CN102053428A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置,包括液晶(20);包含薄膜晶体管和由金属构成的多条布线的电路层(40);为了以横向电场驱动方式驱动液晶(20)而在液晶(20)与电路层(40)之间隔着层间绝缘膜(48)层叠的、分别由透明导电膜构成的像素电极(80)和公共电极(70);包含不同颜色的多个着色层且各着色层的光透射率各不相同的滤色器(100);以及连接布线(82)。多条布线包括配置为避开与多个着色层中光透射率最高的着色层相对而与其他任意一个着色层相对的公共布线(56)。连接布线(82)将公共电极(70)和公共布线(56)连接起来。利用本发明,能够抑制在形成与公共电极连接的金属布线时的亮度降低,从而能够实现具有高开口率性能的宽视角的IPS方式的液晶显示装置。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示装置。
背景技术
以往,液晶显示装置包括形成有用于驱动液晶的薄膜晶体管(TFT)的TFT基板和形成有滤色器的滤色器基板,在两者之间夹着液晶。在该液晶显示装置中,对液晶施加横向电场来进行显示的方式被称为平面转换(IPS)方式或横向电场驱动方式。众所周知,该显示装置具有宽视角特性。
众所周知,在液晶显示装置中,金属布线与由ITO(Indium Tin Oxide)构成的公共电极电连接(专利文献1)。ITO的电阻值高,因此通过将电阻值低的金属布线与公共电极连接,能够实现公共电极的电位的均匀化。
另外,众所周知,为了提高液晶显示装置的开口率从而降低功耗,在将透明的公共电极与金属布线连接来降低电阻的情况下,也不在全部像素形成金属布线而根据需要消减其数量。
【专利文献1】日本特开2009-168878号公报
发明内容
金属布线仅形成在黑矩阵或晶体管等原本不透光的区域是很难的,因此不得不通过像素区域而形成。因此,通过形成金属布线而使开口率降低,由此亮度降低,但希望亮度降低尽可能小。
本发明的目的在于,为了实现具有高开口率性能的宽视角的IPS方式的液晶显示装置,而抑制形成与公共电极连接的金属布线时的亮度降低。
(1)本发明的液晶显示装置,其特征在于:包括液晶;包含薄膜晶体管和多条布线的电路层,上述多条布线由金属构成;为了以横向电场驱动方式驱动上述液晶,而在上述液晶与上述电路层之间隔着绝缘膜层叠的、分别由透明导电膜构成的像素电极和公共电极;包含不同颜色的多个着色层,且各着色层的光透射率各不相同的滤色器;以及连接布线,上述多条布线包括公共布线,上述公共布线配置为避开与上述多个着色层中光透射率最高的上述着色层相对而与其他任意一个上述着色层相对,上述连接布线将上述公共电极和上述公共布线连接起来。根据本发明,金属布线避开与亮度最高的着色层相对,因此,由于被金属布线遮挡的光的亮度本来就低,所以能够抑制液晶显示装置的亮度降低。
(2)根据(1)所述的液晶显示装置,其特征在于:上述薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极;上述公共电极的一部分和上述公共布线的一部分分别位于上述栅电极的上方,上述连接布线的与上述公共电极的连接部、和上述连接布线的与上述公共布线的连接部,分别位于上述栅电极的上方。
(3)根据(2)所述的液晶显示装置,其特征在于:上述电路层包括半导体层,上述源电极、上述漏电极和上述公共布线分别与上述半导体层上接触而形成。
(4)根据(1)至(3)中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于:上述像素电极配置在上述绝缘膜的上述液晶一侧,上述连接布线由上述透明电极膜构成,并具有在上述绝缘膜上与上述像素电极并列的部分、和贯通上述绝缘膜与上述公共电极连接的部分。
(5)根据(1)至(4)中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于:上述多个着色层包括红色的着色层,上述公共布线与上述红色的着色层相对而配置。
