CN102074628A - 发光器件、发光器件封装和照明系统 - Google Patents

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Abstract

一种发光器件，包括：第一电极、第一半导体层、有源层；第二半导体层和第二电极。电流阻挡层在第一半导体层的侧表面上形成并且具有提供在第一半导体层内部的宽度。电流阻挡层的厚度和宽度小于第一半导体层的厚度和宽度。

Description

发光器件、发光器件封装和照明系统
技术领域
本文所述的一个或者更多个实施方案涉及发光器件。
背景技术
发光二极管(LED)是将电信号转化为光的半导体器件。这些器件通常具有包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的堆叠结构。因为LED尺寸，所以它们已经证明适于很多应用。然而，仍然需要改进。
发明内容
根据本发明的一个实施方案，提供一种发光器件，包括：第一电极；与第一电极邻接设置的第一半导体层，所述第一半导体层具有沿第一方向的第一预定厚度和沿第二方向的第一预定宽度，所述第一方向和所述第二方向不同，所述第一半导体层还包括侧表面；与所述第一半导体层邻接设置的有源层；与所述有源层邻接设置的第二半导体层；与所述第二半导体层邻接的第二电极；和在所述第一半导体层的至少一个侧表面处的至少一个电流阻挡层，所述至少一个电流阻挡层具有沿第一方向的第二预定厚度和沿第二方向的第二预定宽度，所述第二预定厚度和所述第二预定宽度分别小于所述第一预定厚度和所述第一预定宽度，并且所述至少一个电流阻挡层的整个第二预定宽度提供在所述第一半导体层内部。
根据本发明的一个实施方案，提供一种发光器件封装，具有根据本发明所述的发光器件，其中所述发光器件封装还包括封装体以及在所述封装体中的第一电极层和第二电极层，其中所述发光器件与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
根据本发明的另一实施方案，提供一种照明系统，具有根据本发明所述的发光器件，所述照明系统还包括：发光模块，所述发光模块包括衬底和在所述衬底上设置的发光器件封装，其中所述发光器件封装包括封装体和在所述封装体中的第一电极层和第二电极层，其中所述发光器件与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
附图说明
图1是显示发光器件的一个实施方案的图。
图2～6是显示图1的发光器件的不同制造阶段的图。
图3B-3E是说明图3A中显示的电流阻挡层的各种不同结构的形貌图。
图7是显示发光器件的另一实施方案的图。
图8是发光器件封装的一个实施方案的图。
图9是显示照明单元的一个实施方案的图。
图10是显示背光单元的一个实施方案的图。
具体实施方式
图1显示发光器件100的一个实施方案，所述发光器件100包括：第二导电型半导体层140；在半导体层140上的有源层130；和在有源层130上的第一导电型半导体层120。
第一导电型半导体层120可包括：第一导电型的半导体层122、在半导体层122的外周侧的内表面处设置的电流阻挡层220、以及在半导体层122上设置的第一导电型的半导体层121。在一个实例中，第一导电型可为n型，第二导电型可为p型。
钝化层145可设置在包括第一导电型半导体层120、有源层130和第二导电型半导体层140的发光结构上，并且可由与发光结构相同系列的材料形成。例如，钝化层145可由与发光结构相同系列的材料或半导体材料或者许多其它已知钝化材料中的任一种形成。
电流阻挡可产生多种效果。例如，当电流阻挡层在选择性生长的发光结构的部分侧面区域处形成、然后实施再生长时，可防止在侧表面上的电流集中，并且通过平滑电流流动可实现具有大的光量的器件。
钝化层可还产生多种效果。例如，当钝化层由与发光结构相同系列的材料形成时，可简化发光器件制造工艺。而且，钝化层可由与发光结构相同类型的层形成以提高钝化层和发光结构之间的接触力。
而且，可使用选择性区域生长方法来使得具有低晶体缺陷的GaN基材料生长为发光结构，由此实现高内部效率、高可靠性和平滑电流散布。参考图2～6对这种方法的一个实施方案进行说明。
根据一个实施方案，发光器件可由GaN、GaAs、GaAsP或者GaP形成。例如，绿色～蓝色LED可使用GaN(InGaN)形成，黄色～红色LED可由InGaAIP或者AIGaAs形成。此处，通过改变材料组成也可实现全色。现在将阐述所述方法的步骤。
如图2所示，可在第一衬底105上形成未掺杂的半导体层110。第一衬底105可包括导电衬底或者电介质衬底。例如，第一衬底105可包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一种.在第一衬底105上可形成粗糙结构，并且可实施湿清洗工艺以移除第一衬底105表面的杂质。
