CN101960044B - 固态前体升华器 - Google Patents

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Abstract

一种用于在升华器中保持固态前体的装置和方法,以使固态前体能蒸发用于使载气饱和。该装置可包括形成内部通道和外部通道的交替的盘状件或搁架,以及用于流体联接所述通道的在各盘状件之间的空间,以便形成穿过升华器的曲折迂回的流体流动路径,用来优化固体蒸汽饱和作用。该方法可包括将载气引导入升华室,在外部通道中绕过第一搁架,在所述空间中越过第一搁架上方,在内部通道中绕过第二搁架,并退出升华室。

Description

固态前体升华器
技术领域
本发明总体涉及化学气相沉积领域,而更准确地说,涉及相变方法和在固态前体(前驱物,precursor)材料的升华中所用的装置。更具体地说,本发明涉及用于使固态前体材料蒸发而同时约束该固态前体材料的装置。
背景技术
随着半导体产业的进步,需要利用新的前体材料,该新的前体材料满足严格的薄膜需求。前体在广泛的应用中用来沉积半导体层。例如,固态前体可包括用于阻挡层、高k/低k介电层、金属电极层、互连层、铁电层、氮化硅层、或氧化硅层的成分。此外,固态前体可包括起用于化合物半导体的掺杂剂作用的成分。某些新颖材料在标准温度和压力下呈固体形式,不能直接输送到半导体薄膜沉积室以用于制造工艺。示例性的前体材料包括由铝、钡、铋、铬、钴、铜、金、铪、铟、铱、铁、镧、铅、镁、钼、镍、铌、铂、钌、银、锶、钽、钛、钨、钇和锆构成的那些无机和有机金属化合物。这些材料通常具有很高的熔点和低蒸汽压,且在引入沉积室之前必须在窄的温度和压力范围内升华。
已经开发出用于半导体制造工艺的固态前体材料升华的技术。固体升华器系统通常用于生产固体蒸汽(solid vapor)供沉积用。由于各种各样的固态前体具有独立的升华温度和压力范围,所以升华器和输送系统优选地能具有灵活的操作参数。优选地,将升华器构造为在所期望的温度和压力下使前体蒸发,且在没有污染的情况下将前体输送到沉积室。
目前,有几种类型工业用市售固体升华器。在一种应用中,将固态前体收集并随意堆积在容器隔室内部。将隔室加热到高温,并将惰性载气引入隔室,以便将升华的气相向下游运送用于薄膜沉积。尽管成本低,但这种应用可能造成载气不饱和或者前体蒸汽在载气中的浓度不稳定。另外,由于运行一段时间之后固体的消耗和穿过附聚的固体颗粒形成沟流,所以载气与固态前体之间的接触时间显著地缩短。作为补偿这个缺点的一种手段,以及为了减少载气和固体之间的接触时间,在隔室内部安装搅拌结构,以便连续地搅拌固体。搅拌结构设计用来防止固体在运行状况下附聚、消除沟流、并保持载气与固体的足够的接触。然而,由于堆积在容器内部的前体固体物的消耗和/或高度,搅拌器未能充分缩短接触时间。此外,搅拌器的活动部件降低了操作效率,增加了维修停机时间,并引起有关泄漏和安全性的问题。
在工业中的另一种常规应用包括将固态前体涂覆在不同结构的表面上。例如,固态前体能涂覆在同心式设置在用于升华的加热的容器内部的圆柱体表面上。各表面可能经受沿着表面不均匀分布的温度分布,并因此经受不稳定的固体的升华,而造成不稳定的前体材料蒸汽浓度。可选地,可将涂覆表面安装在旋转轴上。该涂覆表面能局部加热,用于固态前体的平稳升华。然而,利用这种装置的蒸发速率限于低载气流量。该载气流量对于工业规模操作需求而言可能不可行。
最近,已经实施设法将固体材料分布在容器或隔室内部流体式连接的受热表面上。在这种应用中,载气穿过许多通路流动,所述通路构造为联接受热表面之间/穿过受热表面的气体流动路径。载气的路线是从下部的受热表面、穿过通路到达上部的层或位置。在某些应用中,载气穿过各通路将升华的前体蒸汽从加热表面的底部表面运送到顶部表面。然而,为了使升华效率和受热表面的表面积最大化,大量的通路可能是必不可少的。在这些应用中,使通路直径最小化以使受热的表面积最大化。小直径通道很容易被从加热表面落下的小颗粒或者通道中无意中沉积的前体材料堵塞。
因此,在工业中需要一种固态前体升华器,用于以短接触时间、高流量、低维修保养来使固态前体升华,生产稳定的饱和载气。
发明内容
本文公开的是一种用于使固态前体蒸发的装置。在一实施例中,该装置包括:容器,所述容器包括可密封开口、流体入口、流体出口和内部尺寸;至少一个第一搁架,该第一搁架具有小于容器内部尺寸的外部尺寸,以便形成外部通道,并包括具有外部尺寸的内部支承件;至少一个第二搁架,该第二搁架包括外部支承件和开口,所述外部支承件定位在容器内部尺寸处,所述开口大于第一搁架内部支承件的外部尺寸;以及其中第一搁架构造成与第二搁架形成叠置的垂直堆垛(stack),用于定位在容器中,并且穿过外部通道在第一搁架和第二搁架之间建立流体流动路径。
在另一个实施例中,一种用于在升华室中支承固态前体的装置包括:第一搁架,该第一搁架包括用于支承固态前体的顶部表面、底部表面、和垂直取向的内部支承件;第二搁架,该第二搁架包括用于支承固态前体的顶部表面、底部表面、和垂直取向的外部支承件,所述外部支承件周向/沿圆周设置在第二搁架上,并热耦合/联接(couple)到升华室内壁上;内部通道,该内部通道设置在第二搁架和第一搁架内部支承件之间;外部通道,该外部通道设置在第一搁架和第二搁架外部支承件之间;以及在第一和第二搁架之间的水平设置的空间,该空间在升华室中内部通道和外部通道之间建立流体流动路径。
在另一个实施例中,一种用于使固态前体蒸发的装置包括:容器,该容器包括流体入口、流体出口和内壁;一系列堆叠的盘状件,所述盘状件包括内部盘状件和外部盘状件,其中每个内部盘状件与容器内壁形成外部流体通道,每个外部盘状件与内部支承件形成内部流体通道;在各个堆叠的盘状件之间的空间,用于保持固态前体;和气体流动路径,该气体流动路径从流体入口开始、在内部流体通道和外部流体通道中围绕堆叠的盘状件、在所述空间中越过堆叠的盘状件上方、并通到流体出口。
在另一个实施例中,一种沉积薄膜的方法包括:将固态前体装载到第一搁架上,其中第一搁架包括用于保持固态前体的环形槽;将固态前体装载到第二搁架上,其中第二搁架包括用于保持固态前体的环形槽;将第一搁架和第二搁架垂直地堆叠,在它们之间具有一分隔空间;将堆叠的第一搁架和第二搁架安置在升华室中,该升华室具有载气入口和载气出口;密封升华室;加热升华室;使载气从入口流进、穿过外部通道围绕第一搁架、穿过分隔空间越过第一搁架及其上的固态前体的上方、穿过内部通道围绕第二搁架、越过第二搁架及其上的固态前体的上方、并流到出口;将固体蒸汽饱和气体引导到沉积室;以及沉积蒸汽中的固体。
上面已经相当概括地概述了本发明的某些实施例的某些特征和技术优势,以便更好地理解后面本发明的详细说明。这些和另外的实施例、特征和潜在优势在下面详细说明中将显而易见。
附图说明
为了详细说明本发明的优选实施例,现在参照附图进行,其中:
图1示出根据本发明的实施例的用于使固态前体升华、包括交替的环形盘状件的升华器。
图2A示出用于升华器的环形盘状件的实施例。
图2B示出构造成用于在升华器内堆叠的环形盘状件的实施例。
图3示出构造成用于在升华器内交替装配并堆叠的环形盘状件的实施例。
图4A示出用于升华器的锥形的环形盘状件的实施例。
图4B示出构造成用于在升华器内交替装配并堆叠的锥形的环形盘状件的实施例。
图5示出包括锥形的环形盘状件的用于使固态前体升华的升华器的实施例。
图6A-6C示出用于使固态前体升华的升华器中的环形盘状件的前体保持装置的各种实施例。
图6D示出包括环形盘状件和前体保持装置的用于使固态前体升华的升华器的实施例。
图7示出用于包括交替环形盘状件的升华器的操作的示意流程图。
图8示出包括交替环形盘状件的升华器在变化的气体流量下的操作数据。
图9示出在运行期间跨越环形盘状件的温度分布。
具体实施方式
