JP2014534952A - タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用 - Google Patents

タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用 Download PDF

Info

Publication number
JP2014534952A
JP2014534952A JP2014532537A JP2014532537A JP2014534952A JP 2014534952 A JP2014534952 A JP 2014534952A JP 2014532537 A JP2014532537 A JP 2014532537A JP 2014532537 A JP2014532537 A JP 2014532537A JP 2014534952 A JP2014534952 A JP 2014534952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tungsten
group
branched
diazabutadiene
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014532537A
Other languages
English (en)
Inventor
ランサロット−マトラス クレマン
ランサロット−マトラス クレマン
シュナイデール ナタナエル
シュナイデール ナタナエル
ガティノウ ジュリアン
ガティノウ ジュリアン
Original Assignee
レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード filed Critical レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Publication of JP2014534952A publication Critical patent/JP2014534952A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F11/00—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic System
    • C07F11/005—Compounds containing elements of Groups 6 or 16 of the Periodic System compounds without a metal-carbon linkage

Abstract

タングステンジアザブタジエン分子、その製造方法及びタングステン含有膜の堆積におけるその使用を開示する。開示の分子は、式Ｗ（ＤＡＤ）３（式中、ＤＡＤは１，４−ジアザブタ−１，３−ジエン配位子及びその還元誘導体である）を有する。ＤＡＤ配位子はＮ原子を介してタングステンに直接配位する。開示の分子をタングステン膜、タングステン窒化物膜、タングステン炭窒化物膜若しくはタングステン酸化物膜、又は任意の他のタングステン含有膜の堆積に使用することができる。タングステン含有膜は、熱及び／又はプラズマ支援ＣＶＤ、ＡＬＤ、パルスＣＶＤ又は任意の他のタイプの堆積法において開示の分子を用いて堆積させることができる。【選択図】なし

Description

タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の蒸着へのその使用を開示する。
［関連出願の相互参照］
本出願は、２０１１年９月２７日付けで出願された米国仮出願第６１／５３９，７６５号（その内容全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする）の利益を主張するものである。
化学蒸着（ＣＶＤ）及び原子層堆積（ＡＬＤ）は、プロセス中のパラメータの微調整によるコンフォーマルな膜（金属、酸化物、窒化物等）の達成を可能にすることから、半導体デバイス用の薄膜を堆積させる技法として適用されている。膜成長は主に金属有機化合物（前駆体）の化学反応によって制御されるため、その特性及び反応プロセスの予測による最適な前駆体の開発が不可欠である。或る特定のタイプの膜へのその具体的な適用に基づいて要求される特性を達成するために、前駆体が開発されている。
ＣＶＤプロセス及びＡＬＤプロセスに分子として使用する前に、前駆体の幾つかの固有特性を考慮すべきである。第１に、液体形態及び／又は十分な蒸気圧が、収納容器から反応チャンバへの気相中の前駆体の容易な送達に必要とされる。第２に、貯蔵条件及び送達条件における長期的な熱安定性が要求される。不純物の膜への混入を回避するには、気相における熱安定性も要求される。第３に、前駆体を試料基板上で所望の膜へと容易に変換するには、アンモニア又は酸素等の反応ガスに対する強い反応性が要求される。前駆体設計工程において考慮すべき前駆体の別の重要な要件は、通常は堆積プロセス中の配位子に由来する膜中の不純物の制御である。
タングステンは、ナノデバイスの作製に有用な多くの異なる用途を有する。純タングステンの堆積を用いて、トランジスタのソース及びドレインと接触するホール（「コンタクトホール」）を充填し、更には金属の連続層間のビアを充填することができる。このアプローチは「タングステンプラグ」プロセスとして知られている。タングステンの使用は、ＷＦ６を用いて堆積させた膜の良好な特性から発展し得る。しかしながら、下層のＳｉをフッ素による攻撃から保護し、二酸化シリコンへのタングステンの接着を確実にするには、Ｔｉ／ＴｉＮ等の接着／障壁層を設けることが必要である。
タングステンケイ化物を多結晶シリコンゲートの最上部に使用して、ゲート線の伝導性を増大することにより、トランジスタ速度を増大することができる。このアプローチは、ゲートが回路のワード線でもあるＤＲＡＭ作製によく用いられている。ＷＦ６及びＳｉＨ４を使用することができるが、ジクロロシラン（ＳｉＣｌ２Ｈ２）は堆積温度の増大を可能にし、それにより堆積膜中のフッ素濃度の低下もたらすため、シリコン源としてより一般に採用されている。
タングステン窒化物（ＷＮｘ）は、超小型電子回路における銅の拡散に対する良好な障壁であると考えられる。ＷＮｘを薄膜コンデンサ及び電界効果トランジスタの電極に使用することもできる。
ＷＦ６中のＷの液体かつ高揮発性の＋ＶＩ酸化状態は、高温でＨ２を用いたＣＶＤモー
ドでの純タングステン膜の堆積におけるその使用を可能にする（非特許文献１、非特許文献２）。ＷＦ６は、低温でのタングステンケイ化物膜の生成にシランと組み合わせてＣＶＤモードで使用することもできる（非特許文献３、非特許文献４）。しかしながら、ＷＦ６の使用は、純タングステン膜の堆積に必要とされる高い熱収支、更には下層のシリコン表面のエッチングに関与し得るフッ素の存在によって制限される。
Ｗ（ＣＯ）６中のＷの０酸化状態は、ＣＶＤモードでの純タングステン膜又はタングステン窒化物膜の堆積におけるその使用を可能にする。しかしながら、この材料の高い毒性から大量製造におけるその使用が制限される（非特許文献５、非特許文献６）。
Ｗ（ＣＯ）２（１，３−ブタジエン）２はＣＶＤモードで使用することができるが、タングステン炭化物膜の堆積をもたらす（非特許文献７）。
式Ｗ（ＲＣｐ）２Ｈ２を有するビスシクロペンタジエニルタングステン前駆体中のＷの＋ＩＶ酸化状態は、純タングステンの堆積へのＣＶＤモードでのその使用も可能にし得るが、高い炭素汚染をもたらす高い堆積温度が必要とされる（非特許文献８、非特許文献９、非特許文献１０）。
特許文献１は、銅拡散障壁用途にプラズマを用いる又は用いないＡＬＤモードでのタングステン窒化物の生成へのビスアルキルイミドビスジアルキルアミノタングステン前駆体の使用を開示している。
上述のタングステン前駆体の他に、幾つかのジアザブタジエンベースの分子が開発されている。ジアザブタジエン（ＤＡＤ）配位子は、種々の酸化状態下で使用することができるα−ジイミン配位子である。
Reuter et al.に対する特許文献２は、タングステン含有膜の作製へのビスアルキルイミドジアザブタジエンタングステン前駆体の使用を提唱している。しかしながら、アルキルイミド基の使用は、得られる膜への炭素混入の可能性による欠点を示す。タングステン分子はホモレプティックではなく、数種類の配位子を含有する。このため、その合成は数段階で行われ、合成の複雑性、取扱及び人的資源が増大し、最終的には分子のコストに影響を及ぼす。
