CN102074189A - 有机发光二极管显示器及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

一种能够减少由于有机发光二极管的恶化导致图像残留的有机发光二极管显示器及其驱动方法。该有机发光二极管显示器包括：包含在栅线部分和数据线部分的交叉处以矩阵方式排列的多个像素的显示面板，每个像素具有有机发光二极管；用于存储补偿数据的存储器；用于基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据并且产生被调制数据的时序控制器；以及数据驱动电路，用于在补偿驱动期间，通过将感测电压提供至像素并且对从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压取样来产生补偿数据以补偿有机发光二极管的恶化的差异，以及在正常驱动期间，将被调制数据转换成数据电压并将数据电压提供至像素。

Description

有机发光二极管显示器及其驱动方法

本申请要求于2009年11月24日提交的韩国专利申请10-2009-0113979的权益，在此为各种目的通过参考的方式援引该专利申请，如同在此完全阐述。

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管显示器，更具体地，涉及一种能够减少由于有机发光二极管的恶化导致图像残留的有机发光二极管显示器及其驱动方法。

背景技术

近来，作为显示设备而备受关注的有机发光二极管显示器因使用自身发光的自发光器件而具有响应速度快、发光效率高、亮度高以及视角宽的优点。

有机发光二极管显示器具有如图1所示的有机发光二极管。有机发光二极管具有在阳极与阴极之间形成的有机化合物层HIL、HTL、EML、ETL和EIL。

有机化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。当向阳极和阴极施加驱动电压时，通过空穴传输层HTL的空穴和通过电子传输层ETL的电子移动到发光层EML以形成电子空穴对。结果，发光层EML产生可见光。

有机发光二极管显示器包括以矩阵方式排列的多个像素，每个像素包括有机发光二极管。有机发光二极管根据视频数据的灰度级控制所选像素的亮度。

图2等效地示出有机发光二极管显示器的一个像素。参照图2，有源矩阵型有机发光二极管显示器的像素包括有机发光二极管OLED、彼此交叉的数据线DL和栅线GL、开关薄膜晶体管SW、驱动薄膜晶体管DT和存储电容器Cst。开关TFT SW和驱动TFT DT可以是P型MOSFET。

开关TFT SW响应通过栅线GL接收的扫描脉冲而导通，由此开关TFT SW的源极与漏极之间的电流路径接通。在开关TFT SW导通期间，从数据线DL接收的数据电压施加至驱动TFT DT的栅极和存储电容器Cst。驱动TFT DT根据驱动TFT DT的栅极与源极之间的电压差Vgs控制在有机发光二极管OLED流动的电流。存储电容器Cst在帧周期期间保持驱动TFT DT的栅电势。有机发光二极管OLED可以具有图1所示的结构。有机发光二极管OLED连接在驱动TFT DT的源极与低电势驱动电压源VDD之间。

通常，由于各种原因，例如多个驱动TFT的电特性的差异、高电势驱动电压随显示位置的不同、以及有机发光二极管的恶化的差异，发生多个像素的亮度不均匀。具体地，由于在长时间驱动的情况下各个像素的恶化率不同，所以产生有机发光二极管的恶化的差异。当这种差异变严重时，发生图像残留现象。结果，图片质量恶化。

为了补偿有机发光二极管的恶化的差异，已知有外部补偿技术和内部补偿技术。

在外部补偿技术中，电流源设置在像素外部，恒定电流经由电流源施加给有机发光二极管，然后测量与该电流相对应的电压，由此补偿有机发光二极管的恶化的差异。但是，为了感测有机发光二极管的阳极电压，这种技术需要在电流源与有机发光二极管之间的数据线中流动电流来对数据线的所有寄生电容器充电，因此使得感测速度非常慢，并且使感测所需的时间变长。结果，在相邻帧之间的时间周期期间或者在显示设备的打开/关闭期间很难感测有机发光二极管的阳极电压。

在内部补偿技术中，耦合电容器连接在有机发光二极管的阳极与驱动TFT的栅极之间以将有机发光二极管的恶化程度自动反映到在有机发光二极管中流动的电流。但是，利用这种技术，由于电流强度依使用驱动TFT的电流公式的有机发光二极管的导通电压而变化，所以很难执行精确的补偿，并且需要复杂的像素结构。由于在使像素结构变复杂时有机发光二极管的恶化率低，所以无需补偿有机发光二极管的恶化的差异。

发明内容

本发明的一个方案提供一种有机发光二极管显示器及其驱动方法，该有机发光二极管显示器能够提高对有机发光二极管的恶化的差异的补偿精度，并且减少补偿所需的时间。

本发明的另一方案提供一种有机发光二极管显示器及其驱动方法，该有机发光二极管显示器能够补偿驱动TFT的恶化的差异以及有机发光二极管的恶化的差异。

为了实现上述优点，本发明的一个典型实施例提供一种有机发光二极管显示器，包括：显示面板，包括在栅线部分和数据线部分的交叉处以矩阵方式排列的多个像素，并且每个像素具有有机发光二极管；存储器，用于存储补偿数据；时序控制器，用于基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据并且产生被调制数据；以及数据驱动电路，用于在补偿驱动期间，通过将感测电压提供至所述像素并且对从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压取样来产生所述补偿数据以补偿有机发光二极管的恶化的差异，并且在正常驱动期间，将被调制数据转换成数据电压并将所述数据电压提供至所述像素。

本发明的另一典型实施例提供一种有机发光二极管显示器，包括：显示面板，包括在栅线部分和数据线部分的交叉处以矩阵方式排列的多个像素，并且每个像素具有有机发光二极管和驱动TFT；存储器，用于存储补偿数据；时序控制器，用于基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据并且产生被调制数据；以及数据驱动电路，用于在补偿驱动期间，通过将第一和第二感测电压提供至所述像素并且对从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压和驱动TFT的阈值电压取样来产生所述补偿数据以补偿有机发光二极管的恶化的差异和驱动TFT的恶化的差异，并且在正常驱动期间，将被调制数据转换成数据电压并将所述数据电压提供至所述像素。

