CN101882660A

CN101882660A - 发光器件、封装和系统

Info

Publication number: CN101882660A
Application number: CN2010101702535A
Authority: CN
Inventors: 洪昶憙; 金炯九; 曹贤敬
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: LG Innotek Co Ltd
Priority date: 2009-05-04
Filing date: 2010-05-04
Publication date: 2010-11-10
Anticipated expiration: 2030-05-04
Also published as: EP2249406A2; US8232566B2; CN101882660B; US20100276726A1; EP2249406B1; EP2249406A3

Abstract

本发明提供一种发光器件，所述发光器件包括：第一导电型的第一半导体层；与所述第一半导体层邻接的有源层；设置为与所述有源层邻接的第二导电型的第二半导体层；设置在所述有源层的侧表面上的钝化层。所述钝化层是所述第一导电型、所述第二导电型或第一未掺杂的半导体层之一的半导体层。第一电极可与所述第一半导体层连接，第二电极可与所述第二半导体层连接。

Description

发光器件、封装和系统

相关申请的交叉引用

根据35USC§119，本申请要求2010年3月15日提交的韩国专利申请10-2010-0022922和2009年5月4日提交的韩国专利申请10-2009-0039014的优先权，通过引用将其内容并入本文。

技术领域

本文所述的一个或更多个实施方案涉及发光器件、封装或系统。

背景技术

当来自n-层的电子与来自p-层的空穴复合时，发光器件产生光。虽然这些器件得到广泛使用，但是它们具有缺陷。例如，由于不均匀的热膨胀和晶格系数，导致在外延层中可能出现穿透位错。已经使用选择性外延生长法来试图克服这些缺点，但是它们已被证明效率不高。

此外，已经使用钝化工艺来保护器件中的有源层。然而，这些层粘附不良且易于在受热时变形。而且，这些器件中的电介质层在沉积期间经常受界面应力的影响。

发明内容

本发明的一个或者更多个实施方案涉及如下所述的发光器件、发光器件封装以及系统。

1.一种发光器件，包括：

第一导电型的第一半导体层；

与所述第一半导体层邻接的有源层；

设置为与所述有源层邻接的第二导电型的第二半导体层；

设置在所述有源层的侧表面上的钝化层，所述钝化层是所述第一导电型、所述第二导电型或第一未掺杂的半导体层之一的半导体层；

与所述第一半导体层连接的第一电极；和

与所述第二半导体层连接第二电极。

2.根据1所述的发光器件，其中所述钝化层包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1。

3.根据1所述的发光器件，还包括：在所述第二半导体层上的保护层。

4.根据1所述的发光器件，其中所述第一半导体层的最大宽度大于所述有源层或所述第二半导体层中至少之一的最大宽度。

5.根据4所述的发光器件，其中所述有源层的最大宽度大于所述第二半导体层的最大宽度。

6.根据1所述的发光器件，其中所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的侧表面是倾斜的。

7.根据1所述的发光器件，其中所述第一半导体层具有覆盖有至少一种氧化物的侧表面。

8.根据1所述的发光器件，还包括：在所述第一半导体层上的第二未掺杂的半导体层。

9.根据3所述的发光器件，其中所述保护层由与所述钝化层相同的材料制成。

10.根据3所述的发光器件，其中所述保护层的厚度大于所述钝化层的厚度。

11.根据1所述的发光器件，其中所述钝化层设置在所述第一半导体层或所述第二半导体层中至少之一的侧表面上。

12.根据8所述的发光器件，其中所述第二未掺杂的半导体层包括暴露出所述第一半导体层的开口，并且所述第一电极设置在所述开口中以接触所述第一半导体层。

13.根据3所述的发光器件，其中所述第二电极设置在所述保护层上。

14.根据1所述的发光器件，其中所述钝化层的厚度不大于100埃。

15.根据3所述的发光器件，其中所述第二电极接触所述保护层或所述第二半导体层中的至少之一。

16.一种光系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括根据15所述的发光器件封装。

17.一种照明系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括根据16所述的发光器件封装。

附图说明

图1是显示发光器件的一个实施方案的图。

图2至6和10至11是显示通过制造发光器件的一种方法的一个实施方案产生的截面图的图。

图7和8分别是显示发光器件的一个实施方案的顶表面的照片。

图9是另一类发光器件的照片。

图12是显示发光器件的另一实施方案的图。

图13是发光器件封装的一个实施方案的图。

图14是照明单元的一个实施方案的图。

图15是背光单元的一个实施方案的图。

具体实施方式

图1显示发光器件(LED)100的一个实施方案，其包括：具有第一导电型半导体层120、有源层130和第二导电型半导体层140的发光结构、以及在所述发光结构上形成的保护层145。

