TWI649741B - 臨界電壓補償電路以及顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種顯示面板以及臨界電壓補償電路。顯示 面板具有周邊區與顯示區。顯示面板包含畫素行以及臨界電壓補償電路。畫素行設置於該顯示區。臨界電壓補償電路設置於該周邊區。臨界電壓補償電路接收補償電壓，依據補償電壓輸出臨界電壓資訊並且根據該臨界電壓資訊與顯示資料以產生補償後顯示資料。

Description

臨界電壓補償電路以及顯示面板
本發明是有關於一種發光二極體補償電路以及顯示面板，且特別是有關於一種適用於在非顯示區補償臨界電壓的補償電路以及顯示面板。
隨著顯示技術的進步，發光二極體已經被廣泛應用在顯示科技中，而主動矩陣有機發光二極體(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)已經是顯示技術的主要發展重點之一。在主動矩陣有機發光二極體顯示面板在製作過程中，會利用準分子雷射退火(Excimer-Laser Annealing，ELA)法，來進行主動矩陣有機發光二極體顯示面板上，低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS-TFT)元件的製作。
然而，在準分子雷射退火法的處理中，可能會因為每一次準分子雷射輸出的功率不盡相同，而造成顯示面板中，LTPS-TFT在電氣特性上的不均勻，進而影響畫面顯示的不均勻。
舉例來說，當利用準分子雷射退火法對顯示面板中的 LTPS-TFT退火處理，在準分子雷射以逐行方式掃描時，同一行的LTPS-TFT可以具有大體上相同的電氣特性，例如是同一行的LTPS-TFT的臨界電壓。然而，由於每一次準分子雷射輸出的功率不盡相同，導致每一行的LTPS-TFT可能具有不相同的電氣特性，例如是不同的臨界電壓。
因此，如何補償LTPS-TFT在製作過程中的電氣特性，是改善主動矩陣有機發光二極體顯示面板的顯示均勻性的重要課題之一。
本發明提供一種臨界電壓補償電路以及顯示面板，可以有效改善顯示面板的顯示均勻性。
本發明的顯示面板，具有周邊區與顯示區。顯示面板包含畫素行、臨界電壓補償電路以及運算器。畫素行設置於顯示區，具有多個畫素耦接於資料線。臨界電壓補償電路設置於周邊區。臨界電壓補償電路包含臨界電壓偵測電路以及運算器。臨界電壓偵測電路電性耦接於資料線。臨界電壓偵測電路包含第一電晶體、第二電晶體以及第三電晶體。第一電晶體具有第一端、第二端、與控制端，其中第一電晶體的第一端與第一電晶體的控制端用以接收補償電壓。第二電晶體依據補償電壓輸出第二電晶體的臨界電壓資訊，第二電晶體具有第一端、第二端、與控制端，其中第一電晶體的第二端耦接至第二電晶體的控制端，第一電晶體 的控制端耦接至第二電晶體的第二端，第二電晶體的第一端耦接至第二電晶體的控制端。第三電晶體具有第一端、第二端、與控制端，其中第二電晶體的第一端耦接至第三電晶體的第一端。運算器電性耦接至臨界電壓偵測電路，用以根據臨界電壓資訊與顯示資料以產生補償後顯示資料。
本發明的臨界電壓補償電路設置於顯示面板之周邊區。臨界電壓補償電路包含臨界電壓偵測電路以及運算器。臨界電壓偵測電路電性耦接於顯示面板之資料線。臨界電壓偵測電路包含第一電晶體、第二電晶體以及第三電晶體。第一電晶體具有第一端、第二端、與控制端。第一電晶體的第一端與第一電晶體的控制端用以接收補償電壓。第二電晶體依據補償電壓輸出第二電晶體的臨界電壓資訊。第二電晶體具有第一端、第二端、與控制端。第一電晶體的第二端耦接至第二電晶體的控制端，第一電晶體的控制端耦接至第二電晶體的第二端，第二電晶體的第一端耦接至第二電晶體的控制端。第三電晶體具有第一端、第二端、與控制端，其中第二電晶體的第一端耦接至第三電晶體的第一端。運算器電性耦接至臨界電壓偵測電路，用以根據臨界電壓資訊與顯示資料以產生補償後顯示資料。