本发明的一个典型实施例提供一种有机发光二极管显示器的驱动方法，该有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素具有有机发光二极管并且与数据线连接，该方法包括：(A)通过将感测电压提供至所述像素并且对从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压取样来产生用于补偿有机发光二极管的恶化的差异的补偿数据；(B)通过基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据来产生被调制数据；以及(C)将所述被调制数据转换成数据电压并且将所述数据电压提供至像素。

本发明的另一典型实施例提供一种有机发光二极管显示器的驱动方法，该有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素具有有机发光二极管和驱动TFT并且与数据线连接，该方法包括：(A)通过将第一和第二感测电压提供至所述像素并且对从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压和驱动TFT的阈值电压取样来产生用于补偿有机发光二极管的恶化的差异和驱动TFT的恶化的差异的补偿数据；(B)通过基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据来产生被调制数据；以及(C)将所述被调制数据转换成数据电压并且将所述数据电压提供至像素。

附图说明

给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分而并入说明书的附图图解了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是示出常规有机发光二极管显示器的发光原理的视图；

图2是等效地示出具有2T1C结构的传统有机发光二极管显示器的一个像素的视图；

图3是示出根据本发明典型实施例的有机发光二极管显示器的视图；

图4是详细示出图3的数据驱动电路的视图；

图5是示出被应用第一补偿方案的像素P的一个实例的视图；

图6是示出用于补偿驱动的控制信号的施加的波形图；

图7A至图7C是顺序示出在补偿驱动期间显示设备的工作状态的视图；

图8是示出用于正常驱动的控制信号的施加的波形图；

图9A和图9B是顺序示出在正常驱动期间显示设备的工作状态的视图；

图10是示出正常驱动周期还包括初始化周期的视图；

图11示出应用第一补偿方案的像素P的另一实例；

图12示出被应用第一补偿方案的像素P的又一实例；

图13是示出被应用第一补偿方案的像素P的一个实例的视图；

图14是示出用于补偿驱动和正常驱动的控制信号的施加的波形图；

图15A至图15G是顺序示出在补偿驱动期间显示设备的工作状态的视图；

图16A和图16B是顺序示出在正常驱动期间显示设备的工作状态的视图；以及

图17是示出被应用第二补偿方案的像素P的另一实例的视图。

具体实施方式

现在将参照图3至图17详细说明本发明的实施。

图3是示出根据本发明典型实施例的有机发光二极管显示器的视图。图4是详细示出图3的数据驱动电路的视图。

参照图3和图4，根据本发明典型实施例的有机发光二极管显示器包括：具有以矩阵方式排列的像素P的显示面板10、用于驱动数据线部分14的数据驱动电路12、用于驱动栅线部分15的栅驱动电路13、用于控制数据驱动电路12和栅驱动电路13的驱动时序的时序控制器11以及存储器16。

在显示面板10中，多个数据线部分14和多个栅线部分15彼此交叉，并且每个交叉具有以矩阵方式排列的像素P。每个数据线部分14可以仅包括数据线，或者可以包括数据线和感测线。每个栅线部分15包括扫描脉冲供应线15A、发射脉冲供应线15B和感应脉冲供应线15C。每个像素P经由数据线部分14连接到数据驱动电路12，并且经由栅线部分15连接到栅驱动电路13。每个像素P被共同提供高电势驱动电压Vdd、低电势驱动电压Vss和参考电压Vref。高电势驱动电压Vdd由高电势电压源以预定电平产生，低电势驱动电压Vss由低电势电压源以预定电平产生，并且参考电压Vref由参考电压源以预定电平产生。参考电压Vref被设定为在低电势驱动电压Vss与高电势驱动电压Vdd之间的电压电平，优选地，被设定为低于有机发光二极管的阈值电压的电压电平。每个像素P包括有机发光二极管、驱动TFT和多个开关TFT。像素P的构造可以根据补偿方案变化。例如，像素P可以具有如图5、图11和图12中所示的构造，该构造对应于用于补偿在正常驱动期间驱动TFT的恶化的差异以及用于补偿在与正常驱动分开执行的补偿驱动期间有机发光二极管的恶化的差异的方案。像素P可以具有如图13和图17中所示的构造，该构造对应于用于补偿有机发光二极管的恶化的差异和驱动TFT的恶化的差异的方案。

时序控制器11基于从系统板(未示出)输入的诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、点时钟信号DLCK和数据使能信号DE的时序信号，产生用于控制数据驱动电路12的工作时序的数据控制信号DDC、用于控制数据驱动电路12中的开关阵列SDAR、SSAR和SPAR的开关控制信号

以及用于控制栅驱动电路13的工作时序的栅控制信号GDC。

时序控制器11基于存储器16中存储的补偿数据Sdata，调制从系统板输入的数字视频数据RGB。然后，时序控制器11将被调制数字数据R’G’B’提供至数据驱动电路12。

在补偿驱动期间，数据驱动电路12在时序控制器11的控制下感测像素P的有机发光二极管的恶化程度，并将感测结果作为补偿数据Sdata提供至存储器16(参见图6至图7C)。此外，在补偿驱动期间，数据驱动电路12在时序控制器11的控制下感测像素P的有机发光二极管的恶化程度，并将感测结果作为补偿数据Sdata提供至存储器16(参见图14和图15G)。为此，数据驱动电路12设有感测电压供应单元121、取样单元122、模数转换器(下文称“ADC”)123、第一开关阵列SPAR和第二开关阵列SSAR。附图标记CH1至CHm表示数据驱动电路12的输出通道。

感测电压供应单元121产生用于感测有机发光二极管的恶化程度的感测电压，或者产生用于感测有机发光二极管的恶化程度的第一感测电压和用于感测驱动TFT的恶化程度的第二感测电压。此外，感测电压供应单元121在某些情况下可以产生高电势驱动电压。第一开关阵列SPAR包括响应第一开关控制信号