在一实施例中,说明了固态前体升华器。一般而言,升华器包括被加热的圆筒形室,该圆筒形室构造为供气体穿过其流动。该室包括至少一个搁架或环形盘状件,该搁架或环形盘状件设置在室中并用于支承固体材料。搁架可构造为具有环形开口,所述环形开口在居中设置的支承件和/或室的壁之间,从而气体可穿过其中流动。另外,室构造为使气体在搁架的顶部表面之上流动,与支承在搁架上的固体材料接触。在某些情况下,搁架可包括构造成将固体材料物理地保持在搁架上的闭合件、盖或多孔板。闭合件构造成允许气体穿过其中流动,并与所支承的固体材料接触。
图1示出用于使固态前体升华的固态前体升华器100的实施例。固态前体包括任何无机和/或有机化学化合物,例如铝、钡、铋、铬、钴、铜、金、铪、铟、铱、铁、镧、铅、镁、钼、镍、铌、铂、钌、银、锶、钽、钛、钨、钇、或锆化合物。例如,铪化合物可包括四氯化铪或四二甲基氨基铪,但不受此限制。另外,固态前体可包括该领域技术人员众所周知的任何材料,以生产高-k薄膜、低-k薄膜、金属薄膜、半导体薄膜、中间层、介电层和掺杂剂,但不受此限制。
利用外部加热器(未示出)提供热量给升华器。外部加热器通过该领域的技术人员众所周知的任何机构联接到升华器和/或升华器的任何内部元件上。例如,外部加热器可为电加热条和/或带,以便提供足够的热量给容器。加热器可包括技术人员所理解的能够加热升华器和/或内部元件的任何加热器。在某些情况下,外部加热器构造为用于保持从室温到约500℃,在某些情况下到约300℃的高温。外部加热器能提供所需的升华热以用于扩展操作。在操作中,温度视待升华的固态前体材料而定来保持。
升华器100构造为用于载气的导管或接触容器。载气保持在约0升/分钟-5升/分钟之间的流量下;可选地,流量在约0升/分钟-2升/分钟之间。载气是任何惰性气体,包括氮、氦、氩、氙或其它气体,但不受此限制,并视薄膜沉积工艺而定。在某些应用中,载气是活性气体,如NO、NO2、CO、CO2以及其它气体,但不受此限制。
升华器100包括容器33。容器33通常是圆筒形容器,而可选地,容器33可不受限制地包括任何形状。容器33由诸如不锈钢、镍及其合金、石英、玻璃及其它化学上相容的材料之类的材料构造,但不受此限制。在某些情况下,容器33由另外的金属或金属合金构造,但不受此限制。在某些情况下,容器33具有从约8厘米到约55厘米的内径,以及可选地,从约8厘米到约30厘米的内径。如该领域的技术人员所理解的,可选构型可具有不同的尺寸。
容器33包括可密封顶部15、密封件18、和垫圈20。可密封顶部15构造为从外部环境密封容器33。可密封顶部15构造成容许进入/接近容器33。此外,可密封顶部15构造成供进入容器33的导管通过。可选地,可密封顶部15构造成允许流体流入容器33。可密封顶部15构造成接收并穿过包括下沉管(dip tube)92的导管,以便保持与容器33流体接触。具有控制阀90和配件/接头95的下沉管92构造成用于使载气流入容器33。在某些情况下,下沉管92沿着容器33的中心轴线向下延伸。另外,可密封顶部15构造成接收并穿过包括出口管12的导管。载气穿过出口管12从容器33去除。出口管12包括控制阀10和配件5。在某些情况下,出口管12流体联接到气体输送歧管上,用于将载气从升华器100导引到薄膜沉积室。
容器33和可密封顶部15通过至少两个密封件18密封,可选地,通过至少约4个密封件密封。在某些情况下,可密封顶部15通过至少约8个密封件18密封到容器33上。如该领域的技术人员所理解的,密封件18将可密封顶部15可释放地联接到容器33上,并用垫圈20形成防气体的密封。密封件18可包括任何该领域的技术人员众所周知的适当机构用于密封容器33。在某些情况下,密封件18包括蝶形螺钉。
如图1所示,容器33还包括至少一个设置于其中的盘状件。盘状件包括用于固体材料的搁架或水平支承件。在某些实施例中,内部盘状件30成环状设置在容器33内,因此盘状件30包括小于容器33的内径或圆周的外径或圆周,同时形成开口31。可选地,外部盘状件86沿圆周/周向设置在容器33内,因此盘状件86包括与容器33的内径相同、大致相同、或大致重合的外径或圆周。外部盘状件86形成设置在盘状件中心处的开口87。在另一些实施例中,将多个盘状件设置在容器33内。在实施例中,各盘状件以交替方式堆叠,其中内部盘状件30、34、36、44与交替的外部盘状件62、78、82、86垂直地堆叠在容器内。在实施例中,内部盘状件30、34、36、44成环状向外延伸,而外部盘状件62、78、82、86成环状向容器33的中心延伸。如图1的实施例所示,内部盘状件30、34、36、44与外部盘状件62、78、82、86没有物理接触。
现在参照图2A和2B,内部盘状件136包括支承柱117、沟道110、凸形联接器115、同心壁120、124、129和同心槽122、125、128。图2A的内部盘状件144代表构造成接触图1中容器33的底部表面58的盘状件。图2B的内部盘状件136包括凹形联接器127,并构造成垂直地堆叠在内部盘状件144上。内部盘状件136、144可由不锈钢、镍及其合金、石英、玻璃和其它化学上相容的材料构造;优选地,内部盘状件136、144由金属或金属合金构造。
对内部盘状件136、144而言,支承柱117构造成支承垂直地相邻的内部盘状件136。垂直地相邻的内部盘状件136通过凸形联接器115和凹形联接器117接合。内部盘状件136、144具有小于图1所示容器33的内径的外径。内部盘状件具有至外壁120的约7厘米至约54.5厘米的外径以及,可选地,从约7厘米到约29.5厘米的内径。可选地,内部盘状件136、144的外壁120成环状设置在距容器33的壁约0.3厘米和约5厘米之间,以形成图1的开口31、35、37、45。
内部盘状件136、144包括至少一个环形槽,该环形槽构造成用于接收并保持固态前体。在某些实施例中,内部盘状件136、144在每个盘状件上包括用于固态前体的至少两个环形或同心的槽,以及在某些情况下有三个或更多个槽。各槽的宽度和深度可包括交替构型,视待装载入升华器中的固态前体的量而定。在某些构型中,环形槽尺寸是宽度在约0.2厘米至约10厘米的范围内,以及可选地,宽度在约0.5厘米至约3厘米的范围内。另外,环形槽尺寸是深度在约0.2厘米至约20厘米的范围内,以及可选地,深度在约0.5厘米至约4厘米的范围内。
在实施例中,内部盘状件136、144通过将凸形联接器115插入凹形联接器127中而垂直地堆叠,从而支承柱117联接在相邻的内部盘状件136之间。支承柱117是每个内部盘状件136、144的整体部件。另外,内部盘状件136的支承柱117构造成使与相邻内部盘状件136、144的接触最大化,以便通过联接的支承柱117热耦合相邻的内部盘状件。内部盘状件136、144之间的联接的支承柱117可形成虚拟轴。在实施例中,支承柱117包括从约0.25厘米到约5厘米的外径,以及可选地,从约0.5厘米至约3厘米的外径。在另外的实施例中,支承柱117将垂直地相邻的内部盘状件136、144隔开一垂直距离,该距离在约0.2厘米至约25厘米之间,可选地,在约0.4厘米至约5厘米之间。
此外,凸形联接器115和凹形联接器127对准相邻内部盘状件136、144的支承柱117,并因此对准沟道110。对准的沟道110构造成保持下沉管92,如图1所示。另外,底部内部盘状件144可不具有凹形联接器127。在某些情况下,底部内部盘状件144包括至少一个气体窗口140,以便将下沉管92中的载气排放至容器33。在某些情况下,底部内部盘状件144包括至少两个气体窗口140,且优选地在大约两个气体窗口140和大约8个气体窗口140之间。可选地,凹形联接器127可被构造成气体窗口。
