B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-04-17 | パナソニック株式会社 | 光電変換サブマウント基板及びその製造方法 |
| JP2011109002A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Citizen Holdings Co Ltd | 集積デバイスおよび集積デバイスの製造方法 |
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| AU2013202788B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-10-01 | Gen-Probe Incorporated | Indexing signal detection module |
| WO2018022319A1 (en) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Corning Optical Communications LLC | Waveguide connector elements and optical assemblies incorporating the same |
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| JPH02135306A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザダイオードモジュール |
| JPH06102437A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-15 | Fujitsu Ltd | 光連結部材及びこれを用いた多チャンネルアレイモジュール |
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| JPH08274354A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ２次元アレイ型光素子モジュール |
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-
1997
- 1997-10-17 JP JP09285682A patent/JP3104654B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-16 EP EP98119632A patent/EP0909968A1/en not_active Withdrawn
- 1998-10-19 US US09/174,308 patent/US6141366A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6141366A (en) | 2000-10-31 |
| JPH11119066A (ja) | 1999-04-30 |
| EP0909968A1 (en) | 1999-04-21 |
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