而进行切换的多个开关SP1至SPm，并且将感测电压供应单元121产生的感测电压通过输出通道CH1至CHm提供给显示面板10的每个数据线部分14。

取样单元122对取决于有机发光二极管的恶化程度的阈值电压值取样，或者对取决于有机发光二极管的恶化程度的阈值电压值和取决于驱动TFT的恶化程度的阈值电压值取样，所述阈值电压值从每个数据线部分14反馈。取样单元122可以包括多个取样和保持块S/H1至S/Hm以及用于顺序输出来自取样和保持块S/H1至S/Hm的输入值的多路复用器MUS。第二开关阵列SSAR包括响应第二开关控制信号

而进行切换的多个开关SS1至SSm，并且将从显示面板10的每个数据线部分14反馈的阈值电压值经由输出通道CH1至CHm提供至取样单元122。

ADC 123转换从取样单元122输入的模拟值，然后将它们作为补偿数据Sdata提供至存储器16。ADC 123可以用一个或多个单元实现。

在正常驱动期间，数据驱动电路12在时序控制器11的控制下将被调制数字数据R’G’B’转换成模拟数据电压(下文称“数据电压”)，并将该模拟数据电压提供至数据线部分14。为此，数据驱动电路12包括数据电压发生器124和第三开关阵列SDAR。

数据电压发生器124包括响应数据控制信号DDC而工作的多个输出级O/S1至O/Sm，并且将被调制数字数据R’G’B’转换成数据电压。输出级O/S1至O/Sm的每一个可以包括数字模拟转换器DAC和输出缓冲器。第三开关阵列SDAR包括响应第三开关控制信号

而进行切换的多个开关SD1至SDm，并且将来自数据电压发生器124的数据电压经由输出通道CH1至CHm提供至显示面板10的每个数据线部分14。

栅驱动电路13包括移位寄存器和电平移位器，并且在时序控制器11的控制下产生扫描脉冲SCAN、感测脉冲SEN和发射脉冲EM。扫描脉冲SCAN被施加给扫描脉冲供应线15A，发射脉冲EM被施加给发射脉冲供应线15B，并且感测脉冲SEN被施加给感测脉冲供应线15C。可以按照面板内栅驱动(Gate In Panel(GIP))形式在显示面板10上直接形成构成栅驱动电路13的移位寄存器阵列。

存储器16包括至少一个查找表，并且存储从数据驱动电路12输入的补偿数据Sdata。

这种有机发光二极管显示器主要利用两个补偿方案补偿有机发光二极管的恶化的差异以及驱动TFT的恶化的差异。根据第一补偿方案，驱动TFT的恶化的差异在正常驱动期间被补偿(内部补偿)，并且有机发光二极管的恶化的差异在与正常驱动分开执行的补偿驱动期间被补偿(内部补偿)。根据第二补偿方案，有机发光二极管的恶化的差异和驱动TFT的恶化的差异均在与正常驱动分开执行的补偿驱动期间被补偿。随后将顺序说明第一和第二补偿方案。

[第一补偿方案]

在根据本发明典型实施例的第一补偿方案中，有机发光二极管的恶化的差异在与正常驱动分开执行的补偿驱动期间被补偿，并且驱动TFT的恶化的差异在正常驱动期间被补偿。

图5示出被应用第一补偿方案的像素P的一个实例。与这个像素P连接的数据线部分14仅包括数据线。

参照图5，像素P包括有机发光二极管OLED、驱动TFT DT、多个开关TFT ST1至ST5和存储电容器Cst。驱动TFT DT和开关TFT ST1至ST5可以用P型MOSFET实现。

有机发光二极管OLED连接在第三节点N3与低电势电压源VSS之间，并且利用在高电势电压源VDD与低电势电压源VSS之间流动的电流发光。

驱动TFT DT连接在高电势电压源VDD与第三节点N3之间，并且根据驱动TFT DT的源极与栅极之间的电压，即高电势电压源VDD与第一节点N1之间施加的电压来控制在有机发光二极管OLED中流动的电流量。

第一开关TFT ST1连接在第一节点N1与驱动TFT DT之间，并且响应来自扫描脉冲供应线15A的扫描脉冲SCAN而进行切换。第二开关TFT ST2连接在数据线14与第二节点N2之间，并且响应来自扫描脉冲供应线15A的扫描脉冲SCAN而进行切换。第三开关TFT ST3连接在参考电压源VREF与第二节点N2之间，并且响应来自发射脉冲供应线15B的发射脉冲EM而进行切换。第四开关TFT ST4连接在驱动TFT DT与第三节点N3之间，并且响应来自发射脉冲供应线15B的发射脉冲EM而进行切换。第五开关TFT ST5连接在数据线14与第三节点N3之间，并且响应来自感测脉冲供应线15C的感测脉冲SEN而进行切换。

存储电容器Cst连接在第一节点N1与第二节点N2之间。

具有这样像素P结构的有机发光二极管以补偿驱动模式和正常驱动模式工作。补偿驱动是指为了获得取决于有机发光二极管的恶化程度的补偿数据Sdata而用于取样有机发光二极管OLED的阈值电压所进行的驱动。正常驱动是指在施加反映了补偿数据Sdata的被调制数字数据R’G’B’的同时内部补偿驱动TFT DT的恶化程度所进行的驱动。

随后将顺序说明在像素P结构下补偿驱动期间的电路工作以及正常驱动期间的电路工作。

图6是示出用于补偿驱动的控制信号的施加的波形图。图7A至图7C顺序示出在补偿驱动期间显示设备的工作状态。

在第一周期CT1、第二周期CT2以及第三周期CT3期间顺序执行补偿驱动，所述第一周期CT1用于利用感测电压Vsen对数据线14充电，所述第二周期CT2用于浮置数据线14然后经由有机发光二极管OLED对数据线14上的感测电压Vsen放电，并且所述第三周期CT3用于对在放电之后作为有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled保留在数据线14上的感测电压Vsen进行取样。可以在与驱动功率的接通时刻同步的至少一个帧期间或与驱动功率的关闭时刻同步的至少一个帧期间对所有像素P执行补偿驱动。此外，可以在每个相邻帧之间的消隐周期对一个水平行的像素P顺序执行补偿驱动。