参见图3,外部盘状件262包括由圆形壁221、222、225和内壁220形成的环形槽240、242、244。与前面为内部盘状件136、144所说明的环形槽类似,外部盘状件262的环形槽240、242、244构造成用于接收和保持固态前体。环形槽尺寸为宽度在约0.2厘米至约10厘米的范围内,可选地,宽度在约0.5厘米至约3厘米的范围内。另外,环形槽尺寸是深度在约0.2厘米至约20厘米的范围内,可选地,深度在约0.5厘米至约4厘米的范围内。各槽的宽度和深度可包括交替构型,视待装载到升华器内的固态前体的量而定。外部盘状件262可由不锈钢、镍及其合金、石英、玻璃及其它化学上相容的材料构造;优选地,外部盘状件262由金属或金属合金构造。
下壁250垂直地向下延伸,以便支承外部盘状件262。在垂直相邻的外部盘状件262中,下壁250支承在外壁225上,以便堆叠外部盘状件262。下壁250将外部盘状件262隔开一垂直距离,该垂直距离在约0.2厘米至约25厘米之间,可选地,在约0.4厘米至约5厘米之间。另外,外部盘状件262的外壁225和下壁250具有与图1所示的容器33的内径大约相同的外径。在某些情况下,外部盘状件262的外径为约8厘米至约55厘米,可选地,外径为约8厘米至约30厘米。在某些实施例中,外壁225和下壁250与容器33有物理接触。外壁225和下壁250构造成使外部盘状件262和容器33之间的接触最大化,用以增强热耦合。
外部盘状件262的内壁220构造成具有大于支承柱117的外径的内径。在实施例中,内壁220包括从约0.3厘米至约6厘米的内径,可选地,从约0.6厘米至约4厘米的内径。在某些情况下,内壁220具有比支承柱117的外径大约0.3厘米至约2厘米的内径,以形成图1的开口56、79、83、87。为了组装,将如图2所示的支承柱117部分地装配到由如图3所示的内壁220所形成的开口中。
再次参照图1,组装好的升华器100包括内部盘状件30、34、36、44(包括对准和联接的支承柱50,内部通道51,同心壁40、41、42,以及同心槽47、48、49)。内部盘状件30、34、36、44垂直地堆叠,并围绕下沉管92成环状地取向。此外,升华器包括外部盘状件62、78、82、86。如图1所示,外部盘状件62、78、82、86应紧密配合到容器33中以形成良好接触,用以将热量从容器33传导到盘状件62、78、82、86。在这些实施例中,外部盘状件62、78、82、86联接到容器33的内壁上,或者与容器33的内壁物理接触。如图所示,外部盘状件62、78、82、86和内部盘状件30、34、36、44在容器33的内部堆叠。当在容器33中组装以形成升华器100时,内部盘状件30、34、36、44在组装好的外部盘状件62、78、82、86之间形成外部气体通道31、35、37、45。另外,外部盘状件62、78、82、86与内部盘状件30、34、36、44的支承柱形成内部气体通道56、79、83、87。内部盘状件30、34、36、44的壁40、41、42形成用于保持固态前体的沟状槽。外部盘状件62、78、82、86包括用于保持固态前体的壁68、69、70。在组装期间,将固态前体装载到内部盘状件30、34、36、44的环形槽47、48、49和外部盘状件62、78、82、86的环形槽64、65、66中。
将尺寸小于约1厘米、可选地小于约0.5厘米、及可选地小于约0.1厘米的固体粉末和/或粒状颗粒装载到内部盘状件30、34、36、44的环形槽47、48、49和外部盘状件62、78、82、86的环形槽64、65、66中。固态前体通过任何适合于将固体均匀分布在环形槽中的方法装载入每个盘状件的环形槽中。适当的方法包括直接倾倒、使用铲子、使用漏斗、自动化测量输送及加压输送,但不受此限制。视固态前体材料的化学特性而定,装载可在密封环境中进行。此外,对于那些有毒的、挥发性的、可氧化的、和/或对空气敏感的固体,可实施惰性气体气氛和/或在密封箱中加压。各个盘状件可在将该盘状件放置在容器33中之后装载。更优选的程序是在将盘状件放置到容器33中之前装载固体。装载到升华器中的固态前体的总重量可通过在装载过程之前和之后对升华器称重来记录。另外,所消耗的固态前体可通过在蒸发和沉积过程之后对升华器称重来进行计算。
具有控制阀90和配件95的下沉管92定位在内部盘状件30、34、36、44的对准和联接的支承柱的中心通道51中。因此,下沉管92垂直地穿过内部通道51朝向容器33的底部58。下沉管端部55设置在气体窗口52处/或上方的容器底部58近侧。气体窗口52设置在底部内部盘状件44中。气体窗口52构造成容许载气流出下沉管92。在组装好的升华器100中,气体通路59由容器33的底部表面58和底部内部盘状件44形成。在某些情况下,气体通路59构造成加热载气。
在运行中,载气在经由下沉管92引入容器33之前预热。可选地,载气能在流经气体通路59的同时通过底部表面58被加热。底部表面58通过符合本文教导的外部加热器热耦合和/或加热。载气然后通过由内部盘状件44的外壁42和外部盘状件62的外壁61形成的气体通路45。气体通路45通向内部盘状件44的顶部。载气连续地在装载到环形槽47、48和49的固态前体的顶部上方流动。来自环形槽47、48、49的升华的固体蒸汽与载气混合,并穿过容器33垂直向上流动。
然后,载气和固体蒸汽的混合物流经由外部盘状件62的内壁70和内部盘状件44的支承柱形成的气体通路56。然后混合物在外部盘状件62的顶部上方流动,以便运送更多的升华的固体蒸汽。当载气在内部盘状件30、34、36、44的环形槽47、48、49和外部盘状件62、78、82、86的环形槽64、65、66的上方流动时,载气将与升华的固体蒸汽混合直至饱和。载气穿过容器33持续地向上流动至出口管12。由交替的内部盘状件30、34、36、44和外部盘状件62、78、82、86以及交替的内部通道或开口56、79、83、87和外部通道或开口31、35、37、45所形成的气体流动路径是一曲折路径,提供了载气从位于盘状件上的固态前体拾取固体蒸汽的许多机会。因此,在气体出口12处,载气将完全饱和有固体蒸汽。气体穿过出口管12流到控制阀10和配件5,然后流到设置在升华器和薄膜沉积室之间的气体输送歧管。
在可选的实施例中,如图4A和4B中所示,可以设想内部盘状件350和外部盘状件358可构造成锥形形状。在实施例中,内部盘状件350构造成朝着它们的外边缘和容器的内壁向下倾斜。另外,外部盘状件358构造成平行于内部盘状件350倾斜。在另外的实施例中,内部盘状件350和外部盘状件358的角度可以相反/颠倒,这意味着盘状件可以朝着它们的外边缘和容器的内壁向上倾斜。将锥形盘状件进行组装,以便形成可选的升华器400,如图5所示。在某些情况下,利用内部隔离件354来提供内部盘状件350在气体窗口356上方的正确间距。另外,利用外部隔离件352来提供外部盘状件358在内部盘状件350上方的正确间距。在某些情况下,倾斜的内部盘状件350和外部盘状件358可改变穿过升华器400的气体流量。可选地,倾斜的内部盘状件350和外部盘状件358改善了升华器400的性能,例如接触时间、流量及稳定的饱和载气的生产。如同上述实施例那样,交替的内部盘状件350和外部盘状件358这样定位,以使它们形成用于穿过升华室的曲折迂回的流体流动路径的外部和内部开口或通道。外部通道在内部盘状件350和内部容器壁和/或外部盘状件358支承件之间形成,而内部通道在外部盘状件358和盘状件350的内部支承件之间形成。盘状件350内部支承件对准并联接,以形成接收下沉管的沟道。内部通道和外部通道在盘状件350、358之间和之中形成垂直流体连通路径,而盘状件350、358之间的水平间隔容许气体的横向运动,以使全部饱和的蒸汽流到出口。盘状件350、358还包括从盘状件向上延伸的同心壁,如图5所示,以帮助载气的固体蒸汽饱和。
