CN104465897B - 发光二极管晶粒的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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Abstract
一种发光二极管晶粒的制造方法,其包括以下步骤:提供一基板;在该基板表面形成缓冲层;在该缓冲层表面形成过渡层,该过渡层为InGaN材质;继续在该过渡层上生长磊晶层,该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层;对该过渡层进行活化处理,即对该过渡层进行激光照射,该激光的波长为420nm‑520nm,且活化温度为1000‑1400℃以及将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体元件的制造方法,特别涉及一种发光二极管晶粒的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
现有的发光二极管晶粒通常包括蓝宝石基板、缓冲层以及在该缓冲层表面生长的半导体发光结构。然而上述结构存在以下问题:蓝宝石基板的导热系数较差,使得发光二极管晶粒的散热性能较差;半导体发光结构所发出的朝向蓝宝石基板一侧的光线在进入蓝宝石基板后,会被蓝宝石基板所吸收,从而降低发光二极管晶粒的出光效率。因此该蓝宝石基板需要剥离。
传统的发光二极管晶粒的基板被移除后,磊晶层的表面还具有一缓冲层,常需用电感式耦合电浆干蚀刻系统(inductively coupled plasma,ICP)去除。然而对于垂直结构的发光二极管晶粒,可能因蚀刻强度控制不当,导致均匀度不佳无法有效地将缓冲层去除完整,或不小心去除到磊晶层,如此造成后续制造时出现问题,如电性偏高等;另外,蚀刻过程所需的时间也相对冗长。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种基板较易剥离的发光二极管晶粒的制造方法。
一种发光二极管晶粒的制造方法,其包括以下步骤:提供一基板,该基板为蓝宝石基板;在该基板表面形成缓冲层;在该缓冲层表面形成过渡层,该过渡层为InGaN材质;继续在该过渡层上生长磊晶层,该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层;对该过渡层进行活化处理,即对该过渡层进行激光照射,该激光的波长为420nm-520nm,且活化温度为1000-1400℃;将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
与现有技术相比,本发明的发光二极管晶粒的制造方法中,在缓冲层与磊晶层之间设置一过渡层,且过渡层为InGaN薄膜,通过将温度加热到1000-1400℃,且对其进行激光照射,该激光的波长大于420nm,导致过渡层被固化分离。如此能够得到单独地磊晶层,避免了蚀刻不均匀的问题,同时降低了后续制造工序出现问题的风险,且耗时较短,生产效率高。
附图说明
图1是本发明的发光二极管晶粒的制造方法中所提供的基板、缓冲层、过渡层和磊晶层的示意图。
图2是本发明的发光二极管晶粒的制造方法中将基板、缓冲层和过渡层剥离的示意图。
主要元件符号说明
发光二极管晶粒 100
基板 10
缓冲层 20
过渡层 30
磊晶层 40
第一半导体层 41
发光层 42
第二半导体层 43
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下对本发明一实施例提供的发光二极管晶粒100的制造方法进行详细说明。
请参阅图1,首先提供一基板10。于本实施例中,基板10由蓝宝石(sapphire)材料制成。
在基板10上依次磊晶形成缓冲层20。缓冲层20可通过机金属化学气相沉积法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)、分子束磊晶法(Molecular BeamEpitaxy;MBE)或卤化物化学气相磊晶法(Hydride Vapor Phase Epitaxy;HVPE)等方式生长于基板10表面。本实施例中,缓冲层20为未掺杂的氮化镓。
在缓冲层20上依次形成过渡层30。过渡层30可通过机金属化学气相沉积法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD)、分子束磊晶法(Molecular BeamEpitaxy;MBE)或卤化物化学气相磊晶法(Hydride Vapor Phase Epitaxy;HVPE)等方式生长于缓冲层20表面。本实施例中,过渡层30为InGaN薄膜,且其厚度为至
再次采用金属有机气相沉积方法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)、分子束磊晶法(Molecular Beam Epitaxy;MBE)或卤化物化学气相磊晶法(HydrideVapor Phase Epitaxy;HVPE)等方式在过渡层30上继续生长磊晶层40。磊晶层40包括依次生长的第一半导体层41、发光层42及第二半导体层43。本实施例中第一半导体层41优选为一N型氮化镓层,发光层42优选为多重量子井(muti-quantum well)氮化镓层,第二半导体层43优选为P型氮化镓层。
请同时参阅图2,利用激光剥离技术,对过渡层30进行活化处理,即将温度加热到1000-1400℃,且对其进行激光照射。该激光的波长为420-520nm。由于激光的波长大于420nm,故激光的能量不会影响缓冲层20,而直接对过渡层30进行活化作用。此时InGaN薄膜因热聚集而形成球形,故过渡层30被固化分离。如此得到单独地磊晶层40。
本发明在缓冲层20与磊晶层40之间设置一过渡层30,且过渡层30为InGaN薄膜,通过将温度加热到1000-1400℃,且对其进行激光照射,该激光的波长为420-520nm,导致过渡层30被固化分离。如此得到单独的磊晶层40,避免了蚀刻不均匀的问题,同时降低了后续制造工序出现问题的风险,且耗时较短,生产效率高。
本发明的技术内容及技术特点已揭露如上,然而本领域技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作出种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此,本发明的保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本发明的替换及修饰,并为所附的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种发光二极管晶粒的制造方法,包括以下步骤:
提供一基板;
在所述基板表面形成缓冲层;
在所述缓冲层表面形成过渡层,该过渡层为InGaN材质;
继续在所述过渡层上生长磊晶层,该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层;
对所述过渡层进行活化处理,其中对该过渡层进行激光照射,该激光的波长为420nm-520nm,且活化温度为1000-1400℃;及