例如，根据一个非限制性的实施方案，在第一衬底105上可形成未掺杂的GaN层。通过形成未掺杂的半导体层110，可改善第一导电型半导体层120的生长并且可防止晶体缺陷延伸至上侧。非导电的半导体层110的形成是任选的并且可省略。
然后，形成第一图案210以暴露出未掺杂的半导体层110上的部分区域M。第一图案210可置于芯片之间的边界区处。例如，第一图案210可为氧化物层或者氮化物层例如SiO2或者Si3N4，但是在其它实施方案中可使用不同的材料。例如，可实施PECVD工艺来沉积SiO2并且可实施图案化工艺来形成暴露出部分区域M的第一图案210。
如图3A所示，在暴露出的第一衬底105或者未掺杂的半导体层110上形成第一导电型的第一半导体层121。第一导电型的第一半导体层121可由例如掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。如果第一半导体层121是N型半导体层，则第一导电型掺杂剂可包括N型掺杂剂例如Si、Ge、Sn、Se或者Te；然而在其它实施方案中，可使用不同的材料。
根据一个实施方案，第一半导体层121可包括组成为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层121可由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少之一形成。
第一半导体层121可包括通过化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射或者氢化物气相外延(HVPE)形成的N型GaN层。而且，第一半导体层121可通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2)或者包含n型杂质例如硅(Si)的硅烷(SiH4)气体注入室中形成。
第一半导体层121也可由晶种区域(例如暴露出的未掺杂的半导体层110)横向地生长至第一图案210或者可在第一衬底105上垂直生长。例如，第一半导体层121可沿着第一图案110和第一衬底105垂直/水平地选择性生长，并且线位错(TD)可沿着第一图案210的方向在水平生长区域中弯曲，或者被第一图案210所阻挡，由此抑制表面渗透。
第一半导体层121可具有位错少的高品质晶体结构。换言之，根据一个实施方案，实施选择性区域生长的方法可用于使得具有低晶体缺陷的GaN基材料生长为LED结构，由此形成具有高内部效率、高可靠性和平滑电流散布的发光器件。
然后，在第一半导体层121的上表面的外周侧可形成电流阻挡层220作为第二图案。更具体地，电流阻挡层220可在第一半导体层121的外周侧的内表面处形成，并且可包括非导电区域、第二导电型的离子注入层、第二导电型的扩散层、电介质材料和非晶区域。
电流阻挡层可通过在第一半导体层121上形成介电层，然后在第一半导体层121的外周侧保留介电层而形成。
在另一实施方案中，电流阻挡层可通过如下过程形成：形成暴露出第一半导体层121的外周侧的上表面的第三图案(未显示)和通过使用第三图案作为掩模的沉积工艺形成电介质材料，或者通过第二导电型离子的离子注入工艺形成离子注入层，然后移除第三图案。
在另一实施方案中，将具有高动能的质子注入第一半导体层121的外周侧的上表面中以通过晶格碰撞来破坏单晶状态，由此形成高电阻的非晶区域。
如所指出的，电流阻挡层220可在第一半导体层121的外周侧的内表面处形成。例如，电流阻挡层220可以在第一半导体层121的上表面面积的约0.5％之内从周边或者周界至内侧处形成。然而，在其它实施方案中，电流阻挡层可以以相对于层121的上表面面积的不同百分比来形成。
通过在选择性生长的n-GaN的部分侧面区域形成电流阻挡层，然后实施再生长，可防止在侧表面上的电流集中，并且通过平滑电流流动可实现具有大光量的器件。
图3B-3E是说明图3A中显示的电流阻挡层的各种不同结构的形貌图。
在图3B中，电流阻挡层在全部的四个侧面上。在图3C中，在各侧面上形成多个阻挡层。在图3D中，电流阻挡层在两个相邻侧面上。在图3E中，电流阻挡层在相反侧面上形成。
如图4所示，然后在第一半导体层121上形成第一导电型的第二半导体层122。第二半导体层122可例如使用与用于形成第一半导体层121的工艺相同或者相似的工艺形成。
然后，在第二半导体层122上形成有源层130。当通过第一导电型半导体层120注入的电子与通过第二导电型半导体层140注入的空穴复合时，有源层130可发射光，光的能量由有源层(发光层)的特定能带所决定。