图6A-6C示出构造成将固态前体保持在上文公开的盘状件实施例上的前体保持装置或多孔板的实施例。该板构造成施加到如图6D中所示的可选升华器650内、包括环形凹槽的盘状件的顶部表面上。该板的直径基本上等于内部盘状件的直径。在某些情况下,多孔板的直径基本上等于外部盘状件的直径,和/或容器的内径。多孔板构造成用于联接到盘状件上。可选地,多孔板通过升华器650中垂直相邻的盘状件保持就位/保持在合适位置。在这些情况中,多孔板包括一厚度,该厚度约为从图1中所示的槽分隔壁如壁40、41和42的顶部表面到垂直相邻的盘状件的底部表面的距离。
图6A示出第一实施例,其包括网状物610。在实施例中,网状物610是材料的线性绞合线或丝(线,wire)615的纺织组件。可选地,网状物是丝615的粘合组件。丝615可包括金属材料,如不锈钢、碳钢和/或金属合金,但不受此限制。另外,丝615包括聚合物材料,如
Figure BPA00001213339200121
聚乙烯、聚丙烯和/或其它塑料,但不受此限制。丝615可包括纤维材料,如线(thread)、碳纤维、或类似物,但不受此限制。在某些情况下,丝615包括用金属、聚合物和/或纤维材料的组合所制造的复合网状物。由细丝615制成的网状物610形成开口616,以使气体和蒸汽穿过其中。开口616的尺寸设计成使得固态前体颗粒被约束在盘状件上,或者在盘状件上保持就位。开口616横跨约10微米至约1000微米,而在某些实施例中,横跨约50微米至约500微米。在板的中心有切割开口618,以容许如图2所示的小型盘状件136和144的支承柱117穿过以用于组装。
图6B示出另一板620,该板620具有与图6A中的板610类似的功能。可选地,如图6B所示,板620是具有孔625的穿孔盘状件。载气和升华的固体蒸汽能容易地流过孔625。板620构造成具有一厚度,该厚度小于大约从如图1中所示槽分隔壁如壁40、41、42的顶部表面到垂直相邻的盘状件的底部表面的距离。在某些情况下,在板上构造支承件、隆起、楔形件或诸如此类(但不受此限制),以用于联锁配件并在垂直相邻的盘状件之间保持一定距离间距。可选地,板620包括变薄的横截面,以在板620的顶部表面和垂直相邻的盘状件的底部表面之间形成一小间隙。
在图6C中示出另一示例性的板630。板630由呈随机(随意)平面矩阵的纤维635形成。板630包括开口636的矩阵。开口通过随机取向和分散的纤维635形成,并能使气体和蒸汽穿过其流动。纤维635可包括上文所讨论的任何材料,例如但不限于不锈钢、碳钢和/或金属合金、
Figure BPA00001213339200131
聚乙烯、聚丙烯和/或另外的塑料、线和碳纤维。在某些情况下,纤维636包括用金属材料、聚合物材料和/或纤维材料的组合所制成的复合网状物。
图6D示出各多孔板660在升华器650中的相对位置。如上所述,多孔板660构造成将固态前体颗粒保持在盘状件上。在某些情况下,多孔板660可通过联锁配件、干涉配件联接到盘状件上,或者可选地,多孔板660可通过垂直相邻的板保持就位。在某些实施例中,在组装升华器650期间,多孔板660放置在盘状件堆垛中,而没有约束或联接。在任何构型中,多孔板660构造成防止颗粒、微粒、细粒、固体、分子和/或其它非气相固态前体运动到气体出口,同时饱和的载气穿过内部和外部通道围绕交替的内部和外部盘状件流动,并穿过盘状件之间的水平空间在盘状件上方流动。
图7是按照本文提出的原理的固态前体升华器710的操作系统示意图。升华器710构造成将蒸汽前体供应到用于薄膜沉积的反应或沉积室770。如本文所述,并例如在图1中所示的升华器710安装在输送或沉积系统中。外部加热器720通过耦合装置(coupling)715提供热能给升华器710。如本文所述,加热器720可包括任何该领域的技术人员众所周知的加热器,例如,电热套加热器、感应加热器或循环的加热油,但不受此限制。安装在升华器710上的温度传感器、监测器或控制器监测升华器内的温度,并通过通信耦合装置725将信号传送回加热器系统720。通信耦合装置725构造成用于维持升华器710内的温度或温度范围。当开始运行时,将如本文所述的载气例如氮气、氦气、氩、或任何其它惰性气体供应到升华器710。载气源740通过导管730、745和歧管750与升华器710流体连通。导管745和歧管750还包括一系列控制阀、调节器、净化器、质量流量控制器、及任何其它用于调节载气流的部件。在某些情况下,载气在被引入升华器710之前,用可选的加热器装置(如在歧管中的加热带)预热。在升华器中升华的前体蒸汽使流过升华器710的载气饱和。载气通过在容纳于升华器710中盘状件上的经加热固态前体上方流动而饱和。经加热的固态前体产生用于沉积的固态前体蒸汽。饱和的蒸汽穿过气体出口/导管735流出升华器710。气体出口/导管735与歧管750的至少一部分流体连通。歧管750将来自载气源740、以及来自气体出口/导管735的载气流分开。来自升华器710和气体出口/导管735的饱和蒸汽通过导管755和756流向至少一个膜沉积室770。气体出口/导管735和歧管750保持在高温下,或有伴热(heattraced)。在某些情况下,导管755和756也有伴热。气体出口/导管735,歧管750,和导管755、756保持在至少与升华器710相同的温度下。在某些情况下,温度升高适合于避免在线路中的任何固态前体蒸汽沉积。可选择地,保持温度高约5℃至约10℃。浓度传感器760构造成监测固态前体蒸汽的浓度。浓度传感器可为包括傅立叶转换红外(FTIR)仪、质谱仪、气相色谱仪的传感器,或其它传感器诸如用于在线检测的热导率检测器,但不受此限制。在该系统中,浓度传感器760安装在导管755、756处或其附近。可选择地,传感器线路757可构造成用于分批取样固态前体蒸汽流。
示例1
作为示例,将固体四氯化铪粉末装载到图1所示的升华器中。然后将装载好的升华器安装到如图7所示的固态前体升华系统中。将升华器加热到温度为150℃,并维持在该温度下。利用压缩氮气作为载气。从气瓶中输送的载气流经歧管。流动路线包括流量控制阀、调节器、用于去除微量杂质如氧和水的净化器,并加热。载气用电热带加热到150℃的温度。在引入升华器之前,使经加热的氮气绕过升华器,并排出。利用热导率检测器来监测前体蒸汽的浓度。热导率传感器监测初始氮气排气,以建立基线蒸汽浓度水平。在升华器温度稳定在150℃之后,将氮(载)气引入升华器。使经加热的载气穿过升华器,用于将四氯化铪蒸汽运送到沉积室。蒸汽浓度通过热导率传感器连续地监测。数据是针对载气流量获得,并以每分钟标准立方厘米(sccm)量度。载气以约500sccm、1000sccm和1500sccm的速量流过升华器,并记录热导率传感器数据。图8中用曲线图表示的数据示出本发明的升华器在不同的载气流量下产生稳定浓度的前体蒸汽。
示例2
以图5中所示的升华器试验横过环形盘状件的温度分布图。温度分布图在有或没有不同流量的氮气流横过内部(小的)和外部(大的)盘状件的情况下测定。将外部电热套加热器包覆在容器的外壁上。图9示出在运行期间所述板于122℃温度下的平顺的温度分布。

Claims (16)

1.一种用于使固态前体蒸发的装置,该装置包括:
容器,该容器包括可密封的开口、流体入口、流体出口和内部尺寸;
至少一个第一搁架,该第一搁架具有小于容器内部尺寸的外部尺寸,以形成外部通道,并包括具有外部尺寸的内部支承件,并且至少一个第一搁架构造成堆叠在至少一个垂直相邻的第一搁架的内部支承件上以形成包括内部沟道的轴和与该轴相对的另一个外部通道;
至少一个第二搁架,该第二搁架包括外部支承件和开口,所述外部支承件定位于容器内部尺寸处,所述开口大于第一搁架内部支承件的外部尺寸,所述至少一个第二搁架构造成堆叠在至少一个垂直相邻的第二搁架的外部支承件上;
每个第一搁架和第二搁架之间的水平或倾斜空间;
第二搁架和轴之间的内部通道;并且
其中,第一搁架构造成与第二搁架形成重叠的垂直堆垛,以定位在容器内,并且通过外部通道在第一搁架和第二搁架之间建立流体流动路径;
至少一个第一搁架包括至少一个环形槽以便支承固态前体;
所述内部沟道接纳下沉管;以及
