CN102024683A - 处理开始可否的判定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在由基板制成的半导体器件的成品率较高的状态下开始规定的处理的处理开始可否的判定方法。在具备收纳晶片(W)的腔室(11)和对该腔室(11)进行排气的排气系统(14)的基板处理装置(10)中，在清洗了腔室(11)的构成部件之后，仅以规定的次数重复实施比用于半导体器件的制造的等离子体蚀刻处理更高温的气氛和/或更低压的气氛的干燥处理，对排气系统(14)的初步排气管路(15)内流动的颗粒的数量进行测算，并对该测算出的颗粒的数量的随时间经过的变动程度进行监视，在该监视中的颗粒数量的减少程度发生变化时，判定为等离子体蚀刻处理能够开始。

Description

处理开始可否的判定方法
技术领域
本发明涉及处理开始可否的判定方法和存储介质，特别是涉及具备收纳基板并实施处理的减压室和对该减压室内进行排气的排气系统的基板处理装置的处理开始可否的判定方法。
背景技术
对作为基板的晶片实施等离子体处理的基板处理装置包括：作为收纳该晶片的减压室的腔室；将处理气体导入至该腔室内的喷淋头；配置在腔室内的、载置晶片并且向腔室内施加高频电力的基座(susceptor)；以及对腔室内进行排气的泵和配管等构成的排气系统。向被减压的腔室内导入的处理气体通过高频电力被激励而成为等离子体，该等离子体中的阳离子和自由基(ラジカル)用于晶片的等离子体处理。
由于定期对腔室的构成部件进行清洗，因此腔室内的清洁度非常高，但有时存在若干的颗粒。这些颗粒通过排气系统被向腔室外排出，但排出全部的颗粒需要一定程度的时间。在此，在腔室内残留一定程度数量的颗粒时，该颗粒附着于形成在晶片上的许多半导体元件而导致缺陷，因此由晶片制成的半导体元件的成品率降低。所以，推测残留在腔室内的颗粒的数量，在该颗粒的数量低于规定值时，使用于半导体元件制造的等离子体处理开始。
在现有技术中，考虑为附着在晶片的颗粒的数量准确地反映残留在腔室内的颗粒的数量，因此通过分析附着在晶片的颗粒的数量随时间经过的变化，能够推测颗粒的附着原因的情况被提倡(例如参照专利文献1。)，进而，在残留于腔室内的颗粒的数量的推测中，使用附着于晶片的颗粒的数量。
例如，在残留于腔室内的颗粒的数量的推测中，在腔室收纳与用于半导体器件制造的产品晶片不同的监测用的晶片(以下称为监测晶片。)，使颗粒附着于该监测晶片，此后，将监测晶片从腔室中取出，测算附着于该监测晶片的颗粒的数量，基于该测算后的颗粒的数量推测腔室内残留的颗粒的数量。
此时，用于半导体器件制造的等离子体处理开始的可否，并非基于多片，而是基于附着在1片监测晶片的颗粒的数量推测。
专利文献1：日本特开2009-111165号文献
发明内容
但是，近年已知如下情况，在残留于腔室内的颗粒比较少的状况下，在同一批次中实施了相同等离子体处理的多片晶片中，附着于各晶片的颗粒的数量有很大差异。例如，在不产生多余颗粒的等离子体处理中，附着于各晶片的颗粒的数量分散为10个～100个左右，在容易产生颗粒的等离子体处理中，附着于各晶片的颗粒的数量分散为70个～700个左右。(Shinjiro Umehara其他，“Particle Generation ControlTechnology Using Control of Chamber Temperature in the EtchingProcess”，FUJITSU LIMITED其他，Conference Proceedings ofInternational Symposium on Semiconductor Manufacturing  (2002)，p.429)。
即，附着于1片监测晶片的颗粒的数量，并未正确反映残留于腔室内的颗粒的数量，因此基于附着在1片监测晶片的颗粒的数量判定等离子体处理开始的可否时，有可能在半导体器件的成品率较低的状态下开始等离子体处理。
