CN102053416A - 制造液晶显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
一种制造液晶显示装置的方法,包括这样的步骤:将第一基板和第二基板结合,且第一基板和第二基板之间夹持液晶层,并且在该第一基板的与夹持该液晶层的一侧相反的表面上直接形成功能元件。
Description
技术领域
本发明涉及制造液晶显示装置的方法,更具体地,涉及包括将一对基板结合以在它们之间夹持液晶层的步骤的方法。
背景技术
例如,日本特开2004-206089号公报揭示了制造液晶显示装置的方法,该方法包括将一对基板结合以在它们之间夹持液晶层的步骤。
在日本特开2004-206089号公报中,所揭示的液晶显示装置包括具有薄膜晶体管(TFT)的TFT基板、与TFT基板相对的对向基板(滤色器(CF)基板)以及设置在TFT基板和对向基板之间的液晶层。偏振器设置在对向基板的与液晶层相反的表面上。此外,在偏振器的与对向基板相反的表面上设置视差屏障以用于显示三维(3-D)图像或者两个不同的图像。视差屏障包括视差屏障基板和其中具有多个狭缝且设置在视差屏障基板的表面上的视差屏障开口阵列(视差屏障图案)。尽管在日本特开2004-206089号公报中没有清楚描述,但是偏振器和视差屏障开口阵列可以用其间的粘合层粘结在一起。
发明内容
然而,在这样的液晶显示装置中,当偏振器和视差屏障开口阵列用其间的粘合层粘结在一起时,偏振器和视差屏障开口阵列之间可能捕获外来物质。因此可能不希望地降低液晶显示装置的产率。
从而,所希望的是提供防止降低产率的制造液晶显示装置的方法。
根据本发明的实施例,所提供的制造液晶显示装置的方法包括如下步骤:将第一基板和第二基板结合且该第一基板和该第二基板之间夹持液晶层,并且在第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上直接形成功能构件。
与功能构件用其间的粘合层粘结到基板的表面上的情况不同,通过在基板之一的与夹持液晶层的一侧相反的表面上直接形成功能构件,可以防止外来物质捕获在该基板和功能构件之间。因此,可以防止降低液晶显示装置的产率
优选地,功能构件包括视差屏障图案或触摸板图案,并且视差屏障图案或触摸板图案直接形成在第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上。与视差屏障图案或触摸板图案用其间的粘合剂粘结到基板的表面上的情况不同,该结构可以防止外来物质在基板和视差屏障图案或触摸板图案之间被捕获。因此,可以防止降低液晶显示装置的产率。
优选地,该方法还包括在形成功能构件的步骤前将液晶滴在基板之一上的步骤。因为通过该步骤液晶填充了基板之间的空间,所以基板之间不能捕获空气。因此,即使在形成功能构件的步骤中基板设置在真空中或者高温下,基板也不会因基板之间膨胀的空气而裂开。
优选地,该方法还包括在形成功能构件的步骤前降低第一基板厚度的步骤。因此,功能构件可以直接形成在厚度已经降低到所希望程度的第一基板的表面上。
当该方法包括降低厚度的步骤时,优选地,该方法还包括在降低厚度的步骤前将液晶滴在基板之一上的步骤。因此,由于第一基板和第二基板之间的空间填充了液晶,可以易于降低第一基板的厚度。
在此情况下,优选地,该方法还包括在第一基板的夹持液晶层的一侧上形成滤色器并且在第二基板的夹持液晶层的一侧上形成薄膜晶体管的步骤。在第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上执行降低厚度的步骤。因此,功能构件可以直接形成在薄化的第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上。如果功能构件包括视差屏障图案,则视差屏障图案和滤色器之间的距离可以因视差屏障图案直接形成在具有滤色器的薄化的第一基板的表面上而减小。
当该方法包括降低厚度的步骤时,该方法还可以包括在降低厚度和形成功能构件的步骤前将液晶滴在基板之一上的步骤。因为通过该步骤将液晶填充在基板之间的空间中,所以空气没有捕获在基板之间。因此,即使在形成功能构件的步骤中基板设置在真空中或者在高温下,基板也不会因基板之间膨胀的空气而裂开。
在此情况下,在滴液晶的步骤后且在降低厚度的步骤前,可以执行将第一基板和第二基板结合的步骤。因此,可以在基板之间没有捕获空气的情况下将基板结合。因此,即使在形成功能构件的步骤中基板设置在真空中或在高温下,基板也不会因基板之间膨胀的空气而裂开。