Winterに対する特許文献３は、遷移金属と１つ又は複数のアルキル−１，３−ジアザブタジエン配位子とを有する前駆体化合物と表面を接触させる工程を含む、基板上に薄膜を形成する方法を開示している。
米国特許第７５６０５８１号明細書 米国特許第７７５４９０８号明細書 国際公開第２０１２／０２７３５７号
Applied Surface Science 73, 1993, 51-57 Applied Surface Science, 78, 2, 1994, 123-132 Y. Yamamoto et al. Proc. Int. Conf. on CVD - XIII (1996) 814 Surface Science 408 (1998) 190-194 Kaplan et al J. Electrochem. Soc. 1979, 117, 693 Sun et al Thin Solid Films 2001, 397, 109 Jipa et al Chemical Vapor Deposition 2010 16 (7-9), 239 Zinn et al Adv Mater. 1992, 375 Spee et al Mat. Sci. Eng 1993 (B17) 108 Ogura et al J. of Vac. Sci.Tech. 2008, 26, 561
ＣＶＤモード又はＡＬＤモードでのタングステン含有膜（純タングステン、タングステン窒化物又はタングステンケイ化物）の堆積は、好適な前駆体のアベイラビリティが低いことから未だ課題を抱えている（膜中の高いＣ、Ｏ又はＦ含量）。
したがって、ＣＶＤ又はＡＬＤ堆積プロセスに好適なタングステン含有前駆体が依然として必要とされている。これらの用途に望ましいタングステン含有前駆体の特性は、ｉ）液体形態又は低融点固体、ｉｉ）高揮発性、ｉｉｉ）取扱及び送達時の分解を回避するのに十分な熱安定性、ｉｖ）ＣＶＤ／ＡＬＤプロセスにおける適切な反応性並びにｖ）２００℃未満、好ましくは１５０℃未満の温度でのＣＶＤ又はＡＬＤ（熱モード又はプラズマモード）での純タングステン膜の堆積のための無酸素である。同時に、低温での堆積を可能にするには、熱安定性が過度に高くてもいけない。
＜表記法及び命名法＞
或る特定の略語、記号及び用語を以下の明細書及び特許請求の範囲全体を通して使用する。
本明細書で使用される不定冠詞「a」又は「an」は、１つ又は複数を意味する。
本明細書で使用される「独立して」という用語は、Ｒ基の説明との関連で使用される場合、対象のＲ基が同じ又は異なる下付き文字又は上付き文字を有する他のＲ基に対して独立して選択されるだけでなく、同じＲ基の任意の付加的な種に対しても独立して選択されることを意味するものと理解されたい。例えば式ＭＲ１ ｘ（ＮＲ２Ｒ３）（４−ｘ）（式中、ｘは２又は３である）において、２つ又は３つのＲ１基は互いに同一であるか、又はＲ２若しくはＲ３と同一であってもよいが、そうである必要はない。さらに、特に指定のない限り、異なる式に使用される場合のＲ基の価数は互いに独立することを理解されたい。
本明細書で使用される「アルキル基」という用語は、炭素原子及び水素原子のみを含有する飽和官能基を指す。さらに、「アルキル基」という用語は直鎖、分岐又は環状アルキル基を指す。直鎖アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。分岐アルキル基の例としては、t−ブチル基が挙げられるが、これに限定されない。環状アルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書で使用される「アリール基」という用語はフェニル、ベンジル、トリル、ｏ−キシロール等の芳香族分子から誘導される配位子を指す。
本明細書で使用される場合、略語「Ｍｅ」はメチル基を指し、略語「Ｅｔ」はエチル基を指し、略語「Ｐｒ」はｎ−プロピル基を指し、略語「ｉＰｒ」はイソプロピル基を指し、略語「Ｂｕ」はブチル（ｎ−ブチル）を指し、略語「ｔＢｕ」はｔｅｒｔ−ブチルを指し、略語「ｓＢｕ」はｓｅｃ−ブチルを指し、略語「Ｃｐ」はシクロペンタジエニルを指し、略語「ＴＨＦ」はテトラヒドロフランを指し、略語「ＤＭＥ」はジメトキシエタンを
指す。
元素周期表による元素の一般的な略語が本明細書中で使用される。元素がこれらの略語によって言及される場合もあることを理解されたい（例えば、Ｗはタングステンを指し、Ｓｉはシリコン指し、Ｃは炭素を指す等）。
本明細書で使用される略語「ＤＡＤ」は、一般構造Ｒ１−Ｎ＝ＣＲ３−ＣＲ４＝Ｎ−Ｒ２（式中、Ｒ１〜Ｒ４は各々独立してＨ；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキルシリル基（モノアルキル、ビスアルキル又はトリスアルキル）；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキルアミノ基、例えばＮＲＲ’（式中、Ｒ及びＲ’は独立してＨ又はＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基から選択される）；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状フルオロアルキル基（ここで、置換基の一部又は全てがＦである、すなわち部分的に又は完全にフッ素化されている）；又はアルコキシ置換基、例えばＯＲ（式中、ＲはＨ又はＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基から選択される）から選択される）を有するα−ジイミンである、１，４−ジアザブタ−１，３−ジエン配位子を指す。本明細書で使用される「Ｒ−ＤＡＤ」は、Ｒ１及びＲ２が指定の「Ｒ」であり、Ｒ３及びＲ４がＨであるＤＡＤ配位子を指す（例えば、ｉＰｒ−ＤＡＤはｉＰｒ−Ｎ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｎ−ｉＰｒである）。
ＤＡＤ配位子は、各々が中心元素（Ｍ）とＤＡＤ配位子との間の結合モードを決定する３つの酸化状態の１つから選択することができる。Ｘ線蛍光分光法及び／又はＸ線結晶構造決定及び／又は磁気モーメント決定を、酸化状態の決定に用いることができる。更なる理解のために、ＤＡＤ配位子の一般構造を３つの異なる酸化状態：ｉ）中性、ｉｉ）モノアニオン性及びｉｉｉ）ジアニオン性によって下記に表す。下記に示すように、ジアザブタジエン配位子における二重結合の位置が配位子の酸化状態に応じて変化することが当業者には認識されるであろう：
Figure 2014534952
 本明細書ではＲ１−Ｎ＝ＣＲ３−ＣＲ４＝Ｎ−Ｒ２（すなわち２つの二重結合を有する）として直鎖形態で記載されるが、参照のＤＡＤ配位子は中性、モノアニオン性又はジアニオン性であり得る。
式Ｗ（Ｒ１−Ｎ＝ＣＲ３−ＣＲ４＝Ｎ−Ｒ２）３（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は各々独立してＨ；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルシリル基（モノアルキル、ビスアルキル又はトリスアルキル）；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルアミノ基、例えばＮＲＲ’（式中、Ｒ及びＲ’は独立してＨ
又はＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基から選択される）；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状フルオロアルキル基（ここで、置換基の一部又は全てがＦである（すなわち部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル基））；及びアルコキシ置換基、例えばＯＲ（式中、ＲはＨ又はＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基から選択される）からなる群から選択される）を有するタングステンジアザブタジエン分子を開示する。開示の分子は以下の態様の１つ又は複数を更に含み得る：
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の各々が独立してＨ及びＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基よりなる群から選択される；
・Ｒ１及びＲ２が独立してＭｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｔＢｕ及びｉＢｕよりなる群から選択される；
