CN102021650A - 一种大型多晶锭的生产方法 - Google Patents
一种大型多晶锭的生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102021650A CN102021650A CN 201010620738 CN201010620738A CN102021650A CN 102021650 A CN102021650 A CN 102021650A CN 201010620738 CN201010620738 CN 201010620738 CN 201010620738 A CN201010620738 A CN 201010620738A CN 102021650 A CN102021650 A CN 102021650A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat
- crucible
- 600mbar
- flow amount
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 3
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrate Chemical compound O.[Si] XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及太阳能电池铸锭技术领域，尤其是一种大型多晶锭的生产方法，先将氮化硅与水通过电动搅拌15min～30min混合均匀作涂覆液，将坩埚进行预热后，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面，然后坩埚进行高温烘焙，烘焙后的坩埚内进行装硅料，对装入硅料的坩埚进行装炉，将多晶炉抽真空后通入保护气体氩气，对多晶炉进行加热使得硅料融化，最后通过定向凝固，将融化的硅料从底部到上部逐渐结晶，然后通过高温退火逐步冷却后出炉，出炉后的晶锭在室温冷却后进行拆坩埚，获得用于切片做电池的多晶硅锭。实现比较大的装料量，既能提高铸锭的产能，晶锭的利用率，又能降低成本，满足大载荷切片机要求，维持其晶体质量不变。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池铸锭技术领域，尤其是一种大型多晶锭的生产方法。
背景技术
多晶铸锭是采用石英坩埚作为多晶硅铸锭的容器，通过双温区或三温区控制，利用锭上下的温度梯度实现定向凝固，采用氮化硅粉末涂层为坩埚脱模剂，获得不同投料量的多晶锭，此方法普遍的应用于太阳能电池铸锭行业。目前行业内普遍采用450kg多晶铸锭炉型，由于生产能力或者切片机载荷的问题，实际投料量一般在390-420kg。随着行业的发展，竞争越来越激烈，各太阳能电池生产厂家越来越注重对成本的控制，为了增大产能降低能本，各种新的设备不断被研发出，如多晶炉有更大的炉型(600kg)研发成功，切片机载荷也逐渐大，可装载单根晶棒最大250mm的长度，这些都预示着多晶硅铸锭在往更大的装料量的方向发展。目前的大炉型都在往横向发展，即原来400kg的锭，可以切割25个156mm×156mm×250mm的小块，600kg的则可切割出36个这样的小块，去掉头尾低少子寿命的部分，可用于切片的长度大概在200mm左右，由此可知，600kg的大炉型虽然提高了铸锭的产能，但是这远不能满足切片的最大产能，对于可以切割250mm长度晶棒的切片机，其产能不匹配。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决上述存在的缺点与不足，提供一种大型多晶锭的生产方法，提高铸锭的产能和晶锭的利用率，降低成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种大型多晶锭的生产方法，具有如下步骤
a、先将500g～600g的氮化硅与1800ml～2400ml的水通过电动搅拌15min～30min混合均匀用作涂覆液，然后选用高度在420mm～480mm的坩埚进行预热到30℃～60℃，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面，或将400g～600g的氮化硅与1600ml～2400ml的水通过电动搅拌15min～30min混合均匀用作涂覆液，然后选用高度在420mm～480mm的坩埚进行预热到30℃～60℃，将80％～90％的氮化硅涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面上，剩余10％～20％的氮化硅涂覆液距在坩埚20cm跨度内均匀喷涂；
b、喷涂完后的坩埚进行高温烘焙时长为18h～24h，其中烘焙最高温1000℃～1100℃的时长为3.5h～4.5h；
c、烘焙后的坩埚内进行装480g～520g硅料，硅料包括块状多晶和碎多晶，其中碎多晶至少40kg，碎多晶粒径≤2cm；
d、对装入硅料的坩埚进行装炉，将多晶炉抽真空后加入保护气体氩气，氩气的流量控制在20％-60％，炉压控制在400mbar～600mbar，将硅料加热到1440℃～1560℃使得硅料融化；
e、通过定向凝固，将融化的硅料从底部到上部逐渐结晶，然后退火温度保持在1300℃～1380℃的高温退火，逐步冷却到250℃～350℃出炉；
f、出炉后的晶锭在室温冷却到45℃～55℃后进行拆坩埚，获得用于切片做电池的多晶硅锭。
进一步，所述的e步骤中硅料从底部到上部逐渐结晶的具体长晶工艺步骤为G1、炉加热时间0.5h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置提升到6cm～10cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G2、炉加热时间2～4h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置提升到10cm～14cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G3、炉加热时间5～6h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置提升到14cm～16cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G4、炉加热时间1～4h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置14cm～16cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G5、炉加热时间4～8h，加热温度1435℃～1420℃，隔热笼位置14cm～16cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G6、炉加热时间8～12h，加热温度1425℃～1415℃，隔热笼位置14cm～18cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G7、炉加热时间3～6h，加热温度1415℃～1410℃，隔热笼位置14cm～18cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar。
所述的步骤e中高温退火具体步骤为A1、时间0.33h，温度1300℃～1380℃，氩气流量20％～40％，压力400mbar～600mbar；A2、时间2～4h，温度1300℃～1380℃，氩气流量20％～40％，压力400mbar～600mbar；A2、时间2～4h，氩气流量20％～40％，压力400mbar～600mbar，加热功率20％，隔热笼位置为0cm。