图1的发光器件可以在选择性外延生长期间形成为在中心和边缘之间没有台阶。通过由与发光器件相同的材料形成钝化层，可以简化发光器件的制造工艺，并且可以提高钝化层和发光结构之间的粘合性。

现在将参照图2至11描述用于制造例如图1中显示的发光器件的方法的一个实施方案。该器件可由第III-V族材料中的材料例如GaN、GaAs、GaAsP和GaP材料形成。例如，绿色-蓝色LED可由GaN(InGaN)形成，黄色-红色LED可由InGaAIP或AIGaAs形成，并且通过改变材料组成可以实现全色再现。

在初始步骤中，提供第一衬底105用于发光结构，如图2所示。例如，第一衬底105可以是蓝宝石(Al₂O₃)单晶衬底、Si衬底、SiC衬底、GaN衬底、Ga₃O₃等，但是在其它实施方案中可以使用不同的材料。可以对第一衬底105进行湿蚀刻，并且可以移除表面的杂质。衬底105上可形成有缓冲层。

在第一衬底105上形成未掺杂的半导体层110(例如，未掺杂的GaN层)。通过形成未掺杂的半导体层110，可以改善随后将形成的半导体层120的生长工艺，并且可以防止晶体缺陷向上扩展。未掺杂的半导体层110的形成可以是任选的。

在未掺杂的半导体层110上形成第一图案210以暴露出部分区域M。第一图案210可以留在芯片间的边界区域上。第一图案210可以为例如氧化物层如SiO₂或氮化物层如SiN，但是可以使用其它材料。根据一个实施方案，暴露出部分区域的第一图案210可以通过利用PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)沉积SiO₂并然后可实施图案化来形成。

接下来，如图3所示，在未掺杂的半导体层110的暴露部分上形成第一导电型的半导体层120。例如，第一未掺杂的半导体层120可以利用例如CVD(化学气相沉积)、MBE(分子束外延)、溅射、HVPE(氢化物气相外延)等方法形成。例如，第一导电型半导体层可以通过将三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH₃)、氮气(N₂)和包含N型杂质如硅Si的硅烷气体(SiH₄)注入室中来形成。

在一个实施方案中，半导体层120可以从籽晶区域，即暴露的未掺杂的半导体层110向第一图案210侧向生长和在衬底105上向上生长。例如，当半导体层120沿第一图案210和第一衬底105在垂直方向和水平方向上选择性生长时，朝向第一图案210的水平生长区域处的TD(穿透位错)被第一图案210弯曲或阻挡，以防止出现表面位错线或裂纹。结果，半导体层120可以高品质地结晶而几乎没有位错。

根据一个或更多个实施方案，可以使用选择性区域生长法，并且可以生长具有低晶体缺陷的GaN基材料作为LED结构，以获得高的内部效率和高的可靠性，并且能够获得良好的电流扩散。

因为边缘生长在选择性外延生长中占优势，所以为了减小在其它类型的器件中心和边缘之间形成的台阶，可以在约100毫巴或更低的压力下形成半导体层120。因此，如图3所示，半导体层120的中心和边缘之间可以几乎不形成台阶，如果不是根本不形成台阶的话。

图4至6是显示半导体层120随时间生长的示意图。图4显示生长约10分钟之后的半导体层120a，图5显示生长约30分钟之后的半导体层120b，图6显示生长约60分钟之后的半导体层120c。

图7是根据一个或更多个前述实施方案形成的发光器件的顶表面的照片，图8是显示图7中区域A的放大视图的照片。当生长包括水平宽度为约1mm的层120和宽度为约90μm的第一图案210的大面积LED时，根据一个实例，中心和边缘之间的台阶可以保持为低于约500nm。