・Ｒ３及びＲ４が独立してＨ又はＭｅから選択される；
・Ｒ３及びＲ４がＨである；
・Ｒ１≠Ｒ２である；
・Ｒ１及びＲ２が独立してｉＰｒ又はｎＰｒであり、Ｒ３及びＲ４がＨである；
・分子がＷ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３である；又は、
・分子がＷ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３である。
上に開示の少なくとも１つのタングステンジアザブタジエン分子を、少なくとも１つの基板が中に配置された反応器に導入し、タングステンジアザブタジエン分子の少なくとも一部を少なくとも１つの基板上に堆積させ、タングステン含有膜を形成することによってタングステン含有膜を堆積させる方法も開示する。開示の方法は以下の態様の１つ又は複数を更に含み得る：
・上記方法が約２０℃〜約６００℃の温度で行われる；
・上記方法が約１００℃〜約４００℃の温度で行われる；
・上記方法が約２０℃〜約１５０℃の温度で行われる；
・上記方法が約０．１Ｐａ〜約１０５Ｐａの圧力で行われる；
・上記方法が約２．５Ｐａ〜約１０３Ｐａの圧力で行われる；
・上記方法が化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマＣＶＤ、プラズマＡＬＤ、パルスＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、準大気圧ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、ホットワイヤＣＶＤ、ホットワイヤＡＬＤ及び超臨界流体堆積よりなる群から選択される；
・上記方法が熱原子層堆積（ＡＬＤ）である；
・タングステン含有膜がタングステン（Ｗ）、タングステンケイ化物（ＷＳｉ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、タングステン炭化物（ＷＣ）、タングステン炭窒化物（ＷＮＣ）及びタングステン酸化物（ＷＯ）よりなる群から選択される；
・反応ガスを、タングステンジアザブタジエン分子の導入と同時に又は別々に（at an alternate time）反応器に導入する；
・反応ガスが還元剤である；
・還元剤がＮ２、Ｈ２；ＳｉＨ４；Ｓｉ２Ｈ６；Ｓｉ３Ｈ８；ＮＨ３；（ＣＨ３）２ＳｉＨ２；（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２；（ＣＨ３）ＳｉＨ３；（Ｃ２Ｈ５）ＳｉＨ３；フェニルシラン；Ｎ２Ｈ４；Ｎ（ＳｉＨ３）３；Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２；Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２；Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ；Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ；Ｎ（ＣＨ３）３；Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３；（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ；（ＣＨ３）ＨＮＮＨ２；（ＣＨ３）２ＮＮＨ２；フェニルヒドラジン；Ｂ２Ｈ６；９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン；ジヒドロベンゾフラン；ピラゾリン；トリメチルアルミニウム；ジメチル亜鉛；ジエチル亜鉛；そのラジカル種；及びそれらの混合物よりなる群から選択される；
・反応ガスが酸化剤である；並びに、
・酸化剤がＯ２；Ｏ３；Ｈ２Ｏ；Ｈ２Ｏ２；ＮＯ；ＮＯ２；カルボン酸；そのラジカル種；及びそれらの混合物よりなる群から選択される。
本発明の性質及び目的の更なる理解のために、添付の図面と併せて、以下の詳細な説明について言及するものとする。
Ｗ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３の常圧熱重量分析及び真空熱重量分析を示すグラフである。
式Ｗ（Ｒ１−Ｎ＝ＣＲ３−ＣＲ４＝Ｎ−Ｒ２）３（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は各々独立してＨ；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルシリル基（モノアルキル、ビスアルキル又はトリスアルキル）；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルアミノ基、例えばＮＲＲ’（式中、Ｒ及びＲ’は独立してＨ又はＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基から選択される）；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状フルオロアルキル基（ここで、置換基の一部又は全てがＦである（すなわち部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル基））；及びアルコキシ置換基、例えばＯＲ（式中、ＲはＨ又はＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐若しくは環状アルキル基若しくはアリール基から選択される）からなる群から選択される）を有するジアザブタジエンタングステン化合物を開示する。一部の実施形態では、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は各々独立してＨ及びＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基からなる群から選択される。一部の実施形態では、Ｒ１及びＲ２は独立してＭｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｔＢｕ及びｉＢｕからなる群から選択される。一部の実施形態では、Ｒ３及びＲ４は独立してＨ又はＭｅから選択される。一部の実施形態では、Ｒ１及びＲ２はｉＰｒ又はｎＰｒであり、Ｒ３及びＲ４はＨである。一部の実施形態では、Ｒ１≠Ｒ２である。
化合物の物理的特性及び熱的特性は利用するＲ置換基に応じて異なる。一部の実施形態では、開示のタングステンジアザブタジエン化合物はホモレプティックであり、一段階での合成を可能にし、より低い合成コストが可能となる。他の実施形態では、開示のタングステンジアザブタジエン化合物は非対称であり、より良好な揮発性及び融点を有する化合物をもたらし得る。
タングステンジアザブタジエン化合物中にＷ−Ｎ結合しか存在しないことにより、得られるタングステン含有膜への炭素等の他の元素の侵入が制限される。膜堆積の観点からのＷ−Ｎ結合のフレキシビリティは、タングステン、タングステン窒化物、タングステン炭窒化物、タングステン酸化物又は任意の他のタイプのタングステン含有膜への分子の使用も可能にする。これらの化合物は、適当な熱安定性のためにタングステン含有膜堆積をより低い温度で可能にする。化合物が無酸素であるため、ＣＶＤ又はＡＬＤ（熱モード又はプラズマモード）での純タングステン膜の堆積を２００℃未満、好ましくは１５０℃未満の温度で行うことができる。化合物は、標的温度での厚さ及び組成を制御した膜の堆積に使用することができる。