本发明的目的在于，提供能够在由基板制成的半导体器件的成品率较高的状态下开始规定的处理的处理开始可否的判定方法和存储介质。
为了实现上述目的，第一方面记述的处理开始可否的判定方法，对规定的处理的开始的可否进行判定，该规定的处理是在具备收纳基板的减压室和对该减压室进行排气的排气系统的基板处理装置中对上述基板实施的处理，该处理开始可否的判定方法特征在于，包括：对残留于上述基板处理装置内的颗粒的数量进行测算的颗粒数测算步骤；对在上述颗粒数测算步骤中测算出的颗粒的数量的随时间经过的变动程度进行监视的颗粒数变动监视步骤；和在上述颗粒数变动监视步骤中监视的上述颗粒数的变动程度发生变化时，判定为上述规定的处理能够开始的处理开始判定步骤。
第二方面记述的处理开始可否的判定方法的特征在于，如第一方面记述的处理开始可否的判定方法，在上述颗粒数变动监视步骤中，以指数函数对上述变动程度进行近似。
第三方面记述的处理开始可否的判定方法的特征在于，如第一或第二方面记述的处理开始可否的判定方法，直到上述颗粒数的变动程度变化之前，对基板实施在比上述规定的处理更高温和/或更低压的气氛下实行的其他的处理。
第四方面记述的处理开始可否的判定方法的特征在于，如第一至第三方面中任一方面记述的处理开始可否的判定方法，在上述颗粒数变动监视步骤中，测算在上述排气系统内流动的上述颗粒的数量。
第五方面记述的处理开始可否的判定方法的特征在于，如第一至第三方面中任一方面记述的处理开始可否的判定方法，在上述颗粒数变动监视步骤中，测算残留于上述减压室内的上述颗粒的数量。
为了实现上述目的，第六方面记述的存储介质，为收纳使处理开始可否的判定方法在计算机执行的程序的、能够用计算机读取的存储介质，其中，上述判定方法为对在具备收纳基板的减压室、对该减压室进行排气的排气系统的基板处理装置中实施于上述基板的规定的处理的开始的可否进行判定的处理开始可否的判定方法，上述处理开始可否的判定方法特征在于，包括：对残留于上述基板处理装置内的颗粒的数量进行测算的颗粒数测算步骤；对在上述颗粒数测算步骤中测算出的颗粒的数量的随时间经过的变动程度进行监视的颗粒数变动监视步骤；和在上述颗粒数变动监视步骤中监视的上述颗粒数的变动程度发生变化时，判定为上述规定的处理能够开始的处理开始判定步骤。
发明的效果
根据第一方面记述的处理开始可否的判定方法和第六方面记述的存储介质，监视残留于基板处理装置内的颗粒的数量随时间经过的变动程度，在该被监视的颗粒数的变动程度发生变化时，判定为规定的处理能够开始。基板处理装置内残留的颗粒数的变动程度发生变化而变小的原因能够被考虑为，不产生起因于从外部向减压室内带入的因素的颗粒。另一方面，起因于从外部向减压室内带入的因素的颗粒的数量比较多，且其产生时期也不规律，因此在起因于从外部向减压室内带入的因素的颗粒产生的期间，半导体器件的成品率下降。于是，通过在该颗粒数的变动程度发生变化时判定为规定的处理能够开始，能够在起因于从外部向减压室内带入的因子的颗粒不再产生的状态下开始规定的处理。即，能够在半导体器件的成品率高的状态下，开始规定的处理。
根据第二方面记述的处理开始可否的判定方法，残留于基板处理装置内的颗粒的数量的变动程度以指数函数近似，因此能够去除该变动程度的异常值的影响，例如极短时间内的较大的变动的影响，能够准确地检测出该变动程度的变化。
根据第三方面记述的处理开始可否的判定方法，在知道残留于基板处理装置内的颗粒数的变动程度发生变化之前，对基板实施在比规定的处理更高温和/或更低压的气氛下实施的其他的处理，因此能够促进来自减压室的构成部件的外气的放出，能够尽早抑制起因于外气的颗粒的产生。其结果是，能够尽早使颗粒的数量的变动程度发生变化。
根据第四方面记述的处理开始可否的判定方法，在排气系统内流动的颗粒数被测算。由于减压室内的颗粒通过排气系统被排出，因此排气系统内流动的颗粒的密度较高。于是，能够准确且容易地测算颗粒数。
根据第五方面记述的处理开始可否的判定方法，减压室内残留的颗粒数被测算。减压室内残留的颗粒直接影响半导体器件的成品率。于是，通过基于减压室内残留的颗粒数判定规定的处理的开始的可否，能够准确地控制半导体器件的成品率。