在容器中的流体入口和流体出口之间,内部通道和外部通道使流体流动路径围绕第一搁架和第二搁架延伸,且所述水平或倾斜空间使液体流动路径在第一搁架和第二搁架上方延伸。
2.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个第二搁架开口构造成接纳并通过所述至少一个第一搁架的内部支承件。
3.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,所述至少一个环形槽包括至少两个环形壁。
4.按照权利要求1所述的装置,其特征在于,容器联接到加热器上。
5.一种用于在升华室中支承固态前体的装置,包括:
第一搁架,所述第一搁架包括用于支承固态前体的顶部表面、底部表面、垂直取向的内部支承件和同心的环形壁,所述环形壁从顶部表面延伸并形成至少一个用于支承固态前体的环形槽;
第二搁架,所述第二搁架包括用于支承固态前体的顶部表面、底部表面、垂直取向的外部支承件和至少一个环形槽,所述外部支承件周向设置在第二搁架上并热耦合到升华室内壁上,所述环形槽设置在顶部表面上用于支承固态前体;
内部通道,该内部通道设置在第二搁架和第一搁架内部支承件之间;
外部通道,该外部通道设置在第一搁架和第二搁架外部支承件之间;以及
位于第一搁架和第二搁架之间的水平或倾斜空间,该水平或倾斜空间在升华室中的内部通道和外部通道之间建立流体流动路径。
6.按照权利要求5所述的装置,其特征在于,第一搁架内部支承件包括联接器,该联接器构造成垂直地堆叠至少一个另外的第一搁架。
7.按照权利要求5所述的装置,其特征在于,第二搁架底部表面包括居中设置的开口,该开口构造成接纳和穿过第一搁架内部支承件。
8.按照权利要求6所述的装置,其特征在于,第二搁架外部支承件构造成垂直地堆叠至少一个另外的第二搁架,以形成第一搁架和第二搁架的重叠的垂直堆垛,并且其中多个所述内部通道、外部通道和该水平或倾斜空间使流体流动路径在升华室中围绕堆叠的搁架曲折迂回。
9.按照权利要求5所述的装置,其特征在于,所述环形壁延伸入所述水平或倾斜空间中,且不接触相邻的第二搁架的底部表面。
10.按照权利要求5所述的装置,还包括:
至少一个保持板,该保持板安装到第一搁架的顶部表面上,并构造成用于将固态前体保持于其上。
11.按照权利要求10所述的装置,其特征在于,至少两个环形壁从第一搁架顶部表面延伸到所述至少一个保持板上。
12.按照权利要求11所述的装置,其特征在于,所述环形壁形成至少一个环形槽,以便在保持板下方支承固态前体。
13.按照权利要求10所述的装置,其特征在于,所述至少一个保持板包括多孔材料,以便保持固态前体和通过饱和的蒸汽。
14.一种用于使固态前体蒸发的装置,包括:
容器,该容器包括流体入口、流体出口和内壁;
一系列堆叠的盘状件,所述盘状件包括内部盘状件和外部盘状件,其中每个内部盘状件与容器内壁形成外部流体通道,每个外部盘状件与内部支承件形成内部流体通道,每个盘状件包括从盘状件延伸的环形壁以便保持固态前体;
位于每个堆叠的盘状件之间的空间,该空间用于保持固态前体;以及
气体流动路径,该气体流动路径从流体入口开始、在内部和外部流体通道中围绕堆叠的盘状件、在所述空间中越过堆叠的盘状件上方、并且到达流体出口。
15.按照权利要求14所述的装置,还包括保持板,所述保持板设置在环形壁上方并在所述空间中以便保持固态前体。
16.一种沉积薄膜的方法,包括:
将固态前体装载到第一搁架上,其中第一搁架包括用于保持固态前体的环形槽;
将固态前体装载到第二搁架上,其中第二搁架包括用于保持固态前体的环形槽;
垂直地堆叠第一搁架和第二搁架,在它们之间具有分隔空间;
将堆叠的第一搁架和第二搁架安置在升华室中,该升华室具有载气入口和载气出口;
密封升华室;
加热升华室;
使载气从入口流进、经由外部通道绕过第一搁架、经由分隔空间越过第一搁架及其上的固态前体、经由内部通道绕过第二搁架、越过第二搁架及其上的固态前体、并进入出口;
将固体蒸汽饱和气体导向沉积室;以及
从蒸汽中沉积固体。
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US8636845B2 (en) 2008-06-25 2014-01-28 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Metal heterocyclic compounds for deposition of thin films
JP2014534952A (ja) 2011-09-27 2014-12-25 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用
US9206507B2 (en) 2011-09-27 2015-12-08 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Nickel bis diazabutadiene precursors, their synthesis, and their use for nickel containing films depositions
US20130105483A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for sublimating solid state precursors
US9416443B2 (en) 2012-02-07 2016-08-16 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method for the deposition of a ruthenium containing film using arene diazadiene ruthenium(0) precursors
KR20130096370A (ko) * 2012-02-22 2013-08-30 삼성디스플레이 주식회사 유기물 정제장치
KR20210135341A (ko) * 2012-05-31 2021-11-12 엔테그리스, 아이엔씨. 배취식 침착을 위한 고 물질 플럭스를 갖는 유체의 소스 시약-기반 수송
EP2875166B1 (en) 2012-07-20 2018-04-11 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
US20140174955A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High flow xef2 canister
US9382268B1 (en) 2013-07-19 2016-07-05 American Air Liquide, Inc. Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
TW201509799A (zh) 2013-07-19 2015-03-16 Air Liquide 用於ald/cvd含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物
KR102326396B1 (ko) 2013-09-27 2021-11-12 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 아민 치환된 트리실릴아민 및 트리디실릴아민 화합물
US9685710B1 (en) * 2014-01-22 2017-06-20 Space Systems/Loral, Llc Reflective and permeable metalized laminate
