CN102122933B - 压电晶体单元及其制造方法 - Google Patents
压电晶体单元及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102122933B CN102122933B CN201110001880.0A CN201110001880A CN102122933B CN 102122933 B CN102122933 B CN 102122933B CN 201110001880 A CN201110001880 A CN 201110001880A CN 102122933 B CN102122933 B CN 102122933B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- encapsulation
- piezoelectric element
- sunk part
- crystal unit
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 35
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 33
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 19
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 240000001439 Opuntia Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000479 mixture part Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
一种压电晶体单元包括：封装，其包括凹陷部分；压电元件，其具有突出的电极并被设置在所述封装内部；以及导电粘合剂，其被包含在所述凹陷部分中。所述压电元件被固定至所述封装，并且所述突出电极被嵌入在所述封装的所述凹陷部分中。
Description
技术领域
本文讨论的实施方式涉及压电振荡器。
背景技术
一般地说，在包含压电元件的封装中提供诸如压电晶体单元的晶体单元。通常，设置在封装的外表面上的外部电极电连接至该封装的内部电极。该内部电极连接至该封装内部容纳的压电元件的电极。
压电元件通常具有两个电极，该两个电极可以利用导电粘合剂连接至该封装的两个内部电极。在一种利用导电粘合剂连接电极的方法中，利用配送器将一定量的导电粘合剂施加到封装的两个内部电极，然后经由导电粘合剂将压电元件的两个电极设置在封装的两个内部电极上。之后导电粘合剂凝固。因此，利用两个压电元件电极和封装的两个内部电极之间设置的导电粘合剂来将压电元件设置在封装内部。
在这种情况下，电极之间的导电粘合剂可能流出并与封装的另一部分接触，导致短路或者改变晶体单元的振荡频率。传统的技术致力于通过在封装中提供凹陷部分以容纳导电粘合剂并且在凹陷部分的底部形成通孔来克服以上问题。该技术使得过多的导电粘合剂经由通孔流出凹陷部分(例如，参照JP-A-8-316771)。
还提出了在由导电粘合剂结合的部分与没有结合的部分之间提供凹陷部分或通孔，使得通过凹陷部分或者经由通孔收集过多的导电粘合剂(例如，参照JP-A-2007-288644)。
另一提出的方法涉及在经由导电粘合剂部分将压电元件的铅电极连接至封装的内部电极时相比粘合剂部分的中部或后部的厚度增加导电粘合剂部分的前部的厚度(例如，参照JP-A-2004-222006)。可以通过从配送器的喷嘴将液体导电粘合剂滴落在内部电极上来利用导电粘合剂覆盖封装的内部电极。在这种情况下，所滴落的导电粘合剂的量和滴落的位置可能在两个内部电极之间变化。图1是具有两个内部电极4-1和4-2的封装2的内部的平面图，已经从配送器向两个内部电极4-1和4-2上滴落了导电粘合剂6。可见，由于导电粘合剂的滴落量和滴落位置的变化，导电粘合剂6的滴的大小和位置在内部电极4-1和4-2之间不同。
如图1所示，当导电粘合剂6的滴落位置或滴落量在内部电极4-1和4-2之间不同时，压电元件的振动频率会不稳定，或者压电元件可能不能振荡。例如，随着导电粘合剂6凝固，压电元件的应力分布可能变得不均匀，导致压电元件的振荡频率特性改变。压电元件的应力分布也会随着导电粘合剂6的老化而变化，导致振荡频率特性变化。
发明内容
由于上述传统问题，本发明致力于提供一种晶体单元和振荡器，该振荡器具有使得压电元件的电极即使在导电粘合剂的滴落量或者滴落位置发生变化时也能在固定位置以固定的面积接触导电粘合剂的结构。
本发明还致力于提供一种制造所述晶体单元的方法。
根据本发明实施方式，一种压电晶体单元包括封装、压电元件和导电粘合剂。该封装包括凹陷部分。该压电元件具有突出的电极并被设置在封装内部。该导电粘合剂包含在所述凹陷部分中。所述压电元件被固定至所述封装，所述突出电极被嵌入在所述封装的所述凹陷部分中。
附图说明
图1是振荡器封装的内部的平面图，示出了封装的被覆盖了从配送器逐滴提供的导电粘合剂的两个内部电极；
图2A和图2B示出了制造根据本发明实施方式的压电晶体单元的工艺的步骤；
图3A和图3B示出了制造压电晶体单元的工艺的另一步骤；
图4A和图4B示出了制造压电晶体单元的工艺的另一步骤；
图5A和图5B示出了制造压电晶体单元的工艺的另一步骤；
图6A和图6B示出制造压电晶体单元的工艺的另一步骤；
图7是根据本实施方式的陶瓷封装的组件的立体图；
图8A是晶体板的立体图，其示出了制造晶体振荡元件的工艺的步骤；
图8B是已经接地的晶体板的立体图，其示出了制造晶体振荡元件的工艺的另一步骤；
图8C是其上形成了电极的晶体板的立体图，其示出了制造晶体振荡元件的工艺的另一步骤；
图9是具有内部线路的陶瓷封装的截面图；
图10示出了利用激光控制凹陷部分中的导电粘合剂的量的方法；