附图说明
图1是概略地表示适用有本发明的实施方式的处理开始可否的判定方法的基板处理装置的结构的截面图。
图2是表示从图1的基板处理装置中的腔室的构成部件的清洗后到等离子体蚀刻处理第二日为止的初步排气(粗引き)管路内流动的颗粒数的随时间经过的变动程度的图表。
图3是表示从图1的基板处理装置中的等离子体蚀刻处理第三日起至等离子体蚀刻处理第十四日为止的初步排气管路内流动的颗粒数的随时间经过的变动程度的图表。
图4是表示等离子体蚀刻处理第二日的基板处理装置中对同一晶片反复多次进行等离子体蚀刻处理时的、由该晶片制成的半导体器件的成品率的变动程度的图表。
图5是表示等离子体蚀刻处理第三日的基板处理装置中对同一晶片反复多次进行等离子体蚀刻处理时的、由该晶片制成的半导体器件的成品率的变动程度的图表。
图6是表示本发明的实施方式的处理开始可否的判定方法的流程图。
符号说明
W    晶片
10   基板处理装置
11   腔室
14   排气系统
15   初步排气管路
18   ISPM
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。
首先，对适用有本发明的实施方式涉及的处理开始可否的判定方法的基板处理装置进行说明。
图1是概略地表示适用有本实施方式的处理开始可否的判定方法的基板处理装置的结构的截面图。本基板处理装置，对作为基板的半导体器件用的晶片(以下简称为“晶片”)实施等离子体蚀刻处理。
在图1中，基板处理装置10，具有收纳晶片W的腔室11，在该腔室11内配置有圆柱状的基座12，在腔室11内的上部，以与基座12相对的方式，配置有圆板状的喷淋头13。另外，基板处理装置10连接有对腔室11进行排气的排气系统14。
基座12内置有静电卡盘，该静电卡盘通过库伦力等将所载置的晶片W静电吸附到基座12的上表面。另外，基座12连接有高频电源(未图示)，作为向该基座12和喷淋头13之间的处理空间S施加高频电力的下部电极发挥作用。
喷淋头13与处理气体供给装置(未图示)连接，将从该处理气体供给装置供给的处理气体向处理空间S扩散而导入。
排气系统14具有：初步排气管路15，主排气管路16，APC阀(未图示)。初步排气管路15与干泵(未图示)(dry pump)连接，对腔室11初步排气。主排气管路16具有涡轮分子泵(TMP)17，通过该TMP17对腔室11进行高真空排气(高真空引き)。具体而言，干泵对腔室11内从大气压起减压至中真空状态(例如，1.3×10Pa(0.1Torr)以下)，TMP17与干泵协作将腔室11内减压至比中真空状态压力更低的高真空状态(例如，1.3×10-3Pa(1.0×10-5Torr)以下)。
主排气管路16在TMP17和干泵之间与初步排气管路15连接，在初步排气管路15和主排气管路16上配有能够断开各管路的阀V1、V2。APC阀由蝶形阀(butterfly valve)或滑阀(slide valve)构成，存在于腔室11和TMP17之间，将腔室11内的压力控制为所期望的值。
在基板处理装置10中，腔室11通过排气系统14被排气、腔室11内被减压至高真空状态后，通过喷淋头13向处理空间S导入处理气体，通过基座12向处理空间S施加高频电力。此时，处理气体被激励，产生等离子体，通过该产生的等离子体中包含的阳离子和自由基，在晶片W上实施等离子体蚀刻处理。
在等离子体蚀刻处理中和等离子体蚀刻处理后，排气系统14的干泵继续对腔室11进行排气。此时，排气系统14将腔室11内残留的颗粒与腔室11内的气体、例如未反应的处理气体或反应生成物挥发的气体一起排气，因此排气系统14的初步排气管路15内流动的颗粒的数量与腔室11内残留的颗粒数密切相关。因此，本实施方式中，取代腔室11内残留的颗粒的数量，对初步排气管路15内流动的颗粒的数量进行测算。