半导体层120可以在约1100℃或更高的温度下生长。例如在半导体层的MOCVD(金属-有机化学气相沉积)期间用于形成半导体层120的设备中，温度可以被升至最高。如所示图8，在LED生长期间，在中心和边缘之间几乎不形成台阶，因此可以改善表面形态。

根据一个实施方案，半导体层120可以利用第III族和第V族元素的量比(V/III)为约2000来形成。这样做可以在中心和边缘之间几乎不形成台阶，因此，在发光器件生长期间可以改善表面形态。

第III族和第V族元素的量比(V/III)可以根据温度、压力和气体的类型而变化。例如，控制TMGa气体和NH₃气体的流量体积可允许控制第III族元素的量和第V族元素的量的比例(V/III)。

图9显示的是，当第III族和第V族元素的量比(V/III)为约2200和约2300时，表面形态劣化和V型点蚀(P)增加的状态。通过控制选择性生长期间的生长温度、压力或第III族和第V族元素的量比(V/III)，可以在中心和边缘之间不形成台阶。

如图10所示，在半导体层120上形成有源层130。有源层130可以具有通过一次或多次交替堆叠具有彼此不同能带的氮化物半导体薄膜层所形成的单量子阱结构或多量子阱结构。或者，有源层130可以具有量子线结构或量子点结构。

有源层120可以形成为多量子阱结构，其具有注入三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH₃)、氮气(N₂)和三甲基铟(TMIn)气体的InGaN阱层/InGaN势垒层结构，但是不限于此。此处，阱层的能带间隙可以小于势垒层的能带间隙。有源层130可由选自InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)和GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一种形成。

根据一个实施方案，可利用例如在半导体层120的侧表面上形成的预定掩模图案(未显示)在半导体层120上形成有源层130，因而有源层130可形成在半导体层120上。

接下来，在有源层130上形成第二导电型的半导体层140。例如，半导体层140可通过将三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH₃)、氮气(N₂)和二乙基环戊二烯基镁(EtCp₂Mg){Mg(C₂H₅C₅H₄)₂}注入室中来形成为P型GaN层。

保护层145可在发光结构上由与发光结构相同的材料形成。保护层145可由选自未掺杂的GaN、AlGaN、InGaN和AlInGaN中的至少一种形成。例如，保护层145可由未掺杂的GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等形成。保护层145可由与发光结构相同的材料形成。然而，在替代实施方案中，保护层可由不同的材料形成。

在一个实施方案中，保护层145可形成为包封发光结构的侧表面和顶表面。形成于发光结构侧表面上的保护层145a的厚度可以小于形成于发光结构顶表面上的保护层145b的厚度。

因为形成于发光结构顶表面上的保护层145b具有高导电性，所以它可以实施电流扩散功能。因为形成于发光结构侧表面上的保护层145a薄且具有高电阻，所以它可以用作钝化层。

选择性生长的发光结构的侧表面可以晶化，例如通过GaN的纤维锌矿(wurtzite)结构特性来晶化。在一个实施方案中，发光结构的侧表面可具有沿第一衬底105的表面形成的多向表面。侧表面生长的特性可以根据用于表面各部分的表面原子稳定性和表面能而不同。因为第一图案210的掩模图案化，所以可抑制表面生长，并且可表现出GaN的纤维锌矿结构特性。

例如，当Ga原子的1-2个键在侧表面上断裂时，在顶表面上断裂3个键。因为这种特性，所以侧表面生长具有非常低的生长速率，其为顶表面生长速率的约1/5至约1/10。因此，在发光结构侧表面上生长的GaN保护层可以形成为很薄的高电阻膜。

根据一个实施方案，保护层145a形成在侧表面上以具有高电阻，从而实施电隔离功能。该保护层145a可以形成在侧表面上，具有例如100埃或更小的预定厚度。可以实施额外的步骤以移除发光结构上保留的保护层145b的一部分。

如图11所示，在半导体层140或保护层145下方形成第二电极层150。第二电极层150可包括欧姆层、反射层或接合层以及其它层中的一种或多种。

例如，第二电极层150可形成为包括具有多次堆叠结构的欧姆层、用于有效注入空穴的单一金属或金属合金、金属氧化物等。欧姆层可形成为包括例如选自ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO、Ni、Pt、Cr、Ti、Ag的至少一种。