参照图6和图7A，在第一周期CT1期间，产生高逻辑电平H的扫描脉冲SCAN、发射脉冲EM和感测脉冲SEN以使像素P的第一至第五开关TFT ST1至ST5截止。在第一周期CT1期间仅产生处于导通电平的第一开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm导通。结果，数据线14被从感测电压供应单元121提供的感测电压Vsen迅速充电。与电流源设置在像素外部并且利用电流源对数据线14的寄生电容器充电的现有技术相比，根据本典型实施例的数据线14的充电速度快得多。

参照图6和图7B，在第二周期CT2期间，扫描脉冲SCAN和发射脉冲EM保持在高逻辑电平H以使像素P的第一至第四开关TFT ST1至ST4持续截止，而感测脉冲SEN反转成低逻辑电平L以使第五开关TFT ST5导通。在第二周期CT2期间，第一开关控制信号

反转成截止电平以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm截止。结果，数据线14从数据驱动电路12浮置，并且数据线14中充入的感测电压Vsen被低电势电压源VSS放电，直到具有与有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled相等的电势。

参照图6和图7C，在第三周期CT3期间，扫描脉冲SCAN和发射脉冲EM保持在高逻辑电平H以使像素P的第一至第四开关TFT ST1至ST4持续截止，并且感测脉冲SEN保持在低逻辑电平L以使像素P的第五开关TFT ST5持续导通。在第三周期CT3期间，仅产生处于导通电平的第二开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SS1至SSm导通。结果，保留在数据线14中的有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled被取样单元122取样，然后通过ADC 123，被转换成补偿数据Sdata。

图8是示出用于正常驱动的控制信号的施加的波形图。图9A和图9B顺序示出在正常驱动期间显示设备的工作状态。

在用于感测驱动TFT DT的恶化的差异的第一周期DT1以及用于发光的第二周期DT2期间顺序执行正常驱动。

参照图8和图9A，在第一周期DT1期间，产生低逻辑电平L的扫描脉冲SCAN以使像素P的第一和第二TFT ST1和ST2导通，产生高逻辑电平H的发射脉冲EM以使像素P的第三和第四开关TFT ST3和ST4截止，并且产生高逻辑电平H的感测脉冲SEN以使像素P的第五开关TFT ST5截止。在第一周期DT1期间，仅产生处于导通电平的第三开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SD1至SDm导通。结果，数据电压发生器124将被调制数字视频数据R’G’B’转换成数据电压Vdata，并将其提供至数据线14。有机发光二极管OLED的恶化的差异被反映在数据电压Vdata中。数据电压Vdata被施加给像素P的第二节点N2。在像素P中，中间补偿值Vdd-Vth.DT被通过驱动TFT DT的二极管连接(驱动TFT DT的栅极与漏极之间的短路)施加给第一节点N1。中间补偿值Vdd-Vth.DT用于补偿驱动TFT DT的恶化的差异，该中间补偿值通过从高电势驱动电压Vdd中减去驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT来确定的。存储电容器Cst保持第一节点N1的处于中间补偿值Vdd-Vth.DT的电势，并且保持第二节点N2的处于数据电压Vdata的电势。

参照图8和图9B，在第二周期DT2期间，扫描脉冲SCAN反转成高逻辑电平H以使像素P的第一和第二开关TFT ST1和ST2截止，发射脉冲EM反转成低逻辑电平L以使像素的第三和第四开关TFT ST3和ST4导通，并且感测脉冲SEN保持在高逻辑电平H以使像素P的第五开关TFT ST5持续截止。在第二周期DT2期间，第三开关控制信号保持在导通电平以使数据驱动电路12中的开关SD1至SDm持续导通。结果，参考电压Vref施加给像素P的第二节点N2，并且第二节点N2的电势从数据电压Vdata变成参考电压Vref。由于第一节点N1与第二节点N2连接，其间有存储电容器Cst，所以第二节点的电势变化Vdata-Vref实际上被反映到第一节点N1的电势中。结果，第一节点N1的电势变成通过从中间补偿值Vdd-Vth.DT减去第二节点的电势变化Vdata-Vref获得的最终补偿值{(Vdd-Vth.DT)-(Vdata-Vref)}。最终补偿值{(Vdd-Vth.DT)-(Vdata-Vref)}用于补偿驱动TFT DT的恶化的差异。

此时，在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled如下列公式1中所示：

[公式1]

$\mathrm{Ioled}=\frac{k}{2}{(\mathrm{Vsg}-\mathrm{Vth}.\mathrm{DT})}^2---\left(A\right)$

$=\frac{k}{2}{[\mathrm{Vdd}-((\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vth}.\mathrm{DT})-(\mathrm{Vdata}-\mathrm{Vref}))-\mathrm{Vth}.\mathrm{DT}]}^2--\left(B\right)$

$=\frac{k}{2}{(\mathrm{Vdata}-\mathrm{Vref})}^2---\left(C\right)$

其中k表示由迁移率、寄生电容和沟道长度确定的常数，并且Vsg表示在驱动TFTDT的源极与栅极之间的电压。

如从公式1中容易看出，根据本发明的驱动电流Ioled取决于数据电压Vdata和参考电压Vref，所述参考电压Vref可由用户控制并且不受施加给驱动TFT DT的高电势驱动电压Vdd的电平以及驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT的影响。这意味着驱动TFT DT的恶化的差异和驱动TFT DT的驱动电压Vdd的差异均在内部被补偿。

如图10中所示，正常驱动周期还可以包括初始化周期IT，用于在第一周期DT1之前，复位第一至第三节点N1、N2和N3。在初始化周期IT期间，产生均处于低逻辑电平L的扫描脉冲SCAN、发射脉冲EM和感测脉冲SEN以使像素P的第一至第五开关TFT ST1至ST5导通。结果，第一至第三节点N1、N2和N3被初始化到参考电压Vref。如上所述，参考电压Vref低于有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled，因此有机发光二极管OLED在该周期IT期间不发光。

