CN102024895A - 发光器件、系统和封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光器件、系统和封装。所述发光器件包括：由两个半导体层和位于其间的有源层形成的发光结构。绝缘体延伸穿过所述有源层和至少部分通过所述半导体层，所述发光结构位于第一电极和第二电极层之间。第一电极和绝缘体彼此交叠并且可具有相同或者不同的宽度。

Description

发光器件、系统和封装
技术领域
本文所述的一个或者更多个实施方案涉及发光，更具有涉及发光器件、系统和封装。
背景技术
发光器件(LED)将电信号转化为光。因为LED的尺寸、功率效率和通用性，因此发现LED适于各种应用。然而，它们仍存在不足。
发明内容
根据本发明的一个实施方案，提供一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括均沿第一方向形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述有源层设置在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间；与所述第一半导体层邻接并且具有第一设定宽度的第一电极；绝缘体，所述绝缘体从所述第二半导体层沿第二方向延伸穿过所述有源层至所述第一半导体层并且具有第二设定宽度；以及包括与所述第二半导体层邻接的层的第二电极，其中所述第二电极层具有大于所述第一设定宽度和所述第二设定宽度的第三设定宽度，并且其中所述第一电极和所述绝缘体沿不同于所述第一方向的所述第二方向彼此交叠。
根据本发明的一个实施方案，提供一种发光器件封装，包括：根据本发明的发光器件；在其上设置所述发光器件的封装体；和与所述发光器件和所述封装体电连接的至少一个电极层。
根据本发明的一个实施方案，提供一种照明系统，包括根据本发明的发光器件封装。
附图说明
图1是显示发光器件的一个实施方案的图。
图2～5是显示通过制造发光器件方法的一个实施方案获得的不同阶段的图。
图6是发光器件封装的一个实施方案的图。
图7是发光器件封装的另一实施方案的图。
图8是发光器件封装的一个实施方案的图。
图9是显示照明单元的一个实施方案的图。
图10是显示背光单元的一个实施方案的图。
具体实施方式
图1显示发光器件100的一个实施方案，所述发光器件100包括：具有第二导电型的半导体层130、有源层120和第一导电型的半导体层110的发光结构、以及在通过移除部分发光结构所限定的腔C(图3)上形成的绝缘层140。器件100还包括在第二导电型半导体层130上的第二电极层150。
提供绝缘层以控制器件中电流的流动(例如，流动速率和/或流量)，由此提供具有改善的光提取效率的LED。而且，可引起电流扩散，以由此提高LED的可靠性。
图2～5显示通过制造LED的方法的一个实施方案获得的不同阶段，所述LED例如可为图1中所示的LED。
首先，如图2所示，准备第一衬底105。第一衬底105可为或者可包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，第一衬底105可由包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge或者Ga2O3中至少之一的材料制成。在第一衬底105的上表面中可形成不规则结构，但是本文公开的实施方案不限于这种结构。可对第一衬底105实施湿蚀刻以移除第一衬底105的表面的杂质。
在第一衬底105上可形成缓冲层(未显示)。缓冲层可缓冲构成发光结构和第一衬底105的材料之间的晶格失配。例如，缓冲层可由III-V族化合物半导体例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或者AlInN中的至少之一形成。在缓冲层上可形成未掺杂的半导体层(未显示)，但是本文所述的实施方案不是必需包括这种未掺杂的层。
然后，在第一衬底105上形成第一导电型半导体层110。第一导电型半导体层110可通过掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体来实现。在第一导电型半导体层110是N型半导体层的情况下，第一导电型掺杂剂是N型掺杂剂，其可包括Si、Ge、Sn、Se和/或Te作为N型掺杂剂。在其它实施方案中，可使用不同类型的掺杂剂或者不同的掺杂剂材料。
第一导电型半导体层110可通过使用例如化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射或者氢化物气相外延(HVPE)形成。而且，第一导电型半导体层110可通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和/或包括n型杂质例如硅(Si)的硅烷(SiH4)气体形成。
此外，第一导电型半导体层110可由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP或者InP中的至少之一形成。
然后，在第一导电型半导体层110上形成有源层120。有源层120可具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构，可例如通过一次或者数次交替堆叠具有不同能带的薄的氮化物半导体层形成。