如果第二电极层150包括反射层，则其可由包括Al、Ag的金属层或包括Al或Ag的合金的金属层形成。可以使用铝、银等来有效反射从有源层发射的光，从而大幅提高发光器件的光提取效率。

如果第二电极层150包括接合层，则反射层可用作接合层，或者可以利用镍(Ni)或金(Au)形成接合层。

在第二电极层150下可包括第二衬底160。第二衬底160可由金属、金属合金或具有良好导电性的导电半导体材料形成，以获得有效的空穴注入。例如，第二衬底160可以为选自Cu、Cu合金、Si、Mo、SiGe、GaN、Ga₂O₃、Ge、GaN和SiC中的至少一种。形成第二衬底160的方法可以采用ECVD金属沉积法或使用低共熔金属的接合法。此外，在一个实施方案中，第二衬底160可形成为使其水平宽度与未掺杂的半导体层110的相同。

移除第一衬底105以暴露出未掺杂的半导体层110的一部分。用于移除第一衬底105的移除法可以采用激光剥离(LLO)来分离第一衬底或者可以使用化学蚀刻法。此外，第一衬底105可以通过物理研磨来移除。

在使用LLO法时，当在高温下施加预定能量水平时，能量在第一衬底105和发光结构之间的界面处被吸收，使得发光结构的接合界面被热分离，从而允许第一衬底105和发光结构分离。接下来，移除未掺杂的半导体层110的一部分，并且在半导体层120上形成第一电极125。

因为在图11中显示的实施方案中的发光器件芯片的末端被切割成TIP(截顶的倒金字塔)结构，所以可以将外部量子效率提高55％或更高。在形成根据实施方案的LED之后，在末端被切割成TIP结构的芯片对光提取具有大的影响。

在一个实施方案中，可以移除或不移除第一图案210，并且可以对未掺杂的半导体层110的顶表面施加表面纹理以增加光提取效率。例如，可以利用湿蚀刻来选择性地移除第一图案210，并且可以在除了第一电极205之外的区域上对未掺杂的半导体层110的顶表面进行干蚀刻或湿蚀刻，以在其上形成表面纹理(未显示)。

图12显示发光器件的另一个实施方案。该器件利用不形成未掺杂的半导体层的工艺形成。或者，形成未掺杂的半导体层，然后将其移除。

根据这些实施方案，形成在选择性外延生长期间在中心和边缘之间不产生台阶的发光器件。此外，通过利用与发光结构相同的材料形成钝化层，简化了发光器件的制造工艺，并且可以改善钝化层和发光结构之间的粘合性。

图13显示具有安装的发光器件的发光器件封装200的一个实施方案。如图所示，该封装包括：体205、安装在体205上的第三电极层210和第四电极层220、安装在体205上并且与第三电极层210和第四电极层220电连接的发光器件100、以及包封发光器件100的模制元件240。体205可形成为包含硅材料、合成树脂材料或金属材料，并且发光器件100周围可形成倾斜表面。第三和第四电极层210和220彼此电隔离并向发光器件100供电。第三电极层210和第四电极层220可以反射从发光器件100发射的光以提高发光效率，并且可以起到将由发光器件100产生的热耗散到外部的作用。

发光器件100可以实施为例如如图1所示的垂直型器件，或者横向型器件。发光器件100可安装在体205上，或者可以安装在第三电极层210或第四电极层220上。

发光器件100可通过导线230与第三电极层210和/或第四电极层220电连接。作为一个实例，在图13中，使用一根导线230连接垂直型发光器件100。

模制元件240可以包封发光器件以保护该器件。在模制元件240上可包含磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。

在一个实施方案中，发光器件封装可用作如图14所示的照明单元、如图15所示的背光单元、交通灯、车头灯、指示牌等。

图14显示照明单元1100的一个实例，所述照明单元1100包括：壳体1110、安装在壳体1110上的发光模块1130、以及安装在壳体1110上以接收来自外部电源的电力的连接端子1120。