图11示出被应用第一补偿方案的像素P的另一实例。与该像素P连接的数据线部分14除了包括数据线14a之外，还包括感测电压线14b。

参照图11，像素P中的第五开关TFT ST5连接在感测电压供应线14b与第三节点N3之间，所述第五开关TFT ST5响应来自感测脉冲供应线15C的感测脉冲SEN而进行切换。与图5中经由单条数据线提供感测电压和数据电压相比，以这种方式，通过分别配置用于施加数据电压的数据线14a和用于施加感测电压的感测电压供应线14b，数据驱动电路12的功耗能够大幅减少。除了第五开关TFT ST5之外，该像素P的其他元件与图5的基本相同。数据驱动电路12和像素P在补偿驱动期间的工作以及数据驱动电路12和像素P在正常驱动期间的工作与图6至图10的基本相同。

图12示出被应用第一补偿方案的像素P的又一实例。与该像素P连接的数据线部分14除了包括数据线14a之外，还包括感测电压线14b。

参照图12，像素P中的第五开关TFT ST5连接在感测电压供应线14b与第三节点N3之间，所述第五开关TFT ST5响应来自感测脉冲供应线15C的感测脉冲SEN而进行切换。与图5中经由单条数据线提供感测电压和数据电压相比，以这种方式，通过分别配置用于施加数据电压的数据线14a和用于施加感测电压的感测电压供应线14b，数据驱动电路12的功耗能够大幅减少。此外，与图5不同的是，响应来自发射脉冲供应线15b的发射脉冲EM而进行切换的像素P中的第四开关TFT ST4连接在第三节点N3与有机发光二极管OLED之间。除了第四和第五开关TFT ST4和TFT ST5之外，该像素P的其他元件与图5的基本相同。数据驱动电路12和像素P在补偿驱动期间的工作以及数据驱动电路12和像素P在正常驱动期间的工作与图6至图10的基本相同。

[第二补偿方案]

在根据本发明典型实施例的第二补偿方案中，有机发光二极管的恶化的差异和驱动TFT的恶化的差异均在与正常驱动分开执行的补偿驱动期间被补偿。

图13示出被应用第二补偿方案的像素P的一个实例。与该像素P连接的数据线部分14仅包括数据线。

参照图13，像素P包括有机发光二极管OLED、驱动TFT DT、多个开关TFT ST1至ST5和存储电容器Cst。驱动TFT DT和开关TFT ST1至ST5可以用P型MOSFET实现。

有机发光二极管OLED连接在第二节点N2与低电势电压源VSS之间，并且利用在高电势电压源VDD与低电势电压源VSS之间流动的电流发光。

驱动TFT DT连接在高电势电压源VDD与第二节点N2之间，并且根据驱动TFT DT的源极与栅极之间的电压，即高电势电压源VDD与第一节点N1之间施加的电压来控制在有机发光二极管OLED中流动的电流量。

第一开关TFT ST1连接在数据线14与第一节点N1之间，并且响应来自扫描脉冲供应线15A的扫描脉冲SCAN而进行切换。第二开关TFT ST2连接在数据线14与第二节点N2之间，并且响应来自感测脉冲供应线15C的感测脉冲SEN而进行切换。第三开关TFT ST3连接在第二节点N2与有机发光二极管OLED之间，并且响应来自发射脉冲供应线15B的发射脉冲EM而进行切换。

存储电容器Cst连接在高电势电压源VDD与第一节点N1之间。

具有这样像素P结构的有机发光二极管以补偿驱动模式和正常驱动模式工作。补偿驱动是指为了获得取决于有机发光二极管的恶化程度和驱动TFTDT的恶化程度的补偿数据Sdata而用于取样有机发光二极管OLED的阈值电压和驱动TFT DT的阈值电压所进行的驱动。正常驱动是指用于施加反映了补偿数据Sdata的被调制数字数据R’G’B’所进行的驱动。

随后将顺序说明在该像素P结构下补偿驱动期间的电路工作以及正常驱动期间的电路工作。

图14是示出用于补偿驱动和正常驱动的控制信号的施加的波形图。图15A至图15G顺序示出在补偿驱动期间显示设备的工作状态。图16A和图16B顺序示出在正常驱动期间显示设备的工作状态。

首先，在第一周期CT1、第二周期CT2、第三周期CT3第四周期CT4、第五周期CT5、第六周期CT6和第七周期CT7期间顺序执行补偿驱动，所述第一周期CT1用于利用高电势驱动电压Vdd对数据线14和像素P的第一节点N1预充电，所述第二周期CT2用于利用第一感测电压Vsen1对数据线14充电，所述第三周期CT3浮置数据线14然后经由有机发光二极管OLED对数据线14上的第一感测电压Vsen1放电，所述第四周期CT4用于对在放电之后作为有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled保留在数据线14上的感测电压Vsen1进行取样，所述第五周期CT5用于利用第二感测电压Vsen2对数据线14第一次充电，所述第六周期CT6用于浮置数据线14然后利用比第二感测电压Vsen2高的驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT对数据线第二次充电，并且所述第七周期CT7用于对数据线14上的驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT取样。可以在与驱动功率的接通时刻同步的至少一个帧期间或与驱动功率的关闭时刻同步的至少一个帧期间对所有像素P执行补偿驱动。此外，可以在每个相邻帧之间的消隐周期对一个水平行的像素P顺序执行补偿驱动。

参照图14和图15B，在第一周期CT1期间，产生处于低逻辑电平L的扫描脉冲SCAN和发射脉冲EM以使像素P的第一和第三开关TFT ST1和ST3导通，并且产生处于高逻辑电平H的感测脉冲SEN以使像素P的第二开关TFTST2截止。在第一周期CT1期间仅产生处于导通电平的第一开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm导通。结果，利用从感测电压供应单元121提供的高电势驱动电压Vdd对数据线14和像素P的第一节点N1预充电。由于第一节点N1的电势被初始化成高电势驱动电压Vdd，因此驱动TFTDT的滞后特性得到大幅改善。

