CN102130230A - 发光二极管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上外延N型GaN薄膜;步骤2:在N型GaN薄膜上沉积掩膜;步骤3:通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜上制备SiO2网格,形成基片;步骤4:对基片进行清洗;步骤5:将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层;步骤6:腐蚀去掉SiO2网格;步骤7:在P型GaN层上形成ITO层;步骤8:在ITO层上形成P电极;步骤9:在N型GaN层上形成N电极,完成器件的制备。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管(LED)的制备方法,尤其是涉及一种高效LED的制备方法。
背景技术
LED作为照明光源具有节能(当LED的效率达到150lm/W时,同等亮度下能耗约为白炽灯的1/10)、长寿命(约10万小时)、体积小、低电压、易控制、环保等优点。LED光源的这些优点,将引发照明产业技术和应用的革命,如同半导体晶体管替代电子管一样,在若干年后,LED作为新光源的固态照明灯,将有机会逐渐取代传统的照明灯而进入每一个角落。
目前LED芯片制备工艺包括:通过等离子体干法刻蚀形成台面,在P型GaN上形成ITO层,在ITO层上制备P电极,在N型GaN上制备N电极,其中在通过等离子体干法刻蚀形成台面的过程中,等离子体会严重的损伤器件的有源区,从而降低LED的发光效率。本发明提出了一种LED的制备方法,在形成器件台面结构时,无需采用等离子体刻蚀工艺,从而避免了等离子体刻蚀对发光区的损伤,有利于制备出高效的LED。
发明内容
本发明的目的在于,提出了一种LED的制备方法,在形成器件台面结构时,无需采用等离子体刻蚀工艺,从而避免了等离子体刻蚀对发光区的损伤,有利于制备出高效的LED。
本发明提供一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底上外延N型GaN薄膜;
步骤2:在N型GaN薄膜上沉积掩膜;
步骤3:通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜上制备SiO2网格,形成基片;
步骤4:对基片进行清洗;
步骤5:将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层;
步骤6:腐蚀去掉SiO2网格;
步骤7:在P型GaN层上形成ITO层;
步骤8:在ITO层上形成P电极;
步骤9:在N型GaN层上形成N电极,完成器件的制备。
其中该制备方法适用于各种波长的LED的制备。
其中衬底的材料是Si、蓝宝石、SiC或AlN。
其中掩膜的材料为SiO2或SiN。
其中在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层的厚度小于掩膜的厚度。
附图说明
为进一步说明本发明的技术特征,结合以下附图,对本发明作一详细的描述,其中:
图1为本发明实施例的一种蓝光LED的制备流程示意图。
具体实施方式
请参阅图1(a)至图1(e)所示,本发明提供一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底10上外延N型GaN薄膜20,所述的衬底10的材料是Si、蓝宝石、SiC或AlN,如图1(a)所示。
步骤2:在N型GaN薄膜20上沉积掩膜30,所述的掩膜30的材料为SiO2或SiN,如图1(b)所示。
步骤3:通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜30上制备SiO2网格,形成基片,如图1(c)所示。
步骤4:对基片进行清洗;
步骤5:将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层31、量子阱层32、AlGaN电子阻挡层33和P型GaN层34,如图1(d)所示。
其中所述的在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层31、量子阱层32、AlGaN电子阻挡层33和P型GaN层34的厚度小于掩膜30的厚度;
步骤6:腐蚀去掉SiO2网格;如图1(e)所示。
步骤7:在P型GaN层34上形成ITO层;
步骤8:在ITO层上形成P电极;
步骤9:在N型GaN层20上形成N电极,完成器件的制备。
其中所述的该制备方法适用于各种波长的LED的制备。
本发明最大的特点是:提出了一种LED的制备方法,在形成器件台面结构时,无需采用等离子体刻蚀工艺,从而避免了等离子体刻蚀对发光区的损伤,有利于制备出高效的LED。
以上所述,仅为本发明中的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内,可轻易想到的变换或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种发光二极管的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底上外延N型GaN薄膜;
步骤2:在N型GaN薄膜上沉积掩膜;
步骤3:通过刻蚀或腐蚀工艺,在掩膜上制备SiO2网格,形成基片;
步骤4:对基片进行清洗;
步骤5:将清洗后的基片放入MOCVD设备,在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层;
步骤6:腐蚀去掉SiO2网格;
步骤7:在P型GaN层上形成ITO层;
步骤8:在ITO层上形成P电极;
步骤9:在N型GaN层上形成N电极,完成器件的制备。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法,其中该制备方法适用于各种波长的LED的制备。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法,其中衬底的材料是Si、蓝宝石、SiC或AlN。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法,其中掩膜的材料为SiO2或SiN。
5.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法,其中在SiO2网格内依次外延生长N型GaN层、量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层的厚度小于掩膜的厚度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 201010610360 CN102130230A (zh) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 发光二极管的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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CN 201010610360 CN102130230A (zh) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 发光二极管的制备方法 |
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CN102130230A true CN102130230A (zh) | 2011-07-20 |
Family
ID=44268204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 201010610360 Pending CN102130230A (zh) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 发光二极管的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102130230A (zh) |
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