所述的步骤f中室温冷却步骤为C1、时间1～4h，隔热笼位置4～8cm，氩气流量30％～60％，压力400mbar～600mbar；C2、时间2～4h，隔热笼位置8～12cm，氩气流量30％～60％，压力400mbar～600mbar；C3、时间2～4h，隔热笼位置12～28cm，氩气流量30％～60％，压力400mbar～600mbar；C4、时间2～4h，隔热笼位置28～38cm，氩气流量30％～60％，压力700mbar～800mbar；C5、时间0.33h，隔热笼位置28～38cm，氩气流量30％～60％，压力800mbar～950mbar。
本发明的有益效果是，本发明的一种大型多晶锭的生产方法，在450kg多晶铸锭炉上，通过工艺优化，实现比较大的装料量，既能提高铸锭的产能，晶锭的利用率，又能降低成本，满足大载荷切片机要求，同时维持其晶体质量不变。
具体实施方式
普通坩埚一般420mm的高度，对料块大小比例作优化，可装载≤480kg硅料，使用加高的坩埚可确保装下更多的料，且增加投炉安全性，硅料装料时，块状料和碎料搭配使用，采用非加高坩埚时，碎多晶至少使用100kg，采用加高坩埚，碎多晶至少准备40kg，碎多晶粒径≤1.5cm。氮化硅涂层工艺优化，投料量的增加使得坩埚上部的氮化硅粉容易脱落，因此必须增加氮化硅粉的用量。装料量的增加导致晶锭高度增加，为了保证其晶锭质量对晶体生长的长晶、退火、冷却各段工艺进行更改，以降低其温度梯地以及其温度梯度的降低速度，尽可能的降低晶体中的位错等微缺陷。
本发明的一种大型多晶锭的生产方法，先将550g的氮化硅与2200ml的水混合通过电动搅拌30min后混合均匀作涂覆液使用，然后采用的坩埚为845×845×(420～480)mm3的石英陶瓷坩埚进行预热到55℃左右后，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面上，然后将坩埚高温烘焙21h，其中经历最高温1050℃时需4h。将480kg～520kg的硅料装入烘焙后的坩埚内，硅料中至少包含有40kg的碎多晶，碎多晶粒径≤1.5cm，装料后的坩埚进行装炉，将炉内抽真空后加入保护气体氩气，氩气的流量控制在20％-60％，加热硅料，炉压控制在400mbar～600mbar，将硅料加热到1440℃～1560℃使得硅料融化。融化后通过定向凝固，使融化的硅从底部到上部逐渐结晶，最后高温退火，退火温度保持在1380℃，然后逐步冷却到300℃出炉，出炉后待室温冷却到50℃时进行拆护板及坩埚，从而获得用于切片做电池的高度达300mm～325mm多晶硅锭。
多晶硅锭具体长晶工艺如下：
| 长晶步骤 | 时间 | 温度 | 隔热笼位置 | 氩气流量(进气) | 压力 | 功率 |
| G1 | 0.5 | 1440-1430 | 6-10 | 20-60 | 400-600 | / |
| G2 | 2-4 | 1440-1430 | 10-14 | 20-60 | 400-600 | / |
| G3 | 5-6 | 1440-1430 | 14-16 | 20-60 | 400-600 | / |
| G4 | 1-4 | 1440-1430 | 14-16 | 20-60 | 400-600 | / |
| G5 | 4-8 | 1435-1420 | 14-16 | 20-60 | 400-600 | / |
| G6 | 8-12 | 1425-1415 | 14-18 | 20-60 | 400-600 | / |
| G7 | 3-6 | 1415-1410 | 14-18 | 20-60 | 400-600 | / |
| 退火步骤 | 时间 | 温度 | 隔热笼位置 | 氩气流量(进气) | 压力 | 功率 |
| A1 | 0.33 | 1300-1380 | 0 | 20-40 | 400-600 | / |
| A2 | 2-4 | 1300-1380 | 0 | 20-40 | 400-600 | / |
| A3 | 2-4 | / | 0 | 20-40 | 400-600 | 20 |
| 冷却步骤 | 时间 | 温度 | 隔热笼位置 | 氩气流量(出气) | 压力 | 功率 |
| C1 | 1-4 | / | 4-8 | 30-60 | 400-600 | 0 |
| C2 | 2-4 | / | 8-12 | 30-60 | 400-600 | 0 |
| C3 | 2-4 | / | 12-28 | 30-60 | 400-600 | 0 |
| C4 | 2-4 | / | 28-38 | 30-60 | 700-800 | 0 |
| C5 | 0.33 | / | 28-38 | 30-60 | 800-950 | 0 |
将所获得晶锭切片做成电池，其晶锭的有效高度、利用率如下，以400kg投料量的晶锭为对比基准。晶锭的有效高度指可以用于切片的长度，晶锭利用率指的地可用于切片做电池的部分的质量百分比。大晶锭的电池转化效率与常规的400kg晶锭相当。
| 类别 | 大晶锭 | 对比基准 |
| 晶锭质量/kg | 480-520 | 400 |
| 晶锭的有效高度/mm | 240-270 | 185-200 |
| 晶锭利用率 | 70％-75％ | 65％-70％ |
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.一种大型多晶锭的生产方法，其特征是：具有如下步骤
a、先将500g～600g的氮化硅与1800ml～2400ml的水通过电动搅拌15min～30min混合均匀用作涂覆液，然后选用高度在420mm～480mm的坩埚进行预热到30℃～60℃，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面，或将400g～600g的氮化硅与1600ml～2400ml的水通过电动搅拌15min～30min混合均匀用作涂覆液，然后选用高度在420mm～480mm的坩埚进行预热到30℃～60℃，将80％～90％的氮化硅涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面上，剩余10％～20％的氮化硅涂覆液距在坩埚20cm跨度内均匀喷涂；
b、喷涂完后的坩埚进行高温烘焙时长为18h～24h，其中烘焙最高温1000℃～1100℃的时长为3.5h～4.5h；
c、烘焙后的坩埚内进行装480g～520g硅料，硅料包括块状多晶和碎多晶，其中碎多晶至少40kg，碎多晶粒径≤2cm；
d、对装入硅料的坩埚进行装炉，将多晶炉抽真空后加入保护气体氩气，氩气的流量控制在20％-60％，炉压控制在400mbar～600mbar，将硅料加热到1440℃～1560℃使得硅料融化；
e、通过定向凝固，将融化的硅料从底部到上部逐渐结晶，然后退火温度保持在1300℃～1380℃的高温退火，逐步冷却到250℃～350℃出炉；
f、出炉后的晶锭在室温冷却到45℃～55℃后进行拆坩埚，获得用于切片做电池的多晶硅锭。