参照图14和图15B，在第二周期CT2期间，扫描脉冲SCAN反转成高逻辑电平H以使像素P的第一开关TFT ST1截止，发射脉冲EM保持在低逻辑电平L以使像素P的第三开关TFT ST3导通，并且感测脉冲SEN反转成低逻辑电平L以使像素P的第二开关TFT ST2导通。在第二周期CT2期间，产生处于导通电平的第一开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm导通。结果，数据线14被从感测电压供应单元121提供的第一感测电压Vsen1迅速充电。由于在第一周期CT1中预充电，所以根据本典型实施例的数据线14的充电速度变得快得多。

参照图14和图15C，在第三周期CT3期间，扫描脉冲SCAN保持在高逻辑电平H以使像素P的第一开关TFT ST1持续截止，并且感测脉冲SEN和发射脉冲EM保持在低逻辑电平L以使像素P的第二和第三开关TFT ST2和ST3持续导通。在第三周期CT3期间，产生处于截止电平的第一开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm截止。结果，数据线14从数据驱动电路12浮置，并且数据线14中充入的第一感测电压Vsen被低电势电压源VSS放电，直到具有与有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled相等的电势。

参照图14和图15D，在第四周期CT4期间，扫描脉冲SCAN保持在高逻辑电平H以使像素P的第一开关TFT ST1持续截止，并且感测脉冲SEN和发射脉冲EM保持在低逻辑电平L以使像素P的第二和第三开关TFT ST2和ST3持续导通。在第四周期CT4期间，第二开关控制信号

反转成导通电平以使数据驱动电路12中的开关SS1至SSm导通。结果，保留在数据线14中的有机发光二极管OLED的阈值电压Vth.oled被取样单元122取样，然后通过ADC123，并被转换成补偿数据Sdata。

参照图14和图15E，在第五周期CT5期间，扫描脉冲SCAN反转成低逻辑电平L以使像素P的第一开关TFT ST1导通，感测脉冲SEN保持在低逻辑电平L以使像素P的第二开关TFT ST2持续导通，并且发射脉冲EM反转成高逻辑电平H以使像素P的第三开关TFT ST3截止。在第五周期CT5期间，第一开关控制信号反转成导通电平以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm导通。结果，利用来自感测电压供应单元121的第二感测电压Vsen2对数据线14第一次充电。这里，第二感测电压Vsen2被设定成低于驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT。

参照图14和图15F，在第六周期CT6期间，扫描脉冲SCAN和感测脉冲SEN保持在低逻辑电平L以使像素P的第一和第二开关TFT ST1和ST2持续导通，并且发射脉冲EM保持在高逻辑电平H以使像素P的第三开关TFT ST3保持截止。在第六周期CT6期间，第一开关控制信号

反转成截止电平以使数据驱动电路12中的开关SP1至SPm截止。结果，数据线14从数据驱动电路12浮置，并且被驱动TFT DT的二极管连接(驱动TFT DT的栅极与漏极间的短路)第二次充电到驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT的电平。

参照图14和图15G，在第七周期CT7期间，扫描脉冲SCAN和感测脉冲SEN保持在低逻辑电平L以使像素P的第三开关TFT ST3持续导通。在第七周期CT7期间，第二开关控制信号

反转成导通电平以使数据驱动电路12中的开关SS1至SSm导通。结果，在数据线14上的驱动TFT DT的阈值电压Vth.DT被取样单元122取样，然后通过ADC 123，并被转换成补偿数据Sdata。

接着，在用于施加数据电压Vdata的第一周期DT1和用于发光的第二周期DT2顺序执行正常驱动。

参照图14和图16A，在第一周期DT1期间，产生处于低逻辑电平L的扫描脉冲SCAN以使像素P的第一开关TFT ST1导通，并且产生处于高逻辑电平H的感测脉冲SEN和发射脉冲EM以使像素P的第二和第三开关TFT ST2和ST3截止。在第一周期DT1期间，仅产生处于导通电平的第三开关控制信号

以使数据驱动电路12中的开关SD1至SDm导通。结果，数据电压发生器124将被调制数字视频数据R’G’B’转换成数据电压Vdata，并将数据电压Vdata提供至数据线14。驱动TFT DT的恶化的差异以及有机发光二极管OLED的恶化的差异被反映在数据电压Vdata中。数据电压Vdata施加给像素P的第一节点N1。

参照图14和图16B，在第二周期DT2期间，扫描脉冲SCAN反转成高逻辑电平H以使像素P的第一开关TFT ST1截止，感测脉冲SEN保持在高逻辑电平H以使像素P的第二开关TFT ST2持续截止，并且发射脉冲EM反转成低逻辑电平L以使像素P的第三开关TFT ST3导通。在第二周期DT2期间，仅第三开关控制信号

保持在导通电平以使数据驱动电路12中的开关SD1至SDm导通。结果，第一节点N1的电势保持在数据电压Vdata。此时，在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流Ioled如下列公式2中所示：

[公式2]

$\mathrm{Ioled}=\frac{k}{2}{(\mathrm{Vsg}-\mathrm{Vth}.\mathrm{DT})}^2---\left(A\right)$

$=\frac{k}{2}{(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vdata}-\mathrm{Vth}.\mathrm{DT})}^2---\left(C\right)$

其中k表示由迁移率、寄生电容和沟道长度确定的常数，并且Vsg表示在驱动TFT DT的源极与栅极之间的电压。如上详细所述，由于有机发光二极管OLED的恶化的差异以及驱动TFT DT的恶化的差异被反映在数据电压Vdata中，所以根据本发明的驱动电流Ioled不取决于这些恶化的差异。