壳体1110可由具有改善的散热特性的材料形成，例如可由金属材料或树脂材料形成。

发光模块部1130可包括衬底1132和安装在衬底1132上的至少一个发光器件封装200。衬底1132可具有印刷在绝缘材料上的电路图案，并且可以包括例如PCB(印刷电路板)、MCPCB(金属芯)PCB、FPCB(柔性)PCB、CPCB(陶瓷)PCB等。此外，衬底1132可由可有效反射光的材料形成，或者可形成有从表面有效反射光的颜色(例如白色或银色)。

在衬底1132上可以安装至少一个发光器件封装200。每个发光器件封装200可以包括至少一个LED(发光二极管)100。LED 100可包括分别发射红色、绿色、蓝色或白色光的彩色光LED和发射UV光的UV(紫外)LED。

发光模块部1130可具有设置于其上的发光器件封装200的不同组合以产生不同的颜色和亮度。例如，为了获得高的CRI(显色指数)，可组合布置白色LED、红色LED和绿色LED。

连接端子1120可电连接至发光模块部1130以供电。根据图14，连接端子1120可以例如以插座结构旋转插入外部插座中。此外，连接端子1120可形成为销结构以插入外部电源中，或者可以通过导线连接至外部电源。

图15显示背光单元1200的一个实施方案，所述背光单元1200包括：导光板1210、向导光板1210提供光的发光模块部1240、导光板1210下方的反射元件1220、以及容纳导光板1210、发光模块部1240和反射元件1220的底盖1230。

导光板1210用于散射光且用作表面光源，并且可由透明材料形成。例如，导光板1210可包括或由选自丙烯酸树脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚物)和/或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)中的一种树脂形成。

发光模块部1240向导光板1210的至少一个表面提供光，以最终用作其上安装背光单元的显示器件的光源。

发光模块部1240可接触导光板1210。更具体地，根据一个实例，发光模块部1240包括衬底1242和安装在衬底1242上的多个发光器件封装200，并且衬底1242可接触导光板1210。衬底1242可以是包括电路图案的PCB(印刷电路板)，或者可以包括MCPCB(金属芯)PCB或FPCB(柔性)PCB等。

多个发光器件封装200可安装在衬底1242上，使得从其发光的发光表面与导光板1210间隔开预定的距离。

在导光板1210下可形成反射元件1220。反射元件1220可形成为反射入射到导光板1210底表面上的光，并且可以提高背光单元的亮度。反射元件1220可由例如PET、PC或PVC树脂形成。

底盖1230可容纳导光板1210、发光模块部1240和反射元件1220。为此，底盖1230可形成为例如带有开放顶表面的盒形状。此外，底盖1230可由金属材料或树脂材料形成，并且可利用例如压制成形或压缩成型的工艺制成。

因此，本发明的一个或更多个实施方案提供一种具有牢固粘附至发光结构的保护层的发光器件、发光器件封装、以及包括该发光器件封装的照明系统。一个或更多个实施方案还提供具有低晶体缺陷的发光器件、发光器件封装、以及包括该发光器件封装的照明系统。一个或更多个实施方案还提供在选择性外延生长期间在中心和边缘之间不形成台阶的发光器件、发光器件封装和包括其的照明系统。

在一个实施方案中，一种发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及在所述发光结构上形成的保护层，所述保护层由与所述发光结构相同类型的材料制成。

在另一个实施方案中，一种发光器件封装包括：发光器件，所述发光器件包括发光结构和在所述发光结构上的由与所述发光结构相同类型的材料制成的保护层，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；和其中设置所述发光器件的封装体。

在另一个实施方案中，照明系统包括发光模块部，所述发光模块部包括：发光器件，所述发光器件包括在发光结构上且由与所述发光结构相同类型的材料制成的保护层；和其中设置所述发光器件的封装体。

在本文所述的实施方案中，所述第一和第二导电型选自n-型和p-型。此外，在至少一个实施方案中，设置在侧表面上的半导体层可用作钝化层，并且在所述第二半导体层顶表面上的半导体层可用作保护层，其具有较大的厚度。

根据另一个实施方案，一种发光器件包括第一导电型的第一半导体层；与所述第一半导体层邻接的有源层；设置为与所述有源层邻接的第二导电型的第二半导体层；设置在所述有源层的侧表面上的钝化层，所述钝化层是所述第一导电型、所述第二导电型或第一未掺杂的半导体层之一的半导体层；与所述第一半导体层连接的第一电极；以及与所述第二半导体层连接第二电极。