例示的なタングステン含有化合物としては、Ｗ（ＭｅＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮＭｅ）３、Ｗ（ＥｔＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮＥｔ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｎＢｕＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｎＢｕ）３、Ｗ（ｔＢｕＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｉＢｕＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＢｕ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ＭｅＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮＭｅ）３、Ｗ（ＥｔＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮＥｔ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｎＢｕＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｎＢｕ）３、Ｗ（ｔＢｕＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｉＢｕＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｉＢｕ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮＭｅ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮＥｔ）３、
Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ＭｅＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮＭｅ）３、Ｗ（ＥｔＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮＥｔ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｎＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｎＢｕＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｎＢｕ）３、Ｗ（ｔＢｕＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｉＢｕＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｉＢｕ）３、Ｗ（ＭｅＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮＥｔ）３、Ｗ（ＭｅＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ＥｔＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ＭｅＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮＭｅ）３、Ｗ（ＥｔＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮＥｔ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｎＢｕＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮｎＢｕ）３、Ｗ（ｔＢｕＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｉＢｕＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−ＣＨ＝ＮｉＢｕ）３、Ｗ（ＭｅＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮＭｅ）３、Ｗ（ＥｔＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮＥｔ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮｎＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｎＢｕＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮｎＢｕ）３、Ｗ（ｔＢｕＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｉＢｕＮ＝Ｃ（ＣＦ３）−Ｃ（ＣＦ３）＝ＮｉＢｕ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＨ＝ＮｔＢｕ）３、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｉＰｒ）３、Ｗ（ｉＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｔＢｕ）３及びＷ（ｎＰｒＮ＝ＣＭｅ−ＣＭｅ＝ＮｔＢｕ）３が挙げられるが、これらに限定されない。
タングステン含有化合物がＷ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３又はＷ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３であるのが好ましい。
タングステン含有化合物は、第１の工程において、ＷＣｌ４又はＷＣｌ６を、限定されるものではないがＴＨＦ又はＤＭＥから選択される溶媒中で、限定されるものではないがＮａ、Ｎａ／ナフタレン、Ｌｉ又はＺｎから選択される還元剤を用いて還元し、第２の工程において、第１の工程の生成物を３当量の対応する中性ジアザブタジエン配位子と反応させることによって合成することができる。ジアザブタジエン配位子を除く全ての反応物質が市販されている。
代替的には、タングステン含有前駆体を、下記に示すように、ＷＣｌ４を第１又は第２の工程において１当量の中性ジアザブタジエン、及び第１又は第２の工程において２当量のビスリチウム化ジアザブタジエンと反応させることによって二段階で合成することができる。ナトリウム又はカリウムをジアザブタジエンの還元に使用することができる。ビスリチウム化ジアザブタジエンは、ジアザブタジエンとリチウム金属とを反応させることによって予め調製することができる。ジアザブタジエン配位子を除く他の全ての反応物質が市販されている。
Figure 2014534952
別の代替形態では、下記に示すように、ＷＣｌ６と３当量以上のビスリチウム化ジアザブタジエンとを反応させることによってタングステン含有前駆体を合成することができる。合成の更なる詳細は以下の実施例に提示する。ビスリチウム化ジアザブタジエンは、ジアザブタジエンとリチウム金属とを反応させることによって予め調製することができる。ナトリウム又はカリウムを同様にジアザブタジエンの還元に使用することができる。ジアザブタジエン配位子を除く全ての反応物質が市販されている。
Figure 2014534952
ジアザブタジエン配位子はH. Tom Dieck Z. Naturforsch. 36b, 814-822, 1981（その全体が引用することにより本明細書の一部をなすものとする）に公開されている方法に従って調製する。より具体的には、ジアザブタジエン配位子は、１モル当量の関連のグリオキサル（Ｏ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｏ、Ｏ＝ＣＨ−ＣＭｅ＝Ｏ、Ｏ＝Ｃ（ＣＦ３）ＣＨ＝Ｏ等）を２モル当量以上のアミン（ＲＮＨ２）と反応させ、関連のジアザブタジエン（ＲＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮＲ、ＲＮ＝ＣＨ−ＣＭｅ＝ＮＲ、ＲＮ＝Ｃ（ＣＦ３）ＣＨ＝ＮＲ等）を生成することによって合成することができる。非対称配位子については、出願人らは、１モル当量の第１のアミン（ＲＮＨ２）を利用して、中間体（ＲＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｏ、ＲＮ＝ＣＨ−ＣＭｅ＝Ｏ、ＲＮ＝Ｃ（ＣＦ３）ＣＨ＝Ｏ等）を生成することができ、これを１モル当量以上の第２のアミン（Ｒ’ＮＨ２）と反応させて、非対称ジアザブタジエン（ＲＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮＲ’、ＲＮ＝ＣＨ−ＣＭｅ＝ＮＲ’、ＲＮ＝Ｃ（ＣＦ３）ＣＨ＝ＮＲ’等）を生成することができると考える。
蒸着プロセスを用いてタングステン含有層を基板上に形成する方法も開示する。該方法は半導体デバイス、光起電デバイス、ＬＣＤ−ＴＦＴデバイス又はフラットパネル型のデバイスの製造に有用であり得る。