(6)根据(5)所述的液晶显示装置,其特征在于:上述多个着色层包括蓝色的着色层,
上述蓝色的着色层形成得比其他颜色的上述着色层厚。
(7)根据(6)所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述多个着色层包括绿色的着色层,
上述公共布线避开与上述绿色的着色层相对而配置。
(8)根据(1)至(3)中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述公共布线由电阻比上述透明导电膜低的金属构成。
(9)根据(2)所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述源电极与上述像素电极电连接。
(10)根据(2)或(9)所述的液晶显示装置,其特征在于:
还包括黑矩阵,
在多个像素的边界上,隔着上述液晶在一侧配置有上述漏电极,在另一侧配置有上述黑矩阵。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的液晶显示装置的立体分解图。
图2是表示图1所示的液晶显示装置的像素电极、公共电极和电路层的俯视图。
图3是图2所示的液晶显示装置的Ⅲ-Ⅲ线剖视图。
图4是图2所示的液晶显示装置的Ⅳ-Ⅳ线剖视图。
图5是图2所示的液晶显示装置的Ⅴ-Ⅴ线剖视图。
图6是图2所示的液晶显示装置的Ⅵ-Ⅵ线剖视图。
符号说明
10液晶显示板
12上框
14下框
16第一基板
18第二基板
20液晶
22偏振片
30栅电极
40电路层
42栅极绝缘膜
44保护绝缘膜
46有机绝缘膜
48层间绝缘膜
52漏电极
54源电极
56公共布线
58台座电极
60半导体层
64第一开口部
66第二开口部
70公共电极
80像素电极
82连接布线
100滤色器
102红着色层
104绿着色层
106蓝着色层
120保护膜
130黑矩阵
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。
图1是表示本发明的实施方式的液晶显示装置的立体分解图。液晶显示装置具有液晶显示板10。液晶显示板10由上框12和下框14支承。
图2是表示图1所示的液晶显示装置的像素电极、公共电极和电路层的俯视图。图3是图2所示的液晶显示装置的Ⅲ-Ⅲ线剖视图。图4是图2所示的液晶显示装置的Ⅳ-Ⅳ线剖视图。图5是图2所示的液晶显示装置的Ⅴ-Ⅴ线剖视图。图6是图2所示的液晶显示装置的Ⅵ-Ⅵ线剖视图。
液晶显示装置具有像素电极80和公共电极70。像素电极80和公共电极70分别由透明导电膜构成。像素电极80和公共电极70为了以横向电场驱动方式驱动液晶20而隔着层间绝缘膜48层叠。在层间绝缘膜48的液晶20一侧配置有像素电极80。
液晶显示装置具有滤色器100。滤色器100包括不同颜色的多个着色层102、104、106(参照图4)。各着色层102、104、106的光透射率各不相同。多个着色层102、104、106中包括红着色层102。
液晶显示装置具有电路层40。在液晶20、像素电极80和公共电极70的下方配置有电路层40。电路层40包括薄膜晶体管。如图3所示,薄膜晶体管包括栅电极30、源电极54、漏电极52以及半导体层60。电路层40包括覆盖栅电极30的栅极绝缘膜42。源电极54、漏电极52分别与半导体层60之上接触而形成。公共电极70的一部分位于栅电极30的上方。
电路层40包括由金属构成的多条布线。多条布线包括公共布线56(参照图4和图5)。公共布线56在半导体层60上接触而形成。公共布线56的一部分位于栅电极30的上方。如图4所示,公共布线56被配置为避免与多个着色层102、104、106中光透射率最高的绿着色层104相对而与其他任意一个着色层相对(在本实施方式中与红着色层102相对)。
根据本实施方式,由金属构成的公共布线56避免与亮度最高的绿着色层104相对,因此被金属布线遮挡的光的亮度本来就低,所以能够抑制液晶显示装置的亮度降低。