基於上述，本發明的臨界電壓補償電路藉由重置第二電晶體並輸出臨界電壓資訊，運算器接收臨界電壓資訊，依據臨界電壓資訊以及顯示資料進行運算以產生補償後顯示資料。如此一來，可透過補償後顯示資料來補償各個畫素行的臨界電壓，以有 效改善顯示面板的顯示均勻性。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、500、600‧‧‧顯示面板
110、310‧‧‧臨界電壓補償電路
112、512、612‧‧‧臨界電壓偵測電路
114、614‧‧‧運算器
120、320、520、620‧‧‧畫素行
DL‧‧‧資料線
GL‧‧‧掃描線
VCOMP‧‧‧補償電壓
VDEC‧‧‧臨界電壓資訊
SDATA‧‧‧顯示資料
SDATAC‧‧‧補償後顯示資料
130、530、630‧‧‧資料驅動器
140、540、640‧‧‧掃描驅動器
SW1、SW2‧‧‧開關
SE3、SE4‧‧‧控制訊號
116、316、516、616‧‧‧暫存器
ADC‧‧‧類比數位轉換器
DAC‧‧‧數位類比轉換器
PX、PX2‧‧‧畫素
ET1、ET2、T1、T2、T3、T4‧‧‧電晶體
VINT‧‧‧初始電壓
Id‧‧‧驅動電流
D‧‧‧發光二極體
Cst‧‧‧電容
SA‧‧‧周邊區
AA‧‧‧顯示區
OVDD、OVSS‧‧‧電壓
VH、VL‧‧‧電壓位準
S(N-1)、S(N)、S(N+1)‧‧‧掃描訊號
BP‧‧‧空白期間
FP‧‧‧畫面期間
P1、P2、P3‧‧‧期間
P30、P31、P32‧‧‧子期間
圖1是依據本發明的一實施例所繪示的的顯示面板示意圖。
圖2A是依據本發明的一實施例所繪示臨界電壓補償電路示意圖。
圖2B是依據本發明的一實施例之畫素PX所繪示操作時序圖。
圖3A至圖3D是依據圖1的實施例所繪示的臨界電壓補償電路操作示意圖。
圖4A係依據本發明之另一實施例所繪示的畫素電路圖。
圖4B係依據圖4A之畫素PX2所繪示操作時序圖。
圖5是本發明之另一實施例所繪示的顯示面板500示意圖。
圖6是依據本發明的另一實施例所繪示的顯示面板示意圖。
以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不 脫離本揭示內容之精神與範圍。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』、…等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本發明，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。
關於本文中所使用之『電性耦接』，可指二或多個元件相互直接作實體或電性接觸，或是相互間接作實體或電性接觸，而『電性耦接』還可指二或多個元件相互操作或動作。
關於本文中所使用之『包含』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。
關於本文中所使用之『及/或』，係包含所述事物的任一或全部組合。
關於本文中所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有關本揭露之描述上額外的引導。
請參考圖1，圖1是依據本發明的一實施例所繪示的顯示面板示意圖，顯示面板100可以為具有低溫多晶矽製程(LTPS)薄膜電晶體(thin-film transistor)元件的玻璃基板(array substrate)，其中顯示面板100包含周邊區SA與顯示區AA，顯示區AA包含以矩陣型式排列的多個畫素電路PX，用以形成多個平行設置的畫素行120。周邊區SA可具有資料驅動器130、掃描驅動器140與臨 界電壓補償電路110，以本發明之一實施例而言，所述的資料驅動器130可以是以晶粒-軟片接合製程(COG,Chip on glass)將資料驅動器130的積體電路(IC)接合在玻璃基板上；而掃描驅動器140可以是以玻璃上閘極電路(GOA,Gate driver on array)方式，將掃描驅動器140直接形成於玻璃基板上，然本發明並不以此為限。資料驅動器130電性耦接多條資料線DL，資料線DL係相應於對應之畫素行120設置，用以輸出資料訊號至對應之畫素PX；掃描驅動器140電性耦接多條掃描線GL，掃描線GL係與資料線DL以不同方向相應於對應之畫素列設置，用以輸出掃描訊號S(N)至對應之畫素PX。