2.根据权利要求1所述的一种大型多晶锭的生产方法，其特征在于：所述的e步骤中硅料从底部到上部逐渐结晶的具体长晶工艺步骤为G1、炉加热时间0.5h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置提升到6cm～10cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G2、炉加热时间2～4h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置提升到10cm～14cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G3、炉加热时间5～6h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置提升到14cm～16cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G4、炉加热时间1～4h，加热温度1440℃～1430℃，隔热笼位置14cm～16cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G5、炉加热时间4～8h，加热温度1435℃～1420℃，隔热笼位置14cm～16cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G6、炉加热时间8～12h，加热温度1425℃～1415℃，隔热笼位置14cm～18cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar；G7、炉加热时间3～6h，加热温度1415℃～1410℃，隔热笼位置14cm～18cm，氩气流量20％～60％，压力400mbar～600mbar。
3.根据权利要求1所述的一种大型多晶锭的生产方法，其特征在于：所述的步骤e中高温退火具体步骤为A1、时间0.33h，温度1300℃～1380℃，氩气流量20％～40％，压力400mbar～600mbar；A2、时间2～4h，温度1300℃～1380℃，氩气流量20％～40％，压力400mbar～600mbar；A2、时间2～4h，氩气流量20％～40％，压力400mbar～600mbar，加热功率20％，隔热笼位置为0cm。
4.根据权利要求1所述的一种大型多晶锭的生产方法，其特征在于：所述的步骤f中室温冷却步骤为C1、时间1～4h，隔热笼位置4～8cm，氩气流量30％～60％，压力400mbar～600mbar；C2、时间2～4h，隔热笼位置8～12cm，氩气流量30％～60％，压力400mbar～600mbar；C3、时间2～4h，隔热笼位置12～28cm，氩气流量30％～60％，压力400mbar～600mbar；C4、时间2～4h，隔热笼位置28～38cm，氩气流量30％～60％，压力700mbar～800mbar；C5、时间0.33h，隔热笼位置28～38cm，氩气流量30％～60％，压力800mbar～950mbar。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010620738XA CN102021650B (zh) | 2010-12-31 | 2010-12-31 | 一种大型多晶锭的生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010620738XA CN102021650B (zh) | 2010-12-31 | 2010-12-31 | 一种大型多晶锭的生产方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102021650A true CN102021650A (zh) | 2011-04-20 |
| CN102021650B CN102021650B (zh) | 2012-06-06 |
Family
ID=43863414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010620738XA Active CN102021650B (zh) | 2010-12-31 | 2010-12-31 | 一种大型多晶锭的生产方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102021650B (zh) |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102242393A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-16 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法 |
| CN102296352A (zh) * | 2011-08-16 | 2011-12-28 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法 |
| CN102296354A (zh) * | 2011-09-19 | 2011-12-28 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种硅料的铸锭方法 |
| CN102517634A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-06-27 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 多晶硅铸锭炉的气流控制结构及其使用方法 |
| CN102703968A (zh) * | 2012-06-05 | 2012-10-03 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置 |
| CN102719889A (zh) * | 2012-06-27 | 2012-10-10 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN103088418A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭及其制造方法 |
| CN103184516A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-03 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构及方法 |
| CN103205797A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 北京京运通科技股份有限公司 | 高效多晶硅铸锭方法 |
| CN103305910A (zh) * | 2012-03-15 | 2013-09-18 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其内侧涂层的制备方法 |
| CN103334154A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-10-02 | 浙江晟辉科技有限公司 | 一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法 |
| CN103436959A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-12-11 | 天津英利新能源有限公司 | 多晶硅铸锭的制备方法 |
| CN103469293A (zh) * | 2013-09-02 | 2013-12-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种多晶硅的制备方法 |