有源层130可形成为例如单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构中的至少之一。而且，有源层130可例如通过注入三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2)或者三甲基铟(TMIn)气体形成为MQW结构。在其它实施方案中，有源层可形成为具有不同的结构和/或其它材料。
有源层130的阱层/势垒层可形成为InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)和GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一对结构。阱层可由能带隙低于势垒层能带隙的材料形成。在其它实施方案中，可使用不同的材料。
可在有源层130上和/或下形成导电覆层。导电覆层可由例如AlGaN基半导体形成并且其能带隙可高于有源层130的能带隙。
可使用各种技术在第二半导体层122上形成有源层130。例如，可在第二半导体层122的侧表面处形成掩模图案(未显示)，然后可在第二半导体层122上形成有源层130。
然后，在有源层130上形成第二导电型的半导体层140。半导体层140可包括例如掺杂有第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体，例如可以是组成为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。根据一个实施方案，半导体层140可包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP中的至少之一。
如果半导体层140是P型半导体层，则第二导电型掺杂剂可包括P-型掺杂剂例如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。而且，第二导电型半导体层140可形成为具有单层结构或者多层结构。此外，半导体层140可以是P型GaN层，其例如通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气(N2)或者包含P-型杂质例如镁(Mg)的双乙基环戊二烯基镁((EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2})注入室中来形成。在其它实施方案中，半导体层140可使用不同的技术形成。
根据一个实施方案，半导体层120可通过N-型半导体层实现，半导体层140可通过P-型半导体层实现，或者反之亦然。而且，在第二半导体层140上可形成具有与第二导电型相反的导电类型的半导体层，例如N-型半导体层(未显示)。因此，发光结构可实现为N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。
根据另一变化方案，可在半导体层140的外周侧面处形成第二电流阻挡层(未显示)。当结合电流阻挡层220时，第二电流阻挡层可防止电流在侧表面上集中并且可以使电流流动平稳，由此实现具有大光量的器件。
如图5所示，通过使用例如与发光结构相同或者相似系列的材料可在发光结构上形成钝化层145。例如，钝化层145可使用未掺杂的AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)形成。而且，钝化层145可使用未掺杂的AlN、InN、GaN、AlGaN、InGaN或者AlInGaN中的一种或更多种形成。在其它实施方案中，可使用不同的材料。
可形成钝化层145以覆盖发光结构的侧表面和上表面。此处，在发光结构侧表面处的钝化层145a可薄于在发光结构上表面处的钝化层145b。因此，钝化层145b由于比钝化层145a的导电性高所以可具有电流散布功能。而且，钝化层145a由于薄和具有抵抗性所以可变成钝化层。
在一个实施方案中，选择性生长的发光结构的侧表面可由GaN的纤锌矿结构特性决定。发光结构的侧表面根据第一衬底105的表面可包括多方向的表面。横向生长的特性可根据各表面的表面能和表面原子的稳定性而变化。此处，通过第一图案210的掩模图案抑制横向生长以提供GaN的纤锌矿材料特性。
例如，侧表面的Ga原子的1～2键结构可断裂，(0001)表面的三键结构可断裂。由于这些特性，所以在至少一个实施方案中，横向生长可具有极低的生长速率。横向生长的生长速率是(0001)表面的生长速率的1/5～1/10。因此，在发光结构的侧表面上生长GaN钝化层可形成非常薄的高电阻层。
由于钝化层145a高电阻所以在侧表面处形成钝化层145a可产生电绝缘功能。例如，钝化层145a可形成为约
Figure BSA00000332619500071
以下的厚度。然而，在其它实施方案中，钝化层可具有不同厚度。所述方法还可包括将在发光结构的上表面处设置的钝化层145b的一部分移除的工艺。