請同時參考圖1及圖2A，圖2A是依據本發明的一實施例所繪示的臨界電壓補償電路示意圖。臨界電壓補償電路110包含臨界電壓偵測電路112以及運算器114。其中臨界電壓偵測電路112係設置於顯示面板100之周邊區SA，且臨界電壓偵測電路112係相應對應之畫素行120設置，一般而言臨界電壓偵測電路112可以電性連接於畫素行120與資料驅動器130的腳位(pin)。本發明之另一實施例，資料驅動器130的腳位還可以透過資料選擇單元(Multiplexer，一般稱作MUX，未繪示)電性耦接至臨界電壓偵測電路112，則可以減少資料驅動器130腳位的數量，從而降低成本，本發明並不以此為限，只要每一畫素行120都有對應之臨界電壓偵測電路112即可。
臨界電壓偵測電路112接收補償電壓VCOMP並用以在 顯示面板剛開機時，亦即顯示面板100還未進入畫面期間(frame)時，產生臨界電壓資訊VDEC至運算器114，補償電壓VCOMP可以是來自時序控制器(未繪示)的外部訊號。臨界電壓偵測電路112包含電晶體ET1、電晶體ET2、及電晶體ET3，每個電晶體均具有第一端、第二端、與控制端，其中電晶體ET1的第一端與電晶體ET1的控制端用以接收補償電壓VCOMP，亦即，電晶體ET1係透過二極體連接(Diode-connected)方式連接電晶體ET1的第一端與電晶體ET1的控制端；電晶體ET1的第二端耦接至電晶體ET2的控制端；電晶體ET1的控制端耦接至電晶體ET2的第二端；電晶體ET2的第一端耦接至電晶體ET2的控制端，亦即，電晶體ET2係透過二極體連接方式連接電晶體ET2的第一端與電晶體ET2的控制端；電晶體ET2的第一端耦接至電晶體ET3的第一端，電晶體ET3的第二端電性耦接至運算器114。
運算器114電性耦接於臨界電壓偵測電路112的電晶體ET3，用以接收來自臨界電壓偵測電路112的臨界電壓資訊VDEC，並且依據臨界電壓資訊VDEC以及顯示資料SDATA進行運算以產生補償後顯示資料SDATAC，於畫面期間再輸出資料電壓至對應之畫素行120以致能對應之畫素PX。以本發明之一實施例為例，運算器114可以是整合於資料驅動器130內的加法器(adder)，由資料驅動器130的腳位接收臨界電壓資訊VDEC。臨界電壓補償電路110還可以包含類比數位轉換器ADC及記憶體116，透過類比數位轉換器ADC將接收到的臨界電壓資訊VDEC 從類比訊號轉換成數位訊號，並暫存於記憶體116內，待接收到顯示資料SDATA後再透過加法器產生補償後顯示資料SDATAC，接著可透過資料驅動器130內的數位類比轉換器DAC將補償後顯示資料SDATAC由數位訊號轉換成類比訊號，資料驅動器130的腳位(未繪示)輸出資料電壓，然本發明並不以此為限，本發明所揭示之運算器114、類比數位轉換器ADC及記憶體116其中每一者可以是設置於玻璃基板上、軟性印刷電路板(FCB)上、或是整合於資料驅動器130內。
本發明之另一實施例，臨界電壓補償電路110還可以包含開關SW1及開關SW2設置於資料驅動器130內，開關SW1耦接於腳位(未繪示)與類比數位轉換器ADC之間，依據資料驅動器130內的時序導通開關SW1並接收臨界電壓資訊VDEC。開關SW2耦接於數位類比轉換器DAC及腳位之間，依據資料驅動器130內的時序導通開關SW2並輸出資料電壓。所述之開關SW1及開關SW2可以是形成於積體電路內的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)或傳輸閘(transmission gate)形式所組成之開關，本發明並不以此為限。