| CN103541004A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-01-29 | 三菱综合材料株式会社 | 多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法 |
| CN103741216A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种硅粉提纯用铸锭方法 |
| CN103741215A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种颗粒状多晶硅的铸锭方法 |
| CN103741214A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN104562193A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-04-29 | 扬州荣德新能源科技有限公司 | 一种多晶硅锭的铸造方法 |
| CN105200516A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-12-30 | 浙江晟辉科技有限公司 | 一种增强排杂效果的多晶硅铸锭工艺 |
| CN105780109A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-20 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种多晶铸锭炉改善边缘晶粒倾斜生长的装置及其方法 |
| CN106365169A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-02-01 | 上海交通大学 | 一种由硅烷直接铸造多晶硅锭的设备及方法 |
| CN107326445A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-11-07 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种改变坩埚结构以提高铸锭质量的方法 |
| CN107723792A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 江苏高照新能源发展有限公司 | 一种低位错密度的g8高效硅锭的制备方法 |
| CN108456919A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-28 | 福能科技江苏有限公司 | 一种g8多晶硅锭的铸造方法 |
| CN109750354A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-14 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片铸锭方法、硅锭及多晶硅片 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103046129B (zh) * | 2013-01-28 | 2015-10-07 | 天津英利新能源有限公司 | 多晶硅铸锭工艺 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005063621A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-07-14 | Elkem Asa | Silicon feedstock for solar cells |
| EP1766107A2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-03-28 | Rec Silicon, Inc. | Process for producing a crystalline silicon ingot |
| CN101307487A (zh) * | 2007-05-16 | 2008-11-19 | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 | 一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置 |
| CN101694008A (zh) * | 2009-09-30 | 2010-04-14 | 常州天合光能有限公司 | 一种掺镓金属硅及其定向凝固铸造方法 |
| CN101696514A (zh) * | 2009-09-30 | 2010-04-21 | 常州天合光能有限公司 | 一种多晶锭的生产方法 |
| US20100140558A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Bp Corporation North America Inc. | Apparatus and Method of Use for a Top-Down Directional Solidification System |
| CN101768775A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 谭文运 | 一种定向凝固生长多晶硅锭工艺 |
| CN101812728A (zh) * | 2010-04-13 | 2010-08-25 | 上海太阳能电池研究与发展中心 | 一种n型晶体硅的制备方法 |
| CN101892518A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-11-24 | 王敬 | 制造多晶锭的系统和方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7955433B2 (en) * | 2007-07-26 | 2011-06-07 | Calisolar, Inc. | Method and system for forming a silicon ingot using a low-grade silicon feedstock |
-
2010
- 2010-12-31 CN CN201010620738XA patent/CN102021650B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005063621A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-07-14 | Elkem Asa | Silicon feedstock for solar cells |
| EP1766107A2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-03-28 | Rec Silicon, Inc. | Process for producing a crystalline silicon ingot |
| CN101307487A (zh) * | 2007-05-16 | 2008-11-19 | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 | 一种连续生产多晶硅锭的定向凝固方法及其装置 |
| US20100140558A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Bp Corporation North America Inc. | Apparatus and Method of Use for a Top-Down Directional Solidification System |