液晶显示装置如图5所示,具有连接布线82。连接布线82将公共电极70和公共布线56连接起来。连接布线82与公共电极70的连接部位于栅电极30的上方。连接布线82与公共布线56的连接部位于栅电极30的上方。连接布线82由透明电极膜构成,包括在层间绝缘膜48上与像素电极80并列的部分、和贯通层间绝缘膜48而与公共电极70连接的部分。
【实施例】
以下,进一步说明本发明实施方式的具体内容。
液晶显示板10具有第一基板16和第二基板18。第一基板16和第二基板18均为透明基板(例如玻璃基板)。第一基板16和第二基板18之间配置有液晶20。在第一基板16和第二基板18各自的与液晶20相反一侧的面上以正交尼科尔状态粘着有偏振片22。
在第一基板16的面向液晶20的面上形成有薄膜晶体管。薄膜晶体管是用于控制液晶20的驱动的开关。薄膜晶体管是被施加控制用扫描电压的栅电极30配置在下方的底栅型。第一基板16上形成有栅电极30。由无机材料(SiO2等半导体氧化物或SiN等半导体氮化物)构成的栅极绝缘膜42通过等离子体CVD等形成,以覆盖栅电极30。在栅极绝缘膜42之上形成有例如由非晶硅或微晶硅构成的半导体层60。在半导体层60上形成有输出像素电位的源电极54和被施加图像信号的漏电极52。形成有由无机材料(SiO2等半导体氧化物或SiN等半导体氮化物)构成的保护绝缘层44,以覆盖源电极54、漏电极52以及半导体层60。利用保护绝缘层44防止半导体层60的湿度污染。
当栅极电压施加在栅电极30上时,被施加图像信号电压的漏电极52与源电极54之间的半导体层60的电阻降低,由此,在与源电极54连接的第二透明导电膜即像素电极80和被施加公共电压的第一透明导电膜即公共电极70之间产生电场,该电场加在液晶20上,液晶20的透射率变化而进行显示。
栅电极30、漏电极52以及源电极54作为布线材料需要低电阻,因此通过溅射法形成Cu(铜)或Cu及其下的Mo(钼)构成的导电膜。
在薄膜晶体管的上方(保护绝缘层44上)配置有有机绝缘膜46。该有机绝缘膜46是相对介电常数为4以下的低介电常数膜。
在有机绝缘膜46上形成公共电极70。在公共电极70上形成层间绝缘膜48。层间绝缘膜48由SiN这样的无机材料的绝缘膜构成。进而在其上部形成有由第二透明导电膜构成的像素电极80。公共电极70和像素电极80通过溅射法等由ITO(氧化铟锡)或氧化铟锌形成。
像素区域中的像素电极80穿过层间绝缘膜48、公共电极70、有机绝缘膜46、保护绝缘层44上的开口部与源电极54连接,通过该连接对液晶20供给像素电位。通过该像素电极80与隔着层间绝缘膜48而存在于下部的公共电极70的公共电位之间的电场加到液晶20上来进行显示。
在相对于液晶20位于第一基板16的对面的位置上的第二基板18上,在其液晶20方向的面上配置有黑矩阵130。黑矩阵130由包含黑颜料和碳的树脂构成。黑矩阵130防止光行进至半导体层60的沟道区域。因此,黑矩阵130的平面形状为岛状或条纹状。
面向液晶20在黑矩阵130上形成有滤色器100。滤色器100由多个(例如红、绿、蓝三色)着色层构成。图3的剖面结构中的滤色器100是分散有红色颜料的着色层。
在第二基板18的面向液晶20的面上,形成有覆盖其表面缺陷的由有机材料构成的保护(overcoat)膜120。保护膜120不包含颜料等通过离子化而溶入液晶20那样的污染源,而是由透明材料构成。
图4是以纵条纹方式在第二基板18上配置有3色着色层的液晶板中沿栅电极30(参照图2)的延伸方向的3个连续的像素的剖面结构。相对于栅电极30的延伸方向,在第二基板18上形成有包含红色颜料的红着色层102、包含绿色颜料的绿着色层104、包含蓝色颜料的蓝着色层106。对于各像素的边界,隔着液晶20在第一基板16上是漏电极52,第二基板18上是黑矩阵130。
液晶20被施加在由ITO(Indium Tin Oxide)形成的第一透明导电膜所构成的公共电极70与由ITO形成的第二透明导电膜所构成的像素电极80之间的电场驱动。此时,漏电极52上被传输相应的像素以外的图像信号,发生噪声电场,但公共电极70上始终被施加公共电压,该公共电极70通过低介电常数的有机绝缘膜46对漏电极52在上部进行屏蔽,起到屏蔽电极的作用。由此,能够缩短夹着漏电极52这样相邻的像素电极80的间隔,由此能够缩短划分各像素的黑矩阵130的宽度,从而提高开口率。
