CN101995769A - 光致抗蚀剂组合物 - Google Patents
光致抗蚀剂组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101995769A CN101995769A CN2010102473957A CN201010247395A CN101995769A CN 101995769 A CN101995769 A CN 101995769A CN 2010102473957 A CN2010102473957 A CN 2010102473957A CN 201010247395 A CN201010247395 A CN 201010247395A CN 101995769 A CN101995769 A CN 101995769A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- expression
- formula
- group
- acid
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 0 CC(*)(CC(CC12)*(*)C1O1)C2C1=O Chemical compound CC(*)(CC(CC12)*(*)C1O1)C2C1=O 0.000 description 7
- PISSPYNCFCISCR-UHFFFAOYSA-N CC(C(O)[O-]CC(CC1)CCC1O)(F)F Chemical compound CC(C(O)[O-]CC(CC1)CCC1O)(F)F PISSPYNCFCISCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIFXKSULFMBFHA-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC(C1)(CC2C3)C1(C1)C3C1C2=O)=O)(F)F Chemical compound CC(C(OC(C1)(CC2C3)C1(C1)C3C1C2=O)=O)(F)F RIFXKSULFMBFHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVGGGKWGNDSSHB-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O)=O)(F)F Chemical compound CC(C(OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O)=O)(F)F YVGGGKWGNDSSHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTLXSOCETNDQLM-VKBMHSRZSA-N CC(C(OC(C[C@H](C1)C2)(CC1C1)CC21O)=O)(F)S(O)(=O)=O Chemical compound CC(C(OC(C[C@H](C1)C2)(CC1C1)CC21O)=O)(F)S(O)(=O)=O CTLXSOCETNDQLM-VKBMHSRZSA-N 0.000 description 1
- MDXGYYOJGPFFJL-UHFFFAOYSA-N CC(C)CC(C(O)=O)NC(OC(C)(C)C)=O Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC(OC(C)(C)C)=O MDXGYYOJGPFFJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZMDRYEVJQCO-UHFFFAOYSA-N CC(C)CC(C(OCc(cccc1)c1[N+]([O-])=O)=O)NC(OC(C)(C)C)=O Chemical compound CC(C)CC(C(OCc(cccc1)c1[N+]([O-])=O)=O)NC(OC(C)(C)C)=O ZUHZMDRYEVJQCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRNKEYPMUPHULN-UHFFFAOYSA-N CC(CC(C1)C2OC(CBr)=O)(C1C2O1)C1=O Chemical compound CC(CC(C1)C2OC(CBr)=O)(C1C2O1)C1=O DRNKEYPMUPHULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRJWMVLNCJLQHP-UHFFFAOYSA-N CC(CC(CC1O2)C2=O)C1OC(CBr)=O Chemical compound CC(CC(CC1O2)C2=O)C1OC(CBr)=O PRJWMVLNCJLQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMJKMXLNOFIADO-UHFFFAOYSA-N CC(CC1C2O3)(CC1C3=O)C2OC(CBr)=O Chemical compound CC(CC1C2O3)(CC1C3=O)C2OC(CBr)=O JMJKMXLNOFIADO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKGOTWRQBGOUKY-UHFFFAOYSA-N CC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)(C1)C=C(C2)CC2=CC1(C)c1ccc(C)cc1 Chemical compound CC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)(C1)C=C(C2)CC2=CC1(C)c1ccc(C)cc1 MKGOTWRQBGOUKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCXAJNGBHWPCKY-UHFFFAOYSA-N CN(C)c(cccc1)c1C(OCc1ccccc1)=O Chemical compound CN(C)c(cccc1)c1C(OCc1ccccc1)=O HCXAJNGBHWPCKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDRRVBTZQKUDIT-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(OCC1CC(CO)CCC1)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(OCC1CC(CO)CCC1)=O)(F)F)(O)(=O)=O XDRRVBTZQKUDIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHZPDMZPDWXVMJ-UHFFFAOYSA-N Nc1ccccc1C(OCc1ccccc1)=O Chemical compound Nc1ccccc1C(OCc1ccccc1)=O ZHZPDMZPDWXVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRXYQGUVSRSVRD-UHFFFAOYSA-N O=C(CBr)OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O Chemical compound O=C(CBr)OC(C1CC2C3C1)C3OC2=O RRXYQGUVSRSVRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHMJXPPYYCHJLU-UHFFFAOYSA-N O=C(CBr)OC(CCC1C2)C2OC1=O Chemical compound O=C(CBr)OC(CCC1C2)C2OC1=O NHMJXPPYYCHJLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOINOCYDIQKRDM-UHFFFAOYSA-N OC(CC1C2)(CC1(C1)C2C2)CC12OC(C(C(F)(F)F)(F)S(O)(=O)=O)=O Chemical compound OC(CC1C2)(CC1(C1)C2C2)CC12OC(C(C(F)(F)F)(F)S(O)(=O)=O)=O BOINOCYDIQKRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPDGWMLCUHULJF-UHFFFAOYSA-N OC(CCN1CCCCC1)=O Chemical compound OC(CCN1CCCCC1)=O LPDGWMLCUHULJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDTACVARVSGUJR-UHFFFAOYSA-N OC1CC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 Chemical compound OC1CC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 LDTACVARVSGUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXAYHYMMYKIMBY-UHFFFAOYSA-N OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 Chemical compound OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCC1 SXAYHYMMYKIMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIMURFLTNNQWOU-UHFFFAOYSA-N OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 Chemical compound OCC1(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 VIMURFLTNNQWOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPISSZINSBQNPY-UHFFFAOYSA-N OCC1C(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 Chemical compound OCC1C(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CCCC1 BPISSZINSBQNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHWIOBCWOWGPFW-UHFFFAOYSA-N OCC1CCC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC1 Chemical compound OCC1CCC(COC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)CC1 PHWIOBCWOWGPFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTDNRCCCRAZJPY-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(OC(C1)COC1=O)=O)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(OC(C1)COC1=O)=O)(F)F)(=O)=O KTDNRCCCRAZJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRTHLSXYOYPQLA-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(OCC1CCCCC1)=O)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(OCC1CCCCC1)=O)(F)F)(=O)=O HRTHLSXYOYPQLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRYOLZJJGXEIRR-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](c1c(COC(CCN2CCCCC2)=O)cccc1)=O Chemical compound [O-][N+](c1c(COC(CCN2CCCCC2)=O)cccc1)=O SRYOLZJJGXEIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXCBUWKTXLWPSB-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](c1ccccc1CCl)=O Chemical compound [O-][N+](c1ccccc1CCl)=O BXCBUWKTXLWPSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYWPLVMIFHKFTA-UHFFFAOYSA-N [O-][N+](c1ccccc1C[ClH+])=O Chemical compound [O-][N+](c1ccccc1C[ClH+])=O XYWPLVMIFHKFTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2045—Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