本發明之另一實施例，資料驅動器130與資料線DL之間還可以包含電晶體ET4，以本發明之一實施例為例，由於資料驅動器130接收臨界電壓資訊VDEC的腳位與輸出資料電壓的腳位為共用的腳位，因此電晶體ET4的第一端耦接於電晶體ET3的第二端，電晶體ET4的第二端耦接於資料線DL，電晶體ET4的控 制端接收選擇訊號SE4，用以根據選擇訊號SE4導通電晶體ET4以輸出資料電壓至資料線DL。所述之電晶體ET1-電晶體ET4與電晶體T1-T2為P型薄膜電晶體，然本發明並不以此為限，於另一實施例中，電晶體ET1-電晶體ET4與電晶體T1-T2可以是N型薄膜電晶體。
在本發明之一實施例中，每一畫素PX可以是具有兩個電晶體與一個電容(2T1C)的基本畫素電路，畫素PX包含電晶體T1、電晶體T2、電容Cst、與發光二極體D，每個電晶體均具有第一端、第二端、與控制端，電晶體T1的第一端耦接至資料線DL，電晶體T1的第二端耦接至電晶體T2的控制端，電晶體T2的第一端用以接收電壓OVDD，電晶體T2的第二端耦接至發光二極體D的陽極端(anode)，電容Cst可以耦接於電晶體T2的第一端/第二端與控制端之間，發光二極體D的陰極端(cathode)用以接收電壓OVSS，然本發明並不以此為限。
由於顯示面板100在熱處理時可適用於逐行方向掃描的準分子雷射退火法。也就是說，當準分子雷射掃描退火逐行對顯示面板100進行熱處理時，係同時熱處理同一行方向上的電晶體元件，因此同一行的臨界電壓偵測電路212與畫素行220同時受熱處理。如此一來，同一行上的電晶體會有大體上相等的電氣特性，亦即同一行電晶體的臨界電壓大體上相等，因此畫素PX的電晶體T2(也就是驅動電晶體)與臨界電壓偵測電路112的電晶體ET2的臨界電壓可以視為相等。透過本發明所揭示之一實施例， 於未進入畫面期間時的空白期間(blanking period)，透過設置於周邊區SA的臨界電壓偵測電路112進行電晶體的臨界電壓偵測，並將產生的臨界電壓資訊VDEC與顯示資料SDATA進行運算以產生補償後顯示資料SDATAC，於畫面期間時，再將補償後顯示資料SDATAC寫入對應之畫素PX。透過將臨界電壓偵測電路112設置於周邊區SA的方式，可以提高畫素PX的開口率(Aperture ratio)。由於習知技術的基本畫素電路需要於每個畫素更新期間進行每個畫素之驅動電晶體的臨界電壓補償，透過本發明揭示的於未進入畫面期間時的空白期間進行電晶體的臨界電壓偵測，使得臨界電壓偵測的時間不會受到顯示裝置的更新頻率(refresh rate)及解析度(resolution)，也可使得畫素PX可以不需在畫素更新期間補償驅動電晶體的臨界電壓，進而延長畫素PX的發光期間(emitting period)。
請同時參考圖2A及圖2B，圖2B是依據圖2A之實施例所繪示操作時序圖，顯示面板的操作時序可以包含空白期間(blanking period)BP與畫面期間(frame)FP，空白期間BP的操作時序分為重置期間P1及預設期間P2、畫面期間FP可包含畫素行120的多個畫素的多個畫素更新期間P3。空白期間BP可以指在顯示面板剛開機時，或顯示面板還未進入畫面期間FP時，此時時序控制器剛啟動，於重置期間P1，補償電壓VCOMP具有低電壓位準VL，於預設期間P2補償電壓VCOMP由低電壓位準VL轉態成高電壓位準VH；畫面期間FP可以是掃描驅動器140輸出掃描訊號 S(1)-S(N)至顯示面板110以進行畫素更新；其中每個畫素更新期間P3係包含根據掃描訊號S(N)導通畫素PX以使資料電壓寫入畫素PX的資料寫入期間P31與發光期間P32。選擇訊號SE4於空白期間BP具有高電壓位準，選擇訊號SE4於畫面期間FP具有低電壓位準，用以導通電晶體ET4以輸出資料電壓至資料線DL；選擇訊號SE3於空白期間BP具有低電壓位準，用以導通電晶體ET3以傳輸臨界電壓資訊VDEC至資料驅動器130，選擇訊號SE3於畫面期間FP具有高電壓位準；於資料寫入期間P31，掃描訊號S(N)具有低電壓位準。以下將詳細說明顯示面板100的作動方式。