タングステン含有膜は、上で論考した少なくとも１つの開示のタングステンジアザブタジエン化合物を、少なくとも１つの基板が中に配置された反応器に導入することによって堆積させることができる。開示のタングステンジアザブタジエン化合物の少なくとも一部を少なくとも１つの基板上に堆積させ、タングステン含有膜を形成する。
開示のタングステンジアザブタジエン化合物は、当業者に既知の任意の堆積法を用いた薄いタングステン含有膜の堆積に使用することができる。好適な堆積法の例としては、従来の化学蒸着（ＣＶＤ）若しくは原子層堆積（ＡＬＤ）、又はプラズマ［プラズマ支援化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）又はプラズマ支援原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）］、導入スキームの調整［パルス化化学蒸着（ＰＣＶＤ）］、反応圧力の調整［減圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、低大気圧ＣＶＤ（ＳＡＣＶＤ）、又は常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ）］、ホットワイヤ化学蒸着（ＨＷＣＶＤ；ｃａｔＣＶＤとしても知られる；ホットワイヤが堆積プロセスの触媒として働く）、ホットワイヤ原子層堆積（ＨＷＡＬＤ）若しくは超臨界流体を用いた堆積、若しくはこれらの組合せ等の技法を用いた蒸着（vapor coating）に関連する他のタイプの堆積が挙げられるが、これらに限定されない。一代替形態では、特に急速な成長、コン
フォーマル性、プロセス指向及び一方向膜が要求される場合、熱ＣＶＤ堆積が好ましい。別の代替形態では、特に厄介な表面（例えばトレンチ、ホール、ビア）上に堆積させる膜の優れたコンフォーマル性が要求させる場合、熱ＡＬＤ堆積プロセスが好ましい。
開示のタングステンジアザブタジエン化合物は純粋な（neat）形態で、又はエチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン等の好適な溶媒とブレンドして供給することができる。開示の化合物は溶媒中に様々な濃度で存在し得る。
１つ又は複数の純粋なタングステンジアザブタジエン化合物又はブレンドを、チューブ及び／又は流量計等の従来の手段によって蒸気形態で反応器に導入する。蒸気形態は、純粋な化合物又はブレンドを直接蒸発、蒸留等の従来の蒸発工程によって、又はバブリングによって、又はXu et alの国際公開第２００９／０８７６０９号に開示されているような昇華装置を用いて蒸発させることにより生成することができる。純粋な化合物又はブレンドを液体状態で蒸発装置に供給し、そこで蒸発させた後、反応器に導入することができる。代替的には、純粋な化合物又はブレンドを、キャリアガスを純粋な化合物若しくはブレンドの入った容器に通すか、又はキャリアガスを純粋な化合物若しくはブレンド中にバブリングすることによって蒸発させることができる。キャリアガスはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２及びそれらの混合物を含み得るが、これらに限定されない。また、キャリアガスによるバブリングによって、純粋な化合物又はブレンド中に存在する溶存酸素を全て除去することができる。次いで、キャリアガス及び化合物を蒸気として反応器に導入する。
必要に応じて、開示の化合物／ブレンドの容器を、化合物／ブレンドがその液相に存在し、十分な蒸気圧を有するようになる温度まで加熱してもよい。容器を例えばおよそ０℃〜およそ１５０℃の範囲の温度で維持してもよい。蒸発する化合物の量を制御する既知の方法で容器の温度を調節することができることが当業者には認識される。
反応器は、堆積法を行うデバイス内の任意のエンクロージャ又はチャンバ、例えば、限定されるものではないが、平行板型反応器、低温壁型反応器、高温壁型反応器、単一ウエハ反応器、マルチウエハ反応器、又は前駆体を反応させ、層を形成するのに好適な条件下の他のタイプの堆積システムであり得る。
反応器は概して、薄膜を上に堆積させる１つ又は複数の基板を含有する。１つ又は複数の基板は、半導体デバイス、光起電デバイス、フラットパネルデバイス又はＬＣＤ−ＴＦＴデバイスの製造に使用される任意の好適な基板であり得る。好適な基板の例としては、シリコン基板、シリカ基板、シリコン窒化物基板、シリコンオキシ窒化物基板、タングステン基板又はこれらの組合せが挙げられるが、これらに限定されない。さらに、タングステン又は貴金属（例えば白金、パラジウム、ロジウム又は金）を含む基板を使用することができる。基板は、先の製造工程によって異なる材料の１つ又は複数の層が既に上に堆積していてもよい。
反応器内の温度及び圧力は、基板上へのタングステンジアザブタジエン化合物の少なくとも一部の蒸着に好適な条件に保持される。言い換えると、蒸発した化合物をチャンバに導入した後、チャンバ内の条件を蒸発した化合物の少なくとも一部が基板上に堆積し、タングステン含有膜を形成するようなものとする。例えば、反応器内の圧力を堆積パラメータによって要求されるように約０．１Ｐａ〜約１０５Ｐａ、より好ましくは約２．５Ｐａ〜約１０３Ｐａに保持することができる。同様に、反応器内の温度を約２０℃〜約６００℃、好ましくは約１００℃〜約４００℃、又は約２０℃〜約１５０℃に保持することができる。
反応器の温度は、基板ホルダーの温度の制御及び／又は反応器壁の温度の制御によって
制御することができる。基板の加熱に使用されるデバイスは当該技術分野で既知である。反応器壁は、所望の膜を十分な成長速度並びに所望の物理的状態及び組成で得るのに十分な温度に加熱される。反応器壁を加熱することができる非限定的な例示的温度範囲としては、およそ２０℃〜およそ６００℃が挙げられる。プラズマ堆積プロセスを利用する場合、堆積温度はおよそ２０℃〜およそ３５０℃の範囲であり得る。代替的には、熱プロセスを行う場合、堆積温度はおよそ２００℃〜およそ６００℃の範囲であり得る。
開示のタングステンジアザブタジエン化合物に加えて、反応ガスを反応器に導入してもよい。反応ガスは酸化剤、例えばＯ２；Ｏ３；Ｈ２Ｏ；Ｈ２Ｏ２；Ｏ・又はＯＨ・等の酸素含有ラジカル；ＮＯ；ＮＯ２；ギ酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸；ＮＯ、ＮＯ２又はカルボン酸のラジカル種；及びそれらの混合物の１つであり得る。酸化剤はＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ・又はＯＨ・等のその酸素含有ラジカル及びそれらの混合物からなる群から選択されるのが好ましい。
代替的には、反応ガスは還元剤、例えばＨ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、（ＣＨ３）２ＳｉＨ２、（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２、（ＣＨ３）ＳｉＨ３、（Ｃ２Ｈ５）ＳｉＨ３、フェニルシラン、Ｎ２Ｈ４、Ｎ（ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２、Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ、Ｎ（ＣＨ３）３、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ、（ＣＨ３）ＨＮＮＨ２、（ＣＨ３）２ＮＮＨ２、フェニルヒドラジン、Ｎ含有分子、Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、ジヒドロベンゾフラン、ピラゾリン、トリメチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、そのラジカル種及びそれらの混合物の１つであり得る。還元剤はＨ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、その水素ラジカル又はそれらの混合物であるのが好ましい。
反応ガスは、反応ガスをそのラジカル形態へと分解するためにプラズマによって処理することができる。プラズマによる処理の際にＮ２を還元剤として利用してもよい。例えば、プラズマは約５０Ｗ〜約５００Ｗ、好ましくは約１００Ｗ〜約２００Ｗの範囲の電力で発生させることができる。プラズマは発生させてもよく、又は反応器自体に存在していてもよい。代替的には、プラズマは概して反応器から離れて、例えば遠隔設置されたプラズマシステム内に位置し得る。かかるプラズマ処理に好適な方法及び装置が当業者には認識されるであろう。