- G03F7/2047—Exposure with radiation other than visible light or UV light, e.g. shadow printing, proximity printing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供一种光致抗蚀剂组合物,其包含树脂,酸生成剂和由式(C1)表示的化合物,在式(C1)中,Rc2表示可以具有一个或多个取代基的C7-C20芳烷基,并且Rc1表示由式(1)表示的基团,在式(1)中,Rc3和Rc4各自独立地表示氢原子或直链,支链或环状C1-C12脂族烃基,Rc5表示C1-C30二价有机基团,并且Rc3和Rc4或Rc5可以彼此结合以与Rc3和Rc4或Rc5结合的氮原子一起形成环。
Description
技术领域
本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物。
背景技术
用于采用光刻法的半导体微型制造的光致抗蚀剂组合物含有酸生成剂,该酸生成剂包含通过辐照产生酸的化合物。
US 2003/0194639A1公开了一种包含2,6-二异丙基苯胺或氢氧化四丁基铵的光致抗蚀剂组合物。
发明内容
本发明的目的是提供一种光致抗蚀剂组合物。
本发明涉及下列内容:
<1>一种光致抗蚀剂组合物,其包含树脂,酸生成剂和由式(C1)表示的化合物:
其中Rc2表示可以具有一个或多个取代基的C7-C20芳烷基,并且Rc1表示由式(1)表示的基团:
其中Rc3和Rc4各自独立地表示氢原子或直链,支链或环状C1-C12脂族烃基,Rc5表示C1-C30二价有机基团,并且Rc3和Rc4或Rc5可以彼此结合以与Rc3和Rc4或Rc5结合的氮原子一起形成环;
<2>根据<1>的光致抗蚀剂组合物,其中Rc2是由式(2)表示的基团:
-CH2-Rc6 (2)
其中Rc6表示具有一个或多个取代基的C6-C18芳族烃基,并且所述取代基中的至少一个是吸电子基团;
<3>根据<2>的光致抗蚀剂组合物,其中所述吸电子基团是硝基;
<4>根据<2>的光致抗蚀剂组合物,其中Rc6是硝基苯基;
<5>根据<1>至<4>中任一项的光致抗蚀剂组合物,其中Rc1是由式(1-1),(1-2)或(1-3)表示的基团:
其中Rc3和Rc4与<1>中定义的相同,并且Rc7在每次出现时独立地为直链,支链或环状C1-C10脂族烃基,m3表示0至4的整数,
Rc8表示氢原子,直链,支链或环状C1-C15脂族烃基或C7-C15芳烷基,并且所述脂族烃基和所述芳烷基中的一个或多个-CH2-可以被-O-,-CO-或-S-代替,并且所述脂族烃基和所述芳烷基可以具有选自由卤素原子,羟基和巯基(-SH)组成的组中的一个或多个取代基,并且Rc3和Rc8可以彼此结合以与Rc8结合的碳原子和Rc3结合的氮原子一起形成环,
Rc9表示直链,支链或环状C1-C10二价脂族烃基,并且式(1-3)中的Rc3和Rc4可以彼此结合以与Rc3和Rc4结合的氮原子一起形成环;
<6>根据<1>至<5>中任一项的光致抗蚀剂组合物,其中由式(C1)表示的化合物是由式(C1-1-1),(C1-2-1),(C1-2-2),(C1-2-3)或(C1-3-1)表示的化合物:
<7>根据<1>至<6>中任一项的光致抗蚀剂组合物,其中所述树脂在碱水溶液中不溶或难溶,但是通过酸的作用变得在碱水溶液中可溶。
具体实施方式
本发明的光致抗蚀剂组合物包含树脂,酸生成剂和由式(C1)表示的化合物:
其中Rc2表示可以具有一个或多个取代基的C7-C20芳烷基,并且Rc1表示由式(1)表示的基团:
其中Rc3和Rc4各自独立地表示氢原子或直链,支链或环状C1-C12脂族烃基,Rc5表示C1-C30二价有机基团,并且Rc3和Rc4或Rc5可以彼此结合以与Rc3和Rc4或Rc5结合的氮原子一起形成环(以下,简称为化合物(C1))。
本发明的光致抗蚀剂组合物可以含有两种以上的化合物(C1)。相对于100重量份的树脂,化合物(C1)的含量优选为0.01重量份以上,更优选为0.05重量份以上,并且再更优选为0.1重量份以上。相对于100重量份的树脂,化合物(C1)的含量优选为10重量份以下,更优选为3重量份以下,并且再更优选为2重量份以下。
本发明的光致抗蚀剂组合物可以含有两种以上的酸生成剂。
相对于100重量份的树脂,酸生成剂的含量优选为0.1重量份以上,并且更优选为3重量份以上。相对于100重量份的树脂,酸生成剂的含量优选为30重量份以下,并且更优选为15重量份以下。
树脂优选是在碱水溶液中不溶或难溶,但是通过酸的作用变得在碱水溶液中可溶的树脂。树脂优选包含衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的结构单元。树脂可以具有两种以上的衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的结构单元。
在本说明书中,“酸不稳定基团”指可以通过酸的作用消除的基团。
酸不稳定基团的实例包括由式(3)和(4)表示的基团:
其中Ra1,Ra2和Ra3各自独立地表示直链,支链或环状脂族烃基,或Ra1与Ra2彼此结合以与Ra1和Ra2结合的碳原子一起形成环,Ra4表示直链,支链或环状脂族烃基,其中一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,Ra5和Ra6各自独立表示氢原子,或直链或支链脂族烃基,或Ra4和Ra5彼此结合以与Ra4结合的氧原子和Ra5结合的碳原子一起形成环。
由式(3)表示的基团的实例包括1,1-二烷基烷氧基羰基例如叔丁氧基羰基,1-烷基环烷基氧基羰基例如1-烷基环己基氧基羰基,2-烷基-2-异冰片基氧基羰基,2-烷基-2-金刚烷基氧基羰基和1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷氧基羰基。
由式(4)表示的基团的实例包括甲氧基甲氧基羰基,乙氧基甲氧基羰基,1-乙氧基乙氧基羰基,1-异丁氧基羰基,1-异丙氧基乙氧基羰基,1-乙氧基丙氧基羰基,1-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基羰基,1-(2-乙酰氧基乙氧基)乙氧基羰基,1-[2-(1-金刚烷基氧基)乙氧基]乙氧基羰基,1-[2-(1-金刚烷基羰基氧基)乙氧基]乙氧基羰基,四氢-2-呋喃基氧基羰基和四氢-2-吡喃基氧基羰基。
优选的单体是具有在其侧链中的酸不稳定基团并且具有烯属碳碳双键的单体。具有在其侧链中的酸不稳定基团并且具有烯属碳碳双键的单体的实例包括具有酸不稳定基团的丙烯酸酯单体,在其侧链中具有酸不稳定基团的甲基丙烯酸酯单体,在其侧链中具有酸不稳定基团的降冰片烯羧酸酯单体,在其侧链中具有酸不稳定基团的三环癸烯羧酸酯单体,和在其侧链中具有酸不稳定基团的四环癸烯羧酸酯单体。
优选在其侧链中具有酸不稳定基团的丙烯酸酯单体或在其侧链中具有酸不稳定基团的甲基丙烯酸酯单体。
在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的优选实例包括含有大体积结构例如脂环族烃环如环己烷环和金刚烷环的具有酸不稳定基团的单体。当使用含有大体积结构的具有酸不稳定基团的单体时,倾向于得到具有优异分辨率的光致抗蚀剂组合物。含有大体积结构的具有酸不稳定基团的单体的实例包括下列。
其中Ra7和Ra8各自独立表示氢原子,卤素原子如氯原子和氟原子,或甲基,Ra9和Ra10在每次出现时独立地是直链,支链或环状C1-C10脂族烃基,并且m1表示0至14的整数,并且n1表示0至10的整数,Ra11表示氢原子,C1-C3烷基,C1-C3羟烷基,羧基,氰基或-COORa15,其中Ra15表示直链,支链或环状C1-C8脂族烃基,其可以具有一个或多个羟基并且其中一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,Ra12,Ra13和Ra14各自独立表示直链,支链或环状C1-C12烃基,其可以具有一个或多个羟基并且其中一个或多个-CH2-可以被-O-或-CO-代替,或Ra12和Ra13彼此结合以与Ra12和Ra13结合的碳原子一起形成环。
卤素原子的实例包括氯原子。Ra7和Ra8优选为甲基。
直链,支链或环状C1-C10脂族烃基的实例包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,叔丁基,2,2-二甲基乙基,1-甲基丙基,2,2-二甲基丙基,1-乙基丙基,1-甲基丁基,2-甲基丁基,3-甲基丁基,1-丙基丁基,戊基,1-甲基戊基,己基,1,4-二甲基己基,庚基,1-甲基庚基,辛基,环庚基,甲基环庚基,环己基,甲基环己基,二甲基环己基,降冰片基和甲基降冰片基。在它们中,优选C1-C8脂族烃基并且更优选C1-C6脂族烃基。
在式(a1-1)中,m1优选为0至3的整数,并且更优选为0或1。在式(a1-2)中,n1优选为0至3的整数,并且更优选为0或1。
C1-C3烷基的实例包括甲基,乙基和丙基,而C1-C3羟烷基的实例包括羟甲基和2-羟乙基。
Ra15的实例包括甲基,乙基,丙基,2-氧代-氧杂环戊烷(oxolan)-3-基和2-氧代-氧杂环戊烷-4-基。
由式(a1-1)表示的单体的实例包括丙烯酸-2-烷基-2-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-2-烷基-2-金刚烷基酯,和α-氯丙烯酸-2-烷基-2-金刚烷基酯。其典型实例包括丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯,丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷基酯,丙烯酸-2-丁基-2-金刚烷基酯,α-氯丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯和α-氯丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯。特别地,当使用丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷基酯或甲基丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷基酯时,倾向于得到具有优异分辨率,灵敏度和耐热性的光致抗蚀剂组合物,因此优选丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷基酯和甲基丙烯酸2-异丙基-2-金刚烷基酯,并且更优选甲基丙烯酸-2-乙基-2-金刚烷基酯和甲基丙烯酸-2-异丙基-2-金刚烷基酯。
由式(a1-2)表示的单体的实例包括丙烯酸-1-烷基-1-环己基酯如丙烯酸-1-乙基-1-环己基酯和甲基丙烯酸-1-烷基-1-环己基酯如甲基丙烯酸-1-乙基-1-环己基酯,并且优选甲基丙烯酸-1-乙基-1-环己基酯。
由式(a1-3)表示的单体的实例包括5-降冰片烯-2-甲酸-叔丁基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-1-甲基乙基-1-环己基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-1-甲基环己基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-2-甲基-2-金刚烷基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-2-乙基-2-金刚烷基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-1-(4-甲基环己基)-1-甲基乙基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-1-(4-羟基环己基)-1-甲基乙基酯,5-降冰片烯-2-甲酸-1-甲基-1-(4-氧代环己基)乙基酯和5-降冰片烯-2-甲酸-1-(1-金刚烷基)-1-甲基乙基酯。