基板处理装置10具备在初步排气管路15配置的ISPM(In SituParticle Monitor，现场粒子监测仪)18。ISPM18至少具有朝向初步排气管路15内照射激光的激光振荡器(発振器)、和对在颗粒通过激光时发生的散射光进行观测的光电子倍增管(Photomultiplier Tube)，对在初步排气管路15内流动的颗粒的数量进行光学测算。
但是，如上述那样，基于附着在1片监测晶片的颗粒的数量对等离子体蚀刻处理开始的可否进行判定时，有可能在半导体器件的成品率低的状态下开始等离子体蚀刻处理。本发明的发明者为了发现用于在半导体器件的成品率高的状态下开始等离子体蚀刻处理的适当的指标，在基板处理装置10中，在对腔室11的构成部件进行清洗后，对多片晶片W实施等离子体蚀刻处理，并对由这些晶片W制成的半导体器件的成品率进行测算，另一方面还在对多片晶片W实施的等离子体蚀刻处理期间，具体而言在全部14日的期间通过ISPM18对初步排气管路15内流动的颗粒的数量继续测算，得到图2～图5所示的结果。
图2和图3为表示初步排气管路15内流动的颗粒的数量随时间经过的变动程度的图表，横轴为由基板处理装置10进行的等离子体蚀刻处理的实施日数，纵轴为初步排气管路15内流动的颗粒的数量。图中的折线为测算的颗粒的数量，图中的实线为将颗粒数的变动程度以指数函数近似的线。
另外，图2的图表表示从腔室11的构成部件清洗后到等离子体蚀刻处理第二日为止测算的颗粒的数量的变动程度，图3的图表表示从等离子体蚀刻处理第三日起到第十四日为止测算的颗粒的数量的变动程度。
图4和图5为表示利用基板处理装置10对同一晶片W多次反复实施等离子体蚀刻处理时的、由该晶片W制成的半导体器件的成品率的变动程度的图表，横轴为等离子体蚀刻处理的重复次数，纵轴为半导体器件的成品率。图中的“○”为各晶片W的成品率，图中的实线表示等离子体蚀刻处理的重复次数对应的半导体器件的成品率的变动程度的近似直线。
而且，图4的图表表示等离子体蚀刻处理第二日的基板处理装置10中的等离子体蚀刻处理重复多次时的半导体器件的成品率的变动程度，图5的图表表示等离子体蚀刻处理第三日的基板处理装置10中的等离子体蚀刻处理重复多次时的半导体器件的成品率的变动程度。
比较图2的图表和图3的图表可知，在图2的图表中随着处理日数的经过，与初步排气管路15内流动的颗粒的数量减少的变动程度相对，在图3的图表中即使经过了处理日数，初步排气管路15内流动的颗粒的数量也几乎不变化。具体而言，使等离子体蚀刻处理的实施日数为X、初步排气管路15内流动的颗粒的数量为Y时，图2的图表中的颗粒的数量的变动程度的近似指数函数表示为Y＝142e-1.98X，图3的图表中的颗粒的数量的变动程度的近似指数函数表示为Y＝4.89e-0.015X。于是可知，经过了等离子体蚀刻处理第二日时，初步排气管路15内流动的颗粒的数量的变动程度发生变化。
另一方面，比较图4的图表和图5的图表可知，与在图4的图表中随着等离子体蚀刻处理重复进行半导体器件的成品率下降的情况相对，在图5的图表中即使重复进行等离子体蚀刻处理，半导体器件的成品率也不降低。等离子体蚀刻处理重复进行时，半导体器件的成品率降低是由于基板处理装置10处于使半导体器件的成品率下降的状态，即使重复等离子体蚀刻处理半导体器件的成品率也不降低是由于基板处理装置10处于不使半导体器件的成品率降低的状态，换言之，是因为处于半导体器件的成品率高的状态。于是，根据图4的图表和图5的图表的比较结果，能够考虑为经过了等离子体蚀刻处理第二日时，基板处理装置10成为半导体器件的成品率高的状态。
根据以上情况可知，经过了等离子体蚀刻处理第二日时，初步排气管路15内流动的颗粒的数量的变动程度发生变化，且基板处理装置10成为半导体器件的成品率高的状态。即，本发明的发明者发现，初步排气管路15内流动的颗粒的数量的变动程度发生变化时，基板处理装置10成为半导体器件的成品率高的状态。
对于颗粒的数量的变动程度发生变化与半导体器件的成品率的状态的关联性，明确的说明是困难的，但考虑公知的事实的结果，本发明者类推出以下说明的假说。