WO2015164029A1 (en) * 2014-04-21 2015-10-29 Entegris, Inc. Solid vaporizer
US9773683B2 (en) 2014-06-09 2017-09-26 American Air Liquide, Inc. Atomic layer or cyclic plasma etching chemistries and processes
US10570513B2 (en) 2014-12-13 2020-02-25 American Air Liquide, Inc. Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same
US9499571B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films
US9663547B2 (en) 2014-12-23 2017-05-30 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films
US11124876B2 (en) 2015-03-30 2021-09-21 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
TWI716333B (zh) 2015-03-30 2021-01-11 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 碳矽烷與氨、胺類及脒類之觸媒去氫耦合
US9777025B2 (en) 2015-03-30 2017-10-03 L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Si-containing film forming precursors and methods of using the same
US20170023235A1 (en) * 2015-07-21 2017-01-26 Apple Inc. Sublimator/vaporizer
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源
MY190445A (en) 2015-08-21 2022-04-21 Flisom Ag Homogeneous linear evaporation source
US20160046408A1 (en) * 2015-10-27 2016-02-18 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Internally coated vessel for housing a metal halide
US9790591B2 (en) 2015-11-30 2017-10-17 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Titanium-containing film forming compositions for vapor deposition of titanium-containing films
US9777373B2 (en) 2015-12-30 2017-10-03 American Air Liquide, Inc. Amino(iodo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same
US10053775B2 (en) 2015-12-30 2018-08-21 L'air Liquide, Societé Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Methods of using amino(bromo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications
US9701695B1 (en) 2015-12-30 2017-07-11 American Air Liquide, Inc. Synthesis methods for amino(halo)silanes
TWI753794B (zh) 2016-03-23 2022-01-21 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 形成含矽膜之組成物及其製法與用途
KR20170119360A (ko) * 2016-04-18 2017-10-27 삼성전자주식회사 고체 소스 공급 유닛, 가스 공급 유닛, 그리고 기판 처리 방법
CN108699688B (zh) 2016-04-26 2020-04-24 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 前体供应系统和前体供应方法
EP3458415A4 (en) 2016-05-19 2019-11-27 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude PREPARATION OF IODOSILANES CONTAINING SI-H VIA A HALOGENURE EXCHANGE REACTION
US10106425B2 (en) 2016-05-19 2018-10-23 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Synthesis methods for halosilanes
JP6595421B2 (ja) * 2016-08-24 2019-10-23 東芝メモリ株式会社 気化システム
US10106568B2 (en) 2016-10-28 2018-10-23 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films
US10647578B2 (en) 2016-12-11 2020-05-12 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude N—H free and SI-rich per-hydridopolysilzane compositions, their synthesis, and applications
US10192734B2 (en) 2016-12-11 2019-01-29 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploration des Procédés Georges Claude Short inorganic trisilylamine-based polysilazanes for thin film deposition
CN106498369B (zh) * 2017-01-04 2019-02-19 合肥京东方光电科技有限公司 一种容器及用于对显示基板进行修复的修复设备
JP6324609B1 (ja) 2017-06-21 2018-05-16 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
CN107293511B (zh) * 2017-07-05 2019-11-12 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层退火设备及退火方法