接著詳細說明顯示面板100的作動方式。請參考圖3A至圖3D，圖3A至圖3D是依據圖1的實施例所繪示的臨界電壓補償電路操作示意圖。為方便示意臨界電壓補償電路310的操作方式，在圖3A至圖3D中，畫素行320中僅以單一個畫素PX呈現。並且，圖3A至圖3D中斷開的開關或電晶體以打叉示意，而導通的開關或電晶體則以未打叉來示意。
圖3A係繪示圖1的實施例於重置期間P1的電路作動示意圖；圖3B係繪示圖1的實施例於預設期間P2的電路作動示意圖；圖3C係繪示圖1的實施例於資料寫入期間P31的電路作動示意圖；圖3D係繪示圖1的實施例於發光期間P32的電路作動示意圖。請先參考圖3A，於重置期間P1中，此時顯示面板100剛進入開機狀態的空白期間，此時補償電壓VCOMP具有低電壓位準VL，此時電晶體ET1導通，電晶體ET2關閉，使得電晶體ET2 的控制端的電壓位準為VL+|VTH_ET1|。
請參考圖3B，於預設期間P2中，補償電壓VCOMP由低電壓位準VL轉態成高電壓位準VH，選擇訊號SE3為低電壓位準以導通電晶體ET3，此時電晶體ET1關閉，電晶體ET2、電晶體ET3導通，使得電晶體ET2的控制端的電壓位準為VH-|VTH_ET2|，使得輸出的臨界電壓資訊VDEC的電壓位準為VH-|VTH_ET2。由於開關SW1為導通狀態，因此可將儲存臨界電壓資訊VDEC至記憶體116。
接著參考圖3C，在進入畫面期間，選擇訊號SE3為高電壓位準以關閉電晶體ET3，亦即於進入畫面期間，不再進行電晶體ET2的臨界電壓偵測，於每個畫素更新期間P3的資料寫入期間P31，接收的顯示資料SDATA與臨界電壓資訊VDEC進行運算以產生補償後顯示資料SDATAC運算器114耦接至數位類比轉換器DAC，用以將補償後顯示資料SDATAC由數位訊號形式轉換為類比訊號形式的資料電壓VDATA。資料驅動器的腳位輸出資料電壓VDATA，此時開關SW2為導通狀態，因此可將資料電壓輸出至資料線DL。根據掃描驅動器140輸出的掃描訊號S(N)導通電晶體T1以寫入資料電壓至電晶體T2的控制端，此時電晶體T2的控制端的電壓位準為VH-|VTH_ET2|+VDATA，其中VDATA為資料電壓的電壓位準；同時，由於電壓位準的設定使得電晶體T2被操作於飽和區(saturation region)，因此流經電晶體T2的電流Id為OVDD-(VH-|VTH_ET2|+VDATA)-|VTH_ET2|，電晶體T2的臨界電壓資 訊可以因此被抵銷，因此流經電晶體T2及發光二極體D的電流Id只與資料電壓VDATA有關。
最後參考圖3D，於每個畫素更新期間P3的發光期間P32，此時雖然電晶體T1已關閉，但電晶體T2可持續導通以使發光二極體D發光。通過設置臨界電壓偵測電路112於顯示面板100之周邊區SA，並於剛開啟顯示面板100未進入畫面期間的空白期間偵測並補償臨界電壓，使得每個畫素更新期間的發光期間增加，使得顯示面板100的顯示品質提升，還可提高畫素PX的開口率。
請參考圖4A與圖4B，圖4A係依據本發明之另一實施例所繪示的畫素電路圖，圖4B係依據圖4A之畫素PX2所繪示操作時序圖。請先參考圖4A，相較於本發明之所揭示的圖2A之畫素PX，每一畫素PX2還可以包含電晶體T3、電晶體T4，每個電晶體均具有第一端、第二端、與控制端，電晶體T3跨接於電容Cst的兩端，用以重置電容Cst的兩端的電壓位準；電晶體T4的第一端用以接收初始電壓VINT，電晶體T4的第二端耦接於發光二極體D的陽極端，用以重置發光二極體D的陽極端的電壓位準。電晶體T3、電晶體T4的控制端共同受控於掃描訊號S(N-1)。透過設置電晶體T3、電晶體T4，可以於資料電壓寫入畫素PX之前，先重置畫素PX內節點的電壓位準。請接著參考圖4B，於每個畫素更新期間P3，還可以有重置期間P30於資料寫入期間P31之前，以使得於資料電壓寫入畫素PX之前，先重置畫素PX內節點的電 壓位準。其餘畫素電路內電晶體連接方式與作動，大致與畫素PX相同，本文不另贅述。