根据一个非限制性的实施方案，有源层120可形成为包括InGaN阱层/InGaN势垒层的MQW结构，其通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和/或三甲基铟气体(TMIn)形成。在其它实施方案中，可使用不同的工艺。此时，阱层的能带隙可小于势垒层的能带隙。
有源层120的阱层/势垒层可形成为InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)、GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一对结构。在其它实施方案中，可使用不同的结构。阱层可由能带隙低于势垒层能带隙的材料形成。
在有源层120上或/和下可形成导电覆层。导电覆层可由例如AlGaN基半导体形成并且其能带隙可高于有源层120的能带隙。
然后，第二导电型半导体层130在有源层120上形成，并且可包括III-V族化合物半导体，例如组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。第二导电型半导体层130可由例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP中的至少之一形成。
在第二导电型半导体层130是P型半导体层的情况下，第二导电型掺杂剂可包括Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba作为P型掺杂剂。第二导电型半导体层130可形成为单层结构或者多层结构。
例如，第二导电型半导体层130可为P型GaN层，通过将三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和/或包括P型杂质例如Mg的双(乙基环戊二烯基)镁((EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}注入室中形成。
根据一个实施方案，第一导电型半导体层110可通过N型半导体层实现，第二导电型半导体层130可通过P型半导体层实现。或者，在第二半导体层130上可形成具有与第二导电型相反的导电类型的半导体层，例如N型半导体层(未显示)。因此，发光结构可实现为包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构或者P-N-P结结构中的至少之一。
然后，如图3所示，部分移除第二导电型半导体层130、有源层120和第一导电型半导体层110以形成腔C，所述腔C例如可为凹陷、凹槽、沟渠、沟槽、孔或者其它类型的凹坑中的任意一种。
为了形成腔C，可实施干蚀刻或者湿蚀刻，从第二导电型半导体层130上的位置(位于后续形成的第一电极160的垂直下方)开始，直至暴露出第一导电型半导体层110。在其它实施方案中，可使用不同的工艺。
在一个实例中，腔C可通过部分和依次蚀刻第二导电型半导体层130和有源层120、或者通过进一步蚀刻第一导电型半导体层110的一部分来形成。因为腔区域C(位于第一电极160垂直下方)不具有有源层120，所以不发生由于载流子(电子和空穴)的复合所导致的光产生。即，因为电流不是平滑地提供给腔形成区域，所以在腔C上不产生发光，并因此通过位于腔上的第一电极160所导致的光吸收可减少或者消除。
在根据图6所示的另一实施方案的发光器件102中，腔的上部宽度可与其下部宽度不同。例如，通过基于发光器件的晶体方向实施蚀刻，腔可形成为具有倾斜或者为锥形。因此，从有源层发射而未被绝缘层142所吸收光可被反射和提取到外部。
然后，如图4所示，在腔C上形成绝缘层140。绝缘层140可包括例如介电层如氮化物层(例如SiN)或者氧化物层(例如SiO2)。在一个实施方案中，绝缘层140自身可具有50％的反射率，或者可由于半导体层和绝缘层之间的折射率差异而具有50％以上的反射率。因此，从有源层发射的光较少地被绝缘层140所吸收，使得可提高光提取效率。
然后，在第二导电型半导体层130和绝缘层140上形成第二电极层150。
第二电极层150可包括欧姆层(未显示)、反射层152、结层(未显示)或者导电支撑衬底154。第二电极层150可由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)或者掺杂有杂质的半导体衬底中的至少之一形成。例如，第二电极层150可包括通过多次堆叠单金属层、金属合金层和/或金属氧化物层而形成的欧姆层。
欧姆层可形成为例如包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、氮化IZO(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或Hf中的至少之一。
第二电极层150可包括反射层152和/或结层。反射层152可由例如包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au或者Hf中的至少之一的金属或者金属合金形成。而且，反射层152可使用上述金属或者合金以及透明导电材料例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或者ATO形成为多层结构，或者形成为IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Ni的多层结构。