如图6所示，然后在半导体层140上形成第二电极层150。第二电极层150可包括例如欧姆层152、反射层(未显示)、结层(未显示)和支撑衬底154。
根据一个实施方案，第二电极层150具有欧姆层152，欧姆层152可与发光结构进行欧姆接触以为发光结构平稳供电，并可通过多次堆叠单金属层、金属合金层和/或金属氧化物层形成。
欧姆层152可形成为包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、氮化IZO(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf中的至少之一。在其它实施方案中，可使用不同的材料。
第二电极层150还可包括反射来自发光结构的入射光的反射层(未显示)以改善光提取效率。反射层可由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或者Hf中的至少之一的金属或者合金形成。而且，反射层可使用上述金属或者合金和透明导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或者ATO中的至少之一形成为具有多层结构，例如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni的多层结构。
如果第二电极层150包括结层，则反射层可用作结层，或者可包括阻挡金属或者接合金属。例如，结层可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、或者Ta中的至少之一。
第二电极层150还可包括支撑衬底154。支撑衬底154支撑发光结构并且可对发光结构供电。支撑衬底154可由金属、金属合金或者具有优异导电率的导电半导体材料形成。例如，支撑衬底154可包括铜(Cu)、Cu合金、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、Cu-W或者载体晶片(例如Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC)中的至少之一。
支撑衬底154的厚度可随发光器件的设计而变化。例如，在一个非限制性的实施方案中，支撑衬底的厚度为30μm～500μm。此外，支撑衬底154可通过电化学金属沉积方法、镀覆方法或者使用共晶金属的接合方法形成。
然后，移除第一衬底105以暴露出半导体层110。第一衬底105可通过使用例如激光剥离方法或者化学剥离方法移除。而且，第一衬底105可通过物理研磨第一衬底105来移除。移除未掺杂的半导体层110的一部分并且在第一导电型半导体层120上形成第一电极125。
如图6所示，发光器件芯片可形成为具有截顶倒金字塔(TIP)的形状，由此提供约55％以上的外部量子效率。而且，形成LED之后，芯片可具有截顶倒金字塔(TIP)的形状，由此提供高的光提取效果。
根据一个实施方案，可移除或者不移除第一图案210。如果不移除第一图案210，则第一图案210的保留部分可具有用于发光结构的侧面钝化功能。
图7显示发光器件100b的另一实施方案。如图所示，在未掺杂的半导体层110处可形成图案(织构)以改善光提取效率。例如，通过干蚀刻或者湿蚀刻未掺杂的半导体层110的除了第一电极125区域之外的上表面，可形成表面粗糙结构或者光子晶体。光子晶体可为周期性的或者非周期性的。
在这种器件中，当在选择性生长的n-GaN的部分侧面区域形成电流阻挡层、然后实施再生长时，可防止在侧表面上的电流集中，并且通过平滑电流流动可实现具有大光量的器件。
钝化层也可由与发光结构相同系列的材料形成以简化发光器件制造工艺。钝化层可由与发光结构相同类型的层形成以提高钝化层和发光结构之间的接触力。可使用选择性区域生长方法来使具有低晶体缺陷的GaN基材料生长为LED结构，由此实现高内部效率、高可靠性和平稳电流散布。
图8显示具有发光器件的发光器件封装200的一个实施方案。发光器件封装200包括：封装体205、在封装体205上安装的第三电极层213和第四电极层214、在封装体205上安装并与第三电极层213和第四电极层214电连接的LED100、以及包封LED 100的模制元件240。封装体205可由例如硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成并且可具有在LED周围的倾斜表面。此外，第三电极层213和第四电极层214可电隔离并可用于对LED 100供电。而且，第三电极层213和第四电极层214可反射由LED 100产生的光，以由此提高光效率，并且可将来自LED 100的热散发。
LED 100可为如图1所示的垂直型LED或者水平型LED可用于发光器件封装200。此外，LED 100可安装在封装体上或者第三电极层213或者第四电极层214上。