所述钝化层包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1，并且可以在所述第二半导体层上设置保护层。

此外，所述第一半导体层的最大宽度大于所述有源层和所述第二半导体层中至少之一的最大宽度。所述有源层的最大宽度大于所述第二半导体层的最大宽度。

此外，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的侧表面可以是倾斜的，并且所述第一半导体层可具有覆盖有至少一种氧化物的侧表面。

此外，在所述第一半导体层上可以包括第二未掺杂的半导体层，并且所述保护层可由与所述钝化层相同的材料制成，并且其厚度可大于所述钝化层的厚度。此外，可在所述第一半导体层或所述第二半导体层中至少之一的侧表面上设置所述钝化层。

此外，所述第二未掺杂的半导体层可包括暴露出所述第一半导体层的开口，并且在所述开口中设置第一电极以接触所述第一半导体层。在所述保护层上可设置第二电极。所述钝化层的厚度不大于100埃。所述第二电极可接触所述保护层或所述第二半导体层中的至少之一

根据另一个实施方案，一种发光器件封装可包括根据任一前述实施方案的发光器件和其中设置所述发光器件的封装体。

根据另一个实施方案，一种照明系统可包括发光模块部，所述发光模块部包括根据一个或更多前述实施方案的发光器件封装。

在实施方案的说明中，应当理解，当层(或膜)称为在另一层或衬底“上/上方”时，它可以直接在所述另一层或衬底之上，或者也可以存在中间层。此外，应理解，当层称为在另一层“下/下方”时，它可以直接在所述另一层下，并且也可以存在一个或更多个中间层。此外，还应理解，当称层在两层“之间”时，它可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。

本说明书中提及的“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等是指关于该实施方案所描述的具体特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中各处使用的这类措辞不必都是指相同的实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具体特征、结构或特性时，将这种特征、结构或特性与实施方案的其它具体特征、结构或特性进行结合也在本领域技术人员的范围内。

虽然已经参照本发明的若干示例性实施方案描述了本发明，但是应理解，本领域的技术人员可以设计出多种其它修改方案和实施方案，它们也在本公开原理的精神和范围内。更具体地，可以在本公开、附图和所附权利要求的范围内，对主题组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了对组成部件和/或布置进行变化和修改之外，可替代使用对本领域的技术人员而言也是明显的。

Claims

1.一种发光器件，包括：

第一导电型的第一半导体层；

与所述第一半导体层邻接的有源层；

设置为与所述有源层邻接的第二导电型的第二半导体层；

与所述第一半导体层连接的第一电极；和

与所述第二半导体层连接第二电极。

2.权利要求1所述的发光器件，其中所述钝化层包括Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1。

3.权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第二半导体层上的保护层。

4.权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层的最大宽度大于所述有源层或所述第二半导体层中至少之一的最大宽度。

5.权利要求4所述的发光器件，其中所述有源层的最大宽度大于所述第二半导体层的最大宽度。

6.权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的侧表面是倾斜的。

7.权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层具有覆盖有至少一种氧化物的侧表面。

8.权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第一半导体层上的第二未掺杂的半导体层。

9.权利要求3所述的发光器件，其中所述保护层由与所述钝化层相同的材料制成。

10.权利要求3所述的发光器件，其中所述保护层的厚度大于所述钝化层的厚度。

11.权利要求1所述的发光器件，其中所述钝化层设置在所述第一半导体层或所述第二半导体层中至少之一的侧表面上。

12.权利要求8所述的发光器件，其中所述第二未掺杂的半导体层包括暴露出所述第一半导体层的开口，并且所述第一电极设置在所述开口中以接触所述第一半导体层。

13.权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极设置在所述保护层上。

14.权利要求1所述的发光器件，其中所述钝化层的厚度不大于100埃。

15.权利要求3所述的发光器件，其中所述第二电极接触所述保护层或所述第二半导体层中的至少之一。

16.一种光系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括权利要求15所述的发光器件封装。

17.一种照明系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括权利要求16所述的发光器件封装。