| CN101768775A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 谭文运 | 一种定向凝固生长多晶硅锭工艺 |
| CN101694008A (zh) * | 2009-09-30 | 2010-04-14 | 常州天合光能有限公司 | 一种掺镓金属硅及其定向凝固铸造方法 |
| CN101696514A (zh) * | 2009-09-30 | 2010-04-21 | 常州天合光能有限公司 | 一种多晶锭的生产方法 |
| CN101812728A (zh) * | 2010-04-13 | 2010-08-25 | 上海太阳能电池研究与发展中心 | 一种n型晶体硅的制备方法 |
| CN101892518A (zh) * | 2010-07-08 | 2010-11-24 | 王敬 | 制造多晶锭的系统和方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 《轻金属》 20080930 梅向阳等 定向凝固技术的发展及其在制备太阳能级硅材料中的应用 64-71 1-4 , 第9期 * |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102242393A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-16 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 铸造法生产类似单晶硅锭炉底温度控制方法 |
| CN102296352A (zh) * | 2011-08-16 | 2011-12-28 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法 |
| CN102296352B (zh) * | 2011-08-16 | 2014-01-29 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法 |
| CN102296354B (zh) * | 2011-09-19 | 2013-12-11 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种硅料的铸锭方法 |
| CN102296354A (zh) * | 2011-09-19 | 2011-12-28 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种硅料的铸锭方法 |
| CN103088418B (zh) * | 2011-11-01 | 2015-07-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭及其制造方法 |
| CN103088418A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 昆山中辰矽晶有限公司 | 硅晶铸锭及其制造方法 |
| CN102517634A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-06-27 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 多晶硅铸锭炉的气流控制结构及其使用方法 |
| CN102517634B (zh) * | 2011-12-23 | 2014-12-17 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 多晶硅铸锭炉的气流控制结构及其使用方法 |
| CN103205797A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 北京京运通科技股份有限公司 | 高效多晶硅铸锭方法 |
| CN103205797B (zh) * | 2012-01-17 | 2015-07-08 | 北京京运通科技股份有限公司 | 多晶硅铸锭方法 |
| CN103305910A (zh) * | 2012-03-15 | 2013-09-18 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 硅铸锭用坩埚及其内侧涂层的制备方法 |
| CN103541004A (zh) * | 2012-03-22 | 2014-01-29 | 三菱综合材料株式会社 | 多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法 |
| CN102703968B (zh) * | 2012-06-05 | 2015-02-04 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置 |
| CN102703968A (zh) * | 2012-06-05 | 2012-10-03 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置 |
| CN102719889A (zh) * | 2012-06-27 | 2012-10-10 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN103184516A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-03 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构及方法 |
| CN103184516B (zh) * | 2013-03-25 | 2015-07-01 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构及方法 |
| CN103334154A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-10-02 | 浙江晟辉科技有限公司 | 一种应用热交换生产多晶硅铸锭的方法 |
| CN103436959A (zh) * | 2013-08-13 | 2013-12-11 | 天津英利新能源有限公司 | 多晶硅铸锭的制备方法 |
| CN103469293B (zh) * | 2013-09-02 | 2015-10-28 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种多晶硅的制备方法 |
| CN103469293A (zh) * | 2013-09-02 | 2013-12-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种多晶硅的制备方法 |
| CN103741214A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN103741215A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种颗粒状多晶硅的铸锭方法 |
| CN103741216A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-23 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种硅粉提纯用铸锭方法 |