LED 100可通过使用包括引线接合方法、倒装芯片方法或者芯片接合方法的各种方法中任一种与第三电极层213和/或第四电极层214电连接。例如当前实施方案显示，LED 100通过导线230与第三电极层213电连接，而通过与第四电极层214直接接触来与第四电极层214电连接。
模制元件240可包封和保护LED 100。而且，在模制元件240中可包含荧光物质以改变由LED 100发射的光的波长。
根据一个实施方案，发光器件封装可包括布置在由发光器件封装发射的光路上的多个光学元件例如导光板、棱镜板、散射板或者荧光板。发光器件封装、衬底和光学元件可用作背光单元或者照明单元，照明系统可包括例如背光单元、照明单元、指示器、灯、街灯或者其它类型的光或者照明装置。
图9显示照明单元1100的一个实例，其包括壳体1110、安装于壳体1110中的发光模块部1130、以及在壳体1110中并由外部电源供电的接线端子1120。壳体1110可由例如具有良好热屏蔽特性的材料例如但是不限于金属材料或者树脂材料形成。
发光模块部1130可包括：衬底1132和安装于衬底1132上的至少一个发光器件封装200。
衬底1132可为其上印刷有电路图案的绝缘体衬底，并且可包括例如通常的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB或者陶瓷PCB等。
而且，衬底1132可由有效反射光的材料形成，并且其表面可形成为能够有效反射光的颜色，例如白色或者银色。
在衬底1132上可安装至少一个发光器件封装200。各发光器件封装200可包括一个或更多个发光二极管(LED)100，其可包括一个或更多个发射红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光的彩色LED和/或发射紫外(UV)的UV LED。
发光模块部1130可具有数个LED的组合以获得期望的颜色和亮度。例如，发光模块部分1130可具有白色LED、红色LED和绿色LED的组合，以获得高的显色指数(CRI)。
接线端子1120可与发光模块部1130电连接以供电。如图9所示，接线端子1120可以以插座型旋入并与外电源连接，但是本公开不限于此。例如，接线端子1120可制成为插销型并插入外电源中，或者可通过电力线与外电源连接。
图10显示背光单元1200的一个实施方案，其包括导光板1210、对导光板1210供电的发光模块部1240、在导光板1210下的反射元件1220、以及容纳导光板1210、发光模块部1240和反射元件1220的底盖1230，但是本公开不限于此。
导光板1210用于通过将线性光散射以将线性光转变为平面光。导光板可包括丙烯酰系树脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC或者聚萘二甲酸乙二醇酯树脂中的一种。
发光模块部1240为导光板1210的至少一个侧表面提供光，并最后用作其中设置背光单元的显示器件的光源。
发光模块部1240可与导光板1210接触。更具体而言，发光模块部1240可包括：衬底1242和安装于衬底1242上的多个发光器件封装200。衬底1242可与导光板1210接触或者不接触。
衬底1242可为包括电路图案(未显示)的PCB。衬底1242可包括金属芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)或者通常的PCB或者其它类型的PCB。
在衬底1242上可安装多个发光器件封装200，使得所述多个发光器件封装200的发光面与导光板1210间隔开预定距离。
在导光板1210下可提供反射元件1220。反射元件1220反射由导光板的下表面入射的光以沿着向上的方向行进，由此能够改善背光单元的亮度。反射元件1220可由例如PET、PC、PVC树脂或者其它材料形成。
底盖1230可容纳导光板1210、发光模块部1240和/或反射元件1220。为此，底盖1230可形成为具有开放的顶表面的盒形，然而在其它实施方案中，可使用其它形状。
底盖1230可由金属材料或者树脂材料形成，并且可通过使用例如压制成型或者注射成型的工艺制造。
因此，本文所述的一个或者更多个实施方案提供可防止在其侧表面上发生电流集中的发光器件、发光器件封装和照明系统。这些实施方案也可提供包括相对于发光结构具有良好接触力的钝化层的发光器件、发光器件封装和照明系统。这些实施方案也可具有低晶体缺陷。
根据一个实施方案，发光器件包括：第二导电型半导体层；在第二导电型半导体层上的有源层；以及在有源层上设置的并包括在其外周侧面处的电流阻挡层的第一导电型半导体层。
根据另一实施方案，发光器件包括：包括在其外周侧面处的电流阻挡层的发光结构；以及在所述发光结构上设置并且由与发光结构相同系列的材料形成的钝化层。