以药液等湿清洗腔室的构成部件之后，对腔室内进行减压、反复进行等离子体处理时，在清洗过程中向各构成部件浸透的药液中的水分、大气中的水分(清洗时从外部带入减压室的因子)，在初期的等离子体处理中作为外气向腔室内放出，该外气与未反应的处理气体、反应生成物挥发出的气体反应而产生比较多的颗粒的情况是已知的。该颗粒附着于晶片而使半导体器件的成品率恶化。
另外，外气的放出量随着等离子体处理时间的经过而减少，向各构成部件浸透的水分几乎不再存在时气体的放出停止。于是，起因于外气的颗粒，在湿清洗刚刚结束后的等离子体处理中有较多的数量产生，但等离子体处理反复进行时数量减少，最终不再产生。外气的放出停止时，其后只产生起因于等离子体处理的微量的颗粒。在相同的等离子体处理反复进行的情况下，起因于等离子体处理的颗粒继续以大致相同的数量产生。
即，能够考虑为，颗粒的数量减少时、起因于外气的颗粒继续产生，颗粒的数量几乎不变化时、起因于外气的颗粒不产生，仅有起因于等离子体处理的颗粒产生。起因于外气的颗粒的数量比较多，且其产生时间也没规律，因此起因于外气的颗粒产生的期间，半导体器件的成品率下降，但起因于等离子体处理的颗粒的数量比较少，所以仅有起因于等离子体处理的颗粒产生的期间，半导体器件的成品率提高。根据以上的情况能够考虑为，颗粒的数量减少的期间，半导体器件的成品率下降，颗粒的数量几乎不再变化时，半导体器件的成品率上升。
本发明基于上述见解而完成。此外，本发明的发明者在其他的基板处理装置和其他的等离子体蚀刻处理中进行同样的测算，已确认上述见解也能够适用于其他的基板处理装置和其他的等离子体蚀刻处理。
下面，对本发明的实施方式涉及的处理开始可否的判定方法进行说明。
图6是表示本发明的实施方式涉及的处理开始可否的判定方法的流程图。
在图6中，首先，在腔室11的构成部件被清洗后的基板处理装置10中，将与半导体器件用的晶片不同的替代(dummy)晶片收纳于腔室11，通过排气系统14将腔室11内减压至高真空状态，通过喷淋头13将处理气体向处理空间S导入，通过基座12向处理空间S施加高频电力，仅以规定的次数重复进行与用于半导体器件的制造的等离子体蚀刻处理(以下称为“制造用蚀刻处理”。)不同的等离子体处理(以下称为“干燥(seasoning)处理)(步骤S61)。在干燥处理中，以比制造用蚀刻处理更高温的气氛和/或更低压的气氛对替代晶片进行等离子体处理，从而促进在清洗中向各构成部件浸透的药液中的水分、大气中的水分的作为外气的放出。
接着，通过排气系统14对腔室11进行排气，并且向腔室11内导入氮气等而将残留在腔室11内的颗粒通过排气系统14向腔室11外排出，进而，使通过ISPM18开始初步排气管路15内流动颗粒的数量的光学测算(步骤S62)(颗粒数测算步骤)。其后，使初步排气管路15内流动的颗粒的数量的随着时间经过的变动程度以指数函数近似，在此基础上对该变动程度进行监视(步骤S63)。
接着，在步骤S64中，对被监视的颗粒的数量的变动程度是否发生了变化、具体而言对颗粒的数量的减少程度是否发生了变化进行判别，在颗粒数量的减少程度不发生变化的情况下，终止通过ISPM18进行的颗粒数量的测算(步骤S65)向步骤S61返回。
在步骤S64的判别结果为颗粒的数量的减少程度发生了变化的情况下，判定为基板处理装置10成为半导体器件的成品率高的状态、制造用的蚀刻处理能够开始(处理开始的判定步骤)，终止通过ISPM18进行的颗粒数量的测算(步骤S66)，仅重复进行规定次数的干燥处理(步骤S67)。
其后，从腔室11取出替代晶片，且将监测晶片收纳于腔室11，再次将干燥处理实施例如1次，使颗粒向监测晶片附着，将该监测晶片从腔室11取出，对附着于该监测晶片的颗粒的数量进行测算(步骤S68)。
接着，在步骤S69，对附着于监测晶片的颗粒的数量是否为异常值进行判别，在附着于监测晶片的颗粒的数量为异常值的情况下，返回值步骤S61，在附着于监测晶片的颗粒的数量不为异常值的情况下，开始制造用蚀刻处理(步骤S70)，本处理结束。