将该基板和缓冲层自该磊晶层上分离。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法,其特征在于,该第一半导体层为N型半导体层,第二半导体层为P型半导体层。
3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法,其特征在于,该过渡层的厚度为至
4.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法,其特征在于,该缓冲层为未掺杂的氮化镓材料制成。
5.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法,其特征在于,该缓冲层、过渡层和磊晶层均是通过有机金属化学气相沉积法、分子束磊晶法或卤化物化学气相磊晶法生长而成的。
6.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法,其特征在于,该基板为蓝宝石基板。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310440192.3A CN104465897B (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 发光二极管晶粒的制造方法 |
TW102135438A TW201513392A (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-30 | 發光二極體晶粒的製造方法 |
US14/482,566 US20150087099A1 (en) | 2013-09-25 | 2014-09-10 | Method for manufacturing light emitting diode |
KR20140127435A KR20150034111A (ko) | 2013-09-25 | 2014-09-24 | 발광 다이오드의 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310440192.3A CN104465897B (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 发光二极管晶粒的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104465897A CN104465897A (zh) | 2015-03-25 |
CN104465897B true CN104465897B (zh) | 2017-08-15 |
Family
ID=52691297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310440192.3A Active CN104465897B (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 发光二极管晶粒的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150087099A1 (zh) |
KR (1) | KR20150034111A (zh) |
CN (1) | CN104465897B (zh) |
TW (1) | TW201513392A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108511531A (zh) * | 2017-02-27 | 2018-09-07 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管 |
CN109860345B (zh) * | 2019-01-18 | 2020-01-10 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种led外延结构生长方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101366121A (zh) * | 2004-04-28 | 2009-02-11 | 沃提科尔公司 | 垂直结构半导体器件 |
CN201667345U (zh) * | 2010-04-23 | 2010-12-08 | 山东华光光电子有限公司 | 一种适合激光剥离的大功率GaN基LED外延结构 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7781247B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-24 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for producing Group III-Group V vertical light-emitting diodes |
JP6117199B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2017-04-19 | サン‐ゴバン、クリストー、エ、デテクトゥールSaint−Gobain Cristaux & Detecteurs | 半導体基板及び形成する方法 |
-
2013
- 2013-09-25 CN CN201310440192.3A patent/CN104465897B/zh active Active
- 2013-09-30 TW TW102135438A patent/TW201513392A/zh unknown
-
2014
- 2014-09-10 US US14/482,566 patent/US20150087099A1/en not_active Abandoned
- 2014-09-24 KR KR20140127435A patent/KR20150034111A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101366121A (zh) * | 2004-04-28 | 2009-02-11 | 沃提科尔公司 | 垂直结构半导体器件 |
CN201667345U (zh) * | 2010-04-23 | 2010-12-08 | 山东华光光电子有限公司 | 一种适合激光剥离的大功率GaN基LED外延结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150034111A (ko) | 2015-04-02 |
CN104465897A (zh) | 2015-03-25 |
TW201513392A (zh) | 2015-04-01 |
US20150087099A1 (en) | 2015-03-26 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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