圖5是本發明之另一實施例所繪示的顯示面板500示意圖。在圖5的實施例中，類比數位轉換器ADC與記憶體516可以設置於週邊區SA，而加法器可設置於資料驅動器530內。透過類比數位轉換器ADC將接收到的臨界電壓資訊VDEC從類比訊號轉換成數位訊號，並暫存於記憶體516內，再透過資料驅動器530的輸入腳位(未繪示)將暫存於記憶體516臨界電壓資訊VDEC傳送至資料驅動器530與顯示資料SDATA進行運算後產生補償後顯示資料SDATAC，再透過資料驅動器530內的數位類比轉換器DAC將補償後顯示資料SDATAC由數位訊號轉換成類比訊號的資料電壓VDATA。
圖6是本發明之另一實施例所繪示的顯示面板600示意圖。在圖6的實施例中，加法器614、類比數位轉換器ADC與記憶體616可以設置於週邊區SA，將暫存於記憶體616臨界電壓資訊VDEC先與顯示資料SDATA進行運算後產生補償後顯示資料SDATAC，再將補償後顯示資料SDATAC透過資料驅動器630的輸入腳位(未繪示)傳送至資料驅動器630，其餘作動與顯示面板100及顯示面板500相似，不另於此贅述。
綜上所述，本發明的臨界電壓補償電路藉由重置第二電晶體並輸出臨界電壓資訊，運算器接收臨界電壓資訊並且依據臨界電壓資訊以及顯示資料進行運算以產生補償後顯示資料。如此 一來，可透過補償後顯示資料來補償各個畫素行的驅動電晶體的臨界電壓，藉以有效改善顯示面板的顯示均勻性。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (12)

  1. 一種顯示面板，具有一周邊區與一顯示區，包含：一畫素行，設置於該顯示區，具有多個畫素耦接於一資料線；一臨界電壓補償電路，設置於該周邊區，包含：一臨界電壓偵測電路，電性耦接於該資料線，該臨界電壓偵測電路包含：一第一電晶體，該第一電晶體具有一第一端、一第二端、與一控制端，其中該第一電晶體的該第一端與該第一電晶體的該控制端用以接收一補償電壓；一第二電晶體，依據該補償電壓輸出該第二電晶體的一臨界電壓資訊，該第二電晶體具有一第一端、一第二端、與一控制端，其中該第一電晶體的該第二端耦接至該第二電晶體的該控制端，該第一電晶體的該控制端耦接至該第二電晶體的該第二端，該第二電晶體的該第一端耦接至該第二電晶體的該控制端；及一第三電晶體，該第三電晶體具有一第一端、一第二端、與一控制端，其中該第二電晶體的該第一端耦接至該第三電晶體的該第一端；及一運算器，電性耦接至該臨界電壓偵測電路，用以根據該臨界電壓資訊與一顯示資料以產生一補償後顯示資料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路還包含：一類比數位轉換器，電性耦接於該臨界電壓偵測電路，用以將該臨界電壓資訊由一類比訊號型式轉換成一數位訊號型式；及一記憶體，耦接於該類比數位轉換器，用以暫存該臨界電壓資訊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路包含：於一重置期間依據具有一第一電壓位準的該補償電壓以導通該第一電晶體；及於一預設期間依據具有一第二電壓位準的該補償電壓以斷開該第一電晶體並導通該第二電晶體，以輸出該臨界電壓資訊。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路還包含：於該預設期間根據一第一控制訊號導通該第三電晶體。