当该方法包括降低厚度的步骤时,该方法还可以包括在降低厚度和形成功能构件的步骤后将液晶注入第一基板和第二基板之间的空间中的步骤。因此,液晶层可以通过真空注入而易于形成在具有功能构件的基板之间。
优选地,该方法还包括在功能构件的表面上形成保护膜且在保护膜的表面上设置偏振器的步骤。因为功能构件覆盖有保护膜,所以可以防止功能构件与偏振器直接接触。
优选地,功能构件通过溅射或气相沉积形成。因此,功能构件可以易于直接形成在第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上。
在此情况下,功能构件优选为视差屏障图案,并且通过溅射或气相沉积在第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上形成视差屏障层、将视差屏障层图案化成视差屏障图案而执行形成功能构件的步骤。因此,视差屏障图案可以易于直接形成在第一基板的与夹持液晶层的一侧相反的表面上。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的具有视差屏障图案的液晶面板的截面图;
图2是图1所示视差屏障图案的平面图;
图3是示出液晶面板的单个像素的截面图;
图4是根据第一实施例的液晶面板制造工艺的流程图;
图5是示出在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中形成TFT步骤的截面图;
图6是示出在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中形成滤色器步骤的截面图;
图7是在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中的ODF法(滴液晶的步骤)的示意图;
图8是在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中的ODF法(在真空中将基板结合的步骤)的示意图;
图9是在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中降低厚度步骤的示意图;
图10是在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中降低厚度步骤的示意图;
图11是在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中形成视差屏障层步骤的截面图;
图12是示出在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中图案化步骤的截面图;
图13是示出在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中形成保护膜步骤的截面图;
图14是示出在根据第一实施例的液晶面板制造工艺中切割步骤的截面图;
图15是根据本发明第二实施例的液晶面板制造工艺的流程图;
图16是在根据第二实施例的液晶面板制造工艺中将基板结合的步骤的示意图;
图17是在根据第二实施例的液晶面板制造工艺中将基板结合的步骤的示意图;
图18是在根据第二实施例的液晶面板制造工艺中注入且密封液晶步骤的示意图;
图19是在根据第二实施例的液晶面板制造工艺中注入且密封步骤的示意图;
图20是根据本发明第三实施例具有触摸板图案的液晶面板的截面图;
图21是根据本发明第三实施例的液晶面板制造工艺的流程图;
图22是在根据第三实施例的液晶面板制造工艺中降低厚度步骤的示意图;
图23是在根据第三实施例的液晶面板制造工艺中降低厚度步骤的示意图;
图24是在根据第三实施例的液晶面板制造工艺中形成触摸板图案步骤的示意图;
图25是在根据第三实施例的液晶面板制造工艺中形成触摸板图案步骤的示意图;
图26是在根据第三实施例的液晶面板制造工艺中形成触摸板图案步骤的示意图;以及
图27是根据本发明第四实施例的液晶面板制造工艺的流程图。
具体实施方式
现在,将参考附图描述本发明的实施例。
第一实施例
现在,将参考图1至3描述根据第一实施例的液晶面板100。液晶面板100是本发明液晶显示装置的一种形式。