图17是示出被应用第二补偿方案的像素P的另一实例的视图。与该像素P连接的数据线部分14仅包括数据线。

参照图17，除了图13的像素结构之外，该像素P还包括第四开关TFT ST4。第四开关TFT ST4连接在高电势电压源VDD与第一节点之间，并且响应来自前一级扫描脉冲供应线15A(n-1)的扫描脉冲SCAN(n-1)而进行切换。由于第一节点N1的电势被第四开关TFT ST4的导通而初步初始化成高逻辑驱动电压Vdd，所以即使没有外部施加高电势驱动电压Vdd，根据本实施例的像素结构中的驱动TFT DT的滞后特性也得到大幅改善。除了第四开关TFT ST4之外，该像素P的其他元件与图13的基本相同。数据驱动电路12和像素P在补偿驱动期间的工作以及数据驱动电路12和像素P在正常驱动期间的工作与图14至图16B的基本相同。

如上述详细所述，根据本发明的有机发光二极管显示器及其驱动方法按照例如外部提供感测电压这样的方式能够提高对有机发光二极管的恶化的差异的补偿精度并大幅减少补偿所需的时间。

此外，根据本发明的有机发光二极管显示器及其驱动方法能够补偿驱动TFT的恶化的差异以及有机发光二极管的恶化的差异。

从上述描述可见，在不脱离本发明的技术精神范围内可以进行各种改变和修改，对于本领域技术人员是显而易见的。因此，本发明的范围不应受到典型实施例的限制，并且应由所附权利要求限定。

Claims (22)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

显示面板，包括在栅线部分和数据线部分的交叉处以矩阵方式排列的多个像素，并且每个像素具有有机发光二极管；

存储器，用于存储补偿数据；

时序控制器，用于基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据并且产生被调制数据；以及

数据驱动电路，用于在补偿驱动期间，通过将感测电压提供至所述像素并且对从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压取样来产生所述补偿数据以补偿有机发光二极管的恶化的差异，并且在正常驱动期间，将被调制数据转换成数据电压并将所述数据电压提供至所述像素。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据驱动电路包括：

感测电压供应单元，用于产生所述感测电压；

取样单元，用于对所述有机发光二极管的阈值电压取样；

ADC，用于对所取样的阈值电压进行模数转换以生成所述补偿数据；以及

数据电压发生器，用于将所述被调制数据转换成数据电压。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据驱动电路还包括：

第一开关阵列，响应来自所述时序控制器的第一开关控制信号而在所述感测电压供应单元与所述数据线部分之间进行切换；

第二开关阵列，响应来自所述时序控制器的第二开关控制信号而在所述取样单元与所述数据线部分之间进行切换；以及

第三开关阵列，响应来自所述时序控制器的第三开关控制信号而在所述数据电压发生器与所述数据线部分之间进行切换。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据线部分的每一个包括数据线；并且

所述栅线部分的每一个包括用于施加扫描脉冲的扫描脉冲供应线、用于施加发射脉冲的发生脉冲供应线以及用于施加感测脉冲的感测脉冲供应线。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素的每一个包括：

驱动TFT，连接在高电势电压源与所述有机发光二极管之间，并且根据所述高电势电压源与第一节点之间的电压差来控制在所述有机发光二极管中流动的电流量；

第一开关TFT，连接在所述第一节点与所述驱动TFT之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第二开关TFT，连接在所述数据线与第二节点之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第三开关TFT，连接在参考电压源与所述第二节点之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；

第四开关TFT，连接在所述驱动TFT与所述有机发光二极管之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；

第五开关TFT，连接在所述数据线与第三节点之间，并且响应所述感测脉冲而进行切换；以及

存储电容器，连接在所述第一节点与第二节点之间；

其中所述有机发光二极管连接在所述第三节点与低电势电压源之间。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所补偿驱动在下列周期中顺序执行：

第一周期，用于利用所述感测电压对数据线充电；

第二周期，用于浮置所述数据线，然后经由所述有机发光二极管对数据线上的感测电压放电；

第三周期，用于对放电之后作为有机发光二极管的阈值电压保留在数据线上的感测电压取样。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述第一周期期间，所述第一开关阵列导通，并且第五开关TFT截止；

在所述第二周期期间，所述第一开关阵列截止，并且第五开关TFT导通；以及

在所述第三周期期间，所述第二开关阵列导通，并且第五开关TFT导通。

8.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据线部分的每一个包括用于施加所述数据电压的数据线以及用于施加所述感测电压的感测电压供应线；以及

所述栅线部分的每一个包括用于施加扫描脉冲的扫描脉冲供应线、用于施加发射脉冲的发生脉冲供应线以及用于施加感测脉冲的感测脉冲供应线。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素的每一个包括：

驱动TFT，连接在高电势电压源与所述有机发光二极管之间，并且根据所述高电势电压源与第一节点之间的电压差来控制在所述有机发光二极管中流动的电流量；

第一开关TFT，连接在所述第一节点与所述驱动TFT之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第二开关TFT，连接在所述数据线与第二节点之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第三开关TFT，连接在参考电压源与所述第二节点之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；

第四开关TFT，连接在所述驱动TFT与所述有机发光二极管之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；

第五开关TFT，连接在所述感测电压供应线与第三节点之间，并且响应所述感测脉冲而进行切换；以及

存储电容器，连接在所述第一节点与第二节点之间；

其中所述有机发光二极管连接在所述第三节点与低电势电压源之间。

10.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素的每一个包括：

驱动TFT，连接在高电势电压源与所述有机发光二极管之间，并且根据所述高电势电压源与第一节点之间的电压差来控制在所述有机发光二极管中流动的电流量；

第一开关TFT，连接在所述第一节点与所述驱动TFT之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第二开关TFT，连接在所述数据线与第二节点之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第三开关TFT，连接在参考电压源与所述第二节点之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；

第四开关TFT，连接在所述驱动TFT与所述有机发光二极管之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；