图11A和图11B示出了根据本发明另一实施方式的包括IC的晶体振荡器；
图12A和图12B示出了根据本发明另一实施方式的包括IC的晶体振荡器；
图13A和图13B示出了图11A和图11B的晶体振荡器的变化；以及
图14示出了根据本发明实施方式的晶体振荡器的各种应用。
具体实施方式
下文将参照附图来说明制造根据本发明实施方式的压电晶体单元的工艺。
现在参照附图，其中，在全部附图中用类似的附图标记表示相同的或对应的部件，参照图2A至图6B说明制造根据本发明实施方式的压电晶体单元60的工艺(参照图6A和图6B)。图2A、图3A、图4A、图5A和图6A是平面图，而图2B、图3B、图4B、图5B和图6B是沿着对应的平面图的线A-A’截取的截面图。
首先，如图2A和图2B所示，制备在安装部分12a中形成有凹陷部分14-1和14-2的陶瓷封装12。如图2B所示，安装部分12a从陶瓷封装12的底面12b升起。外部电极18-1和18-2被设置在陶瓷封装12的较低的外表面上。通孔20-1和20-2分别被配备在凹陷部分14-1和14-2的底部与陶瓷封装12的较低外表面之间。
然后，如图3A和图3B所示，导电粘合剂16被注入陶瓷封装12的凹陷部分14-1和14-2中。如本领域所公知的，可以利用配送器将导电粘合剂16逐滴注入凹陷部分14-1和14-2中。
之后，如图4A和图4B所示，晶体振荡元件30被设置在陶瓷封装12内部。如图4A所示，晶体振荡元件30具有在晶体振荡元件30的一侧上的角落处形成的突出电极部分32-1和32-2。通过将突出电极部分32-1和32-2分别嵌入在充入了导电粘合剂16的凹陷部分14-1和14-2中，将晶体振荡元件30设置在陶瓷封装12内部。因此，晶体振荡元件30的突出电极部分32-1和32-2经由导电粘合剂16和通孔20-1和20-2电连接至外部电极18-1和18-2。
因此，晶体振荡元件30被设置在陶瓷封装12中，晶体振荡元件30的一端以“悬臂方式”附接至安装部分12a，使得晶体振荡元件30和底表面12b之间存在空间，如图4B所示。
之后，导电粘合剂16被加热并凝固，从而将晶体振荡元件30固定至陶瓷封装12，如图5A和图5B所示。然后如图6A和图6B所示，盖子22附接至陶瓷封装12，从而完成根据本实施方式的压电晶体单元60。
参照图7来说明制造陶瓷封装12的工艺。在该工艺中，通过层压预定形状的陶瓷片然后烘烤所得到的层压品来形成陶瓷封装12。具体地说，在底部陶瓷片12-1上层压线路层陶瓷片12-2。在线路层陶瓷片12-2上，层压了第三陶瓷片12-3，其中在与安装部分12a相对应的区域中形成与凹陷部分14-1和14-2的形状相对应的开口15-1和15-2。尽管所示的示例中开口15-1和15-2是矩形的，但是，如图2A至图6B所示，当凹陷部分14-1和14-2是圆形时，开口15-1和15-2也可以形成为圆形。
在第三陶瓷片12-3上，层压了第四陶瓷片12-4。第四陶瓷片12-4在将要形成安装部分12a的区域中还具有与凹陷部分14-1和14-2的形状相对应的开口15-1和15-2。此外，第四陶瓷片12-4在与安装部分12a分开的区域中具有另一开口15-3。最后，在陶瓷片12-4上层压限定了陶瓷封装12的外周边的第五陶瓷片12-5。然后烘烤所得到的陶瓷片的薄片，得到具有凹陷部分14-1和14-2的陶瓷封装12。
如稍后所述，陶瓷片12-1至12-5可由透明材料形成，使得可以从陶瓷封装12的外部监控凹陷部分14-1和14-2中的导电粘合剂16的量。
接着，将参照图8A至图8C来说明制造具有突出电极部分32-1和32-2的晶体振荡元件30的工艺。首先，如图8A所示，制备晶体板31。晶体板31的一个表面31a被研磨以形成研磨面31b，剩下分别对应于突出电极部分32-1和32-2的突出33-1和33-2，如图8B所示。之后，通过金属气相沉积在研磨面31b上形成电极34，如图8C所示。虽然没有示出，但是在与晶体板31的研磨面31b相对的背面上也形成类似的电极。
通过金属气相沉积在突出33-1和33-2的上表面上形成另一电极35。此外，通过金属气相沉积形成连接突出33-2上的电极35与研磨面31b上的电极34的导电图案36。虽然在图8C中没有示出，但还通过金属气相沉积形成连接研磨面31b的背面上的电极与突出33-1上的电极35的导电图案。突出33-1及其顶部的电极35形成突出电极32-1，而突出33-2及其顶部的电极35形成突出电极32-2。
因为导电粘合剂16将包含在凹陷部分14-1和14-2中，所以利用凹陷部分14-1和14-2的位置和大小来确定导电粘合剂16的位置和平面面积。因此，导电粘合剂16可在固定位置并位于固定区域内部提供。调整凹陷部分14-1和14-2的大小(包括深度)使得导电粘合剂16不流出凹陷部分14-1和14-2。这样，可以防止短路等问题。
可以通过在陶瓷封装12内部提供线路来调整外部电极18-1和18-2的位置。图9是陶瓷封装12的截面图，在陶瓷封装12中，利用线路38在纵向方向离开外部电极18-2一定距离处形成外部电极18-1，如图9所示，在陶瓷封装12的底部壁中形成线路38。可以在如图7所示的线路层陶瓷片12-2上形成陶瓷封装12内部的线路。
参照图10来说明控制凹陷部分14-1和14-2中的导电粘合剂16的量的方法。通过形成如图7所示的透明材料的陶瓷片12-1至12-5，可以形成透明陶瓷封装12a。透明陶瓷封装12a使得可以从视觉上检查凹陷部分14-1和14-2中的导电粘合剂16的量。另选地，可以将激光器用于检查，从而可以更准确地控制导电粘合剂16的量，如下所述。
在图10的示例中，通过利用来自一侧的激光照射单元40的两个激光光束照射凹陷部分14-1来检测凹陷部分14-1中的导电粘合剂的水平。由激光接收单元42在另一侧上接收并检测通过陶瓷封装12a的激光光束。在如图10所示的两个激光光束中，较低的激光束被设置为与凹陷部分14-1中的导电粘合剂16的最小需求量的水平相对应的高度。另一较高激光束被设置为与凹陷部分14-1中的导电粘合剂16的最大允许量的水平相对应的高度。