如图1所示,本实施例的液晶面板100包括彼此相对的玻璃TFT基板1和玻璃滤色器(CF)基板2。在本实施例中,CF基板2的厚度t1约为100μm,并且TFT基板1的厚度t2约为600μm。因此,CF基板2的厚度t1小于TFT基板1的厚度t2。从而,滤色器20和视差屏障图案40之间的距离可以小。TFT基板1在其表面上提供有像素选择薄膜晶体管(TFT)3、像素电极4和公用电极5。
如详细示出面板的单个像素的图3所示,该像素具有在TFT基板1的表面上的栅极电极6。栅极电极6和TFT基板1覆盖有绝缘膜7,该绝缘膜7包括由SiN或SiO2制作的栅极绝缘膜7a。半导体层8设置在栅极电极6上方而其间具有栅极绝缘膜7a。半导体层8具有双层结构,包括下a-Si层和上n型导电n+Si层(均未示出)。
在半导体层8上,形成源极电极9和漏极电极10,以从上面看时与栅极电极6重叠。半导体层8在源极电极9和漏极电极10之间的区域之下的区域用作沟道区域8a。因此,像素选择薄膜晶体管3包括栅极电极6、栅极绝缘膜7a、半导体层8、源极电极9和漏极电极10。
源极电极9、漏极电极10和绝缘膜7覆盖有例如由SiN制作的层间绝缘层11。层间绝缘层11在对应于漏极电极10的区域具有接触孔11a。由诸如丙烯酸树脂的有机材料制作的平坦化层12设置在层间绝缘层11的表面上。平坦化层12中具有接触孔12a。在平坦化层12的表面上,像素电极4由诸如ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)的透明材料形成,并且通过接触孔11a和12a连接到漏极电极10。
例如由SiO2或SiN在低温下形成的钝化层13设置在平坦化层12和像素电极4的表面上。诸如ITO或IZO的透明材料的公用电极5设置在钝化层13的表面上。公用电极5具有多个开口5a,电场通过开口5a产生在像素电极4和公用电极5之间。由此提供FFS(边缘场转换)液晶面板100,其中液晶由像素电极4和公用电极5之间的横向方向上的电场驱动。
另外,由诸如聚酰亚胺的有机材料制作的取向层14设置在公用电极5之上。取向层14覆盖公用电极5的表面,并且通过公用电极5的开口5a与钝化层13接触。此外,偏振器15设置在TFT基板1的Z2方向上的表面上。因此,元件绝缘膜部分100a由薄膜晶体管3、层间绝缘层11、平坦化层12、像素电极4、钝化层13、公用电极5和取向层14限定。
如图1所示,红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器20设置在CF基板2的Z2方向上的表面上。液晶面板100具有多个像素21,并且为各像素21提供滤色器20。
参考示出单个像素截面结构的图3,例如由树脂制作的黑矩阵22设置在CF基板2的Z2方向上的表面上。黑矩阵22从上面看以矩阵形式位于像素21之间的边界上。滤色器20设置在CF基板2和黑矩阵22的表面上。黑矩阵22和滤色器20覆盖有用作保护膜的外涂层23。另外,诸如聚酰亚胺的有机材料的取向层24设置在外涂层23的表面上。因此,由滤色器20、黑矩阵22、外涂层23和取向层24限定树脂层部分100b,如图3所示。
如图1所示,TFT基板1和CF基板1用它们之间的密封剂30结合,并且液晶层31包封在TFT基板1和CF基板1之间。
背光80提供到TFT基板1的Z2方向侧,以在从TFT基板1到CF基板2的方向上(在Z1方向上)发射光。
在第一实施例中,由诸如铬(Cr)、铝(A1)、银(Ag)或镍(Ni)的金属制作的视差屏障图案40设置在CF基板2的Z1方向上的表面上。视差屏障图案40是本发明实施例中采用的一种类型的功能构件。视差屏障图案40具有光屏蔽特性。
而且,视差屏障图案40直接设置在CF基板2的Z1方向上的表面上,如图1所示。视差屏障图案40具有在Y方向上延伸的矩形开口40a(狭缝),如图2所示。光被视差屏障图案40的设在开口40a之间的部分阻挡。由诸如丙烯酸树脂的透明树脂制作的保护膜41设置在视差屏障图案40的Z1方向上的表面之上,如图1所示。在第一实施例中,保护膜41的表面是平坦的。此外,偏振器42设置在平坦的保护膜41的Z1方向上的表面上。
现在,将参考图1和图4至14描述根据第一实施例的液晶面板100的制造工艺。
首先,在图4所示形成TFT的步骤S1中,从下侧开始依次包括Al层和Mo层的栅极电极6通过光刻和蚀刻形成在大的母TFT基板101的表面上,如图5所示。包括SiN栅极绝缘膜7a的绝缘膜7通过化学气相沉积(CVD)形成在栅极电极6和母TFT基板101上。然后,具有双层结构、包括a-Si层和n型n+a-Si层的半导体层8通过光刻形成在每个栅极电极6之上且在它们之间具有栅极绝缘膜7a。