公共电极70由ITO这样的透明导电膜构成,所以电阻高。因此当液晶显示装置为大型时,会产生公共电极70的电位的延迟。因此,以往在公共电极70之后的工序中通过溅射法连续形成例如Cu(铜)那样的低电阻的布线材料,将其在透明的公共电极70上通过图形化而形成。
但是,上述Cu这样的低电阻布线的溅射存在因ITO的公共电极70的装置不同而增加新工序的问题。
在本实施方式中,在图4的具有红着色层102的像素中,在像素区域即2个漏电极52所夹的位置配置有与漏电极52在同一工序形成的公共布线56。公共布线56没有形成在其他的绿着色层104、蓝着色层106的像素区域。由图2的俯视图可知,在以3色滤色器方式实现彩色显示的液晶显示装置中,仅形成在1个着色层的像素区域。公共电极70如图3所示,覆盖像素区域的漏电极52而配置,即使用ITO那样电阻比较高的导电材料,也不必在全部像素形成公共布线56,在着色层的最小单位配置1条即可。
因此,在滤色器由红、绿、蓝3色的着色层构成时,3个像素区域内在1个像素区域形成公共布线56即可;在滤色器由红、绿、蓝、黄4色的着色层构成时或由红、绿、蓝、白4色的着色层构成时,4个像素区域内在1个像素区域形成公共布线56即可;在滤色器由红、绿、蓝、黄、青5色的着色层构成时,5个像素区域内在1个像素区域形成公共布线56即可
在具有红、绿、蓝3色的滤色器100的本实施例中,公共布线56如图4所示配置在形成红着色层102的像素区域。这是由实现高开口率的以下原因决定的。
首先,每种颜色的透射率不同。在液晶显示装置中使用红、绿、蓝3色的滤色器100的情况下,包含着色层中混入的颜料的透射率,透射率按绿、红、蓝的顺序增高。在本实施例中,在画面整体显示白色,也就是说,使红、绿、蓝各像素的透射率最大时,设定为500cd/m2。其中,绿像素为344cd/m2,红像素为98cd/m2,蓝像素为58cd/m2。由此可知,绿色像素中配置有公共布线56时白亮度最低,液晶显示装置变暗,为了补偿这种情况而使功耗增加,因此这并非优选。
另一方面,本实施例中着色层的厚度按每种颜色不同。如图4所示,蓝着色层106设定得比其他颜色的着色层厚。这是因为液晶20的双折射性的透射率表示波长依赖性。蓝色光的波长短。因此,当使各色着色层的厚度相同时,在同一驱动电压下蓝色光的像素区域的透射率变小。这使液晶显示装置的亮度降低。因此,将蓝着色层106设定得厚,将液晶材料的单元间隔设定得薄。为了保持第一基板16与第二基板18的间隙即液晶20的厚度即单元间隔,使第二基板18的各色着色层重叠。该重叠区域位于着色层厚的蓝像素。与滤色器100的红着色层102、绿着色层104和蓝着色层106重叠的部分对应地,在第一基板16上形成有台座电极58。该台座电极58形成在遮光区域即栅电极30上。图6表示其剖面结构。
由于在蓝色像素的栅电极30上形成该台座电极58,因此公共布线56不能形成在栅电极30上横穿的布线区域。因此,在本实施例中,公共布线56形成在形成有红着色层102的像素区域。
本实施例如上所述,对3色着色层中的1色像素区域配置公共布线56,并且不是在其配置的滤色器100的透射率高的绿着色层104像素区域、而在透射率低的红着色层102的像素进行配置,由此能够达到高开口率,能够提高白亮度,进而实现低功耗。
图5是图2的Ⅴ-Ⅴ线剖视图。该剖视图示出公共布线56与公共电极70的连接区域。该连接区域形成连接开口部,因此,占有比像素的透射区域的公共布线56宽的面积。因此,形成黑矩阵130,在遮光性的栅电极30上形成有连接区域。由此开口率变高。这是用本实施例实现高开口率的特征之一。
公共布线56与公共电极70如以下那样连接。横穿形成有红着色层102的像素的栅电极30的公共布线56,通过覆盖公共布线56的保护绝缘膜44、有机绝缘膜46以及层间绝缘膜48的第一开口部64与在与像素电极80相同的工序中由第二透明导电膜形成的连接布线82连接。接着,该连接布线82通过覆盖公共电极70的层间绝缘膜48的第二开口部66与公共电极70连接。由此,公共电极70的布线延迟降低而得到良好的画质。另外,这些连接区域不会使形成在不透明的栅电极30上的开口率降低,能够提供因高开口率而明亮、低功耗的液晶显示装置。