如果较低激光光束被导电粘合剂16截断，激光接收单元42仅检测到较高的激光光束，则导电粘合剂16的水平高于下限并低于上限。因此，存在适当量的导电粘合剂16。如果激光接收单元42检测到了较高的激光光束和较低的激光光束这两者，则导电粘合剂16的水平低于下限，这表明导电粘合剂16的量比所需要的少。如果既没有检测到较低的激光光束也没有检测到较高的激光光束，则导电粘合剂16的量高于上限，这表明导电粘合剂16的量过多。因此，通过利用激光光束照射透明的陶瓷封装12，具体地说，照射凹陷部分14-1，则可以准确控制凹陷部分14-1中的导电粘合剂16的量。可以通过其它方法确定导电粘合剂16的量。
接着，说明根据本发明另一实施方式的晶体振荡器60a。图11A是晶体振荡器60a的陶瓷封装12的内部的平面图。图11B是沿图11A的线A-A’截取的截面图。利用类似的附图标记来指出与图6所示类似的部件或组件，并省略对它们的说明。晶体振荡器60a与前述实施方式的晶体单元60的不同之处在于包括振荡电路的IC50被包含在陶瓷封装12中。IC50可以被安装在陶瓷封装12的底表面12b上，晶体振荡元件30下面，如图11B所示。
图12A是根据本发明另一实施方式的晶体振荡器60a的陶瓷封装12的平面图。图12B是沿图12A的线A-A’截取的截面图。在陶瓷封装12的底表面12b上，形成有连接至IC50的电极的线路52。线路52还经由可在陶瓷封装12的底壁内部形成的线路54连接至外部连接端18-2和18-3。IC50的电极经由线路54电连接至导电粘合剂16。
图13A是根据图11的实施方式的变型例的晶体振荡器60a的陶瓷封装12的平面图。图13B是沿着图13A的线A-A’截取的截面图。根据该变型例，与图11所示的“悬臂”结构相比，如图13A所示，在晶体振荡元件30的相对侧形成突出电极部分32-1和32-2。陶瓷封装12还包括一边一个的两个安装部分12a。因此，从图13B可以更清楚地看到，经由一边一个的安装部分12a将晶体振荡元件30安装在陶瓷封装12上。例如，可以将图13A和图13B的这种“两边”支撑结构应用于图6所示的实施方式的晶体单元。
图14示出了印刷电路板62，在该印刷电路板62上安装了根据前述实施方式的晶体振荡器60a作为可用于个人计算机、硬盘单元、蜂窝电话等的电子电路的一个组件。
这里陈述的所有示例和条件性语言都是为了教学目的，以帮助读者理解本发明以及由发明者贡献的概念，从而促进本领域的发展，并且，需要理解，本发明不限于这样具体陈述的示例和条件，本说明中的这些示例的组织也不涉及本发明的优劣的展示。尽管已经详细说明了本发明的实施方式，但是，应当理解，无需脱离本发明的精神和范围，可以得到各种变化、替换和改变。
Claims (7)
1.一种压电晶体单元，所述压电晶体单元包括：
封装，其包括凹陷部分；
压电元件，其具有突出电极并被设置在所述封装内部；以及
导电粘合剂，其填充在所述凹陷部分中，
其中，所述突出电极形成有在所述压电元件的一个表面上的角落处形成的突出部分以及在所述突出部分的顶表面上形成的一个电极，并且通过将所述突出部分的所述电极嵌入在所述封装的所述凹陷部分中的所述导电粘合剂中来将压电元件固定至所述封装。
2.根据权利要求1所述的压电晶体单元，所述压电晶体单元还包括设置在所述封装的外表面上的外部连接端，
其中，所述外部连接端经由设置在所述凹陷部分的内表面和所述封装的外表面之间的通孔电连接至所述封装的所述凹陷部分中的所述导电粘合剂。
3.根据权利要求1或2所述的压电晶体单元，其中，所述压电元件具有两个突出电极，
其中，所述两个突出电极被设置在所述压电元件的一侧，并且
所述压电元件被经由所述压电元件的所述一侧以悬臂方式固定至所述封装。
4.根据权利要求1或2所述的压电晶体单元，其中，所述压电元件具有两个突出电极，
其中，所述两个突出电极中的一个被设置在所述压电元件的一侧，并且所述突出电极中的另一个被设置在所述压电元件的与所述一侧相对的一侧，并且，
所述压电元件被经由所述压电元件的两端以两边支撑方式固定至所述封装。
5.根据权利要求1或2所述的压电晶体单元，其中，所述封装由透明材料制成。
6.根据权利要求1或2所述的压电晶体单元，所述压电晶体单元还包括设置在所述封装中的集成电路。
7.一种制造压电晶体单元的方法，所述方法包括：
利用透明材料制备包括凹陷部分的封装；
将具有突出电极的压电元件设置在所述封装内部，其中，所述突出电极形成有在所述压电元件的一个表面上的角落处形成的突出部分以及在所述突出部分的顶表面上形成的一个电极；
利用导电粘合剂填注所述凹陷部分；
通过将所述突出部分的所述电极嵌入在所述封装的所述凹陷部分中的所述导电粘合剂中来将所述压电元件固定至所述封装；
利用激光光束经由所述封装的一侧来照射所述凹陷部分；
在所述封装的与所述一侧相对的一侧检测通过所述封装的所述激光光束；以及
基于所述激光光束的检测结果来确定所述凹陷部分中的所述导电粘合剂的量。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010003279A JP5120385B2 (ja) | 2010-01-08 | 2010-01-08 | 圧電振動子及び圧電発振器 |
| JP2010-003279 | 2010-01-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102122933A CN102122933A (zh) | 2011-07-13 |