チャンバ内の蒸着条件により、タングステンジアザブタジエン化合物及び／又は反応ガスが基板上にタングステン含有膜を形成することが可能になる。一部の実施の形態では、出願人らは反応ガスのプラズマ処理が、反応ガスに開示の化合物と反応させるのに必要なエネルギーを与えることができると考える。
堆積が望まれる膜のタイプに応じて、第２の前駆体を反応器に導入してもよい。第２の前駆体は別の元素源、例えばシリコン、銅、プラセオジム、マンガン、ルテニウム、チタン、タンタル、ビスマス、ジルコニウム、ハフニウム、鉛、ニオブ、マグネシウム、アルミニウム、ランタン又はこれらの混合物を含む。第２の前駆体を利用する場合、得られる基板上に堆積した膜は少なくとも２つの異なる元素を含有し得る。
タングステンジアザブタジエン化合物及び反応ガスは反応器に同時に（化学蒸着）、順次に（原子層堆積）又はこれらの異なる組合せで導入することができる。化合物の導入と反応ガスの導入との間に反応器を不活性ガスでパージしてもよい。代替的には、反応ガス及び化合物を混合して反応ガス／化合物混合物を形成した後、反応器に混合物形態で導入することができる。別の例は、反応ガスを連続的に導入し、少なくとも１つのタングステンジアザブタジエン化合物をパルス状に導入することである（パルス化化学蒸着）。
蒸発した化合物及び反応ガスは、反応器へと順次に又は同時に（例えばパルス化ＣＶＤ）パルス化することができる。各々の化合物パルスは約０．０１秒〜約１０秒、代替的には約０．３秒〜約３秒、代替的には約０．５秒〜約２秒の範囲の期間にわたって持続し得る。別の実施形態では、反応ガスを反応器へとパルス化してもよい。かかる実施形態では、各々のガスのパルスは約０．０１秒〜約１０秒、代替的には約０．３秒〜約３秒、代替的には約０．５秒〜約２秒の範囲の期間にわたって持続し得る。
特定のプロセスパラメータに応じて、堆積を様々な時間で行うことができる。概して、所要の特性を有する膜を生成するために、堆積を所望される又は必要な期間継続することができる。典型的な膜厚は、具体的な堆積プロセスに応じて数オングストロームから数百ミクロンまで様々であり得る。堆積プロセスは、所望の膜を得るため必要に応じて何度行ってもよい。
非限定的な一例示的ＣＶＤ式プロセスでは、開示のタングステンジアザブタジエン化合物の気相及び反応ガスを同時に反応器に導入する。これら２つが反応し、結果としてタングステンジアザブタジエン化合物の少なくとも一部がタングステン含有薄膜として基板上に堆積される。この例示的ＣＶＤプロセスにおいて反応ガスをプラズマで処理する場合、例示的ＣＶＤプロセスは例示的ＰＥＣＶＤプロセスとなる。反応ガスをチャンバへ導入する前又は導入した後にプラズマで処理することができる。
非限定的な一例示的ＡＬＤ式プロセスでは、開示のタングステンジアザブタジエン化合物の気相を反応器に導入し、そこでの条件は化合物を基板と反応させるのに好適なものである。次いで、反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な化合物を反応器から除去することができる。還元剤（例えばＨ２）を反応器に導入し、そこで吸着した化合物と自己制御式に反応させる。反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な還元剤を全て反応器から除去する。所望の膜がタングステン膜である場合、この二段階プロセスによって所望の膜厚を得ることができ、又は所要の厚さの膜が得られるまでこれを繰り返すことができる。
代替的には、所望の膜が２つの元素を含有する場合、上記の二段階プロセスに続いて第２の前駆体の蒸気を反応器に導入することができる。第２の前駆体は、堆積させる膜中の所望の第２の元素に基づいて選択される。第２の前駆体を反応器に導入し、そこでの条件は第２の前駆体を堆積タングステン層と反応させるのに好適なものである。反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な第２の前駆体を全て反応器から除去する。還元剤を再び反応器に導入して堆積する第２の前駆体と反応させてもよい。反応器のパージ及び／又は排気によって過剰な還元剤を反応器から除去する。所望の膜厚が達成された場合、プロセスを終わらせることができる。しかしながら、より厚い膜が所望される場合、四段階プロセス全体を繰り返してもよい。タングステンジアザブタジエン化合物、第２の前駆体及び反応ガスの供給を交互に行うことによって、所望の組成及び厚さの膜を堆積させることができる。
この例示的ＡＬＤプロセスにおいて反応ガスをプラズマで処理する場合、例示的ＡＬＤプロセスは例示的ＰＥＡＬＤプロセスとなる。反応ガスをチャンバへ導入する前又は導入した後にプラズマで処理することができる。
上で論考したプロセスによって得られるタングステン含有膜は、純タングステン（Ｗ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、タングステン炭化物（ＷＣ）、タングステン炭窒化物（ＷＣＮ）、タングステンケイ化物（ＷｋＳｉｌ）又はタングステン酸化物（ＷｎＯｍ）膜（ここで、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、包括的に１〜６の範囲の整数である）を含み得る。適切
なタングステンジアザブタジエン化合物、任意の第２の前駆体及び反応ガス種の最善の（judicial）選択によって、所望の膜組成を得ることができることが当業者には認識されるであろう。
所望の膜厚を得るには、膜を熱アニーリング、炉アニーリング、高速熱アニーリング、ＵＶ硬化若しくは電子ビーム硬化及び／又はプラズマガス曝露等の更なる処理に供することができる。これらの付加的な処理工程を行うために利用するシステム及び方法が当業者には認識される。例えば、タングステン含有膜を不活性雰囲気、Ｈ含有雰囲気、Ｎ含有雰囲気、Ｏ含有雰囲気又はこれらの組合せの下で、およそ２００℃〜およそ１０００℃の範囲の温度に、およそ０．１秒〜およそ７２００秒の範囲の時間にわたって曝露することができる。最も好ましくは、温度はＨ含有雰囲気下、３６００秒間では４００℃である。得られる膜が含有する不純物がより少ないことから、密度が改善され、結果としてリーク電流が改善され得る。アニーリング工程は、堆積プロセスを行うのと同じ反応チャンバ内で行うことができる。代替的には、基板を反応チャンバから取り出し、アニーリング／フラッシュアニーリングプロセスを別の装置で行ってもよい。上記の後処理方法のいずれも、とりわけ熱アニーリングは、タングステン含有膜の炭素汚染及び窒素汚染の低減に効果的であり得る。これにより膜の抵抗率が改善される傾向がある。
アニーリングの後、開示のいずれかのプロセスによって堆積させたタングステン含有膜は、室温でおよそ５．５μΩ・ｃｍ〜およそ７０μΩ・ｃｍ、好ましくはおよそ５．５μΩ・ｃｍ〜およそ２０μΩ・ｃｍ、より好ましくはおよそ５．５μΩ・ｃｍ〜およそ１２μΩ・ｃｍのバルク抵抗率を有し得る。室温は時期に応じておよそ２０℃〜およそ２８℃である。バルク抵抗率は体積抵抗率としても知られる。バルク抵抗率が通常およそ５０ｎｍ厚のＷ膜に対して室温で測定されることが当業者には認識されるであろう。バルク抵抗率は通常、電子伝達機構の変化によって膜厚の減少とともに増大する。またバルク抵抗率は温度の上昇とともに増大する。
以下の非限定的な実施例は、本発明の実施形態を更に例示するために提示するものである。しかしながら、実施例は、全てを包括するものであることを意図するものではなく、本明細書中に記載される本発明の範囲を限定することを意図するものでもない。
実施例１：Ｗ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３の合成
窒素下の１００ｍＬ容のシュレンクフラスコに、１．０１ｇ（７．２ｍｍｏｌ）のグリオキサル−ビスイソプロピルイミンを１０ｍＬの無水ＴＨＦとともに導入した。３当量の新たに切削したリチウム金属１５０ｍｇ（２１．６ｍｍｏｌ）を室温で添加し、一晩反応させた。溶液は濃赤色に変わった。過剰な金属リチウムを濾過によって除去した。この溶液をＷＣｌ６のＴＨＦ懸濁液９５２ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）に−７８℃でゆっくりと滴下した。濃色の溶液を室温で一晩撹拌した。次いで、溶媒を真空下で除去し、前駆体をペンタンに溶解した。Ｃｅｌｉｔｅ（商標）珪藻土での濾過に続いて真空下でペンタンの蒸発を行い、ろう状の固体を得た。原料の粘着性のために、揮発性不純物を、蒸留エルボーを用いて除去する。その後の１５０℃、３００ｍＴｏｒｒでの昇華によって、ＮＭＲの１ＨシフトがＷ（＋ＶＩ）（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３の構造に相当する濃色の結晶２２５ｍｇが得られた（収率１５％）。ＮＭＲ１Ｈ（Ｃ６Ｄ６、δ）：６．６１ｐｐｍ（ｓ，２Ｈ）、４．５０ｐｐｍ（ｍ，２Ｈ）、１．２７（ｄ，６Ｈ）、１．０（ｄ，６Ｈ）。