因为从有源层发射的光通过第二电极层150的反射层152而反射，所以可提高光提取效率。而且，如图6所示，在腔C从上侧至下侧时宽度增加的情况下，从有源层产生的光和由反射层反射的光经由第二绝缘层142沿着发光器件的向上的方向得到有效发射，因此可提高光提取效率。
而且，在第二电极层120包括结层(未显示)的情况下，反射层152可用作结层或者可包括阻挡金属或者接合金属。例如，结层可包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag或者Ta中的至少之一。
虽然图5显示绝缘层140完全填充腔C，但是在其它实施方案中，绝缘层140的材料可仅仅部分填充所述腔或者可溢出所述腔。
例如，在图7显示的根据另一实施方案的发光器件103中，绝缘层143可形成为部分填充(例如突入)腔C的结构。如此，第二反射层153可部分存在于腔C中并因此可反射光，以提高光提取效率。
然后，如图5所示，在反射层152上可形成导电支撑衬底154。导电支撑衬底154可由例如金属、金属合金或者具有优异导电率的导电半导体材料形成，使得可有效地注入空穴。在一个实施方案中，导电支撑衬底154可包括铜(Cu)、Cu合金、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、Cu-W或者载体晶片(例如Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、SiC)中的至少之一。导电支撑衬底154的厚度可随发光器件100的设计而变化。在一个说明性的应用中，厚度可为30μm～500μm。
导电支撑衬底154可利用例如电化学金属沉积方法、镀敷方法或者使用共晶金属的接合方法中的任意一种形成。
然后，如图5所示，可使用例如利用高功率激光的激光剥离方法、化学剥离方法、物理研磨第一衬底105来移除第一衬底105。
然后，在通过移除第一衬底105暴露出的第一导电型半导体层110上可形成第一电极160。第一电极160可在第一导电型半导体层110上形成从而与腔C在空间上交叠。
因为位于第一电极160垂直下方的腔区域不具有有源层120，所以不发生由于载流子(电子和空穴)的复合所导致的光产生。
而且，因为腔C是覆盖有绝缘层140的经蚀刻的区域，所以电流不流过腔C而是扩散到除了腔之外的区域中。即，因为腔覆盖有或者填充有绝缘层140，所以腔用作电流阻挡层(CBL)。根据本文描述的这个和其它实施方案，可产生高效的电流流动，使得可提高可靠性并且使得由第一电极吸收的光可最小化，由此提高光量。
而且，根据一个或者更多个实施方案，通过在第二绝缘层中形成反射斜坡或者通过在第三绝缘层中提供反射层，可提高光提取效率，以由此提高光输出功率。而且，根据一个或者更多个实施方案，可一起提高光提取效率和电流扩散效率。
图8显示可包括本文描述的发光器件的任何实施方案的发光器件封装200的一个实施方案。参考图8，发光器件封装包括：主体205、安装于主体205上的第三电极层210和第四电极层220、安装于主体205上并与第三电极层210和第四电极层220电连接的发光器件100、以及包封发光器件100的模制元件240。
主体205可形成为包括硅、合成树脂或者金属材料，并且可在发光器件100周围具有倾斜表面。
第三电极层210和第四电极层220彼此电隔离并可用于对发光器件供电。而且，第三电极层和第四电极层可反射由发光器件产生的光，由此提高光效率，并且可将来自发光器件的热散发。
发光器件100可为如图1所示的垂直型发光器件或者其它类型的器件。而且，图6显示的发光器件102和图7显示的发光器件103可应用于该发光器件封装。
发光器件100可安装于主体205上或者第三电极层210或者第四电极层220上。
发光器件100可通过导线230与第三电极层210和/或第四电极层220电连接。而且，虽然图8说明性地显示垂直型发光器件100使用单个导线230，但是在其它实施方案中，可使用不同数目的导线。
模制元件240可包封和保护发光器件100。而且，在模制元件240中可包含荧光物质以改变由发光器件100发射的光的波长。
发光器件封装可应用于照明系统，例如包括如图9所示的照明单元、图10中所示的背光单元、信号灯、车辆前灯、标记牌，或者需要发光元件的许多其它系统或装置中的任意一种。
图9显示作为这种照明系统的一个实例的照明单元1100的一个实施方案。参考图9，照明单元1100包括：外壳体1110、设置于外壳体1110中的发光模块部1130、以及设置于外壳体1110中并从外部电源供电的接线端子1120。
外壳体110可由具有良好热屏蔽特性的材料例如金属材料或者树脂材料形成。
发光模块部1130可包括：衬底1132和安装于衬底1132上的至少一个发光器件封装200。衬底1132可为其上印刷有电路图案的绝缘体衬底，并且例如可包括通常的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB或者陶瓷PCB。
衬底1132可由有效反射光的材料形成，并且其表面可形成为能够有效反射光的颜色，例如白色或者银色。
在衬底1132上可安装一个或者更多个发光器件封装200，并且各封装200可包括至少一个LED 100。发光二极管100可为发射红色光、绿色光或者白色光的彩色LED或者发射紫外线(UV)的UV LED。