第五开关TFT，连接在位于所述驱动TFT和所述第四开关TFT之间的第三节点与所述感测电压供应线之间，并且响应所述感测脉冲而进行切换；以及

存储电容器，连接在所述第一节点与第二节点之间；

其中所述有机发光二极管连接在所述第三节点与低电势电压源之间。

11.一种有机发光二极管显示器，包括：

显示面板，包括在栅线部分和数据线部分的交叉处以矩阵方式排列的多个像素，并且每个像素具有有机发光二极管和驱动TFT；

存储器，用于存储补偿数据；

时序控制器，用于基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据并且产生被调制数据；以及

数据驱动电路，用于在补偿驱动期间，通过将第一和第二感测电压提供至所述像素并且对所述从像素反馈的有机发光二极管的阈值电压和驱动TFT的阈值电压取样来产生所述补偿数据以补偿有机发光二极管的恶化的差异和驱动TFT的恶化的差异，并且在正常驱动期间，将被调制数据转换成数据电压并将所述数据电压提供至所述像素。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据驱动电路包括：

感测电压供应单元，用于产生所述第一和第二感测电压以及高电势驱动电压；

取样单元，用于对所述有机发光二极管的阈值电压和驱动TFT的阈值电压取样；

ADC，用于对所取样的阈值电压进行模数转换以生成所述补偿数据；以及

数据电压发生器，用于将所述被调制数据转换成数据电压。

13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中所述数据驱动电路还包括：

第一开关阵列，响应来自所述时序控制器的第一开关控制信号而在所述感测电压供应单元与所述数据线部分之间进行切换；

第二开关阵列，响应来自所述时序控制器的第二开关控制信号而在所述取样单元与所述数据线部分之间进行切换；以及

第三开关阵列，响应来自所述时序控制器的第三开关控制信号而在所述数据电压发生器与所述数据线部分之间进行切换。

14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器，其中所述栅线部分的每一个包括用于施加扫描脉冲的扫描脉冲供应线、用于施加发射脉冲的发生脉冲供应线以及用于施加感测脉冲的感测脉冲供应线。

15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素的每一个包括：

驱动TFT，连接在高电势电压源与所述有机发光二极管之间，并且根据所述高电势电压源与第一节点之间的电压差来控制在所述有机发光二极管中流动的电流量；

第一开关TFT，连接在所述第一节点与数据线之间，并且响应所述扫描脉冲而进行切换；

第二开关TFT，连接在所述数据线与第二节点之间，并且响应所述感测脉冲而进行切换；

第三开关TFT，连接在所述第二节点与所述有机发光二极管之间，并且响应所述发射脉冲而进行切换；以及

存储电容器，连接在所述第一节点与高电势电压源之间；

其中所述有机发光二极管连接在所述第三驱动TFT与低电势电压源之间。

16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所补偿驱动在下列周期中顺序执行：

第一周期，用于利用所述高电势驱动电压对所述数据线和第一节点预充电；

第二周期，用于利用所述第一感测电压对所述数据线充电；

第三周期，浮置所述数据线，然后经由所述有机发光二极管对数据线上的第一感测电压放电；

第四周期，用于对放电之后作为有机发光二极管的阈值电压保留在数据线上的第一感测电压取样；

第五周期，用于利用所述第二感测电压对数据线第一次充电；

第六周期，用于浮置所述数据线，然后利用比所述第二感测电压高的驱动TFT的阈值电压对所述数据线第二次充电；以及

第七周期，用于对所述数据线上的驱动TFT的阈值电压取样。

17.如权利要求16所述的有机发光二极管显示器，其中，在所述第一周期期间，所述第一开关阵列导通，第一和第三开关TFT导通，并且第二开关TFT截止；

在所述第二周期期间，所述第一开关阵列导通，第一开关TFT截止，并且第二和第三开关TFT导通；

在所述第三周期期间，所述第一开关阵列截止，第一开关TFT截止，并且第二和第三开关TFT导通；

在所述第四周期期间，所述第二开关阵列导通，第一开关TFT截止，并且第二和第三开关TFT导通；

在所述第五周期期间，所述第一开关阵列导通，第一和第二开关TFT导通，并且第三开关TFT截止；

在所述第六周期期间，所述第一开关阵列截止，第一和第二开关TFT导通，并且第三开关TFT截止；以及

在所述第七周期期间，所述第二开关阵列导通，第一和第二开关TFT导通，并且第三开关TFT截止。

18.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中所述像素的每一个还包括连接在所述高电势电压源与所述第一节点之间、并且响应相邻前一级的扫描脉冲而进行切换的第四开关TFT。

19.一种有机发光二极管显示器的驱动方法，该有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素具有有机发光二极管并且与数据线连接，该方法包括：

(A)通过将感测电压提供至所述像素并且对从所述像素反馈的有机发光二极管的阈值电压取样来产生用于补偿所述有机发光二极管的恶化的差异的补偿数据；

(B)通过基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据来产生被调制数据；以及

(C)将所述被调制数据转换成数据电压并且将所述数据电压提供至所述像素。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述(A)包括：

利用所述感测电压对数据线充电；

浮置所述数据线，然后经由所述有机发光二极管对数据线上的感测电压放电；以及

对放电之后作为有机发光二极管的阈值电压保留在数据线上的感测电压取样。

21.一种有机发光二极管显示器的驱动方法，该有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素具有有机发光二极管和驱动TFT并且与数据线连接，该方法包括：

(A)通过将第一和第二感测电压提供至所述像素并且对从所述像素反馈的有机发光二极管的阈值电压和驱动TFT的阈值电压取样来产生用于补偿所述有机发光二极管的恶化的差异和所述驱动TFT的恶化的差异的补偿数据；

(B)通过基于所述补偿数据调制输入的数字视频数据来产生被调制数据；以及

(C)将所述被调制数据转换成数据电压并且将所述数据电压提供至所述像素。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述(A)包括：

利用高电势驱动电压对所述数据线和第一节点预充电；

利用第一感测电压对所述数据线充电；

浮置所述数据线，然后经由所述有机发光二极管对数据线上的第一感测电压放电；

对放电之后作为有机发光二极管的阈值电压保留在所述数据线上的第一感测电压取样；

利用第二感测电压对所述数据线第一次充电；

浮置所述数据线，然后利用比所述第二感测电压高的驱动TFT的阈值电压对所述数据线第二次充电；以及

对所述数据线上的驱动TFT的阈值电压取样。

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