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路還包含：一第一開關，電性耦接於該第三電晶體與該運算器之間，該第一開關於一預設期間導通，用以傳輸該臨界電壓資訊至該運算器；及一第二開關，電性耦接於該運算器與該資料線之間，該第二開關於一畫素更新期間導通，用以輸出一資料電壓，其中該第一開關與該第二開關不同時導通。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中每一該些畫素包含：一第五電晶體，具有一第一端、一第二端、與一控制端，該第五電晶體的該第一端耦接於該資料線，該第五電晶體的該控制端用以接收一第一掃描訊號；一驅動電晶體，具有一第一端、一第二端、與一控制端，該驅動電晶體的該第一端用以接收一第一供應電壓，該驅動電晶體的該控制端電性耦接於該第五電晶體的該第二端；一電容，該電容耦接於該驅動電晶體的該第一端與該控制端之間，及一發光二極體，該發光二極體的一陽極端耦接於該驅動電晶體的該第二端，該發光二極體的一陰極端用以接收一第二供應電壓。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示面板，其中每一該些畫素還包含：一第六電晶體，具有一第一端、一第二端、與一控制端，該第六電晶體的該第一端與該第六電晶體的該第二端耦接於該電容的兩端，該第六電晶體的該控制端用以接收一第二掃描訊號；及一第七電晶體，具有一第一端、一第二端、與一控制端，該第七電晶體的該第一端耦接於該陽極端，該第七電晶體的該控制端用以接收該第二掃描訊號，該第七電晶體的該第一端用以接收一參考電壓。
  8. 一種臨界電壓補償電路，設置於一顯示面板之一周邊區，包含：一臨界電壓偵測電路，電性耦接於該顯示面板之一資料線，該臨界電壓偵測電路包含：一第一電晶體，該第一電晶體具有一第一端、一第二端、與一控制端，其中該第一電晶體的該第一端與該第一電晶體的該控制端用以接收一補償電壓；一第二電晶體，依據該補償電壓輸出該第二電晶體的一臨界電壓資訊，該第二電晶體具有一第一端、一第二端、與一控制端，其中該第一電晶體的該第二端耦接至該第二電晶體的該控制端，該第一電晶體的該控制端耦接至該第二電晶體的該第二端，該第二電晶體的該第一端耦接至該第二電晶體的該控制端；及一第三電晶體，該第三電晶體具有一第一端、一第二端、與一控制端，其中該第二電晶體的該第一端耦接至該第三電晶體的該第一端；及一運算器，電性耦接至該臨界電壓偵測電路，用以根據該臨界電壓資訊與一顯示資料以產生一補償後顯示資料。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路還包含：一類比數位轉換器，電性耦接於該臨界電壓偵測電路，用以將該臨界電壓資訊由一類比訊號型式轉換成一數位訊號型式；及一記憶體，耦接於該類比數位轉換器，用以暫存該臨界電壓資訊。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路包含：於一重置期間依據具有一第一電壓位準的該補償電壓以導通該第一電晶體；及於一預設期間依據具有一第二電壓位準的該補償電壓以斷開該第一電晶體並導通該第二電晶體，以輸出該臨界電壓資訊。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路還包含：於該預設期間根據一第一控制訊號導通該第三電晶體。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中該臨界電壓補償電路還包含：一第一開關，電性耦接於該第三電晶體與該運算器之間，該第一開關於一預設期間導通，用以傳輸該臨界電壓資訊至該運算器；及一第二開關，電性耦接於該運算器與該資料線之間，該第二開關於一畫素更新期間導通，用以輸出一資料電壓，其中該第一開關與該第二開關不同時導通。
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