发光模块部1130可设置为具有各种发光器件封装的组合，以获得期望的颜色和/或亮度。例如，发光模块部分1130可设置为具有白色LED、红色LED和绿色LED的组合，以获得高的显色指数(CRI)。
接线端子1120可与发光模块部1130电连接以供电。如图9所示，接线端子1120可以以插座型旋入并与外电源连接。在其它实施方案中，可应用不同的连接结构。例如，接线端子1120可为插入外电源接线器部中的销型，或者可通过电力线与外部电源连接。
图10显示背光单元1200的一个实施方案，所述背光单元1200包括：导光板1210、为导光板1210提供光的发光模块部1240、在导光板1210下的反射元件1220、以及容纳导光板1210、发光模块部1240和反射元件1220的底盖1230。
导光板1210用于通过将线性光散射以将线性光转变为平面光。导光板可包括例如丙烯酰系树脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC或者聚萘二甲酸乙二醇酯树脂中的一种。
发光模块部1240为导光板1210的至少一个侧表面提供光，并最终用作其中设置背光单元的显示器件的光源。发光模块部1240可与导光板1210接触。更具体而言，发光模块部1240可包括：衬底1242和安装于衬底1242上的多个发光器件封装200，并且衬底1242可与导光板1210接触。
衬底1242可为包括电路图案(未显示)的PCB。衬底1242可包括金属芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)或者其它类型的PCB，包括但不限于常规的PCB。
所述多个发光器件封装200可安装在衬底1242上，使得多个发光器件封装200的发光表面与导光板1210间隔开预定距离。
在导光板1210下可提供反射元件1220。反射元件1220反射从导光板的底表面入射的光，以使得反射光朝向向上的方向，由此能够提高背光单元的亮度。反射元件1220可由例如PET、PC或者PVC树脂形成。
底盖1230可容纳光导板1210、发光模块部1240和反射元件1220。为此，底盖1230可形成为具有打开的顶表面的盒形。在其它一些实施方案中，盒盖可具有不同的形状。而且，底盖1230可由金属或者树脂材料形成，并且可使用例如压模或者注模工艺制造。
本文描述的实施方案提供发光器件、发光器件封装和照明系统，其可提高光提取效率以及电流扩散效率。
在一个实施方案中，一种发光器件包括：包括第二导电型半导体层、第一导电型半导体层、以及在所述第二导电型半导体层和所述第一导电型半导体层之间的有源层的发光结构；在所述第一导电型半导体层上的第一电极；在通过部分移除所述发光结构而限定的腔上的绝缘层；和在所述第二导电型半导体层上的第二电极层，其中所述绝缘层与所述第一电极和所述第二电极层在所述绝缘层的上方和下方至少部分地在空间上交叠。
在另一个实施方案中，一种发光器件包括：包括均沿第一方向形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构，并且有源层提供于所述第二半导体层和所述第一半导体层之间；与所述第一半导体层邻接并且具有第一设定宽度的第一电极；从所述第二半导体层沿第二方向延伸穿过所述有源层至所述第一半导体层并且具有第二设定宽度的绝缘体；和包括与所述第二半导体层邻接的层的第二电极。所述第二电极层具有大于所述第一设定宽度和第二设定宽度的第三设定宽度，并且所述第一电极和绝缘体沿不同于第一方向的第二方向彼此交叠。
第一宽度和第二宽度可基本相等，第一电极和绝缘体沿着第二方向对齐。而且，第二电极层可与第一电极和绝缘体沿着第二方向交叠。
第二电极层可包括延伸到腔中的电极部，其中所述绝缘体延伸到所述腔中，所述腔沿着第二方向形成，并且绝缘体可与第二半导体层接触。绝缘体可沿着第二方向部分延伸到第一半导体层中。
其中绝缘体可延伸到第一半导体层中的绝缘体的全部表面与第一半导体层接触，和/或包括绝缘体和第一半导体层之间的表面界面的全部表面界面可彼此直接接触。
此外，绝缘体可延伸到形成于第一半导体层中的凹陷中，并且绝缘体可与凹陷的全部表面接触。
而且，绝缘体可延伸到穿过有源层并且至少部分穿过第一半导体层和第二半导体层的腔中。所述腔可具有对应于绝缘体的第二设定宽度的基本相同的宽度，或者所述腔可具有对应于绝缘体的逐渐变小的侧面的逐渐变小的宽度。在后者的情况下，与第二电极层邻接的绝缘体和腔的表面可宽于延伸到第一半导体层中的绝缘体和腔的表面。
此外，所述器件可包括与绝缘层和第二半导体层邻接的反射层、以及与反射层邻接的导电支撑衬底。
绝缘体可用于减小或者阻挡电流沿第二方向的流动，和/或流过绝缘体的电流小于流过第二半导体层的电流。第一方向可为水平的，第二方向可为垂直的。
而且，第三设定宽度可大于第二设定宽度，第二设定宽度大于第一设定宽度。
在另一个实施方案中，发光器件封装包括：如上所述的发光器件、其上设置所述发光器件的封装体；以及与所述发光器件和所述封装体电连接的至少一个电极层。
在另一个实施方案中，照明系统包括如上所述的发光器件封装。
