CN104733584A - 一种多出光面、高光亮度、三维立体led半导体芯片 - Google Patents
一种多出光面、高光亮度、三维立体led半导体芯片 Download PDFInfo
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Abstract
一种半导体照明器件,具有独特三维结构,能够提供大的发光面、高亮度和高出光率的LED芯片。通过向下刻蚀半导体硅,外延生长后为独特三维立体结构(半球形)的LED芯片,大大增加了发光面积,提高了照明亮度;电镀了铜基底及银反射层,增强了散热并加大了出光率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体照明器件(LED),具有多出光面、高光亮度、独特三维立体结构,能够实现高出光率的LED芯片。
背景技术
目前,LED外延芯片的生产工艺基本采用蓝宝石(Al2O3)或碳化硅(SiC)衬底材料,晶圆尺寸为2英寸或4英寸(2"/4"),应用金属有机化合物化学气相沉淀(简称“MOCVD”)的方式,以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延生长,平面逐层生成GaN和InGaN量子阱,最终形成LED外延芯片。GaN基LED芯片按结构不同基本分为三种:正装结构、倒装结构和垂直结构。正装和倒装结构散热效果差,垂直结构则需要激光剥离蓝宝石衬底,但目前使用的剥离技术控制困难,难以获得较高的良品率,导致成本增加,并且大尺寸的蓝宝石衬底价格高,数量少,不利于器件的长久发展;SiC同样存在硬度高且成本昂贵等缺陷。最重要的是传统LED芯片受平面结构限制,发光面积单一,光效低,这大大限制了芯片未来的发展,不利于降低生产成本。
发明内容
传统LED芯片发光面积小,光效低和散热效果不佳,并且目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术,美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术,为突破这几个发展瓶颈,我司研发的多出光面、高光亮度、独特三维立体结构LED芯片采用了大尺寸半导体硅(8英寸)作为衬底材料,不再依赖传统的蓝宝石(Al2O3)或碳化硅(SiC)衬底材料,生产出具有立体架构的三维芯片(“半球形”),大大增加了芯片的发光面积和照明能力,提高了原材料的利用率,让照明灯具设计人员减少所需的LED器件数目,优化了灯具内部结构,降低了生产成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:多出光面、高光亮度、独特三维立体结构LED芯片采用了半导体硅(Si)作为衬底材料,向下刻蚀半导体硅,以金属有机化合物化学气相沉淀(简称“MOCVD”)的方式,外延材料逐层生长,生产出具有立体架构的三维芯片(“半球形”),大大增加了芯片的发光面积和照明能力,通过采用铜合金基底及银反光层,优化工艺,进一步提升芯片的出光率和散热性能。
本发明的有益效果是:
(1)创新的多出光面、高光亮度、独特三维立体结构LED芯片(半球形),发光面积相比传统芯片增加近一倍,提高了照明亮度,减少了在照明设计中使用的半导体器件,降低了生产照明产品的成本,优化了照明产品的内部结构。
(2)生产过程中采用大尺寸硅衬底(8英寸),提高原材料的利用率,取消了对传统衬底的依赖,采用成熟的湿法腐蚀方法去除,简单易行,成本低。
(3)采用铜基底,加强了LED的散热性能,有效的降低了LED芯片工作时的结温,延长了使用寿命;铜基底上的反光层可以使向下照射的光线,经过银反光层反射到芯片上表面,增加了出光率。
(4)器件封装工艺简单,芯片为上下电极,单引线结构,在器件封装时只需单电极引线,简化了封装工艺,节约了封装成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的芯片立体图。
图2是本发明的芯片剖面图。
图3是未加铜基底的剖面图。
图2中1.电极,2.ITO透明导电层,3.P型GaN,4.P型AlGaN层,5.发光层,6.N型GaN,7.Ag反射层,8.铜合金基底
具体实施方式
(1)在半导体硅衬底上向下刻蚀出半球形的模型。
(2)在Si衬底上生长AlN缓冲层。一般情况下,如果在硅衬底上直接生长GaN膜,由于GaN与硅的热膨胀率以及晶格常数差异较大,容易产生龟裂等缺陷,通过在硅底板上交互堆叠多层 AlInGaN 与AlInGaN 以外的材料作为缓冲层来抑制缺陷的发产生,大大缓解了Si衬底上外延GaN材料的应力,保证了芯片的可靠性与质量。
(3)生长P型GaN。
(4)生长p型AIGaN层,阻挡电子通过。
(5)生长→InGaN/GaN多量子阱发光层。
(6)生长N型GaN层。
(7)电镀铜合金基底并键合带Ag反光层。向下照射的光线,经银反光层反射到芯片上表面,增加了出光率。
(8)剥离衬底并去除缓冲层。采用成熟的湿法腐蚀方法去除,简单易行,成本低。
(9)电镀ITO透明导电层,然后进行粗化。由于P型GaN层低掺杂载流子浓度低,需要在上面镀一层透明或半透明电流保护层来提高空穴的注入。ITO透明导电层代替半透明Ni\Au薄膜,提高了透光率,并对ITO表面进行粗化,增加了出光率。
(10)制作P极电极。
Claims (3)
1.一种半导体照明器件,具有多出光面、高光亮度、独特三维立体结构,其特征是:向下刻蚀形成半球型凹槽,外延生长后为三维立体结构的LED芯片,大大增加了发光面积,提高了照明亮度;采用铜基底及银反射层,增强了散热并加大了出光率。
2.根据权利要求1所述的半导体照明器件,其特征是:多出光面、高光亮度、发光面为独特三维立体结构,比传统平面芯片发光面积增加一倍以上。
3.根据权利要求1所述的半导体照明器件,其特征是:电镀铜基底及银反射层,提高了散热性能并增加出光率。
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