随后,源极电极9和漏极电极10通过以从下方开始依次沉积Mo层、Al层和Mo层而形成在半导体层8上。从上面看,源极电极9和漏极电极10与栅极电极6和半导体层8重叠,并且电连接到半导体层8。因此形成薄膜晶体管3。
随后,通过CVD形成用作保护膜的SiN层间绝缘层11,以覆盖源极电极9、漏极电极10和绝缘膜7。然后,通过涂敷在层间绝缘层11的表面上由光敏丙烯酸树脂形成平坦化层12。通过溅射在平坦化层12的表面上由ITO或IZO等形成像素电极4。随后,在像素电极4的表面之上由SiO2或SiN等形成钝化层13。然后,通过溅射在钝化层13的表面上由ITO或IZO等形成公用电极5。通过涂敷在公用电极5和钝化层13的表面之上由诸如聚酰亚胺的有机材料形成取向层14。因此,完成形成TFT的步骤S1。
转向图4所示形成滤色器(CF)的步骤S2,黑色树脂层形成在大的母CF基板102的表面之上。蚀刻树脂层以形成黑矩阵(BM)22,如图6所示。然后,红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色器(CF)20通过光刻形成在母CF基板102和黑矩阵22的表面上。
通过涂敷形成外涂层(OC)23,以覆盖滤色器20和黑矩阵22。在此情况下,外涂层23基本上覆盖黑矩阵22和滤色器20的整个表面。
取向层24由诸如聚酰亚胺的有机材料形成在外涂层23的表面上。因此,完成了形成滤色器的步骤S2。
随后,执行ODF(滴下式注入,One Drop Fill)法。更具体地讲,在图4所示的步骤S3中,密封剂30用分配器以图7所示的矩形形状涂敷在TFT基板101的表面上,并且液晶31a滴在密封剂30的矩形涂层的内侧。在ODF法的步骤S4中,TFT基板101和CF基板102在真空中结合,由此形成结合的基板110,如图8所示。
然后,在图4所示的步骤S5中,通过蚀刻(化学抛光)CF基板102的Z1方向上的表面而降低结合基板110的厚度,如图9所示。更具体地讲,抗蚀剂层60形成在结合基板110的TFT基板101的Z2方向上的表面上,以防止该表面被蚀刻。然后,结合基板110浸渍在容器150中的氢氟酸基蚀刻剂中。在经过预定的时间后,结合基板110从容器150中取出。结果,CF基板102的厚度减小为获得薄的CF基板102a而没有减小TFT基板101的厚度,如图10所示。在该步骤中,CF基板102(102a)的厚度从约600μm减小到约100μm。
然后,在图4所示的步骤S6中,通过溅射或气相沉积,在薄CF基板102a的Z1方向上的表面上通过沉积Cr金属层130而形成视差屏障层,如图11所示。随后,在图4所示的步骤S7中,通过光刻在金属层130用作视差屏障图案40的部分上形成抗蚀剂图案。蚀刻金属层130以形成开口40a,并且去除抗蚀剂图案。因此,具有开口40a的视差屏障图案40形成为如图12所示。转到图13,丙烯酸树脂的保护膜41通过涂敷形成在视差屏障图案40的表面之上。然后,在图4所示的步骤S8中,结合基板110切割成多个单元液晶面板100,如图14所示。
随后,如图1所示,在图4所示的步骤S9中,偏振器42用粘合剂(未示出)结合到该单元的CF基板2的保护膜41的表面。同样,另一偏振器15用粘合剂形成在该单元的TFT基板1的Z2方向上的表面上。随后,在图4所示的步骤S10中,诸如驱动液晶面板100和背光80的驱动器(未示出)的其它装置提供到该单元。因此,完成液晶面板100。
在第一实施例中,如上所述,视差屏障图案40直接设置在CF基板102的与夹持液晶层31的一侧相反的表面上。该结构可以防止外来物质捕获在CF基板102和视差屏障图案40之间,这与例如视差屏障图案40用其间的粘合剂层粘结到CF基板102的表面的情况不同。因此,可以防止液晶面板100的产率降低。如果视差屏障图案40用其间的粘合剂层粘结到CF基板,则气泡以及外来物质可能进入该粘合剂层。在本实施例的结构中不发生这样的情况,并且可以防止液晶面板100的产率下降。另外,第一实施例的结构可以防止粘合剂层跑到视差屏障图案40之外且损坏例如液晶面板100的端子或者粘合剂层成分的污染引起的产率下降。