此外，在本方法中，通过重复进行步骤S61～S63，在重复干燥处理期间，对在初步排气管路15内流动的颗粒的数量随时间经过的变动程度进行监视(颗粒数变动监视步骤)。
根据本实施方式的处理开始可否的判定方法，初步排气管路15内流动的颗粒的数量随时间经过的变动程度(减少程度)被监视，在该被监视的颗粒的数量的减少程度发生变化时，判定为制造用的蚀刻处理能够开始。初步排气管路15内流动的颗粒的数量的变动程度变动而减小，其原因能够考虑为作为外气的水分从腔室11的构成部件的放出停止，起因于外气的颗粒不再产生。另一方面，起因于外气的颗粒的数量比较多，且其产生时期也不规律，因此起因于外气的颗粒产生期间半导体器件的成品率下降。于是，通过在颗粒数量的减少程度发生变化时判定为制造用的蚀刻处理能够开始，能够在起因于外气的颗粒不再产生的状态下开始制造用蚀刻处理，从而能够在半导体器件的成品率高的状态下开始制造用蚀刻处理。
在本实施方式的处理开始可否的判定方法中，初步排气管路15内流动的颗粒的数量的变动程度以指数函数近似，因此能够排除来自颗粒数量的变动程度的异常值的影响，例如极短时间的大的变动的影响，能够确切检测颗粒数量的变动程度的变化。
另外，在本实施方式的处理开始可否的判定方法中，到初步排气管路15内流动的颗粒的数量的减少程度变化为止，在比制造用蚀刻处理更高温的气氛和/或更低压的气氛中对替代晶片实施等离子体处理的干燥处理被实施于晶片W，因此能够促进外气从腔室11的构成部件的放出，能够尽早抑制起因于外气的颗粒的产生。其结果是，能够尽早使颗粒数量的变动程度发生变化。
在本实施方式的处理开始可否的判定方法中，初步排气管路15内流动的颗粒的数量被测算。腔室11内的颗粒通过排气系统14被排出，因此排气系统14的初步排气管路15内流动的颗粒的密度较高。于是，能够准确且容易地测算颗粒的数量。
在上面叙述的实施方式的处理开始可否的判定方法中，在颗粒的数量的减少程度的变化被确认而判断为制造用蚀刻处理能够开始之后，再次实施干燥处理(步骤S67)。由此，能够使外气从腔室11的构成部件完全放出，能够确切地在半导体器件的成品率高的状态下开始制造用蚀刻处理。
另外，在上述实施方式的处理开始可否的判定方法中，在判断为制造用蚀刻处理能够开始之后，用监测晶片测算颗粒的数量(步骤S68)，根据附着于监测晶片的颗粒的数量决定制造用蚀刻处理的开始(步骤S69、S70)。由此，即使ISPM18发生故障而不能够准确测算颗粒的数量，也能够降低在器件的成品率高的状态下开始制造用蚀刻处理的危险性。
通常，在使用监测晶片测算颗粒数量的情况下，为了提高再现性，进行1批次的量(25片)的制造用蚀刻处理，因此多个监测晶片成为浪费并且还花费时间，但在本实施方式的处理开始可否的判定方法中，使用配置于初步排气管路15的ISPM18来测算颗粒的数量，因此没有必要使用监测晶片。于是，能够防止监测晶片的浪费，并且能够缩短测算时间。
另外，监测晶片与半导体器件用的晶片的表面形状不同，因此颗粒向监测晶片附着的形态与颗粒向半导体器件用晶片附着的形态不同。于是，即使测算向监测晶片附着的颗粒的数量，也不能够准确地推测残留在腔室11内的颗粒的数量。另一方面，在本实施方式的处理开始可否的判定方法中，如上述那样，没有必要使用监测晶片，因此几乎没有必要考虑起因于晶片的不同种类的、测算的颗粒的数量的可靠性的下降。
考虑到今后作为等离子体蚀刻处理，多使用形成纵横(aspect)比非常大的DT(Deep Trench，深槽)的处理。形成DT的处理是在比现有技术下的等离子体蚀刻处理更低温的气氛下进行的，因此外气不易放出，起因于外气的颗粒有可能在长时期内产生。对应于此，在形成DT的处理中，有必要重复进行上述这样的干燥处理。在此情况下，使干燥处理终止，使形成DT的处理开始的时期的判定是重要的。于是，能够考虑为本发明在今后的等离子体蚀刻处理中将更多地被采用。