在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，其可直接在另一层或衬底上，或者也可存在中间层。此外，应理解当层被称为在另一个层“下”时，其可以直接在另一层下，也可存在一个或更多个中间层。此外，也应理解当层被称为在两层“之间”时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或更多个中间层。
在本说明书中对″一个实施方案″、″实施方案″、″示例性实施方案″等的任何引用，表示结合所述实施方案描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与实施方案的其它特征、结构或者特性进行关联在本领域技术人员的范围之内。
虽然参考大量其说明性的实施方案已经描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括均沿第一方向形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述有源层设置在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间；
与所述第一半导体层邻接并且具有第一设定宽度的第一电极；
绝缘体，所述绝缘体从所述第二半导体层沿第二方向延伸穿过所述有源层至所述第一半导体层并且具有第二设定宽度；以及
包括与所述第二半导体层邻接的层的第二电极，
其中所述第二电极层具有大于所述第一设定宽度和所述第二设定宽度的第三设定宽度，并且其中所述第一电极和所述绝缘体沿不同于所述第一方向的所述第二方向彼此交叠。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一宽度和所述第二宽度基本相等，并且其中所述第一电极和所述绝缘体沿着所述第二方向对齐。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极层与所述第一电极和所述绝缘体沿着所述第二方向交叠。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二电极层包括延伸到腔中的电极部，其中所述绝缘体延伸到所述腔中，所述腔沿着所述第二方向形成。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘体与所述第二半导体层接触。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘体沿所述第二方向部分延伸到所述第一半导体层中。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘体延伸入所述第一半导体层中的绝缘体的全部表面与所述第一半导体层接触。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中包括在所述绝缘体和所述第一半导体层之间的表面界面的全部的表面界面彼此直接接触。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘体延伸到形成于所述第一半导体层中的凹陷中，并且其中所述绝缘体与所述凹陷的全部表面接触。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中：所述绝缘体延伸到穿过所述有源层和至少部分穿过所述第一半导体层和所述第二半导体层的腔中。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述腔具有对应于所述绝缘体的所述第二设定宽度的基本恒定的宽度。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述腔具有对应于所述绝缘体的逐渐变小的侧面的逐渐变小的宽度。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中与所述第二电极层邻接的所述绝缘体和所述腔的表面宽于延伸到所述第一半导体层中的所述绝缘体和所述腔的表面。
14.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：与所述绝缘层和所述第二半导体层邻接的反射层，和
与所述反射层邻接的导电支撑衬底。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述绝缘体减少或者阻挡沿着所述第二方向的电流流动。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中流过所述绝缘体的电流小于流过所述第二半导体层的电流。
17.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一方向是水平的，所述第二方向是垂直的。
18.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三设定宽度大于所述第二设定宽度，所述第二设定宽度大于所述第一设定宽度。
19.一种发光器件封装，包括：
根据权利要求1所述的发光器件；
其上设置所述发光器件的封装体；和
与所述发光器件和所述封装体电连接的至少一个电极层。
20.一种照明系统，包括根据权利要求19所述的发光器件封装。
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