此外,通过在薄CF基板102的与夹持液晶层31的一侧相反的表面上直接形成视差屏障图案40,可以减小视差屏障图案40和滤色器20之间的距离。同样,与视差屏障图案40用粘合剂层粘结到CF基板的表面上的情况不同,不需要控制粘合剂层的厚度。这显著地提高了视差屏障图案40和滤色器20之间距离的精度。
在第一实施例中,如上所述,通过将液晶滴在TFT基板101的表面上,液晶层31设置在TFT基板101和CF基板102之间。这可以防止空气捕获在TFT基板101和CF基板102之间。因此,即使在CF基板102的表面上形成视差屏障图案40的步骤中结合基板110在真空中或高温下,结合基板110也不会因TFT基板和CF基板之间膨胀的空气而裂开。
在第一实施例中,TFT基板101和CF基板102在滴液晶31a后且在降低CF基板102的厚度和形成视差屏障图案40前结合。这可防止空气捕获在TFT基板101和CF基板102之间,如上所述。因此,即使在形成视差屏障图案40的步骤中结合基板110在真空中或在高温下,结合基板110也不会因TFT基板和CF基板之间膨胀的空气而裂开。
在第一实施例中,树脂保护膜41形成在视差屏障图案40的表面上,并且偏振器42设置在保护膜41的表面上,如上所述。因为树脂保护膜41可以平坦化视差屏障图案40的表面,所以偏振器42可以形成在保护膜41的所产生的平坦表面上。从而,可以防止偏振器42的表面弯曲。同样,因为视差屏障图案40覆盖有保护膜41,所以保护膜41防止偏振器42与视差屏障图案40直接接触。
在第一实施例中,如上所述,通过溅射在薄的CF基板102a的与夹持液晶层31的一侧相反的表面上形成金属层130、然后图案化金属层130而形成视差屏障图案40。该方法可以易于直接在薄CF基板102a的与夹持液晶层31的一侧相反的表面上形成视差屏障图案40。
第二实施例
现在,将参考图1和图15至19描述本发明的第二实施例。在第二实施例中,在薄CF基板102a的表面上形成视差屏障图案40后通过真空注入而注入液晶31a,这与第一实施例中在CF基板102的表面上形成视差屏障图案40前在ODF法中滴液晶31a且在ODF法中在真空中形成结合基板110不同。第二实施例的液晶面板200与第一实施例的液晶面板100具有相同的结构。
在第二实施例的液晶面板200(见图1)的制造工艺中,以与第一实施例相同的方式,TFT在图15所示的步骤S1中形成在大的母TFT基板101上(见图16)。液晶面板200是本发明的液晶显示装置的一种形式。在步骤S2中,滤色器20以与第一实施例相同的方式形成在大的母CF基板102上(见图16)。
然后,在图15所示的步骤S11中,密封剂30用分配器等涂敷到TFT基板101的表面上,以保证在后续步骤中注入液晶31a的空间。然后,将TFT基板101和CF基板102压在一起,以形成结合的基板210,如图17所示。
随后,如图15所示,以与第一实施例相同的方式,通过步骤S5中的化学蚀刻降低CF基板102的厚度。然后,在步骤S6中,通过溅射或气相沉积在CF基板102的Z1方向上的表面上沉积金属层130而形成视差屏障层。在步骤S7中,通过光刻和蚀刻来图案化金属层130。然后,在步骤S8中,结合基板210切割成液晶面板200的单元。
在第二实施例中,随后,在步骤S 12中注入且密封液晶31a。更具体地讲,如图18所示,结合基板210设置在真空中,并且通过涂敷到结合基板210的密封剂30中的间隙注入液晶31a。在注入液晶31a后,如图19所示,密封剂30中的间隙用树脂密封化合物50密封。然后,通过以与第一实施例相同的方式的涂敷,如图1所示,在视差屏障图案40的Z1方向上的表面上形成树脂平坦保护膜41。然后,在步骤S9中,偏振器42粘结到保护膜41的Z1方向上的表面,并且另一偏振器15粘结到TFT基板1的Z2方向上的表面。随后,在步骤S10中,诸如驱动液晶面板200和背光80的驱动器(未示出)的其它装置提供到该单元,因此完成了液晶面板200(见图1)。
第二实施例的液晶面板200的制造工艺中的其它步骤以与第一实施例相同的方式执行。
在第二实施例中,如上所述,在降低CF基板102的厚度且形成视差屏障图案40后,将液晶31a注入结合基板210中。因此,液晶层31可以易于通过真空注入提供在具有视差屏障图案40的结合基板210中。
除了上面的效果外,第二实施例可以产生与第一实施例相同的效果。
第三实施例