图6是图2的Ⅵ-Ⅵ线剖视图。本剖视图表示固定第一基板16与第二基板18之间的液晶20的厚度的结构。蓝着色层106通过对红着色层102和绿着色层104进行图形化而使其相对的台阶增高。另外,在第一基板16上,台座电极58在与漏电极52相同的工序中形成在半导体层60上,这决定了液晶20的厚度。
如上所述,本实施例中,液晶显示板10的透明公共电极70为实现其低电阻化而与低电阻的公共布线56连接。该公共布线56是不透光的,因此,在红、绿、蓝的着色层的像素区域中避开透射率最大的绿着色层104而仅在红着色层102的区域配置。并且,将公共布线56与公共电极70的连接区域设置在栅电极30上,由此能够提供高开口率、低功耗的液晶显示装置。本实施方式中,还包括已知的液晶显示装置的结构(例如取向膜),但省略其详细说明。
本发明并不限于上述实施方式,而是可以进行各种变形。例如,实施方式中说明的结构可以置换为实质上相同的结构、能够起到同一作用效果的结构或能够达到同一目的的结构。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
液晶;
包含薄膜晶体管和多条布线的电路层,上述多条布线由金属构成;
为了以横向电场驱动方式驱动上述液晶而在上述液晶与上述电路层之间隔着绝缘膜层叠的、分别由透明导电膜构成的像素电极和公共电极;
包含不同颜色的多个着色层且各着色层的光透射率各不相同的滤色器;以及
连接布线,其中,
上述多条布线包括公共布线,该公共布线被配置为避开与上述多个着色层中光透射率最高的上述着色层相对而与其他任意一个上述着色层相对,
上述连接布线将上述公共电极和上述公共布线连接起来。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极;
上述公共电极的一部分和上述公共布线的一部分分别位于上述栅电极的上方,
上述连接布线的与上述公共电极的连接部、和上述连接布线的与上述公共布线的连接部,分别位于上述栅电极的上方。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述电路层包括半导体层,
上述源电极、上述漏电极和上述公共布线分别与上述半导体层上接触而形成。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述像素电极配置在上述绝缘膜的上述液晶一侧,
上述连接布线由上述透明电极膜构成,并具有在上述绝缘膜上与上述像素电极并列的部分和贯通上述绝缘膜而与上述公共电极连接的部分。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述多个着色层包括红色的着色层,
上述公共布线与上述红色的着色层相对而配置。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述多个着色层包括蓝色的着色层,
上述蓝色的着色层形成得比其他颜色的上述着色层厚。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述多个着色层包括绿色的着色层,
上述公共布线避开与上述绿色的着色层相对而配置。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述公共布线由电阻比上述透明导电膜低的金属构成。
9.根据权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于:
上述源电极与上述像素电极电连接。
10.根据权利要求2或9所述的液晶显示装置,其特征在于:
还包括黑矩阵,
在多个像素的边界上,隔着上述液晶在一侧配置有上述漏电极,在另一侧配置有上述黑矩阵。
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