在由式(a1-1),(a1-2)和(a1-3)表示的单体中,由式(a1-1)表示的单体是优选的,因为当使用这种单体时,倾向于得到具有优异分辨率的光致抗蚀剂组合物。
其中Ra9为烷基的由式(a1-1)表示的单体,例如丙烯酸-2-烷基-金刚烷基酯,通常可以通过将2-烷基-2-金刚烷醇或其金属盐与丙烯酰卤或甲基丙烯酰卤反应而制备。其中Ra10为烷基的由式(a1-2)表示的单体,例如丙烯酸-1-烷基-1-环己基酯通常可以通过将1-烷基1-环己醇或其金属盐与丙烯酰卤或甲基丙烯酰卤反应而制备。
除衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的结构单元以外,树脂优选含有衍生自在其侧链中不具有酸不稳定基团的单体的结构单元。当除衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的结构单元以外,树脂含有衍生自在其侧链中不具有酸不稳定基团的单体的结构单元时,基于树脂的100摩尔%的所有结构单元,衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的结构单元的含量通常为10至80摩尔%,并且优选为20至60摩尔%。当树脂含有衍生自具有金刚烷基的单体,特别是由式(a1-1)表示的单体的结构单元时,基于100摩尔%的衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体的所有结构单元,其含量优选为15摩尔%以上。衍生自具有金刚烷基的单体的结构单元含量越大,光致抗蚀剂组合物显示出越高的抗干蚀性。
树脂可以含有一种或多种其它结构单元。提供其它结构单元的单体的实例包括不具有酸不稳定基团的丙酸酯单体,不具有酸不稳定基团的甲基丙烯酸酯单体,丙烯腈单体,甲基丙烯腈单体,降冰片烯单体,羟基苯乙烯单体,不饱和脂族二羧酸酸酐如马来酐,和衣康酸酐。
当使用具有一个或多个羟基的单体如羟基苯乙烯(例如,对羟基苯乙烯和间羟基苯乙烯)时,倾向于得到具有良好分辨率和光致抗蚀剂对基底的粘合性的光致抗蚀剂组合物。含有衍生自羟基苯乙烯的结构单元的树脂可以通过下列方式制备:使用乙酰氧基苯乙烯制备含有衍生自乙酰氧基苯乙烯的结构单元的树脂,随后脱乙酰。当使用KrF受激准分子激光进行曝光时,树脂优选具有衍生自苯乙烯单体例如对羟基苯乙烯和间羟基苯乙烯的结构单元。当用ArF受激准分子激光进行曝光时,树脂优选具有衍生自由式(a2-1)表示的单体的结构单元:
其中Ra16表示氢原子或甲基,Ra17和Ra18各自独立表示氢原子,甲基或羟基,并且o1表示0至10的整数。树脂可以含有两种以上的衍生自由式(a2-1)表示的单体的结构单元。Ra16优选为甲基,并且o1优选为0至3的整数,并且更优选为0或1。
由式(a2-1)表示的单体的实例包括丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯,丙烯酸-3,5-二羟基-1-金刚烷基酯和甲基丙烯酸-3,5-二羟基-1-金刚烷基酯,并且优选丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯和甲基丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯,并且更优选甲基丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯。丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯,甲基丙烯酸-3-羟基-1-金刚烷基酯,丙烯酸-3,5-二羟基-1-金刚烷基酯和甲基丙烯酸-3,5-二羟基-1-金刚烷基酯可以例如通过将相应的羟基金刚烷与丙烯酸,甲基丙烯酸或其酰基卤反应而制备,并且它们还是可商购的。
树脂可以含有一种或多种衍生自具有内酯环的单体的结构单元。当使用具有内酯环的单体时,倾向于得到具有良好分辨率和光致抗蚀剂对基底的粘合性的光致抗蚀剂组合物。
内酯环的实例包括单环内酯环例如β-丙内酯环,γ-丁内酯环和γ-戊内酯环,以及从单环内酯环和其它环形成的稠环。在它们中,优选γ-丁内酯环和从γ-丁内酯和其它环形成的稠合的内酯环。
具有内酯环的单体的优选实例包括由式(a3-1),(a3-2)和(a3-3)表示的单体:
其中La1,La2和La3各自独立表示-O-或-O-(CH2)s1-CO-O-,s1表示1至4的整数,Ra19,Ra20和Ra21各自独立表示氢原子或甲基,Ra22,Ra23和Ra24在每次出现时独立地是甲基,三氟甲基,或卤素原子,并且p1,q1和r1各自独立地表示0至3的整数。Ra19,Ra20和Ra21优选为甲基。La1优选结合到γ-丁内酯环的α-位或β-位,并且更优选结合到γ-丁内酯环的α-位。La2优选结合到5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬烷环的2-位或3-位,并且更优选结合到5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬烷环的2-位。La3优选结合到7-氧代-6-氧杂二环[3.2.1]辛烷环的4-位。
由式(a3-1)表示的单体的实例包括α-丙烯酰氧基-γ-丁内酯,α-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯,α-丙烯酰氧基-β,β-二甲基-γ-丁内酯,α-甲基丙烯酰氧基-β,β-二甲基-γ-丁内酯,β-丙烯酰氧基-γ-丁内酯,β-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯,β-丙烯酰氧基-α-甲基-γ-丁内酯和β-甲基丙烯酰氧基-α-甲基-γ-丁内酯。在它们中,优选α-丙烯酰氧基-γ-丁内酯和α-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯。
由式(a3-2)表示的单体的实例包括下列。
在它们中,优选丙烯酸-5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬-2-基酯,甲基丙烯酸-5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬-2-基酯,丙烯酸-2-(5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬-2-基氧基)-2-氧代乙基酯和甲基丙烯酸-2-(5-氧代-4-氧杂三环[4.2.1.03,7]壬-2-基氧基)-2-氧代乙基酯。
由式(a3-3)表示的单体的实例包括下列。
在它们中,优选丙烯酸-7-氧代-6-氧杂二环[3.2.1]辛-4-基酯,甲基丙烯酸-7-氧代-6-氧杂二环[3.2.1]辛-4-基酯,丙烯酸-2-(7-氧代-6-氧杂二环[3.2.1]辛-4-基氧基)-2-氧代乙基酯,和甲基丙烯酸-2-(7-氧代-6-氧杂二环[3.2.1]辛-4-基氧基)-2-氧代乙基酯。
由其中La1为-O-的式(a3-1)表示的单体可以通过下列方法制备:将相应的具有卤素原子(优选溴原子)的γ-丁内酯与丙烯酸或甲基丙烯酸的碱金属盐反应,或将相应的具有羟基的γ-丁内酯与丙烯酰卤,甲基丙烯酰卤,丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯反应。由其中La2为-O-的式(a3-2)表示的单体和由其中La3为-O-的式(a3-3)表示的单体可以通过将丙烯酸或甲基丙烯酸与下列含羟基的内酯反应而制备,并且其制备方法描述于例如JP 2000-26446A中。
由其中La1为-O-(CH2)s1-CO-O-的式(a3-1)表示的单体可以通过下列方法制备:将相应的具有X-(CH2)s1-CO-O-基,其中X表示卤素原子的γ-丁内酯与丙烯酸或甲基丙烯酸的碱金属盐反应,或将相应的具有HO-(CH2)s1-CO-O-基的γ-丁内酯与丙烯酰卤,甲基丙烯酰卤,丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯反应。由其中La2为-O-(CH2)s1-CO-O-的式(a3-2)表示的单体和由其中La3为-O-(CH2)s1-CO-O-的式(a3-3)表示的单体可以通过将丙烯酸或甲基丙烯酸与下列内酯反应而制备,并且其制备方法描述于例如JP2005-331918A和JP 2005-352466A中。
其它单体的实例包括由式(a4-1)表示的单体:
其中Ra25和Ra26各自独立地表示氢原子,C1-C3烷基,C1-C3羟基烷基,羧基,氰基,或-COORa27基,其中Ra27基表示可以具有一个或多个羟基的直链,支链或环状C1-C8脂族烃基,并且其中一个或多个CH2-可以被-O-或-CO-代替,条件是与Ra27的-COO-的-O-结合的碳原子不是叔碳原子,或Ra25和Ra26结合在一起以形成由-C(=O)OC(=O)-表示的羧酸酐残基。C1-C3烷基和C1-C3羟基烷基的实例包括如上所述的那些,并且脂族烃基的实例包括如在Ra15中所述的那些。
由式(a4-1)表示的单体的实例包括2-降冰片烯,2-羟基-5-降冰片烯,5-降冰片烯-2-羧酸,5-降冰片烯-2-羧酸甲酯,5-降冰片烯-2-羧酸-2-羟基乙酯,5-降冰片烯-2-甲醇和5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。当树脂含有衍生自由式(a4-1)表示的单体的结构单元时,倾向于得到显示较高抗干蚀性的光致抗蚀剂组合物。
优选的树脂是含有衍生自在其侧链中具有酸不稳定基团的单体,具有一个或多个羟基的单体和具有内酯环的单体的结构单元的树脂。在其侧链中具有酸不稳定基团的单体优选是由式(a1-1)表示的单体,具有一个或多个羟基的单体优选是由式(a2-1)表示的单体,并且具有内酯环的单体优选是由式(a3-1)表示的单体。
树脂通常具有1,000以上的重均分子量和500,000以下的重均分子量,优选具有4,000以上的重均分子量和50,000以下的重均分子量。重均分子量可以用凝胶渗透色谱测量。
树脂可以通过进行一种或多种单体的聚合反应得到。聚合反应通常在自由基引发剂的存在下进行。此聚合反应可以根据已知的方法进行。如果使用由式(a3-1)表示的单体,则优选以相对于树脂中单体的结构单元的预定量过量的量使用单体,因为该单体的可聚合性低。
本发明的光致抗蚀剂组合物含有酸生成剂,并且优选地,光致酸生成剂。
酸生成剂是一种这样的物质:其通过对此物质本身或对含此物质的光致抗蚀剂组合物施加辐射例如光、电子束等而分解产生酸。从酸生成剂产生的酸作用在树脂上,导致树脂中存在的酸不稳定基团分裂。
酸生成剂的实例包括非离子性酸生成剂,离子性酸生成剂和它们的组合。优选离子性酸生成剂。非离子性酸生成剂的实例包括有机-卤素化合物,砜化合物如二砜,酮砜和磺酰基重氮甲烷,磺酸酯化合物例如2-硝基苄基磺酸酯,芳族磺酸酯,肟磺酸酯,N-磺酰氧基酰亚胺,磺酰氧基酮和DNQ4-磺酸酯。离子性酸生成剂的实例包括具有无机阴离子例如BF4 -,PF6 -,AsF6 -和SbF6 -的酸生成剂,和具有有机阴离子例如磺酸阴离子和双磺酰亚胺阴离子的酸生成剂,并且具有磺酸阴离子的酸生成剂是优选的。酸生成剂的优选实例包括由式(B1)表示的盐:
其中Q1和Q2各自独立表示氟原子或C1-C6全氟烷基,Lb1表示单键或-(CH2)k2-,其可以被直链或支链C1-C4烷基代替,并且其中一个或多个亚甲基可以被-O-或-CO-代替,k2表示1至17的整数,Y表示可以具有一个或多个取代基的C3-C36脂环烃基,并且脂环烃基中的一个或多个亚甲基可以被-O-或-CO-代替,并且Z+表示有机阳离子。
C1-C6全氟烷基的实例包括三氟甲基,五氟乙基,七氟丙基,九氟丁基,十一氟戊基和十三氟己基,并且优选三氟甲基。Q1和Q2各自独立表示氟原子或三氟甲基,并且Q1和Q2更优选为氟原子。
C3-C36脂环烃基的实例包括由式(W1)至(W24)表示的基团:
在它们中,优选由式(W11),(W14),(W15)和(W19)表示的基团,并且更优选由式(W11)和(W14)表示的基团。
Y中的取代基的实例包括卤素原子,羟基,直链,支链或环状C1-C12脂族烃基,C1-C12的含羟基的脂族烃基,C1-C12烷氧基,C6-C18芳族烃基,C7-C21芳烷基,C2-C4酰基,缩水甘油基氧基和-(CH2)j2-O-CO-Rb1,其中Rb1表示直链,支链或环状C1-C16脂族烃基或C6-C18芳族烃基,并且j2表示0至4的整数。卤素原子的实例包括氟原子,氯原子,溴原子和碘原子,并且脂族烃基的实例包括如上所述的那些。含羟基的脂族烃基的实例包括羟甲基,并且烷氧基的实例包括甲氧基,乙氧基,丙氧基,异丙氧基和丁氧基,并且芳族烃基的实例包括苯基,萘基,蒽基,对甲基苯基,对-叔丁基苯基和对-金刚烷基苯基。芳烷基的实例包括苄基,苯基乙基,苯基丙基,三苯甲基,萘基甲基和萘基乙基。酰基的实例包括乙酰基和丙酰基。