现在转到图20,下面将描述第三实施例。在第三实施例中,降低了TFT基板101和CF基板102二者的厚度,并且触摸板图案70形成在薄CF基板102a上,这与第一实施例中视差屏障图案40形成在薄CF基板102a的表面上不同。触摸板图案70是本发明实施例中采用的一种类型的功能构件。
在根据如图20所示的第三实施例的液晶面板300中,CF基板2的厚度t3约为100μm,并且TFT基板1的厚度t4约为100μm。因此,CF基板1和TFT基板1具有相同的厚度。用于直接电阻触摸板图案70的层(透明电极膜71)设置在基板2的Z1方向上的表面上。液晶面板300是本发明的一种形式的液晶显示装置。更具体地讲,诸如ITO(铟锡氧化物)的透明导电材料的透明电极膜71设置在CF基板2的Z1方向上的表面上。透明电极膜71是一种形式的薄膜。同样,柔性透明基板72设置到CF基板2的Z1方向侧以与CF基板2相对。诸如ITO的透明导电材料的另一个透明电极膜73设置在透明基板72的Z2方向上的表面上。
例如由丙烯酸树脂制作的光敏间隔物74以预定的间隔设置在透明电极膜71的Z1方向上的表面上。CF基板2和透明基板72用由例如树脂制作的密封剂75粘合在一起。同样,偏振器42设置在透明基板72的Z1方向上的表面上。
触摸板图案70构造为不仅透明基板72而且透明电极膜73通过按压透明基板72(偏振器42)而弯曲。当透明电极膜71和73彼此接触时,它们在接触点电连接。通过用检测器(未示出)检测接触点,观察者可以知道触摸板图案70受压的位置。
现在,将参考图20和图26描述根据第三实施例的液晶面板300的制造工艺。在第三实施例中,将描述这样的工艺,其中与第一实施例一样使用ODF法,将触摸板图案70形成在薄CF基板102a的Z1方向上的表面上。
如图21所示,在第三实施例中,与第一实施例一样,TFT基板101和CF基板102通过形成TFT、形成滤色器、在ODF法中滴液晶以及在真空中在ODF法中结合基板的步骤S1至S4结合为形成图22所示的结合的基板310。如图22所示,在步骤S21中,结合基板310浸渍在容器150中的氢氟酸基蚀刻剂中。在经过预定的时间后,结合基板310从容器150中取出。结果,降低了TFT基板101和CF基板102的厚度,以获得薄化的TFT基板101a和薄化的CF基板102a,如图23所示。在该步骤中,TFT基板101(101a)和CF基板102(102a)的厚度每一个都从约600μm减少到约100μm。
然后,在第三实施例中,在如图21所示的步骤S22中形成触摸板图案。更具体的讲,如图24所示,通过溅射或气相沉积,用于透明电极膜71的透明导电层直接沉积在薄CF基板102a的Z1方向上的表面上。透明导电层通过光刻和蚀刻被图案化以对应于多个液晶面板300,从而形成透明电极膜71。然后,间隔物74通过光刻例如由树脂以预定的间隔形成在透明电极膜71的表面上。同样,密封剂75涂敷在薄CF基板102a的Z1方向上的表面上以将CF基板102a和透明基板72粘结在一起。此外,如图25所示,透明电极膜73通过溅射或气相沉积形成在透明基板72的Z2方向上的表面上。转到图26,CF基板102a和透明基板72的Z2方向上的表面用其间的密封剂75粘结在一起,由此形成触摸屏图案70。随后,如图21所示,与第一实施例一样,所产生的结构通过步骤S8中的切割、步骤S9中的粘结偏振器和步骤S10中的装配模块加工成图20所示的液晶面板300。
第三实施例的液晶面板300的制造工艺中的其它步骤以与第一实施例相同的方式执行。
在第三实施例中,如上所述,触摸板图案70直接设置在CF基板102的与夹持液晶层31的一侧相反的表面上。该结构可以防止外来物质捕获在CF基板102和触摸板图案70之间,这与例如触摸板图案70用其间的粘合剂层粘结到CF基板102的表面上的情况不同。因此,可以防止液晶面板300的产率下降。
除了上面的效果外,第三实施例可以产生与第一实施例相同的效果。
第四实施例
现在,将参考图16和17以及图20至27描述本发明的第四实施例。在第四实施例中,液晶31a通过在第二实施例中所用的真空注入在触摸板图案70已经形成在CF基板102的表面上后注入,这与第三实施例中在ODF法中滴液晶后、触摸板图案70形成在CF基板102的表面上前,通过在ODF法中在真空中结合基板而形成结合基板310不同。第四实施例的液晶面板与第三实施例的液晶面板300具有相同的结构。
在根据第四实施例的液晶面板400(见图20)的制造工艺中,与第三实施例一样,TFT在步骤S1中形成在大的母TFT基板101上,并且滤色器在步骤S2中形成在大的母CF基板102上,如图27所示。