根据另一实施方案，发光器件包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；以及在所述发光结构上设置并且由与发光结构相同系列的材料形成的钝化层。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：封装体；设置于封装体中的第三电极层和第四电极层；并且上述发光器件与第三电极层和第四电极层电连接。
根据另一实施方案，照明系统包括：发光模块，其包括衬底和设置于衬底上的发光器件封装，其中发光器件封装包括封装体、设置于封装体中的第三电极层和第四电极层；并且上述发光器件与第三电极层和第四电极层电连接。
根据另一实施方案，发光器件包括：第一电极；与第一电极邻接提供的第一半导体层，所述第一半导体层具有沿第一方向的预定第一厚度和沿第二方向的预定第一宽度，所述第一方向和第二方向不同，第一半导体层还包括侧表面；与第一半导体层邻接提供的有源层；与有源层邻接提供的第二半导体层；以及与第二半导体层邻接的第二电极。
发光器件还包括：在第一半导体层的至少一个侧表面处的至少一个电流阻挡层，所述至少一个电流阻挡层具有沿第一方向的第二预定厚度和沿第二方向的第二预定宽度，第二预定厚度和第二预定宽度分别小于第一预定厚度和第一预定宽度，所述至少一个电流阻挡层的整个第二预定宽度提供在第一半导体层内部。
第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为第二半导电型。第一半导体层可包括：第一导电型的第二半导体子层、在第二半导体子层的外周侧面处的电流阻挡层、以及在第二半导体子层上的第一导电型的第一半导体子层。
电流阻挡层可包括非导电区域、第二导电型的离子注入层、第二导电型的扩散层、电介质材料和非晶区域中的至少之一。
此外，第二电流阻挡层可包括在第二半导体层的侧面处，并且可在第一半导体层、有源层和第二半导体层的侧表面上以及在第二半导体层和第二电极之间设置盖层(钝化层)。盖层可由用于形成第一半导体层、有源层或者第二半导体层中至少之一的材料的半导体材料化合物形成。
而且，在侧表面上提供的盖层的部分的厚度可小于在第二半导体层和第二电极之间提供的部分的厚度，使得在侧表面上提供的盖层的部分用作钝化层。
此外，在侧表面上提供的盖层的部分的厚度可小于在第二半导体层和第二电极之间提供的部分的厚度，使得在侧表面上提供的盖层的部分的电阻高于在第二半导体层和第二电极之间提供的盖层的部分的电阻。而且，盖层可包括未掺杂的AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。
此外，在发光结构侧表面处包括的钝化层可薄于在发光结构的上表面处的钝化层。而且，所述器件可包括：与第一半导体层邻接的未掺杂的半导体层；以及延伸穿过未掺杂的半导体层并进入第一半导体层的凹陷，第一电极位于凹陷内部。
未掺杂的半导体层具有第一表面和相反的第二表面，其中第一表面比第二表面更靠近第一半导体层，其中第二表面包括多个间隔开的抬升部分。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：封装体；在封装体中的第一电极层和第二电极层；以及与所述第一电极层和第二电极层电连接的根据权利要求1所述的发光器件。
根据另一实施方案，照明系统包括：发光模块，其包括衬底和在衬底上设置的发光器件封装，其中所述发光器件封装包括：封装体；在封装体中的第一电极层和第二电极层；以及与所述第一电极层和第二电极层电连接的根据权利要求1所述的发光器件。
在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)称为在另一层或者衬底“上”时，其可以“直接地”在所述另一层或者衬底上，或也可存在中间层。
此外，应理解当层被称为在另一个层“下”时，其可以直接在另一层下，也可存在一个或多个中间层。另外，也应理解当层被称为在两层“之间”时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或多个中间层。
在本说明书中对″一个实施方案″、″实施方案″、″示例性实施方案″等的任何引用，表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与实施方案的其它特征、结构或特性关联均在本领域技术人员的范围之内。
虽然参考大量其说明性的实施方案已经描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是明显的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
第一电极；
邻接所述第一电极设置的第一半导体层，所述第一半导体层具有沿第一方向的第一预定厚度和沿第二方向的第一预定宽度，所述第一方向和所述第二方向不同，所述第一半导体层还包括侧表面；