具有一个或多个取代基的Y的实例包括下列:
-(CH2)k2-的实例包括亚甲基,亚乙基,丙烷-1,3-二基,丙烷-1,2-二基,丁烷1,4-二基,丁烷-1,3-二基,戊烷-1,5-二基,己烷-1,6-二基,庚烷-1,7-二基,辛烷-1,8-二基,壬烷-1,9-二基,癸烷-1,10-二基,十一烷-1,11-二基,十二烷-1,12-二基,十三烷-1,13-二基,十四烷-1,14-二基,十五烷-1,15-二基,十六烷-1,16-二基和十七烷-1,17-二基。它们可以被直链或支链C1-C4烷基例如甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,仲丁基和叔丁基取代。-(CH2)k2-中的一个或多个亚甲基可以被-O-或-CO-代替。
Lb1-Y的优选实例包括由式(b1-1)至(b1-4)表示的下列基团:
其中Lb2表示单键或-(CH2)i2-,i2表示1至15的整数,Lb3表示单键或-(CH2)h2-,Lb4表示-(CH2)g2-,h2表示1至12的整数,g2表示1至13的整数,条件是h2和g2的总和是13以下的整数,Lb5表示-(CH2)f2-,f2表示1至15的整数,Lb6表示-(CH2)e2-,Lb7表示-(CH2)d2-,e2表示1至15的整数,d2表示1至15的整数,条件是d2和e2的总和是16以下的整数,并且一个或多个亚甲基可以被直链或支链C1-C4烷基取代。在上式中,i2至d2优选独立地是1至6的整数,更优选地,独立地是1至4的整数,并且特别优选地,独立地是1或2。
在它们中,优选由式(b1-1)表示的基团,并且更优选由其中Lb2表示单键或-CH2-的式(b1-1)表示的基团。
在具有由式(b1-1)表示的基团的磺酸阴离子中,优选由式(b1-1-1)至(b1-1-9)表示的阴离子。
其中Q1,Q2和Lb2与以上定义的相同,并且Rb2和Rb3各自独立表示C1-C4脂族烃基,优选甲基。
磺酸阴离子的具体实例包括下列。
在它们中,优选下列磺酸阴离子。
由Z+表示的阳离子部分的优选实例包括由式(b2-1)至(b2-4)表示的阳离子:
其中Rb4,Rb5和Rb6各自独立表示直链,支链或环状C1-C30脂族烃基,其可以具有选自由下列各项组成的组中的一个或多个取代基:羟基,直链或支链C1-C12烷氧基和C6-C18芳族烃基,或可以具有选自由羟基,直链或支链C1-C12烷氧基和直链,支链或环状C1-C30脂族烃基组成的组中的一个或多个取代基的C6-C18芳族烃基,
Rb7和Rb8在每次出现时独立地为羟基,直链或支链C1-C12脂族烃基或直链或支链C1-C12烷氧基,m2和n2独立地表示0或1的整数,
Rb9和Rb10各自独立表示直链或支链C1-C12脂族烃基或C3-C36脂环烃基,或Rb9和Rb10结合以形成C3-C12二价无环烃基,所述二价无环烃基与邻近S+一起形成环,并且二价无环烃基中的一个或多个-CH2-可以被-CO-,-O-或-S-代替,
和
Rb11表示氢原子,直链或支链C1-C12脂族烃基或C4-C36脂环烃基或C6-C18芳族烃基,Rb12表示直链或支链C1-C12脂族烃基或C6-C18芳族烃基,并且所述芳族烃基可以具有选自由羟基,直链或支链C1-C12脂族烃基和直链或支链C1-C12烷氧基组成的组中的一个或多个取代基,或Rb11和Rb12彼此结合以形成C1-C10二价无环烃基,所述二价无环烃基与邻近的-CHCO-一起形成2-氧代环烷基,并且二价无环烃基中的一个或多个-CH2-可以被-CO-,-O-或-S-代替,和
Rb13,Rb14,Rb15,Rb16,Rb17和Rb18各自独立表示羟基,直链或支链C1-C12脂族烃基或直链或支链C1-C12烷氧基,Lb8表示硫原子或氧原子,并且o2至t2各自独立地表示0至2的整数,并且u2表示0或1。
脂族烃基和芳族烃基的实例包括以上所述的那些。直链或支链脂族烃基的优选实例包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,仲丁基,叔丁基,戊基,己基,辛基和2-乙基己基。优选C4-C12环状脂族烃基。环状脂族烃基的优选实例包括环丙基,环丁基,环戊基,环己基,环庚基,环癸基,2-烷基-a-金刚烷基,1-(1-金刚烷基)-1-烷基和异冰片基。芳族基团的优选实例包括苯基,4-甲基苯基,4-乙基苯基,4-叔丁基苯基,4-环己基苯基,4-甲氧基苯基,联苯基和萘基。具有芳族烃基的脂族烃基的实例包括苄基。烷氧基的实例包括甲氧基,乙氧基,丙氧基,异丙氧基,丁氧基,仲丁氧基,叔丁氧基,戊氧基,己氧基,庚氧基,辛氧基,2-乙基己氧基,壬氧基,癸氧基,十一烷氧基和十二烷氧基。
通过将Rb9和Rb10结合形成的C3-C12二价无环烃基的实例包括三亚甲基,四亚甲基和五亚甲基。由邻近的S+和二价无环烃基一起形成的环基团的实例包括thiolan-1-环(四氢噻吩(tetrahydrothiphenium)环),噻烷(thian)-1-环和1,4-氧杂噻烷-4-环。通过将Rb11和Rb12结合而形成的C1-C10二价无环烃基的实例包括亚甲基,亚乙基,三亚甲基,四亚甲基和五亚甲基,并且环基团的实例包括下列。
在以上提及的阳离子中,优选由式(b2-1)表示的阳离子,并且更优选由式(b2-1-1)表示的阳离子,并且特别优选三苯基锍阳离子。
其中Pb19,Pb20和Pb21在每次出现时独立地是羟基,直链或支链C1-C12脂族烃基,或直链或支链C2-C12烷氧基,或C4-C36脂环烃基,并且C4-C36脂环烃基中的一个或多个氢原子可以被卤素原子,羟基,直链或支链C1-C12脂族烃基,直链或支链C1-C12烷氧基,C6-C12芳基,C7-C12芳烷基,缩水甘油基氧基或C2-C4酰基代替,并且v2,w2和x2各自独立表示0至3的整数。脂环烃基的优选实例包括具有金刚烷环或异冰片烷环的基团,并且更优选2-烷基-2-金刚烷基,1-(1-金刚烷基)-1-烷基和异冰片基。
由式(b2-1)表示的阳离子的实例包括下列。
由式(b2-2)表示的阳离子的实例包括下列。
由式(b2-3)表示的阳离子的实例包括下列。
由式(b2-4)表示的阳离子的实例包括下列。
由式(B1)表示的盐的实例包括其中阴离子部分是以上提及的阴离子部分中的任何一种并且阳离子部分是以上提及的阳离子部分中的任何一种的盐。盐的优选实例包括由式(b1-1-1)至(b1-1-9)表示的阴离子中的任何一种和由式(b2-1-1)表示的阳离子的组合,以及由式(b1-1-3)至(b1-1-5)表示的阴离子中的任何一种与由式(b2-3)表示的阳离子的组合。
优选由式(B1-1)至(B1-16)表示的盐,并且更优选由式(B1-1),(B1-2),(B1-6),(B1-11),(B1-12),(B1-13)和(B1-14)表示的盐。
可以组合使用两种以上的酸生成剂。
由式(B1)表示的盐可以例如如下列方案中所示,通过将由式(b3-1)表示的盐的Ma +与由式(b3-2)表示的盐的Z+交换而制备:
其中Q1,Q2,Lb1,Y和Z+与以上定义相同,Ma +表示Li+,Na+,K+或Ag+,并且An -表示F-,Cl-,Br-,I-,BF4 -,AsF6 -,SbF6 -,PF6 -或ClO4 -。
以上提及的阳离子交换反应通常在惰性溶剂例如乙腈,水,甲醇,氯仿和二氯甲烷中,在约0至约150℃,优选约0至约100℃的温度,在搅拌的情况下进行。相对于1摩尔的由式(b3-1)表示的盐,由式(b3-2)表示的盐的量通常为0.5至2摩尔。通过以上方法得到的由式(B1)表示的盐可以通过重结晶分离,并且可以通过用水洗涤纯化。
式(b3-1)的盐可以如下所述制备。
例如,如下列方案中所示,由式(b3-1-1)表示的盐可以通过将由式(b4-1)表示的盐与由式(b4-2)表示的醇化合物反应制备:
其中Q1,Q2,Lb2,Y和Ma +与以上定义相同。
相对于1摩尔的由式(b4-2)表示的醇化合物,由式(b4-1)表示的盐的量通常为0.2至3摩尔,并且优选为0.5至2摩尔。
由式(b3-1-1)表示的盐还可以通过下列方式制备:将由式(b4-3)表示的化合物与由式(b4-2)表示的醇化合物反应,随后用MbOH水解,如下列方案中所示:
其中Q1,Q2,Lb2和Y与以上定义相同,并且Mb表示碱金属原子。碱金属原子的实例包括锂原子,钠原子和钾原子,并且优选锂原子和钠原子。
相对于1摩尔的由式(b4-2)表示的醇化合物,由式(b4-3)表示的化合物的量通常为0.2至3摩尔,并且优选为0.5至2摩尔。
以下,将由式(b4-2)表示的醇化合物与由式(b4-1)表示的盐的反应,由式(b4-2)表示的醇化合物与由式(b4-3)表示的化合物的反应共同地称为酯化反应。
酯化反应通常在疏质子溶剂例如二氯乙烷,甲苯,乙苯,一氯苯,乙腈和N,N-二甲基甲酰胺中,在约20至200℃,优选50至150℃的温度,在搅拌的情况下进行。酯化反应可以在酸催化剂的存在下进行。酸催化剂的实例包括有机酸如对甲苯磺酸和无机酸如硫酸。尽管对酸催化剂的使用量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-1)表示的盐或由式(b4-3)表示的化合物,它通常为约0.001至5摩尔。
酯化反应可以在脱水的情况下进行,因为反应时间倾向于缩短。脱水方法的实例包括迪恩-斯塔克(Dean and Stark)法。酯化反应可以在脱水剂的存在下进行,并且脱水剂的实例包括二环己基碳二亚胺,1-烷基-2-卤代吡啶盐,1,1’-羰基二咪唑,双(2-氧代-3-唑烷基)次膦酰氯,1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐,碳酸二-2-吡啶酯,硫羰基(thiono)碳酸二-2-吡啶基酯和6-甲基-2-硝基苯甲酸酐与4-二甲基氨基吡啶。尽管对脱水剂的量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-1)表示的盐或由式(b4-3)表示的化合物,它通常为0.5至5摩尔,并且优选为1至3摩尔。
由其中-Lb1-Y是由式(b1-2)表示的基团的式(B1)表示的盐可以根据与关于制备由式(b3-1-1)表示的盐的以上方法中所述的相同方式制备。
由式(b3-1-3)表示的盐可以通过将由式(b4-4)表示的盐与由式(b4-5)表示的羧酸化合物或由式(b4-6)表示的其卤化物化合物反应制备,如在下列方案中所示:
其中Q1,Q2,Lb5,Y和Ma +与以上定义相同,并且X1表示卤素原子。
由式(b3-1-1)表示的盐还可以通过下列方法制备:将由式(b4-7)表示的化合物与由式(b4-5)表示的羧酸化合物或由式(b4-6)表示的卤化物化合物反应,随后用MbOH水解,如在下列方案中所示:
其中Q1,Q2,Lb5,Mb和X1与以上定义相同。
相对于1摩尔的由式(b4-5)表示的羧酸化合物或由式(b4-6)表示的卤化物化合物,由式(b4-4)表示的盐的量通常为0.5至3摩尔,优选为1至2摩尔。相对于1摩尔的由式(b4-5)表示的羧酸化合物或由式(b4-6)表示的其卤化物化合物,由式(b4-7)表示的化合物的量通常为0.5至3摩尔,并且优选为1至2摩尔。以上提及的反应可以根据与以上酯化反应中所述相同方式进行。当使用由式(b4-6)表示的卤化物化合物时,该反应可以在碱的存在下进行。碱的实例包括有机碱如三乙胺和吡啶,以及无机碱如氢氧化钠和碳酸钾。尽管对碱的使用量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-6)表示的卤化物化合物,它通常为0.001至5摩尔和1至3摩尔。由式(b4-6)表示的卤化物化合物可以通过下列方式制备:将由式(b4-5)表示的羧酸化合物与卤化试剂例如亚硫酰氯,亚硫酰溴,三氯化磷,五氯化磷和三溴化磷反应。由式(b4-5)表示的羧酸化合物与卤化试剂的反应通常在疏质子溶剂如二氯乙烷,甲苯,乙苯,一氯苯和N,N-二甲基甲酰胺中,在约20至200℃,优选50至150℃的温度,在搅拌的情况下进行。此反应可以在胺催化剂的存在下进行。
由式(b3-1-4)表示的盐可以通过将由式(b4-8)表示的盐与由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物反应制备,如下列方案中所示:
其中Q1,Q2,Lb6,Lb7,Ma +和Y与以上定义相同,并且X2表示氯原子,溴原子,碘原子,甲磺酰氧基,对甲苯磺酰氧基或三氟甲磺酰氧基。
如在下列方案中所示,由式(b3-1-4)表示的盐还可以通过下列方法制备:将由式(b4-11)表示的化合物与由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物反应,随后用MbOH水解:
其中Q1,Q2,Lb6,Lb7,Mb,Y和X2与以上定义相同。
相对于1摩尔的由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物,由式(b4-8)表示的盐的量通常为0.5至3摩尔,并且优选为1至2摩尔。相对于1摩尔的由式(b4-9)表示的醇化合物或其由式(b4-10)表示的化合物,由式(b4-11)表示的化合物的量通常为0.5至3摩尔,并且优选为1至2摩尔。