KR102344996B1 (ko) * 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10895347B2 (en) * 2017-10-20 2021-01-19 Entegris, Inc. Heat transfer to ampoule trays
JP6425850B1 (ja) * 2017-11-22 2018-11-21 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP6462096B1 (ja) * 2017-11-22 2019-01-30 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品
JP6895372B2 (ja) * 2017-12-12 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 原料容器
US20190186003A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-20 Entegris, Inc. Ampoule vaporizer and vessel
CN111902359A (zh) 2018-02-21 2020-11-06 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 全氢聚硅氮烷组合物和用于使用其形成氧化物膜的方法
US11168394B2 (en) 2018-03-14 2021-11-09 CeeVeeTech, LLC Method and apparatus for making a vapor of precise concentration by sublimation
US10899630B2 (en) 2018-04-30 2021-01-26 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procédés Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
US10710896B2 (en) 2018-04-30 2020-07-14 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Tungsten pentachloride conditioning and crystalline phase manipulation
JP7376278B2 (ja) * 2018-08-16 2023-11-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体原料昇華器
KR102576431B1 (ko) * 2018-09-10 2023-09-08 삼성디스플레이 주식회사 유기물 제조장치 및 이를 이용한 제조방법
CN110885970A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 北京北方华创微电子装备有限公司 固体前驱体蒸汽的稳压和纯化装置以及ald沉积设备
WO2020219702A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Entegris, Inc. Vaporization vessel and method
TW202120432A (zh) 2019-10-08 2021-06-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 用於沉積含鋰層、島或簇的鋰前驅體
CN111423109A (zh) * 2020-04-01 2020-07-17 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 用于气相掺杂的稀土螯合物原料气的制备方法、稀土掺杂光纤预制棒及其制备方法
US11834740B2 (en) * 2020-11-10 2023-12-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for generating gas for use in a process chamber
EP4056730A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-14 UMICORE AG & Co. KG Container for feeding a precursor material
CN113122822B (zh) * 2021-04-06 2023-04-07 西北工业大学 一种带有沉积载具的化学气相沉积炉及进行沉积的方法
FR3123660B1 (fr) 2021-06-07 2024-02-16 Air Liquide Electronics Systems Dispositif et procédé de distribution d’une phase gazeuse d’un précurseur solide
US20220403512A1 (en) * 2021-06-22 2022-12-22 Applied Materials, Inc. Bottom Fed Sublimation Bed for High Saturation Efficiency in Semiconductor Applications
US11584990B2 (en) 2021-07-02 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Bottom fed sublimation bed for high saturation efficiency in semiconductor applications
CN113529053B (zh) * 2021-09-13 2021-12-28 浙江陶特容器科技股份有限公司 一种用于半导体加工的固态前驱体源升华装置及方法
CN113897593B (zh) * 2021-09-13 2023-08-11 浙江陶特容器科技股份有限公司 一种固态前驱体源存储升华器
CN115046127A (zh) * 2022-06-24 2022-09-13 江苏南大光电材料股份有限公司 用于固体化合物供应的钢瓶结构
WO2024051920A1 (en) * 2022-09-06 2024-03-14 Sk Inc. Container for feeding a precursor material
CN116103636A (zh) * 2023-04-12 2023-05-12 上海星原驰半导体有限公司 固相前驱体输出装置及气相沉积系统
CN117966127A (zh) * 2024-04-02 2024-05-03 常州容导精密装备有限公司 前驱体源瓶的导热结构及控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6270839B1 (en) * 1999-08-20 2001-08-07 Pioneer Corporation Device for feeding raw material for chemical vapor phase deposition and method therefor
CN101065515A (zh) * 2004-11-29 2007-10-31 东京毅力科创株式会社 包括可置换可堆叠盘的固态前驱体传输系统

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3003249A (en) * 1958-05-01 1961-10-10 Templeton Robert Alexa Spencer Treatment of products and materials