转到步骤S11,以与第二实施例相同的方式,通过如图16所示将密封剂30涂敷在CF基板101之上且将CF基板101和TFT基板102按压在一起以制备图17所示的结合的基板410。随后,通过与第三实施例相同方式的化学蚀刻在步骤S21中降低结合基板410的TFT基板101和CF基板102的厚度。转到步骤S22,触摸板图案70通过溅射或气相沉积直接形成在薄CF基板102a上。具有触摸板图案70的结合基板410在步骤S8中切割成液晶面板400的单元。
然后,在步骤S12中,以与第二实施例相同的方式,将液晶通过真空注入而注入到结合基板410中。结合基板410的液晶入口通过光刻用树脂密封化合物密封。然后,以与第三实施例相同的方式,偏振器42在步骤S9中用粘合剂粘结到触摸板图案70的表面。随后,诸如驱动液晶面板400和背光80的驱动器(未示出)的其它装置在步骤S10中提供到该单元,因此完成如图20所示的液晶面板400。
在第四实施例中,如上所述,液晶31a在降低CF基板102的厚度且形成触摸板图案70后注入结合基板410中。从而,液晶层31通过真空注入可以易于提供在具有触摸板图案70的结合基板410中。
除了上面的效果外,第四实施例可以产生与第三实施例相同的效果。
尽管本发明已经参考示范性实施例进行了描述,但是应当理解的是,本发明不限于所揭示的示范性实施例。本发明的范围规定在所附权利要求中,并且在等同权利要求的范围和精神内可以进行各种修改。
例如,与第一至第四实施例的结构不同,视差屏障图案或触摸板图案不是典型地设置在CF基板的与液晶层相反的表面上。视差屏障图案或触摸板图案可以直接设置在TFT基板的与液晶层相反的表面上。尽管在第一和第二实施例中,TFT基板设置在远离使用者的相反侧(CF基板设置在使用者侧),但是视差屏障图案可以设置在使用者侧或相反侧。因此,视差屏障图案在第一和第二实施例中可以提供到远离使用者的TFT基板,或者具有视差屏障图案的TFT基板可以设置在使用者侧,这与第一实施例或第二实施例不同。如在第一和第二实施例中,设置在使用者侧的视差屏障图案可以比设置在相反侧的情况更多地阻挡从像素发射的光,高度显示出所希望的功能。因此,它可以减少由来自相邻像素的光引起的颜色混合。另一方面,与第一或第二实施例不同,设置在相反侧的视差屏障图案可以比设置在使用者侧的视差屏障图案更有效地防治所谓莫尔图案(moire pattern),这是由光干扰引起的现象。
尽管第一和第二实施例每一个都描述了用于生产垂直电场液晶面板的制造工艺,但是本发明的另一个实施例可以提供横向电场的液晶显示装置。
尽管在第一至第四实施例中,视差屏障图案或触摸板图案用作功能构件,但是功能构件不限于这些图案。例如,在横向电场的液晶面板中,导电屏蔽层可以直接在液晶面板的表面上形成为功能构件。导电屏蔽层可以保护装置免受外部静电,并且可用作释放CF基板侧存储的电荷的静电屏蔽。
尽管第一和第二实施例的视差屏障图案中具有多个开口,但是它不限于这样的形式。例如,视差屏障图案当从上面看时可以具有格子图案(checkedpattern)或多个环形开口。
尽管在第三和第四实施例中,电阻触摸板图案用作功能构件,但是功能构件不限于这样的图案。例如,功能构件可以是构造为触摸输入的电容触摸板图案,以检测通过触摸基板的表面上形成的导电膜引起的电容变化。
尽管在第一至第四实施例中,降低厚度的步骤通过化学蚀刻(化学抛光)执行,但是它不限于这样的技术。例如,该厚度可以通过机械抛光来减小。
尽管在第一和第二实施例中,视差屏障图案通过图案化由溅射或气相沉积而沉积在CF基板的表面上的视差屏障层(金属层)来形成,但是视差屏障图案的形成不限于该方法。溅射和气相沉积之外的任何方法可以用于形成视差屏障层(金属层),只要视差屏障层可以直接形成在CF基板的表面上。
尽管在第一和第二实施例中,为视差屏障图案40形成金属视差屏障层,但是视差屏障层的材料不限于金属。例如,视差屏障层可以由光屏蔽树脂形成而不限于金属。因为来自树脂视差屏障图案的外部光的反射可以低于来自金属图案的外部光的反射,所以使用者可以易于观看显示在液晶显示装置上的图像。为了形成这样的树脂视差屏障图案,它可以通过诸如光刻的通常的工艺由光敏树脂形成。在此情况下,树脂层在用于烘焙等非常高的温度条件下设置。树脂视差屏障图案可以有利地用在本发明的实施例中。