在上述的实施方式的处理开始可否的判定方法中，对初步排气管路15内流动的颗粒的数量进行测算，但也可以将ISPM设置在腔室11，通过该ISPM对残留于腔室11内的颗粒的数量进行测算。残留在腔室11内的颗粒对半导体器件的成品率给予直接的影响。于是，通过根据残留在腔室11内的颗粒的数量判定制造用蚀刻处理开始的可否，能够正确地控制半导体器件的成品率。
在上述的实施方式中，本发明针对适用于进行等离子体处理的基板处理装置的情况进行了说明，但本发明也能够适用于有可能起因于从外部带入的因子的颗粒产生的基板处理装置，例如CVD(化学汽相淀积)装置和退火装置。
此外，在上述实施方式中施加了等离子体蚀刻处理的基板不仅限于半导体器件用的晶片，也可以为包括LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)等的FPD(Flat Panel Display，平板显示器)等中使用的各种基板、光掩模(photo mask)、CD基板、印刷基板等。
本发明的目的，也能够通过将存储有程序的存储介质向计算机等供给，计算机的CPU将收纳于存储介质中的程序读出并执行而实现，其中，该程序为实现上述实施方式的功能的软件的程序。
在该情况下，从存储介质读出的程序自身实现上述实施方式的功能，程序和存储该程序的存储介质构成本发明。
另外，作为用于供给程序的存储介质，只要是例如RAM、NV-RAM、软盘(注册商标)、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光盘、磁带、非易失性存储卡、其他的ROM等的能够存储上述程序的装置就可以。或者，上述程序通过从互联网、商用网络、或者与局域网等连接的未图示的其他的计算机或数据库等下载而供给至计算机也可以。
另外，不仅是通过执行由计算机的CPU读出的程序而实现上述实施方式的功能，还包括根据该程序的指示，在CPU上运行的OS(Operating System，操作系统)等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理来实现上面叙述的实施方式的功能的情况。
进而还包括，从存储介质读出的程序，被写入在插入至计算机的功能扩展板或与计算机连接的功能扩展单元具备的存储器后，根据该程序的指示，该功能扩展板或功能扩展单元具备的CPU等进行实际的处理的一部分或全部，通过该处理来实现上面叙述的实施方式的功能的情况。
上述程序的形式，也可以由对象代码(object code)、由翻译器(interpreter)执行的程序、供给至OS的脚本数据(script data)等的形式形成。

Claims (5)

1.一种处理开始可否的判定方法，对规定的处理的开始可否进行判定，所述规定的处理是在具备收纳基板的减压室和对该减压室进行排气的排气系统的基板处理装置中对所述基板实施的处理，该处理开始可否的判定方法的特征在于，包括：
颗粒数测算步骤，对残留于所述基板处理装置内的颗粒的数量进行测算；
颗粒数变动监视步骤，对在所述颗粒数测算步骤中测算出的颗粒的数量随时间经过的变动程度进行监视；和
处理开始判定步骤，在所述颗粒数变动监视步骤中监视的所述颗粒数的变动程度发生变化时，判定为所述规定的处理能够开始。
2.如权利要求1所述的处理开始可否的判定方法，其特征在于；
在所述颗粒数变动监视步骤中，以指数函数对所述变动程度进行近似。
3.如权利要求1或2所述的处理开始可否的判定方法，其特征在于：
直到所述颗粒数的变动程度发生变化之前，对所述基板实施其他的处理，该其他的处理是在比所述规定的处理更高温和/或更低压的气氛下实施的处理。
4.如权利要求1或2所述的处理开始可否的判定方法，其特征在于：
在所述颗粒数变动监视步骤中，对所述排气系统内流动的所述颗粒的数量进行测算。
5.如权利要求1或2所述的处理开始可否的判定方法，其特征在于：
在所述颗粒数变动监视步骤中，对残留于所述减压室内的所述颗粒的数量进行测算。
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