| CN102122933B true CN102122933B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=44251409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110001880.0A Expired - Fee Related CN102122933B (zh) | 2010-01-08 | 2011-01-06 | 压电晶体单元及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8729777B2 (zh) |
| JP (1) | JP5120385B2 (zh) |
| CN (1) | CN102122933B (zh) |
| TW (1) | TWI423491B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013042601A1 (ja) * | 2011-09-19 | 2013-03-28 | 日本電気株式会社 | 振動子、振動センサ、及び振動センサを備える電子機器 |
| US9013242B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-04-21 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object |
| JP6155551B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法 |
| JP6376794B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-08-22 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片および圧電振動子 |
| CN107210729B (zh) * | 2015-03-16 | 2021-02-26 | 株式会社村田制作所 | 声表面波装置 |
| CN107210724B (zh) * | 2015-03-27 | 2020-11-10 | 京瓷株式会社 | 石英振子以及石英振动器件 |
| JP6395904B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2018-09-26 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計 |
| TWI776445B (zh) * | 2021-03-30 | 2022-09-01 | 台灣晶技股份有限公司 | 晶體振子封裝結構 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1533031A (zh) * | 2003-03-20 | 2004-09-29 | ������������ʽ���� | 压电振子 |
| CN1649262A (zh) * | 2004-01-29 | 2005-08-03 | 精工爱普生株式会社 | 电子部件用管壳和电子部件以及压电器件的制造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137511A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 気密シール用パッケージ |
| JPH08316771A (ja) | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Citizen Watch Co Ltd | 圧電振動子 |
| JP2002124845A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-04-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 水晶振動子パッケージ及びその製造方法 |
| JP2004088524A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 水晶振動子の構造 |
| JP4314826B2 (ja) | 2003-01-15 | 2009-08-19 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電デバイスにおける圧電振動素子の保持構造、圧電振動子、圧電発振器、絶縁性パッケージ、及び圧電振動素子 |
| EP1536559A1 (fr) * | 2003-11-25 | 2005-06-01 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Composant électronique ayant un élément résonateur dans un boitier hermetiquement fermé |
| JP4548012B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-09-22 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
| JP4815976B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2011-11-16 | 株式会社大真空 | 水晶振動デバイスの製造方法 |
| JP5061496B2 (ja) | 2006-04-19 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電基板、圧電振動素子、圧電振動子及び圧電発振器 |
| JP2009194725A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