実施例２：Ｗ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３の熱的特性評価
実施例１で合成した分子の熱的特性を、不活性雰囲気に置いた熱重量分析ツールを用いて評価した。図に示されるように、残留物の量は真空条件下で４％であったが、標準条件
（例えば常圧条件）では２０％に近かった（常圧熱重量分析（ＴＧＡ）及び常圧示差熱分析（ＤＴＡ）の結果を実線で示し、真空ＴＧＡ及び真空ＤＴＡの結果を破線で示し、ＴＧＡの結果はグラフの左上部分から始まって右下へと向かい、ＤＴＡの結果はグラフの中央左手から始まる）。これらの結果から、１−分子の純度が良好であったこと（真空モードで低い残留物量）、及び；２−標準条件での残留物量の増加が、分子が３００℃前後で分解し始めたことを意味することが分かり、堆積プロセスの温度範囲（temperature window）が３００℃よりはるかに低い温度から始まり得ることが分かる。
実施例３：Ｗ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３を用いた薄いＷ膜の予測的（Prophetic）堆積
Ｗ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３を実施例１に記載のように合成した。この分子を用いて、Ｗ膜が得られることが期待され、以下の実施例はとりわけかかる膜を堆積させる一方法を説明する。
タングステン分子をキャニスタに入れる。十分な蒸気を供給するために、加熱したキャニスタ内に窒素を流入させることによってＷ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３の蒸気を反応炉に移す。水素を堆積システムに導入し、ＡＬＤスキームにおいてウエハの表面にあるタングステン蒸気と反応させる（前駆体蒸気の導入は十分に長い不活性ガスパージで区切られる）。水素（Ｈ２）は最適な分子と考えられるが、任意のタイプの還元剤を選択することができる。Ｗ膜が得られる。分析結果から、タングステン分子の蒸気の導入時間を延長するとＡＬＤモードに典型的な飽和モードが得られることが示される。
実施例４：Ｗ（ｉＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｉＰｒ）３の代替的合成
２ｇのＷＣｌ４（６ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（３０ｍＬ）及び０．８６ｇのｉＰｒ−ＤＡＤ（６ｍｍｏｌ）を窒素下の１００ｍＬ容のシュレンクフラスコ（「第１のフラスコ」）に添加し、反応混合物を１２時間反応させる。１．７２ｇのｉＰｒ−ＤＡＤ（１２．２ｍｍｏｌ）を、第２の１００ｍＬ容のシュレンクフラスコ（「第２のフラスコ」）内のＴＨＦ（３０ｍＬ）に溶解した。０．２６ｇのＬｉワイヤ（３７ｍｍｏｌ）をゆっくりと溶液に添加した。室温で１２時間後、過剰のＬｉを除去した。第２のフラスコ内の得られた濃い赤紫色の溶液を第１のフラスコに移した。第１のフラスコ内の得られた混合物を室温で１日反応させ、濃紫色の溶液を生成した。濃紫色の溶液を蒸発させ、ペンタンで抽出し、Ｃｅｌｉｔｅ（商標）珪藻土で濾過した。原料の粘着性のために、揮発性不純物を、蒸留エルボーを用いて除去する。得られたろう状の固体を昇華（１６５℃、６００ｍＴｏｒｒ）によって精製し、濃紫色の固体を得た（１．１ｇ又は２８％（ｗ／ｗ））。ＮＭＲ１Ｈ（Ｃ６Ｄ６、δ）：６．６１ｐｐｍ（ｓ，Ｃ＝ＣＨ）、４．４８ｐｐｍ（ｓｅ，ＣＨ（ＣＨ３）２）、１．２７（ｄ，ＣＨ（ＣＨ３）２）、１．００（ｄ，ＣＨ（ＣＨ３）２）。
実施例４で生成したＷ（ＤＡＤ）３の１Ｈ−ＮＭＲは、含有する不純物が実施例１で生成したＷ（ＤＡＤ）３の１Ｈ−ＮＭＲよりも少なかった。同様に、ＴＧＡの残留物量は実施例４よりも実施例１で高くなる。分子は１ｔｏｒｒで１９５℃の蒸気圧、真空ＴＧＡでおよそ５％の残留物及び常圧ＴＧＡでおよそ１７％の残留物を示した。
実施例５：Ｗ（ｎＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｎＰｒ）３の合成
Ｗ（ｎＰｒＮ−ＣＨ＝ＣＨ−ＮｎＰｒ）３を実施例１と同様の方法で合成した。生成した液体は蒸留による精製が困難であった。出願人らは、反応時間及び反応物質の特性の調節によって、より精製が可能な生成物を得ることができると考える。Ｗ（ｎＰｒ−ＤＡＤ）３分子は良好な熱特性を示し、１ｔｏｒｒで１３５℃の蒸気圧、真空ＴＧＡでおよそ４％の残留物及び常圧ＴＧＡでおよそ５％の残留物を有する。
実施例６：他のＷ（ＤＡＤ）３分子の合成
実施例１の方法を用いたＷ（ＤＡＤ）３分子（ここで、Ｒ１及びＲ２がｔＢｕであり、Ｒ３及びＲ４がＨであった；Ｒ１及びＲ２がｉＰｒであり、Ｒ３がＭｅであり、Ｒ４がＨであった；Ｒ１及びＲ２がＭｅであり、Ｒ３及びＲ４がＭｅであった；Ｒ１及びＲ２がｉＰｒであり、Ｒ３及びＲ４がＭであった）の合成は不成功に終わった。他の方法による合成は未だ行われていない。
本発明の性質を説明するために本明細書中に記載及び例示されている詳細、材料、工程及び部材の配列の多くの更なる変更は、添付の特許請求の範囲に表される本発明の原理及び範囲内で当業者が行うことができることが理解される。よって、本発明は、上記に挙げられる実施例及び／又は添付の図面における具体的な実施形態に限定されることが意図されるものではない。

Claims (15)

  1. 式Ｗ（Ｒ１−Ｎ＝ＣＲ３−ＣＲ４＝Ｎ−Ｒ２）３（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は各々独立してＨ；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルシリル基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルアミノ基；及びＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状フルオロアルキル基からなる群から選択される）を有する分子。
  2. Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が、各々独立してＨ及びＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基よりなる群から選択される、請求項１に記載の分子。
  3. Ｒ１及びＲ２が独立してＭｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｔＢｕ及びｉＢｕよりなる群から選択され、Ｒ３及びＲ４が独立してＨ又はＭｅから選択される、請求項２に記載の分子。
  4. Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３又はＷ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３である、請求項１に記載の分子。
  5. タングステン含有膜を堆積させる方法であって、
    少なくとも１つのタングステンジアザブタジエン化合物を、少なくとも１つの基板が中に配置された反応器に導入することであって、該少なくとも１つのタングステンジアザブタジエン化合物が式Ｗ（Ｒ１−Ｎ＝ＣＲ３−ＣＲ４＝Ｎ−Ｒ２）３（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が各々独立してＨ；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキル基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルシリル基；Ｃ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状アルキルアミノ基；及びＣ１〜Ｃ６直鎖、分岐又は環状フルオロアルキル基からなる群から選択される）を有することと、
    前記タングステン含有膜を形成するように、前記タングステンジアザブタジエン化合物の少なくとも一部を前記少なくとも１つの基板上に堆積させることと、
    を含む、方法。