JPS637620A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 揮発性物質の気化装置
US5377429A (en) * 1993-04-19 1995-01-03 Micron Semiconductor, Inc. Method and appartus for subliming precursors
US5674574A (en) * 1996-05-20 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Vapor delivery system for solid precursors and method regarding same
US5820678A (en) * 1997-05-30 1998-10-13 The Regents Of The University Of California Solid source MOCVD system
US6984415B2 (en) * 1999-08-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Delivery systems for gases for gases via the sublimation of solid precursors
US6660328B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 Florida State University Research Foundation Powder precursor delivery system for chemical vapor deposition
US6718126B2 (en) * 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US6701066B2 (en) * 2001-10-11 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Delivery of solid chemical precursors
US20030111014A1 (en) 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
US7601225B2 (en) * 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6772072B2 (en) * 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
JP4585852B2 (ja) * 2002-07-30 2010-11-24 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 基板処理システム、基板処理方法及び昇華装置
US6797337B2 (en) * 2002-08-19 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Method for delivering precursors
US6740586B1 (en) * 2002-11-06 2004-05-25 Advanced Technology Materials, Inc. Vapor delivery system for solid precursors and method of using same
US6880592B2 (en) * 2003-06-26 2005-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Canister guard
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20050056216A1 (en) 2003-09-15 2005-03-17 Intel Corporation Precursor delivery system
CA2554699A1 (en) 2004-01-28 2005-08-11 Jeffrey L. Feldman Portfolio selection for (healthcare) technology investment
US7109113B2 (en) * 2004-01-30 2006-09-19 Micron Technology, Inc. Solid source precursor delivery system
RU2384652C2 (ru) 2004-05-20 2010-03-20 Акцо Нобель Н.В. Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката
WO2006067711A2 (en) 2004-12-21 2006-06-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for displaying animated buttons
US7443313B2 (en) * 2005-03-04 2008-10-28 Hunt Technologies, Inc. Water utility meter transceiver
EP1866074A4 (en) 2005-03-16 2017-01-04 Entegris Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
US7651570B2 (en) * 2005-03-31 2010-01-26 Tokyo Electron Limited Solid precursor vaporization system for use in chemical vapor deposition
US7132128B2 (en) * 2005-03-31 2006-11-07 Tokyo Electron Limited Method and system for depositing material on a substrate using a solid precursor
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
US7846256B2 (en) * 2007-02-23 2010-12-07 Tokyo Electron Limited Ampule tray for and method of precursor surface area

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6270839B1 (en) * 1999-08-20 2001-08-07 Pioneer Corporation Device for feeding raw material for chemical vapor phase deposition and method therefor
CN101065515A (zh) * 2004-11-29 2007-10-31 东京毅力科创株式会社 包括可置换可堆叠盘的固态前驱体传输系统

Also Published As

Publication number Publication date
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