以下,将由式(b4-8)表示的盐与由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物的反应,和由式(b4-11)表示的化合物与由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物的反应共同地称为醚化反应。
醚化反应通常在疏质子溶剂例如二氯乙烷,甲苯,乙苯,一氯苯,乙腈和N,N-二甲基甲酰胺中,在约20至200℃,优选50至150℃的温度,在搅拌的情况下进行。醚化反应可以在酸催化剂的存在下进行。酸催化剂的实例包括有机酸如对甲苯磺酸和无机酸如硫酸。尽管对酸催化剂的使用量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物,它通常为约0.001至5摩尔。醚化反应可以在脱水的情况下进行,因为反应时间倾向于缩短。脱水方法的实例包括迪恩-斯塔克法。酯化反应可以在脱水剂的存在下进行,并且脱水剂的实例包括二环己基碳二亚胺和1,1’-羰基二咪唑。尽管对脱水剂的量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-9)表示的醇化合物或由式(b4-10)表示的化合物,它通常为0.5至5摩尔,并且优选为1至3摩尔。当使用由式(b4-10)表示的化合物时,该反应可以在碱的存在下进行。碱的实例包括有机碱如三乙胺和吡啶,以及无机碱如氢氧化钠和碳酸钾。尽管对碱的使用量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-10)表示的化合物,它通常为0.001至5摩尔和1至3摩尔。由式(b4-10)表示的化合物可以通过下列方式制备:将由式(b4-9)表示的醇化合物与亚硫酰氯,亚硫酰溴,三氯化磷,五氯化磷、三溴化磷、甲磺酰氯,对甲苯磺酰氯或三氟甲磺酸酐反应。此反应通常在疏质子溶剂如二氯乙烷,甲苯,乙苯,一氯苯和N,N-二甲基甲酰胺中,在约-70至200℃,优选-50至150℃的温度,在搅拌的情况下进行。此反应可以在碱的存在下进行。碱的实例包括有机碱如三乙胺和吡啶,以及无机碱如氢氧化钠和碳酸钾。尽管对碱的使用量没有限制,但是相对于1摩尔的由式(b4-9)表示的醇化合物,它通常为0.001至5摩尔和1至3摩尔。
本发明的光致抗蚀剂组合物含有化合物(C1)。包含化合物(C1)的光致抗蚀剂组合物提供具有良好曝光宽容度(EL)的光致抗蚀剂图案。
在式(C1)中,Rc1表示由式(1)表示的基团:
(以下,简称为基团(1))。
Rc3和Rc4各自独立地表示氢原子,直链,支链或环状C1-C12脂族烃基。脂族烃基可以是饱和的或不饱和的。C1-C12脂族烃基的实例包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,异丁基,叔丁基,戊基,己基,辛基,壬基,癸基,十一烷基,十二烷基,(乙基)戊基,(甲基)己基,(乙基)己基,(丙基)己基,1,1-二甲基己基,环戊基,环己基和甲基环己基。
Rc3和Rc4可以彼此结合以与Rc3和Rc4结合的氮原子一起形成环。环可以具有直链,支链或环状脂族烃基作为侧链,并且所述环可以是稠环例如八氢异吲哚环。所述环的优选实例包括5元饱和含氮杂环,6元饱和含氮杂环,和7元饱和含氮杂环,并且更优选哌啶环。
优选Rc3和Rc4独立地是氢原子,甲基或乙基,或还优选Rc3和Rc4彼此结合以形成哌啶环。更优选Rc3和Rc4独立地是氢原子或甲基。
Rc5表示C1-C30二价有机基团,并且所述二价有机基团可以具有一个或多个取代基。取代基的实例包括卤素原子,羟基,巯基(-SH)和氨基。二价有机基团的实例包括直链,支链或环状二价脂族烃基,二价芳族烃基和它们的组合。所述二价环状烃基和二价芳族烃基中的一个或多个-CH2-或-CH=可以被杂原子如氧原子,硫原子和氮原子代替,以形成杂环基团。Rc5中的一个或多个-CH2-可以被-O-,-CO-,-S-或-NRc10-代替,其中Rc10表示氢原子或直链或支链C1-C4烷基。
C1-C30二价有机基团的实例包括二价直链或支链脂族烃基,例如亚甲基,亚乙基,丙烷-1,3-二基,丙烷-1,2-二基,丁烷-1,4-二基,丁烷-1,3-二基,戊烷-1,5-二基,己烷-1,6-二基,庚烷-1,7-二基,辛烷-1,8-二基,壬烷-1,9-二基,癸烷-1,10-二基,十一烷-1,11-二基,十二烷-1,12-二基,十三烷-1,13-二基,十四烷-1,14-二基,十五烷-1,15-二基,十六烷-1,16-二基和十七烷-1,17-二基,含有环状结构的二价烃基,例如下列:
含有芳族烃基的二价基团,例如下列:
含有杂环基团的二价基团,例如下列:
以及下列:
在以上结构式和以下结构式中,*表示对相邻原子的结合位置。
Rc3和Rc5可以彼此结合以与Rc3和Rc5结合的氮原子一起形成环,并且所述环可以具有直链,支链或环状脂族烃基作为侧链,并且所述环可以是稠环例如八氢异吲哚环。所述环的优选实例包括5元饱和含氮杂环,6元饱和含氮杂环,和7元饱和含氮杂环,并且更优选吡咯烷环和哌啶环。
Rc5优选是可以具有一个或多个取代基的亚苯基,可以具有一个或多个取代基的亚甲基,或可以具有一个或多个取代基的C2-C10二价脂族烃基。
Rc1优选是由式(1-1),(1-2)或(1-3)表示的基团:
其中Rc3和Rc4与权利要求1中定义的相同,并且Rc7在每次出现时独立地为直链,支链或环状C1-C10脂族烃基,m3表示0至4的整数,
Rc8表示氢原子,直链,支链或环状C1-C15脂族烃基或C7-C15芳烷基,并且所述脂族烃基和芳烷基中的一个或多个-CH2-可以被-O-,-CO-或-S-代替,并且所述脂族烃基和芳烷基可以具有选自由卤素原子,羟基和巯基(-SH)组成的组中的一个或多个取代基,并且Rc3和Rc8可以彼此结合以与Rc8结合的碳原子和Rc3结合的氮原子一起形成环,
Rc9表示直链,支链或环状C1-C10二价脂族烃基,并且式(1-3)中的Rc3和Rc4可以彼此结合以与Rc3和Rc4结合的氮原子一起形成环。
在式(1-1)至(1-3)中,Rc3和Rc4与以上定义的相同。
在式(1-1)中,Rc7在每次出现时独立地为直链,支链或环状C1-C10脂族烃基,m3表示0至4的整数。C1-C10脂族基团的实例包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,异丁基,戊基,己基,环戊基,环己基,2-环己基乙基和二环己基甲基,并且优选直链或支链C1-C4烷基。在式(1-1)中,当m3为0时,Rc7不存在,并且m3优选为0。
在式(1-2)中,Rc8表示氢原子,直链,支链或环状C1-C15脂族烃基或C7-C15芳烷基。脂族烃基的实例包括甲基,乙基,丙基,异丙基,丁基,异丁基,戊基,己基,环戊基,环己基,2-环己基乙基和二环己基甲基。芳烷基的实例包括苄基和2-苯基乙基。脂族烃基和芳烷基中的一个或多个-CH2-可以被-O-,-CO-或-S-代替,并且其中一个或多个-CH2-被-O-,-CO-或-S-代替的脂族烃基和芳烷基的实例包括甲硫基甲基(-CH3-S-CH3-),2-(甲硫基)乙基(-C2H5-S-CH3)和3-氧代-3-甲氧基丙基(-(CH2)2-CO-OCH3)。脂族烃基和芳烷基可以具有选自由卤素原子,羟基和巯基(-SH)组成的组中的一个或多个取代基,并且具有一个或多个取代基的脂族烃基和芳烷基的实例包括羟甲基,2-羟乙基,巯甲基,2-巯乙基,(4-羟基苯基)甲基和4-羟基苯基乙基。
Rc3和Rc8可以彼此结合以与Rc8结合的碳原子和Rc3结合的氮原子一起形成环,并且环的实例包括通过将Rc3和Rc5结合而形成的环中所示的那些。
在式(1-3)中,Rc9表示直链,支链或环状C1-C10二价脂族烃基。支链二价脂族烃基可以在末端或在亚甲基之间具有脂环族烃基。二价脂族烃基的实例包括如上所述的那些,并且其优选实例包括直链C1-C4烷二基,例如亚甲基,亚乙基,丙烷-1,3-二基和丁烷-1,4-二基,通过将直链C1-C4烷二基与直链,支链或环状C1-C8脂族烃基如甲基,乙基,丙基,环己基甲基和2-环己基乙基结合而形成的基团,条件是该基团的总碳数为10以下。二价脂环族烃基的优选实例包括环己烷二基,十氢萘二基和金刚烷二基。Rc9可以是直链或支链二价脂族烃基与二价脂环族烃基的组合,例如环己烷二基与亚甲基的组合。
在式(C1)中,Rc2表示可以具有一个或多个取代基的C7-C20芳烷基。芳烷基的芳环的实例包括C6-C16芳环如苯环,多环稠环如萘环,蒽环,菲环和并四苯环,和联苯环。在它们中,优选苯环,萘环和蒽环,并且更优选苯环。C7-C20芳烷基的实例包括具有芳环的C1-C10烷基,例如具有芳环的甲基,具有芳环的乙基和具有芳环的丙基,并且优选具有芳环的甲基。
芳环可以具有一个或多个取代基,并且作为取代基,优选吸电子基团,并且其实例包括硝基,全氟烷基,全氯烷基,氰基,烷氧基羰基和季氨基团(quaternary ammonio group)(-N+R3,其中R表示烃基)。优选硝基,全氟烷基和全氯烷基,更优选硝基,三氟甲基和三氯甲基,并且特别优选硝基。芳族烃基可以具有弱给电子基团如烷基,例如甲基,乙基,丙基和丁基。
Rc2的优选实例包括由式(2)表示的基团:
-CH2-Rc6 (2)
其中Rc6表示具有一个或多个取代基,并且所述取代基中的至少一个为吸电子基团的C6-C18芳族烃基。
Rc6的C6-C18芳族烃基的实例包括苯基,萘基,蒽基和联苯基,并且优选苯基和萘基,并且更优选苯基。除吸电子基团以外的取代基的实例包括烷基,例如甲基,乙基,丙基和丁基。吸电子基团的实例包括如上所述的那些。
Rc6的实例包括硝基苯基,二硝基苯基,甲基硝基苯基,二甲基硝基苯基,乙基硝基苯基,丙基硝基苯基,丁基硝基苯基和硝基萘基,并且优选硝基苯基,更优选2-硝基苯基和4-硝基苯基,并且特别优选2-硝基苯基。
其中Rc1是由式(1-1)表示的基团的化合物(C1)的实例包括下列。
其中Rc1是由式(1-2)表示的基团的化合物(C1)的实例包括下列。
其中Rc1是由式(1-3)表示的基团的化合物(C1)的实例包括下列。
在以上化合物中,优选由式(C1-1-1),(C1-2-1),(C1-2-2),(C1-2-3)和(C1-3-1)表示的下列化合物。
可以例如通过下列方法制备化合物(C1),所述方法包括:将由式(C1a)表示的化合物:
其中Rc1具有与以上定义相同的含义,并且M表示碱金属原子,与由式(C1b)表示的化合物反应:
X——Rc2 (C1b)
其中Rc2具有与以上定义相同的含义,并且X表示卤素原子。
碱金属的实例包括铯原子,钾原子和钠原子,并且考虑到实用性,优选钾原子和钠原子。卤素原子的实例包括氯原子,溴原子或碘原子。该反应可以在碱金属碘化物例如碘化钾的存在下进行。
该反应通常在有机溶剂例如疏质子极性溶剂例如N,N-二甲基甲酰胺和二甲亚砜中,在约20至约150℃,优选约50至约100℃,在搅拌的情况下进行。
当由其中Rc1具有伯氨或仲氨基团(-NH2或-NHR)的式(C1a)表示的化合物时,在进行上述反应之前,优选用已知的保护基团如叔丁氧基羰基保护氨基。
除树脂,酸生成剂和化合物(C1)以外,本发明的光致抗蚀剂组合物可以含有含氮碱性化合物。
含氮碱性化合物的实例包括胺化合物和氢氧化铵化合物。胺化合物的实例包括脂族胺化合物和芳族胺化合物。脂族胺化合物的实例包括脂族伯胺化合物,脂族仲胺化合物和脂族叔胺化合物。芳族胺化合物的实例包括其中氨基与芳族基团结合的化合物例如苯胺,以及杂芳族胺化合物例如吡啶。由式(Q1)表示的芳族胺是优选的,并且由式(Q1-1)表示的苯胺化合物是更优选的。
其中Arq1表示芳族烃基,Rq1和Rq2各自独立表示氢原子,直链,支链或环状脂族烃基或芳族烃基,并且所述脂族烃基和芳族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或直链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基,Rq3在每次出现时独立地为直链,支链或环状脂族烃基,直链或支链烷氧基或芳族烃基,并且所述脂族烃基,烷氧基和芳族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或支链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基,并且m3表示0至3的整数。
Rq1,Rq2和Rq3的直链,支链或环状脂族烃基的优选实例包括直链或支链烷基和环烷基。直链或支链脂族烃基优选具有1至6个碳原子,并且环状脂族烃基优选具有5至10个碳原子,并且芳族烃基优选具有6至10个碳原子。Rq3的烷氧基优选具有1至6个碳原子。
由式(Q1)表示的芳族胺的实例包括1-萘基胺和2-萘基胺。由式(Q1-1)表示的苯胺化合物的实例包括苯胺,二异丙基苯胺,2-甲基苯胺,3-甲基苯胺,4-甲基苯胺,4-硝基苯胺,N-甲基苯胺,N,N-二甲基苯胺和二苯基胺。在它们中,优选二异丙基苯胺,并且更优选2,6-二异丙基苯胺。
优选由式(Q2)表示的氢氧化季铵:
其中Rq4,Rq5和Rq6各自独立表示直链,支链或环状脂族烃基或芳族烃基,并且所述脂族烃基和芳族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或直链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基,并且Rq7表示直链,支链或环状脂族烃基,并且所述脂族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或直链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基。
Rq4,Rq5,Rq6和Rq7的直链,支链或环状脂族烃基的优选实例包括直链或支链烷基和环烷基。直链或支链脂族烃基优选具有1至6个碳原子,并且环状脂族烃基优选具有5至10个碳原子,并且芳族烃基优选具有6至10个碳原子。Rq3的烷氧基优选具有1至6个碳原子。
由式(Q2)表示的氢氧化季铵的实例包括氢氧化四甲铵,氢氧化四异丙铵,氢氧化四丁铵,氢氧化四己铵,氢氧化四辛铵,氢氧化苯基三甲铵,氢氧化(3-三氟甲基苯基)三甲铵和氢氧化(2-羟乙基)三甲铵(所谓的“胆碱”)。在它们中,优选氢氧化四甲铵,氢氧化四丁铵,氢氧化四己铵,氢氧化四辛铵,氢氧化苯基三甲铵和氢氧化(3-三氟甲基苯基)三甲铵。
含氮化合物的其它实例包括由式(Q3)至(Q11)表示的下列化合物:
其中Rq8表示直链,支链或环状脂族烃基,并且脂族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或直链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基,
Rq9,Rq10,Rq11,Rq12,Rq13,Rq14,Rq16,Rq17,Rq18,Rq19和Rq22各自独立表示氢原子,直链,支链或环状脂族烃基或芳族烃基,并且所述脂族烃基和芳族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或直链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基,Rq20,Rq21,Rq23,Rq24,Rq25,Rq26,Rq27和Rq28在每次出现时独立地是直链,支链或环状脂族烃基,直链或支链烷氧基或芳族烃基,并且所述脂族烃基,烷氧基和芳族烃基中的一个或多个氢原子可以被羟基,氨基或直链或支链C1-C6烷氧基代替,并且所述氨基可以具有一个或两个直链或支链C1-C4烷基,
Rq15表示直链,支链或环状脂族烃基或烷酰基,
Lq1和Lq2各自独立表示二价脂族烃基,-CO-,-NH-,-S-,-S-S-或它们的组合,
n3表示0至8的整数,并且o3,p3,q3,r3,s3,t3和u3各自独立表示0至3的整数。
Rq8的直链,支链或环状脂族烃基的优选实例包括直链或支链烷基和环烷基。直链或支链脂族烃基优选具有1至6个碳原子,并且环状脂族烃基优选具有5至10个碳原子,并且芳族烃基优选具有6至10个碳原子。烷氧基优选具有1至6个碳原子。烷酰基优选具有2至6个碳原子。二价脂族烃基优选具有2至6个碳原子。优选的二价脂族烃基是烷二基。
由式(Q3)表示的化合物的实例包括己胺,庚胺,辛胺,壬胺,癸胺,二丁胺,二戊胺,二己胺,二庚胺,二辛胺,二壬胺,二癸胺,三乙胺,三甲胺,三丙胺,三丁胺,三戊胺,三己胺,三庚胺,三辛胺,三壬胺,三癸胺,甲基二丁胺,甲基二戊胺,甲基二己胺,甲基二环己胺,甲基二庚胺,甲基二辛胺,甲基二壬胺,甲基二癸胺,乙基二丁胺,乙基二戊胺,乙基二己胺,乙基二庚胺,乙基二辛胺,乙基二壬胺,乙基二癸胺,二环己基甲胺,三[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺,三异丙醇胺,乙二胺,四亚甲基二胺,六亚甲基二胺,4,4’-二氨基-1,2-二苯基乙烷,4,4’-二氨基-3,3’-二甲基二苯基甲烷和4,4’-二氨基-3,3’-二乙基二苯基甲烷。
由式(Q4)表示的化合物的实例包括哌嗪。由式(Q5)表示的化合物的实例包括吗啉。由式(Q6)表示的化合物的实例包括哌啶和具有哌啶骨架的受阻胺化合物,如在JP 11-52575A中公开的。由式(Q7)表示的化合物的实例包括2,2’-亚甲基双苯胺。由式(Q8)表示的化合物的实例包括咪唑和4-甲基咪唑。由式(Q9)表示的化合物的实例包括吡啶和4-甲基吡啶。由式(Q10)表示的化合物的实例包括二-2-吡啶酮,1,2-二(2-吡啶基)乙烷,1,2-二(4-吡啶基)乙烷,1,3-二(4-吡啶基)丙烷,1,2-双(2-吡啶基)乙烯,1,2-双(4-吡啶基)乙烯,1,2-双(4-吡啶氧基)乙烷,4,4’-二吡啶硫醚(sulfide),4,4’-二吡啶二硫醚(disulfide),2,2’-二吡啶胺和2,2’-二甲基吡啶胺。由式(Q11)表示的化合物的实例包括联吡啶。
当使用含氮碱性化合物时,基于固体组分的总和,本发明光致抗蚀剂组合物优选包括0.01至1重量%的含氮碱性化合物。在此说明书中,“固体组分”是指光致抗蚀剂组合物中除溶剂以外的组分。
本发明的光致抗蚀剂组合物通常含有一种或多种溶剂。溶剂的实例包括二元醇醚酯,例如乙基溶纤剂乙酸酯,甲基溶纤剂乙酸酯和丙二醇单甲醚乙酸酯;二元醇醚,例如丙二醇单甲醚;无环酯,例如乳酸乙酯,乙酸丁酯,乙酸戊酯和丙酮酸乙酯;酮,如丙酮,甲基异丁基酮,2-庚酮和环己酮;以及环酯,如γ-丁内酯。
基于本发明的光致抗蚀剂组合物的总量,溶剂的量通常为60重量%以上,优选为80重量%以上,更优选为90重量%以上。基于本发明的光致抗蚀剂组合物的总量,溶剂的量通常为99.5重量%以下,并且优选为97重量%以下。
必要时,本发明的光致抗蚀剂组合物可以含有少量的各种添加剂,比如敏化剂,溶解抑制剂,其它聚合物,表面活性剂,稳定剂和染料,只要不妨碍本发明的效果即可。
本发明的光致抗蚀剂组合物对于化学放大型光致抗蚀剂组合物有用。
光致抗蚀剂图案可以通过以下步骤(1)至(5)制造:
(1)将本发明的光致抗蚀剂组合物涂覆在基底上的步骤,
(2)通过进行干燥形成光致抗蚀剂膜的步骤,
(3)将光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤,
(4)烘焙已曝光的光致抗蚀剂膜的步骤,以及
(5)用碱性显影剂使已烘焙的光致抗蚀剂膜显影,从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。
光致抗蚀剂组合物在基底上的涂覆通常使用常规设备如旋涂机进行。光致抗蚀剂组合物优选在涂覆之前用具有0.2μm孔径大小的过滤器过滤。基底的实例包括在其上形成传感器,电路,晶体管等的硅晶片或石英晶片。
光致抗蚀剂膜的形成通常使用加热设备如电热板或减压器进行,并且加热温度通常为50至200℃,并且操作压力通常为1至1.0*105Pa。
使用曝光系统将所得的光致抗蚀剂膜对辐射曝光。曝光通常通过其图案与所需的光致抗蚀剂图案对应的掩模进行。曝光源的实例包括辐射UV区中的激光的光源如KrF受激准分子激光器(波长:248nm)、ArF受激准分子激光器(波长:193nm)和F2激光器(波长:157nm),以及通过来自固态激光光源(如YAG或半导体激光器)的激光的波长变换而辐射远UV区或真空UV区中的谐波激光的光源。
曝光的光致抗蚀剂膜的烘焙温度通常为50至200℃,并且优选70至150℃。
已烘焙的光致抗蚀剂膜的显影通常是使用显影设备进行的。所使用的碱性显影剂可以是本领域中使用的各种碱性水溶液中的任何一种。通常地,经常使用氢氧化四甲铵或氢氧化(2-羟乙基)三甲铵(通常称作“胆碱”)的水溶液。在显影后,所形成的光致抗蚀剂图案优选使用超纯水洗涤,并且优选移除在光致抗蚀剂图案和基底上残留的水。
本发明的化合物是适合的光致抗蚀剂组合物的组分,并且本发明的光致抗蚀剂组合物提供显示良好的曝光宽容度(EL)的光致抗蚀剂图案,因此,本发明的光致抗蚀剂组合物适合于ArF受激准分子激光光刻法、KrF受激准分子激光光刻法、ArF浸渍光刻法、EUV(远紫外线)光刻法、EUV浸渍光刻法和EB(电子束)光刻法。此外,本发明的光致抗蚀剂组合物可以用于浸渍光刻法和干法光刻法。而且,本发明的光致抗蚀剂组合物还可以用于双成像光刻法。
实施例
将通过实施例更具体地描述本发明,但这些实施例不应理解为对本发明范围的限制。
用以表示以下实施例和比较例中使用的任何组分的含量和任何物质的量的“%”和“份”都是基于重量的,除非另外具体指明。以下实施例中使用的任何物质的重均分子量都是通过凝胶渗透色谱[HLC-8120 GPC型,柱子(三根柱子与保护柱):由TOSOH CORPORATION制造的TSKgelMultipore HXL-M,溶剂:四氢呋喃,流速:1.0mL/min.,检测器:RI检测器,柱温:40℃,注入体积:100μL],使用由TOSOH CORPORATION生产的标准聚苯乙烯作为标准参考物质而测得的值。化合物的结构是通过NMR(由JEOL LTD.制造的EX-270型)和质谱(液相色谱:1100型,由AGILENT TECHNOLOGIES LTD.制造,质谱:LC/MSD型或LC/MSD TOF型,由AGILENT TECHNOLOGIES LTD.制造)测定的。
合成实施例1
向2.0份的购自西格玛-奥德里奇公司(Sigma-Aldrich Corporation)的N-叔丁氧基羰基-2-氨基苯甲酸和20份的N,N-二甲基甲酰胺的溶液中,加入0.58份的碳酸钾和0.17份的碘化钾,并且将生成物在40℃搅拌1小时。向混合物中加入1.45份的2-硝基苄基氯。将得到的混合物在40℃搅拌4小时。将得到的反应混合物冷却至室温,并且向其中加入80份的饱和氯化铵水溶液,然后向其中加入200份的乙酸乙酯。产生的混合物分离成有机层和水层。将有机层用水洗涤5次,然后在减压下浓缩,以得到3.1份的由式(C1-1-1a)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)9.99(1H,s),8.16(2H,t,J=7.6Hz),7.96(1H,d,J=7.9Hz),7.84-7.77(2H,m),7.70-7.57(2H,m),7.17-7.10(1H,m),5.67(2H,s),1.45(9H,s)
MS(ESI(+)谱):[M+Na]+=395.1(C19H20N2O6=372.1)
向1.5份的由式(C1-1-1a)表示的化合物和30份的氯仿的溶液中,加入3.6份的三氟乙酸,并且将得到的混合物在室温搅拌4小时。向得到的反应混合物中加入10%的碳酸钾水溶液,随后用乙酸乙酯萃取。将得到的有机层用离子交换水洗涤并且在减压下浓缩,以得到2.1份的由式(C1-1-1)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.12(1H,dd,J=8.1Hz,1.2Hz),7.85-7.57(4H,m),7.31-7.22(1H,m),6.81-6.73(1H,m),6.71-6.62(2H,m),6.57-6.49(1H,s),5.60(2H,s)
MS(ESI(+)谱):[M+H]+=273.1(C14H12N2O4=272.1)
合成实施例2
向2.0份的购自西格玛-奥德里奇公司(Sigma-Aldrich Corporation)的N-叔丁氧基羰基苯丙氨酸和20份的N,N-二甲基甲酰胺的溶液中,加入0.52份的碳酸钾和0.16份的碘化钾,并且将生成物在40℃搅拌1小时。向混合物中加入1.29份的2-硝基苄基氯。将得到的混合物在40℃搅拌4小时。将得到的反应混合物冷却至室温,并且向其中加入80份的饱和氯化铵水溶液,然后向其中加入200份的乙酸乙酯。产生的混合物分离成有机层和水层。将有机层用水洗涤5次,然后在减压下浓缩,以得到2.5份的由式(C1-2-1a)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.12(1H,d,J=8.2Hz),7.79-7.70(1H,m),7.65-7.53(2H,m),7.47-7.39(1H,m),7.32-7.14(5H,m),5.44(2H,s),4.34-4.13(1H,m),3.10-2.82(2H,m),1.35(9H,s)
MS(ESI(+)谱):[M+Na]+=423.1(C21H24N2O6=400.1)
向1.5份的由式(C1-2-1a)表示的化合物和30份的氯仿的溶液中,加入4.2份的三氟乙酸,并且将得到的混合物在室温搅拌5小时。向得到的反应混合物中加入10%的碳酸钾水溶液,随后用乙酸乙酯萃取。将得到的有机层用离子交换水洗涤并且在减压下浓缩,以得到1.1份的由式(C1-2-1)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.10(1H,d,J=7.6Hz),7.76-7.67(1H,m),7.65-7.56(1H,m),7.51-7.45(1H,m),7.29-7.13(5H,m),5.39(2H,s),3.67(1H,t,J=6.8Hz),2.94-2.72(2H,m),2.12-1.92(2H,brm)
MS(ESI(+)谱):[M+H]+=301.1(C16H16N2O6=300.1)
合成实施例3
向2.0份的购自西格玛-奥德里奇公司(Sigma-Aldrich Corporation)的N-叔丁氧基羰基亮氨酸和20份的N,N-二甲基甲酰胺的溶液中,加入0.6份的碳酸钾和0.18份的碘化钾,并且将生成物在40℃搅拌1小时。向混合物中加入1.48份的2-硝基苄基氯。将得到的混合物在40℃搅拌4小时。将得到的反应混合物冷却至室温,并且向其中加入80份的饱和氯化铵水溶液,然后向其中加入200份的乙酸乙酯。产生的混合物分离成有机层和水层。将有机层用水洗涤5次,然后在减压下浓缩,以得到2.4份的由式(C1-2-2a)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.11(1H,d,J=8.2Hz),7.84-7.53(3H,m),7.35(1H,d,J=7.6Hz),5.52-5.34(2H,m),4.12-3.97(1H,m),1.70-1.23(12H,m),0.89-0.84(6H,m)
MS(ESI(+)谱):[M+Na]+=389.1(C18H26N2O6=366.1)
向1.5份的由式(C1-2-2a)表示的化合物和30份的氯仿的溶液中,加入4.6份的三氟乙酸,并且将得到的混合物在室温搅拌5小时。向得到的反应混合物中加入10%的碳酸钾水溶液,随后用乙酸乙酯萃取。将得到的有机层用离子交换水洗涤并且在减压下浓缩,以得到0.8份的由式(C1-2-2)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.10(1H,d,J=7.9Hz),7.84-7.56(3H,m),5.49-5.32(2H,m),3.43-3.19(1H,m),1.99-1.86(2H,brm),1.82-1.60(1H,m),1.53-1.26(2H,m),0.91-0.74(6H,m)
MS(ESI(+)谱):[M+H]+=267.1(C13H18N2O4=266.1)
合成实施例4
向2.0份的N-叔丁氧基羰基苯丙氨酸和20份的N,N-二甲基甲酰胺的溶液中,加入0.64份的碳酸钾和0.19份的碘化钾,并且将生成物在40℃搅拌1小时。向混合物中加入1.59份的2-硝基苄基氯。将得到的混合物在40℃搅拌。将得到的反应混合物冷却至室温,并且向其中加入80份的饱和氯化铵水溶液,然后向其中加入200份的乙酸乙酯。产生的混合物分离成有机层和水层。将有机层用水洗涤5次,然后在减压下浓缩,以得到2.8份的由式(C1-2-3a)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.15-8.05(1H,m),7.83-7.56(3H,m),5.57-5.32(2H,m),4.32-4.16(1H,m),3.43-3.20(2H,m),2.32-2.10(11H,m),1.96-1.71(3H,m),1.43-1.20(9H,m)
向2.0份的由式(C1-2-3a)表示的化合物和氯仿的溶液中,加入三氟乙酸,并且将得到的混合物在室温搅拌5小时。向得到的反应混合物中加入10%的碳酸钾水溶液,随后用乙酸乙酯萃取。将得到的有机层用离子交换水洗涤并且在减压下浓缩,以得到0.7份的由式(C1-2-3)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.15-8.04(1H,m),7.85-7.55(3H,m),5.51-5.33(2H,m),3.78-3.66(1H,m),2.92-2.67(2H,m),2.30-2.12(1H,brm),2.06-1.51(4H,m)
合成实施例5
向2.0份的1-哌啶丙酸和20份的N,N-二甲基甲酰胺的溶液中,加入0.6份的碳酸钾和0.18份的碘化钾,并且将生成物在40℃搅拌1小时。向混合物中加入2.18份的2-硝基苄基氯。将得到的混合物在40℃搅拌3小时。将得到的反应混合物冷却至室温,并且向其中加入80份的饱和氯化铵水溶液,然后向其中加入200份的乙酸乙酯。产生的混合物分离成有机层和水层。将有机层用水洗涤5次,然后用5%盐酸洗涤。将得到的水层用碳酸钾中和,然后将得到的混合物用乙酸乙酯萃取。将得到的有机层在减压下浓缩,以得到2.4份的由式(C1-3-1)表示的化合物。
1H-NMR(二甲亚砜-d6):δ(ppm)8.11(1H,d,J=7.9Hz),7.81-7.70(2H,m),7.67-7.56(1H,m),5.43(2H,s),2.55(4H,s),2.36-2.26(4H,m),1.51-1.29(6H,m)
MS(ESI(+)谱):[M+H]+=293.1(C15H20N2O4=292.1)
在树脂合成实施例1中,使用下列单体:
树脂合成实施例1
向配备有温度计和回流冷凝器的四颈烧瓶中,加入72.77份的1,4-二烷,并且向其中吹入氮气,历时30分钟。在将其在氮气下加热至75℃以后,在75℃、在2小时内向其中逐滴加入通过下列方式制备的溶液:将76.30份的由式(a1-1-1)表示的单体,11.42份的由式(a1-2-1)表示的单体,11.74份的由式(a2-1-1)表示的单体,52.16份的由式(a3-2-1)表示的单体,0.96份的2,2’-偶氮二异丁腈,4.33份的2,2’-偶氮二(2,4-二甲基戊腈)和109.16份的1,4-二烷混合。将得到的混合物在75℃搅拌5小时。在将反应混合物冷却至室温以后,将反应混合物用212.26份的1,4-二烷稀释,并且将得到的溶液倾倒到536份的甲醇和394份的水的混合物中以引起沉淀。将沉淀物分离并且与985份的甲醇混合。将得到的混合物搅拌,随后过滤以得到沉淀物。将下列操作重复三次:其中将沉淀物与985份的甲醇混合并且将得到的混合物搅拌,随后过滤以得到沉淀物。将得到的沉淀物在减压下干燥,从而以74%的收率得到112份的重均分子量(Mw)为7,400并且分散度(Mw/Mn)为1.83的树脂。此树脂具有衍生自由式(a1-1-1),(a1-2-1),(a2-1-1)和(a3-2-1)表示的单体的结构单元。其被称为树脂A1。衍生自由式(a1-1-1),(a1-2-1),(a2-1-1)和(a3-2-1)表示的单体的结构单元的比率((a1-1-1)/(a1-2-1)/(a2-1-1)/(a3-2-1))为40/10/10/40。此比率是衍生自由式(a1-1-1),(a1-2-1),(a2-1-1)和(a3-2-1)表示的单体的结构单元的摩尔比,并且其基于反应混合物中未反应的单体的量而计算,所述反应混合物中未反应的单体的量使用由Shimadzu Corporation制造的LC 2010HT通过液相色谱分析测量。
实施例1至5和参考实施例1
<酸生成剂>
B1-2:0.95份
<树脂>
树脂A1:10份
<含氮碱性化合物>
Q1-1-1:2,6-二异丙基苯胺
<溶剂>
D:丙二醇单甲醚乙酸酯 250份
丙二醇单甲醚 20份
2-庚酮 10份
γ-丁内酯 3份
将下列组分混合并溶解,进一步通过孔径为0.2μm的氟树脂过滤器过滤,以制备光致抗蚀剂组合物。
树脂:A110份
酸生成剂B1-2 0.95份
化合物(种类和量描述于表1中)
含氮碱性化合物(种类和量描述于表1中)
溶剂D
表1
将硅晶片各自用“ARC-29SR”,即一种获自Nissan Chemical Industries,Ltd.的有机抗反射涂层组合物涂布,然后在205℃、60秒的条件下烘焙,形成厚的有机抗反射涂层。将如上制备的抗蚀剂液体中的每一种旋涂在抗反射涂层上,使得到的膜在干燥后的厚度为100nm。将如此涂有各种抗蚀剂液体的硅晶片各自都在直接式电热板(direct hotplate)上于95℃预烘焙60秒。使用ArF受激准分子分档器(由ASML制造的“XT:1900Gi”,NA=1.35,3/4环形,σ外=0.9,σ内=0.675),使用光掩膜对如此形成的具有相应的抗蚀剂膜的每一个晶片进行接触孔(contact hole)图案曝光,所述光掩膜具有100nm的间距和70nm的孔径。
曝光后,将每个晶片在电热板上于85℃进行曝光后烘焙60秒,然后用2.38重量%的氢氧化四甲铵水溶液进行搅拌显影(paddle development)60秒。
用扫描电子显微镜(S-4100,由Hitachi,Ltd.制造)观察在显影之后的有机抗反射涂层衬底上显影的孔图案中的每一个,其结果示于表2中。
有效灵敏度(ES):它表示为使用间距为100nm并且孔径为70nm的掩膜曝光并显影后,孔图案的孔径变为70nm的曝光量。
曝光宽容度(EL):测量在+10%至-10%的ES量曝光和显影以后的每一个孔图案的孔径。EL表示为得到的孔图案的孔径相对于1mJ/cm2的曝光量的变量。该变量约小,EL越好。
表2
实施例编号 | EL |
实施例1 | 1.2 |
实施例2 | 1.3 |
实施例3 | 1.3 |
实施例4 | 1.5 |
实施例5 | 1.5 |
参考实施例1 | 1.6 |
本发明的光致抗蚀剂组合物提供具有良好曝光宽容度的良好抗蚀剂图案,并且特别适合于ArF受激准分子激光光刻法、KrF受激准分子激光光刻法和ArF浸渍光刻法。
Claims (7)
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中Rc2是由式(2)表示的基团:
-CH2-Rc6 (2)
其中Rc6表示具有一个或多个取代基的C6-C18芳族烃基,并且所述取代基中的至少一个是吸电子基团。
3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述吸电子基团是硝基。
4.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物,其中Rc6是硝基苯基。
5.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中Rc1是由式(1-1),(1-2)或(1-3)表示的基团:
其中Rc3和Rc4与权利要求1中定义的相同,并且Rc7在每次出现时独立地为直链,支链或环状C1-C10脂族烃基,m3表示0至4的整数,
Rc8表示氢原子,直链,支链或环状C1-C15脂族烃基或C7-C15芳烷基,并且所述脂族烃基和所述芳烷基中的一个或多个-CH2-可以被-O-,-CO-或-S-代替,并且所述脂族烃基和所述芳烷基可以具有选自由卤素原子,羟基和巯基(-SH)组成的组中的一个或多个取代基,并且Rc3和Rc8可以彼此结合以与Rc8结合的碳原子和Rc3结合的氮原子一起形成环,
Rc9表示直链,支链或环状C1-C10二价脂族烃基,并且式(1-3)中的Rc3和Rc4可以彼此结合以与Rc3和Rc4结合的氮原子一起形成环。
7.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述树脂在碱水溶液中不溶或难溶,但是通过酸的作用变得在碱水溶液中可溶。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-186907 | 2009-08-11 | ||
JP2009186907 | 2009-08-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101995769A true CN101995769A (zh) | 2011-03-30 |
Family
ID=43588780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010102473957A Pending CN101995769A (zh) | 2009-08-11 | 2010-08-05 | 光致抗蚀剂组合物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110039208A1 (zh) |
JP (1) | JP2011059672A (zh) |
KR (1) | KR20110016414A (zh) |
CN (1) | CN101995769A (zh) |
TW (1) | TW201113639A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI576358B (zh) * | 2015-02-05 | 2017-04-01 | 信越化學工業股份有限公司 | 聚合物、光阻材料及圖案形成方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011057663A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-03-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物及びフォトレジスト組成物 |
KR101841000B1 (ko) | 2010-07-28 | 2018-03-22 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 포토레지스트 조성물 |
JP5947051B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-07-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5947053B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-07-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5829939B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-12-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5829940B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-12-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6034026B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-11-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5898520B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2016-04-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5829941B2 (ja) | 2011-02-25 | 2015-12-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6034025B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-11-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5898521B2 (ja) | 2011-02-25 | 2016-04-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5852490B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-02-03 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6022788B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-11-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6005964B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2016-10-12 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5934536B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-06-15 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5924071B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2016-05-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6013797B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-10-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5912912B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-04-27 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6013799B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-10-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6189020B2 (ja) | 2011-07-19 | 2017-08-30 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6159654A (en) * | 1996-03-04 | 2000-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Negative photosensitive polymer composition of a thermosetting polymer precursor curable by cyclodehydration upon heating |
EP1209525A1 (en) * | 1999-07-12 | 2002-05-29 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Chemical amplification resist composition |
JP2004004561A (ja) * | 2002-02-19 | 2004-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
CN1708728A (zh) * | 2002-10-29 | 2005-12-14 | Jsr株式会社 | 感放射线性树脂组合物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100520168B1 (ko) * | 1999-06-21 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학증폭형 레지스트에 첨가되는 새로운 페닐렌디아민계 유도체 |
US6623907B2 (en) * | 2000-02-04 | 2003-09-23 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
TWI314250B (en) * | 2002-02-19 | 2009-09-01 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
US7304175B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-12-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
JP4590325B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
-
2010
- 2010-08-03 JP JP2010174764A patent/JP2011059672A/ja not_active Withdrawn
- 2010-08-05 CN CN2010102473957A patent/CN101995769A/zh active Pending
- 2010-08-06 US US12/852,083 patent/US20110039208A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-09 TW TW099126444A patent/TW201113639A/zh unknown
- 2010-08-09 KR KR1020100076643A patent/KR20110016414A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6159654A (en) * | 1996-03-04 | 2000-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Negative photosensitive polymer composition of a thermosetting polymer precursor curable by cyclodehydration upon heating |
EP1209525A1 (en) * | 1999-07-12 | 2002-05-29 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Chemical amplification resist composition |
JP2004004561A (ja) * | 2002-02-19 | 2004-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
CN1708728A (zh) * | 2002-10-29 | 2005-12-14 | Jsr株式会社 | 感放射线性树脂组合物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI576358B (zh) * | 2015-02-05 | 2017-04-01 | 信越化學工業股份有限公司 | 聚合物、光阻材料及圖案形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110039208A1 (en) | 2011-02-17 |
TW201113639A (en) | 2011-04-16 |
KR20110016414A (ko) | 2011-02-17 |
JP2011059672A (ja) | 2011-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101995769A (zh) | 光致抗蚀剂组合物 | |
CN102162995A (zh) | 光致抗蚀剂组合物 | |
CN102167677A (zh) | 盐和含有该盐的光致抗蚀剂组合物 | |
TWI490648B (zh) | 化學增幅型光阻組成物及形成光阻圖案的方法 | |
CN101955476A (zh) | 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物 | |
CN101993395A (zh) | 化合物和含有该化合物的光致抗蚀剂组合物 | |
CN102167684A (zh) | 盐以及用于制备酸生成剂的方法 | |
CN102023482A (zh) | 光刻胶组合物 | |
CN102122114A (zh) | 用于制备光致抗蚀剂图案的方法 | |
CN102167676A (zh) | 盐以及含有该盐的光致抗蚀剂组合物 | |
CN102033426A (zh) | 光刻胶组合物 | |
CN102890406A (zh) | 抗蚀剂组合物和用于制备抗蚀图案的方法 | |
TW201602723A (zh) | 光阻組成物以及用以製造光阻圖案的方法 | |
TWI576660B (zh) | 光阻組成物 | |
CN102736417A (zh) | 光致抗蚀剂组合物 | |
TWI610925B (zh) | 鹽及含有該鹽之光阻組成物 | |
CN102890411A (zh) | 抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法 | |
CN101872116A (zh) | 产生光刻胶图案的方法 | |
CN102786419A (zh) | 化合物、树脂、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法 | |
CN102890416A (zh) | 抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法 | |
TW201936591A (zh) | 化合物、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 | |
CN102023483A (zh) | 光致抗蚀剂组合物 | |
CN102952053A (zh) | 盐、光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法 | |
CN102023484A (zh) | 光致抗蚀剂组合物 | |
CN102890413A (zh) | 抗蚀剂组合物和用于生产抗蚀图案的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110330 |