邻接所述第一半导体层设置的有源层；
邻接所述有源层设置的第二半导体层；
与所述第二半导体层邻接的第二电极；和
在所述第一半导体层的至少一个侧表面处的至少一个电流阻挡层，所述至少一个电流阻挡层具有沿所述第一方向的第二预定厚度和沿所述第二方向的第二预定宽度，所述第二预定厚度和所述第二预定宽度分别小于所述第一预定厚度和所述第一预定宽度，并且所述至少一个电流阻挡层的整个第二预定宽度设置在所述第一半导体层内部。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层为第一导电型，所述第二半导体层为第二导电型。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括：
第一导电型的第二半导体子层；
在所述第二半导体子层的外周侧面处的电流阻挡层；和
在所述第二半导体子层上的第一导电型的第一半导体子层。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电流阻挡层包括非导电区域、第二导电型的离子注入层、第二导电型的扩散层、电介质材料和非晶区域中的至少之一。
5.根据权利要求2所述的发光器件，还包括：
在所述第二半导体层的侧面处的第二电流阻挡层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
在所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的侧表面上以及在所述第二半导体层和所述第二电极之间设置的盖层。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述盖层由用于形成所述第一半导体层、所述有源层或者所述第二半导体层中的至少之一的材料的半导体材料化合物形成。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述盖层的在所述侧表面上提供的部分的厚度小于在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供的部分的厚度，使得所述盖层的在所述侧表面上提供的所述部分用作钝化层。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述盖层的在所述侧表面上提供的部分的厚度小于在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供的部分的厚度，使得所述盖层的在所述侧表面上提供的所述部分的电阻高于所述盖层的在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供的所述部分的电阻。
10.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述盖层包括未掺杂的AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。
11.根据权利要求6所述的发光器件，其中在所述发光结构的侧表面处的所述钝化层薄于在所述发光结构的上表面处的所述钝化层。
12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
与所述第一半导体层邻接的未掺杂的半导体层；和
延伸穿过所述未掺杂的半导体层并且进入所述第一半导体层的凹陷，所述第一电极位于所述凹陷内部。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述未掺杂的半导体层具有第一表面和相反的第二表面，其中所述第一表面更靠近所述第一半导体层和所述第二表面，并且其中所述第二表面包括多个间隔开的抬升部分。
14.一种发光器件封装，其具有根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光器件封装还包括：
封装体；
在所述封装体中的第一电极层和第二电极层，其中所述发光器件与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
15.一种照明系统，其具有根据权利要求1所述的发光器件，所述照明系统还包括：
发光模块，所述发光模块包括衬底和在所述衬底上设置的发光器件封装，其中所述发光器件封装包括封装体和在所述封装体中的第一电极层和第二电极层，其中所述发光器件与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
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