| CN103741214B (zh) * | 2014-01-28 | 2015-12-30 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭工艺 |
| CN103741215B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-01-20 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种颗粒状多晶硅的铸锭方法 |
| CN104562193B (zh) * | 2015-01-30 | 2017-10-10 | 扬州荣德新能源科技有限公司 | 一种多晶硅锭的铸造方法 |
| CN104562193A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-04-29 | 扬州荣德新能源科技有限公司 | 一种多晶硅锭的铸造方法 |
| CN105200516A (zh) * | 2015-09-08 | 2015-12-30 | 浙江晟辉科技有限公司 | 一种增强排杂效果的多晶硅铸锭工艺 |
| CN105780109A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-07-20 | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 | 一种多晶铸锭炉改善边缘晶粒倾斜生长的装置及其方法 |
| CN106365169A (zh) * | 2016-08-24 | 2017-02-01 | 上海交通大学 | 一种由硅烷直接铸造多晶硅锭的设备及方法 |
| CN107326445A (zh) * | 2017-07-24 | 2017-11-07 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种改变坩埚结构以提高铸锭质量的方法 |
| CN107723792A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 江苏高照新能源发展有限公司 | 一种低位错密度的g8高效硅锭的制备方法 |
| CN108456919A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-08-28 | 福能科技江苏有限公司 | 一种g8多晶硅锭的铸造方法 |
| CN109750354A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-14 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片铸锭方法、硅锭及多晶硅片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102021650B (zh) | 2012-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102021650B (zh) | 一种大型多晶锭的生产方法 | |
| CN103358407B (zh) | 一种多晶硅片的生产方法 | |
| CN101864594A (zh) | 一种准单晶硅的铸锭方法 | |
| CN101591808A (zh) | 掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 | |
| CN102400219A (zh) | 一种硼-镓共掺准单晶硅及其制备方法 | |
| CN102296352A (zh) | 一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法 | |
| CN103361724A (zh) | 硼-镓共掺高效多晶硅及其制备方法 | |
| CN102330143A (zh) | 单晶硅铸锭的制造工艺和铸锭炉热场结构 | |
| CN101845666B (zh) | 一种掺氮晶体硅及其制备方法 | |
| CN102268729A (zh) | 一种450型铸锭炉及其铸锭工艺 | |
| CN101597790A (zh) | 氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法 | |
| CN107523858A (zh) | 一种籽晶铺设方法、类单晶硅锭的铸造方法及类单晶硅片 | |
| CN101597787B (zh) | 在氮气下铸造氮浓度可控的掺氮单晶硅的方法 | |
| CN101591807A (zh) | 掺氮的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法 | |
| CN102776556B (zh) | 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 | |
| CN101851782A (zh) | 一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼 | |
| CN109941981A (zh) | 一种制备高纯偏磷酸锂的方法 | |
| CN105002557A (zh) | 一种镓锗硼共掺多晶硅及其制备方法 | |
| CN104294355A (zh) | 一种多晶硅制备工艺 | |
| CN103849931B (zh) | 一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺 | |
| CN101597788B (zh) | 在氮气下融化多晶硅制备掺氮铸造单晶硅的方法 | |
| CN102719889A (zh) | 一种多晶硅铸锭工艺 | |
| CN104404618A (zh) | 一种可降低多晶硅电池片的低效片比例的铸锭工艺 | |
| CN103898603A (zh) | 一种双电源多晶硅铸锭工艺 | |
| CN106381410B (zh) | 一种集成电路用磷铜阳极的制备方法及其系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Chen Xue Inventor after: Gao Jifan Inventor after: Huang Zhenfei Inventor after: Zhang Zhiqiang Inventor after: Li Biwu Inventor before: Chen Xue Inventor before: Huang Zhenfei Inventor before: Zhang Zhiqiang Inventor before: Li Biwu |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee after: TRINASOLAR Co.,Ltd. Address before: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee before: trina solar Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee after: trina solar Ltd. Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd. |