| WO2010097908A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2010226418A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
-
2010
- 2010-01-08 JP JP2010003279A patent/JP5120385B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-16 TW TW99144202A patent/TWI423491B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-12-20 US US12/973,194 patent/US8729777B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-06 CN CN201110001880.0A patent/CN102122933B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1533031A (zh) * | 2003-03-20 | 2004-09-29 | ������������ʽ���� | 压电振子 |
| CN1649262A (zh) * | 2004-01-29 | 2005-08-03 | 精工爱普生株式会社 | 电子部件用管壳和电子部件以及压电器件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI423491B (zh) | 2014-01-11 |
| US8729777B2 (en) | 2014-05-20 |
| US20110169377A1 (en) | 2011-07-14 |
| JP5120385B2 (ja) | 2013-01-16 |
| CN102122933A (zh) | 2011-07-13 |
| TW201135996A (en) | 2011-10-16 |
| JP2011142587A (ja) | 2011-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102122933B (zh) | 压电晶体单元及其制造方法 | |
| CN103528579A (zh) | 传感器装置 | |
| JP2015089037A (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
| JP5533135B2 (ja) | パッケージ、圧電振動子及び圧電発振器 | |
| JP5643040B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP6350248B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP5075401B2 (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
| JP2014086842A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP2005223873A (ja) | 発振器パッケージ構造とそのデバイス実装方法 | |
| JP2017153007A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2014150452A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP6166030B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP6513964B2 (ja) | 水晶デバイス | |
| JP2011223487A (ja) | 発振器 | |
| JP5804762B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2007228009A (ja) | 容器体および圧電発振器 | |
| JP2010226396A (ja) | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 | |
| JP4471787B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JP2006270758A (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
| JP2005217687A (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
| JP2005217688A (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
| JP2010251905A (ja) | 振動子の接続構造、発振子、発振子パッケージ | |
| JP2019068152A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP2015103829A (ja) | 圧電デバイスおよび当該圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2005217673A (ja) | 温度補償型水晶発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160120 Termination date: 20180106 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |