CN101992605B - 热头及热头的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种热头(1)，其中包括：将由玻璃材料构成的平板状的支撑基板(13)及上板基板(11)以叠层状态接合而成的基板主体(12)；形成在上板基板(11)的表面上的发热电阻体(14)；以及局部地覆盖包含发热电阻体(14)的上板基板(11)的表面并加以保护的保护膜(18)，在支撑基板(13)设有对与上板基板(11)的接合面进行开口而形成空腔的多个隔热用凹部(32)及厚度测定用凹部(34)，隔热用凹部(32)形成在与发热电阻体(14)对置的位置，厚度测定用凹部(34)形成在没有被保护膜(18)覆盖的区域。从而，无需分解热头而简单地测定上板基板的厚度。

Description

热头及热头的制造方法

技术领域

本发明涉及热头(thermal head)及热头的制造方法。

背景技术

众所周知，一直以来热头用于多数搭载于以小型手提式终端机为代表的小型信息设备终端的热敏打印机，并基于印相数据有选择地驱动多个发热电阻体来对感热记录介质进行印相(例如，参照专利文献1)。

在热头的高效率化中，有在支撑发热电阻体的基板形成空腔部的方法。该空腔部用作中空隔热层，从而减少在发热电阻体产生的热量中向基板侧传递的下方传递热量，并增大向发热电阻体的上方传递的上方传递热量，从而能提高印字时所需的能量效率。

在专利文献1所记载的热头，接合由玻璃等的相同材料构成的上板基板和支撑基板而构成一体型的基板。在这些上板基板或支撑基板的任一个上设置凹部，以闭塞凹部的方式接合上板基板和支撑基板而一体化，从而在一体型的基板的内部形成空腔部。在这种一体型的基板中，上板基板用作支撑发热电阻体等的支撑构件并且也用作储存来自发热电阻体的热的蓄热层，因此上板基板的厚度尺寸对进行热头的质量管理的方面较为重要。特别是，在对上板基板实施薄板化处理或表面处理等的情况下，有可能使上板基板的厚度不均匀，因此需要对热头进行质量管理，以使上板基板的厚度均匀。

专利文献1：日本特开2007-83532号公报

但是，由于使上板基板与支撑基板一体化并且在表面上形成发热电阻体或保护膜等，所以在完成的热头中，已经存在无法只测定上板基板的厚度的问题。在测定已完成的热头的上板基板的厚度时，不得不分解热头后进行测定。

发明内容

本发明鉴于上述的状况构思而成，其目的在于提供无需分解热头而能简单地测定上板基板的厚度的热头及其制造方法。

为了达成上述目的，本发明提供以下方案。

本发明提供一种热头，包括：以叠层状态接合由玻璃材料构成的平板状的支撑基板及上板基板而成的基板；形成在所述上板基板的表面上的发热电阻体；以及局部地覆盖包含该发热电阻体的所述上板基板的所述表面并加以保护的保护膜，在所述支撑基板设有对与所述上板基板的接合面进行开口而形成空腔的多个开口部，该开口部中的任意开口部形成在与所述发热电阻体对置的位置，该开口部中的其它任意开口部形成在没有被所述保护膜覆盖的区域。

依据本发明，配置在发热电阻体的正下方的上板基板用作蓄热层。此外，在与发热电阻体对置的位置形成有开口部的支撑基板中的空腔用作中空隔热层。通过用作该中空隔热层的空腔，减少在发热电阻体产生的热量中通过上板基板向支撑基板侧传递的热量，并增大向发热电阻体的上方传递而用于印字等的热量，从而能提高发热效率。此外，通过保护膜，能够保护发热电阻体不会磨损或腐蚀。

另一方面，在上板基板的表面没有被保护膜覆盖的区域设置的开口部的位置中，上板基板的表面及背面都面向空气。即，上板基板的表面露出于外部，其背面向通过闭塞开口部来形成的空腔。

因而，即使上板基板与支撑基板接合的状态下，如果对表面及背面都面向空气的上板基板的该区域照射光，也会因上板基板与空气的折射率差异而能够在上板基板的表面及背面上分别反射光。从而，能以光学方式检测上板基板的表面及背面的位置，并在不分解热头的情况下能够简单地测定上板基板的厚度。

在上述发明中，所述开口部也可以是在与所述上板基板的接合面凹陷的凹部，或者，也可以是沿厚度方向贯通所述支撑基板的贯通孔。

本发明提供一种热头的制造方法，其中包括：开口部形成工序，形成对由玻璃材料构成的平板状的支撑基板的一个表面进行开口的多个开口部；接合工序，在通过该开口部形成工序形成所述开口部的所述支撑基板的一个表面，以闭塞所述开口部的方式接合由玻璃材料构成的平板状的上板基板；电阻体形成工序，在通过该接合工序以叠层状态接合至所述支撑基板的一个表面的所述上板基板的表面的与任意所述开口部对置位置形成发热电阻体；以及保护膜形成工序，以不覆盖与任意所述开口部对置的所述表面的方式形成保护膜，该保护膜局部地覆盖包含通过该电阻体形成工序形成的所述发热电阻体的所述上板基板的所述表面并加以保护。

依据本发明，通过接合工序，对支撑基板的一个表面开口的多个开口部被上板基板覆盖而形成各空腔部。此外，发热电阻体形成在与开口部对置的位置的空腔部，对于发热电阻体产生的热起到中空隔热层的作用。由此，能够制造减少发热电阻体产生的热量中向支撑基板侧传递的热量，并可增大向发热电阻体的上方传递而用于印字等的热量的发热效率高的热头。

另一方面，与没有被通过保护膜形成工序形成的保护膜覆盖的开口部对置的上板基板的表面及背面都面向空气。因而，利用上板基板和空气的折射率差异，能以光学方式检测上板基板的表面及背面的位置，能够制造出在制造后能简单地测定上板基板的厚度的热头。

此外，在上述发明中具备薄板化工序，以将通过所述接合工序接合至所述支撑基板的一个表面的所述上板基板薄板化也可。

通过这样构成，经电阻体形成工序及保护膜形成工序在薄板化的上板基板的表面形成发热电阻体及保护膜。经薄板化工序减少上板基板的厚度，从而减少作为蓄热层的热容量，能够制造出将发热电阻体产生的热量可以有效率地利用到印字等的热头。

此外，在上述发明中，也可以具备测定工序，对与形成在所述上板基板的表面没有被所述保护膜覆盖的位置的所述开口部对置的所述上板基板的区域照射光，通过在所述上板基板的所述表面及背面上的反射光检测所述表面及所述背面的位置，测定所述上板基板的厚度。

通过这样构成，经测定工序能够从上板基板的表面侧朝着形成在上板基板的表面没有被保护膜覆盖的位置的开口部照射光，仅检测在上板基板的表面及背面中分别反射的反射光来测定上板基板的准确的厚度尺寸，从而能够制造出已知上板基板的准确的厚度的热头。

此外，上述发明中，所述开口部形成工序形成排列多个组的多个所述开口部，具备在所述保护膜形成工序后按所述开口部的每个组切断所述上板基板及所述支撑基板的切断工序也可。

通过这样构成，能够一次性制造多数热头，并能提高生产性且减少成本。这时，即使在同一支撑基板内厚度发生变动，也能高精度地管理所制造的所有热头的上板基板的厚度。

(发明效果)

依据本发明，得到在不分解热头的情况下能简单地测定上板基板的厚度的效果。

附图说明

图1是具备用本发明的一个实施方式的热头的制造方法来制造的热头的热敏打印机的概略剖视图。

图2是从保护膜侧观看图1的热头的平面图。

图3是与图2的热头的长边方向正交的纵剖视图。

图4是本发明的一个实施方式的热头的制造方法的流程图。

图5是表示测定图1的热头的上板基板的厚度的样子的概略剖视图。

图6是作为本发明的一个实施方式的热头的制造方法而增加了发热电阻体的电阻值的调整方法的流程图。

图7是使上板基板的厚度与发热电阻体的目标电阻值对应的数据库。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的一个实施方式的热头及其制造方法进行说明。

本实施方式的热头1用于例如图1所示的热敏打印机100。该热敏打印机100包括：主体框架2；水平配置的压纸滚轴(platen roller)4；与压纸滚轴4的外周面对置配置的热头1；向压纸滚轴4与热头1之间输送感热纸3等的印刷对象物的送纸机构6；以及将热头1以规定按压力按压到感热纸3的加压机构8。

通过加压机构8的工作，热头1及感热纸3被按压到压纸滚轴4。由此，成为压纸滚轴4的载荷经由感热纸3加到热头1上。

热头1如图2所示成为板状，其中包括：矩形状的基板主体(基板)12；在基板主体12的上表面以规定间隔排列的多个发热电阻体14；与各发热电阻体14连接的电极布线16；以及局部地覆盖包含发热电阻体14及电极布线16的基板主体12的上表面而保护它们不会磨损或腐蚀的保护膜18。图中，发热电阻体14表现为1条直线状，但实际上沿着基板主体12的长边方向以微小间隔排列多个(例如4096个)。

此外，在该基板主体12的上表面，具备：经由电极布线16电连接至各发热电阻体14的驱动用IC22；覆盖驱动用IC22保护其不会磨损或腐蚀，并配置在基板主体12的上表面的IC树脂覆盖膜24；以及对发热电阻体14供电的多个(例如10个左右)给电部26。

如图3所示，基板主体12构成为固定于由铝等的金属、树脂、陶瓷或玻璃等构成的板状构件的散热板28，能够通过散热板28进行散热。该基板主体12以叠层状态接合形成有所述发热电阻体14或驱动用IC22等的平板状的上板基板11和支撑上板基板11的平板状的支撑基板13而构成。

上板基板11是厚度10～50μm左右的玻璃基板。该上板基板11配置于发热电阻体14的正下方，从而作为储存从发热电阻体14产生的一部分热的蓄热层起作用。

支撑基板13是例如具有300μm～1mm左右的厚度的绝缘性玻璃基板。此外，支撑基板13及上板基板11最好采用由彼此相同的材料构成的玻璃基板或者性质接近的玻璃基板。

在支撑基板13形成有与上板基板11的接合面凹陷的隔热用凹部(开口部)32及2个厚度测定用凹部(开口部)34(以下，将隔热用凹部32及厚度测定用凹部34称为“凹部32、34”。)。

热用凹部32形成为沿支撑基板13的长边方向延伸的矩形状，配置在与所有的发热电阻体14对置的位置。

厚度测定用凹部34形成为具有100μm左右的开口宽度的正方形状，配置在上板基板11上的没有被保护膜18或IC树脂覆盖膜24覆盖的位置。例如，配置在支撑基板13的接合面上的角部(corner)附近。

这些上板基板11及支撑基板13，以叠层状态在支撑基板13的一个表面接合上板基板11，以闭塞凹部32、34。通过用上板基板11覆盖凹部32、34，在上板基板11与分别形成支撑基板13之间隔热用空腔部33及厚度测定用空腔部35。

隔热用空腔部33作为抑制在上层形成的发热电阻体14产生的热从上板基板11向支撑基板13一侧传递的中空隔热层起作用，具有与所有的发热电阻体14对置的连通结构。

在上板基板11的表面，发热电阻体14设置成分别沿宽度方向横跨隔热用空腔部33，在隔热用空腔部33的长边方向以规定间隔排列。即，各发热电阻体14隔着上板基板11配置在与隔热用空腔部33对置的位置。

电极布线16包括连接至与各发热电阻体14的排列方向正交的方向的一端的个别电极布线和与所有发热电阻体14的另一端连接成一体的共同电极布线。

驱动用IC22个别地控制各发热电阻体14的发热动作，控制经由个别电极布线施加的电压，并能驱动所选择的发热电阻体14。在上板基板11上沿着发热电阻体14的排列方向隔着间隔而配置有2个驱动用IC22，分别通过个别电极布线使半数的发热电阻体14连接至各驱动用IC22。

通过驱动用IC22对个别电极布线有选择地施加电压的情况下，电流流过连接有所选择的个别电极布线的发热电阻体14，使该发热电阻体14发热。在该状态下，根据加压机构8的工作，通过在覆盖发热电阻体14的发热部分的保护膜18的表面部分(印字部分)按压感热纸3，能够使感热纸3发色而印字。

由于隔热用空腔部33作为中空隔热层起作用，与向在发热电阻体14的一面邻接的上板基板11传递的热量相比，向发热电阻体14的另一面邻接的保护膜18的方向传递的热量增大。在印刷时保护膜18上被按压感热纸3，因此通过增大对该方向的热量来增大用于印字等的热量，能够提高利用效率。

在厚度测定用空腔部35的位置中，上板基板11的表面及其背面都面向空气。即，上板基板11的表面露出于外部而与外气接触，背面与通过闭塞厚度测定用凹部34来形成的厚度测定用空腔部35内的空气接触。

以下，对这样构成的热头1的制造方法进行说明。

如图4的流程图所示，本实施方式的热头1的制造方法，其中包括：形成对支撑基板13的一个表面进行开口的凹部32、34的凹部形成工序(开口部形成工序)S1；在形成有凹部32、34的支撑基板13的一个表面以闭塞凹部32、34的方式接合上板基板11的接合工序S2；在接合至支撑基板13的一个表面的上板基板11的表面的与隔热用凹部32对置的位置形成发热电阻体14的电阻体形成工序S4；以及在上板基板11上以覆盖与厚度测定用凹部34对置的表面的方式形成保护膜18的保护膜形成工序S5。

以下，对各工序做具体说明。

首先，在凹部形成工序S1中，在支撑基板13的一个表面中与发热电阻体14对置的位置形成隔热用凹部32，并且在没有被保护膜18或IC树脂覆盖膜24覆盖的区域形成厚度测定用凹部34(步骤S1)。这些凹部32、34，例如能够通过实施喷射(sand blast)、干蚀刻、湿蚀刻、激光加工等来形成在支撑基板13的一个表面。

在对支撑基板13实施喷射加工的情况下，在支撑基板13的一个表面覆盖光刻胶材料，利用规定图案的光掩模对光刻胶材料进行曝光，使形成凹部32、34的区域以外的部分固化。

其后，清洗支撑基板13的一个表面，除去未固化的光刻胶材料，从而得到在形成凹部32、34的区域形成有蚀刻窗的蚀刻掩模(省略图示)。在该状态下，对支撑基板13的一个表面实施喷射，形成规定深度的凹部32、34。此外，隔热用凹部32的深度优选为例如10μm以上且支撑基板13的厚度的一半以下。此外厚度测定用凹部34的开口宽度优选为例如10μm左右。

此外，在实施干蚀刻或湿蚀刻等的蚀刻加工的情况下，与上述喷射加工同样地，形成蚀刻掩模，该蚀刻掩模在支撑基板13的一个表面上的形成凹部32、34的区域形成有蚀刻窗。然后，以该状态对支撑基板13的一个表面实施蚀刻，形成规定深度的凹部32、34。

该蚀刻处理除了可以使用例如利用氟酸类的蚀刻液等的湿蚀刻以外，也可以使用反应性离子蚀刻(RIE)或等离子体蚀刻等的干蚀刻。此外，作为参考例，当支撑基板为单晶硅的情况下，进行利用诸如氢氧化四甲铵溶液、KOH溶液、或氟酸与硝酸的混合液等的蚀刻液的湿蚀刻。

接着，在接合工序S2中，从支撑基板13的一个表面除去全部的蚀刻掩模，并清洗表面。然后，在支撑基板13的该一个表面粘合上板基板11，以闭塞凹部32、34。例如，在室温中不使用粘接层而直接将上板基板11与支撑基板13粘合。

通过用上板基板11覆盖支撑基板13的一个表面，即，用上板基板11闭塞凹部32、34的开口部，在上板基板11与支撑基板13之间分别形成隔热用空腔部33及厚度测定用空腔部35。在该状态下，对贴合的上板基板11和支撑基板13进行加热处理，通过热熔接来接合(步骤S2)。

在此，作为上板基板11，100μm以下厚度的基板在制造或处理(handling)方面有困难，此外，价格高。因此，原先就取代在支撑基板13直接接合薄的上板基板11，而在支撑基板13接合较容易制造或处理的厚度的上板基板11，然后，经蚀刻或研磨等来将上板基板11加工成所希望的厚度也可(步骤S3，薄板化工序S3)。

通过薄板化工序S3，能够在支撑基板13的一个表面容易且低价地形成极薄的上板基板11。此外，通过减少上板基板11的厚度，使作为蓄热层的热容量减少，能够制造出可以将发热电阻体14产生的热量有效率地利用到印字等的热头1。

此外，上板基板11的蚀刻，能够使用如凹部形成工序S1那样形成凹部32、34时采用的各种蚀刻。此外，上板基板11的研磨，能够使用例如用于半导体晶片等的高精度研磨的CMP(化学机械研磨)等。

接着，在电阻体形成工序S4中，在与上板基板11上的隔热用凹部32对置的位置形成发热电阻体14(步骤S4)。在此，能够使用溅射法或CVD(化学气相生长法)或蒸镀等的薄膜形成法。在上板基板11上形成Ta类或硅化物类等的发热电阻体材料的薄膜，并且用升板(lift off)法或蚀刻法等来将该薄膜成形，从而能形成所希望的形状的发热电阻体14。

接着，与电阻体形成工序S4同样地，通过溅射法或蒸镀法等来在上板基板11上形成Al、Al-Si、Au、Ag、Cu、Pt等的布线材料的膜。然后，用升板法或蚀刻法来将该膜成形，或者网版印刷布线材料后进行烧结，从而形成电极布线16。此外，形成发热电阻体14或电极布线16的顺序是任意的。在发热电阻体14及电极布线16上的升板或蚀刻用的抗蚀剂材料的构图中，利用光掩模来对光刻胶材料进行构图。

接着，在保护膜形成工序S5中，在形成了发热电阻体14及电极布线16后，在上板基板11上，通过溅射法、离子镀、CVD法等来成膜SiO₂、Ta₂O₅、SiAlON、Si₃N₄、类金刚石(Diamond Like Carbon)等的保护膜材料而形成保护膜18(步骤S5)。

这时，保护膜18局部地覆盖包含发热电阻体14及电极布线16的上板基板11的表面，并且形成为覆盖与厚度测定用凹部34对置的表面。通过这样构成，在厚度测定用凹部34的位置中，使上板基板11的表面及其背面都面向空气。

此外，驱动用IC22、IC树脂覆盖膜24及给电部26能够利用传统热头的公知制造方法来形成。

通过以上工序，制造出图2及图3所示的热头1。

在此，在本实施方式的热头1的制造方法中，具备测定已制造的热头1的上板基板11的厚度的测定工序S6也可。

在测定工序S6中，对与厚度测定用凹部34对置的上板基板11的区域照射光，并通过上板基板11的表面及背面上的反射光来检测其表面及背面的位置，从而测定上板基板11的厚度即可(步骤S6)。

如上所述，在厚度测定用凹部34的位置中上板基板11的表面及其背面都面向空气，因此例如图5所示，朝着厚度测定用凹部34从上板基板11的表面侧照射蓝色激光时，由于上板基板11和空气的折射率差异，蓝色激光在上板基板11的表面及背面上反射。

因而，仅通过传感器9等来检测在上板基板11的表面及背面上分别反射的反射光，能以光学方式测定上板基板11的准确的厚度尺寸，由此，能够制造出已知上板基板11的准确厚度的热头1。此外，一般设蓝色激光的光点直径为0.9μm时，通过使厚度测定用凹部34的开口宽度成为100μm左右的大小，能够容易进行激光光点的定位。

如以上说明的那样，依据本实施方式的热头1，能以光学方式检测所完成的热头1中上板基板11的与厚度测定用凹部34对置的区域的表面及背面的位置，无需分解而能简单地测定上板基板11的厚度。此外，依据本实施方式的热头1的制造方法，能够制造这样的热头1。

此外，在本实施方式中，作为开口部，例示地说明了凹部32、34，但取代这些凹部，例如，做成沿厚度方向贯通支撑基板13的贯通孔也可。

此外，在本实施方式中，关注单个热头1并说明了制造方法，但从大型的上板基板及支撑基板形成多数热头1时，在凹部形成工序S1中，将多个凹部32、34排列多组而形成，并在保护膜形成工序S5后按凹部32、34的每个组切断上板基板及支撑基板即可(切断工序)。通过这样构成，能够一次性制造多数热头1，并能提高生产性且减少成本。这时，即使在大型的同一支撑基板内厚度发生了变动，也能高精度地管理已制造的所有热头1的上板基板11的厚度。

此外，在本实施方式的热头1的制造方法中，如图6的流程图所示，也可以具备调整发热电阻体14的电阻值的以下工序。

具体地说，可以包括：基于经测定工序S6测定的上板基板11的厚度确定发热电阻体14的目标电阻值的确定工序S7；以及将发热电阻体14的电阻值调整为与通过确定工序S7确定的目标电阻值大致一致的电阻值调整工序S8。这时，例如在电阻体形成工序S4中，先形成具有高于目标电阻值的电阻值的发热电阻体14。

在确定工序S7中，从图7所示那样使上板基板11的厚度与目标电阻值对应的数据库读出目标电阻值即可。通过这样构成，能够由数据库简单且迅速地确定发热电阻体14的目标电阻值。此外，作为目标电阻值，设定为可根据上板基板11的厚度利用所希望的热量即可。

接着，在电阻值调整工序S8中，通过对发热电阻体14施加规定能量来降低发热电阻体14的电阻值，使之与目标电阻值大致一致即可。通过这样构成，能够容易且在短时间内改变发热电阻体14的电阻值。作为规定能量，例如可以使用电压脉冲，或者，可以使用激光。

在对发热电阻体14施加电压脉冲的情况下，无需使用用于调整发热电阻体14的电阻值的特别装置，仅通过对发热电阻体14施加比通常的印字作用时更高电压的电压脉冲，能够简单地改变电阻值。此外，在对发热电阻体14照射激光时，能够局部地改变照射激光的部分的电阻值。此外，通过改变激光的照射宽度，能够容易调节改变发热电阻体14的电阻值的范围。

在此，通过薄板化工序S3将上板基板11薄板化，由此减少作为蓄热层的热容量，从而，抑制发热电阻体14产生的热量中被上板基板11夺去的热量，增加可利用的热量。因而，通过薄板化工序S3，根据薄板化的上板基板11的厚度，改变热头1的可利用的热量。

因此，通过电阻值调整工序S8调整发热电阻体14的电阻值，使之与基于在薄板化工序S3中薄板化的上板基板11的厚度经确定工序S7确定的目标电阻值大致一致，由此不管上板基板11的厚度如何都能制造可以利用所希望的热量的热头1。

此外，在电阻体形成工序S4中形成具有低于目标电阻值的电阻值的发热电阻体14，通过照射激光等来提高发热电阻体14的电阻值，使之与目标电阻值大致一致也可。

附图标记说明

1热头；11上板基板；12基板主体(基板)；13支撑基板；14发热电阻体；18保护膜；32隔热用凹部(开口部)；34厚度测定用凹部(开口部)；S1凹部形成工序(开口部形成工序)；S2接合工序；S3薄板化工序；S4电阻体形成工序；S5保护膜形成工序；S6测定工序。

Claims (7)

1.一种热头，其中包括：

以叠层状态接合由玻璃材料构成的平板状的支撑基板及上板基板而成的基板；

形成在所述上板基板的表面上的发热电阻体；以及

局部地覆盖包含该发热电阻体的所述上板基板的所述表面并加以保护的保护膜，

在所述支撑基板设有对与所述上板基板的接合面进行开口而形成由该上板基板闭塞的空腔的隔热用凹部及厚度测定用凹部，

所述隔热用凹部形成在与所述发热电阻体对置的位置，

所述厚度测定用凹部形成在没有被所述保护膜覆盖的区域。

2.如权利要求1所述的热头，其中，

所述隔热用凹部及／或所述厚度测定用凹部是在与所述上板基板的接合面凹陷的凹部。

3.如权利要求1所述的热头，其中，

所述隔热用凹部及／或所述厚度测定用凹部是将所述支撑基板沿厚度方向贯通的贯通孔。

4.一种热头的制造方法，其中包括：

开口部形成工序，形成对由玻璃材料构成的平板状的支撑基板的一个表面进行开口的隔热用凹部及厚度测定用凹部；

接合工序，在通过该开口部形成工序形成所述隔热用凹部及所述厚度测定用凹部的所述支撑基板的一个表面，以闭塞这些隔热用凹部及厚度测定用凹部而形成闭塞的空腔的方式接合由玻璃材料构成的平板状的上板基板；

电阻体形成工序，在通过该接合工序以叠层状态接合至所述支撑基板的一个表面的所述上板基板的表面的与所述隔热用凹部对置位置形成发热电阻体；以及

保护膜形成工序，以不覆盖与所述厚度测定用凹部对置的所述表面的方式形成保护膜，该保护膜局部地覆盖包含通过该电阻体形成工序形成的所述发热电阻体的所述上板基板的所述表面并加以保护。

5.如权利要求4所述的热头的制造方法，其中，

包括将通过所述接合工序接合至所述支撑基板的一个表面的所述上板基板薄板化的薄板化工序。

6.如权利要求4所述的热头的制造方法，其中，

具备测定工序，对与形成在所述上板基板的表面没有被所述保护膜覆盖的位置的所述厚度测定用凹部对置的所述上板基板的区域照射光，通过在所述上板基板的所述表面及背面上的反射光检测所述表面及所述背面的位置，测定所述上板基板的厚度。

7.如权利要求4所述的热头的制造方法，其中，

所述开口部形成工序形成排列多个组的所述隔热用凹部及所述厚度测定用凹部，具备在所述保护膜形成工序后按所述隔热用凹部及所述厚度测定用凹部的每个组切断所述上板基板及所述支撑基板的切断工序。