尽管在第三和第四实施例中,触摸板图案的透明电极膜通过溅射或气相沉积直接沉积在CF基板的表面上,但是触摸板图案的形成不限于该方法。透明电极膜甚至可以通过溅射或气相沉积之外的任何方法形成,只要它可以直接形成在CF基板的表面上。
本申请包含2009年11月3日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2009-252508中公开的相关主题,其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是,在所附权利要求或其等同方案的范围内,根据设计需要和其他因素,可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
Claims (12)
1.一种制造液晶显示装置的方法,包括如下步骤:
将第一基板和第二基板结合,液晶层夹持在该第一基板和该第二基板之间;以及
在该第一基板的与夹持该液晶层的一侧相反的表面上直接形成功能构件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该功能构件包括视差屏障图案或触摸板图案,并且该视差屏障图案或该触摸板图案直接形成在该第一基板的与夹持该液晶层的一侧相反的表面上。
3.根据权利要求1或2所述的方法,还包括在形成该功能构件的步骤前将液晶滴在该第一基板和该第二基板之一上的步骤。
4.根据权利要求1或2所述的方法,还包括在形成该功能构件的步骤前降低该第一基板的厚度的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括在降低该厚度的步骤前将液晶滴在该第一基板和该第二基板之一上的步骤。
6.根据权利要求4或5所述的方法,还包括如下步骤:
在该第一基板的夹持该液晶层的一侧上形成滤色器;以及
在该第二基板的夹持该液晶层的一侧上形成薄膜晶体管,
其中在该第一基板的与夹持该液晶层的一侧相反的表面上执行降低该厚度的步骤。
7.根据权利要求4所述的方法,还包括在降低该厚度和形成该功能构件的步骤前将液晶滴在该第一基板和该第二基板之一上的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法,其中该第一基板和该第二基板的结合步骤在滴该液晶的步骤后且在降低该厚度的步骤前执行。
9.根据权利要求4所述的方法,还包括在降低该厚度和形成该功能构件的步骤后将液晶注入该第一基板和该第二基板之间的空间的步骤。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,还包括如下步骤:
在该功能构件的表面上形成保护膜;以及
在该保护膜的表面上设置偏振器。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,其中该功能构件通过溅射或气相沉积形成。
12.根据权利要求11所述的方法,其中该功能构件是视差屏障图案,并且通过溅射或气相沉积在该第一基板的与夹持该液晶层的一侧相反的表面上形成视差屏障层、将该视差屏障层图案化成该视差屏障图案而执行形成该功能构件的步骤。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JAPAN DISPLAY WEST INC. Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION Effective date: 20121107 |
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C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121107 Address after: Aichi Applicant after: Japan display West Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Applicant before: Sony Corp. |
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C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20110511 |