  6. 前記タングステンビスジアザブタジエン化合物が、Ｗ（ｎＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｎＰｒ）３又はＷ（ｉＰｒＮ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＮｉＰｒ）３である、請求項５に記載の方法。
  7. 約２０℃〜約６００℃、好ましくは約１００℃〜約４００℃の温度で行われる、請求項５又は６に記載の方法。
  8. 約０．１Ｐａ〜約１０５Ｐａ、好ましくは約２．５Ｐａ〜約１０３Ｐａの圧力で行われる、請求項５ないし請求項７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記方法が、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマＣＶＤ、プラズマＡＬＤ、パルスＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、準大気圧ＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、ホットワイヤＣＶＤ、ホットワイヤＡＬＤ及び超臨界流体堆積よりなる群から選択される、請求項５ないし請求項８のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記タングステン含有膜が、タングステン（Ｗ）、タングステンケイ化物（ＷＳｉ）、タングステン窒化物（ＷＮ）、タングステン炭化物（ＷＣ）、タングステン炭窒化物（ＷＮＣ）及びタングステン酸化物（ＷＯ）よりなる群から選択される、請求項５ないし請求項９のいずれか一項に記載の方法。
  11. 反応ガスを、前記タングステンジアザブタジエン分子の導入と同時に又は別々に前記反応器に導入することを更に含む、請求項５ないし請求項１０のいずれか一項に記載の方法
    。
  12. 前記反応ガスが還元剤である、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記還元剤がＮ２、Ｈ２；ＳｉＨ４；Ｓｉ２Ｈ６；Ｓｉ３Ｈ８；ＮＨ３；（ＣＨ３）２ＳｉＨ２；（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２；（ＣＨ３）ＳｉＨ３；（Ｃ２Ｈ５）ＳｉＨ３；フェニルシラン；Ｎ２Ｈ４；Ｎ（ＳｉＨ３）３；Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２；Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２；Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ；Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ；Ｎ（ＣＨ３）３；Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３；（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ；（ＣＨ３）ＨＮＮＨ２；（ＣＨ３）２ＮＮＨ２；フェニルヒドラジン；Ｂ２Ｈ６；９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン；ジヒドロベンゾフラン；ピラゾリン；トリメチルアルミニウム；ジメチル亜鉛；ジエチル亜鉛；そのラジカル種；及びそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記反応ガスが酸化剤である、請求項１１に記載の方法。
  15. 前記酸化剤がＯ２；Ｏ３；Ｈ２Ｏ；Ｈ２Ｏ２；ＮＯ；ＮＯ２；カルボン酸；そのラジカル種；及びそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
JP2014532537A 2011-09-27 2012-09-27 タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用 Pending JP2014534952A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161539765P 2011-09-27 2011-09-27
US61/539,765 2011-09-27
PCT/IB2012/055169 WO2013046155A1 (en) 2011-09-27 2012-09-27 Tungsten diazabutadiene precursors, their synthesis, and their use for tungsten containing film depositions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014534952A true JP2014534952A (ja) 2014-12-25

Family

ID=47178784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014532537A Pending JP2014534952A (ja) 2011-09-27 2012-09-27 タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140235054A1 (ja)
JP (1) JP2014534952A (ja)
KR (1) KR20140067147A (ja)
WO (1) WO2013046155A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017226614A (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 株式会社Adeka バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
KR20200037218A (ko) 2017-08-21 2020-04-08 가부시키가이샤 아데카 텅스텐 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
US10900119B2 (en) 2017-06-15 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Tungsten precursor and method of forming Tungsten containing layer using the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5636867B2 (ja) 2010-10-19 2014-12-10 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6097754B2 (ja) 2011-09-27 2017-03-15 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード ニッケル含有膜を堆積させる方法、及びニッケルケイ化物膜を堆積させるａｌｄ方法
US9637395B2 (en) 2012-09-28 2017-05-02 Entegris, Inc. Fluorine free tungsten ALD/CVD process
TWI577824B (zh) 2013-06-06 2017-04-11 應用材料股份有限公司 使用二氮丁二烯基前驅物沉積含錳膜之方法
TWI647223B (zh) * 2013-06-28 2019-01-11 韋恩州立大學 作爲用於在基材上形成層之還原劑的雙（三甲矽基）六員環系統及相關化合物
US9249505B2 (en) 2013-06-28 2016-02-02 Wayne State University Bis(trimethylsilyl) six-membered ring systems and related compounds as reducing agents for forming layers on a substrate
US9067958B2 (en) * 2013-10-14 2015-06-30 Intel Corporation Scalable and high yield synthesis of transition metal bis-diazabutadienes
US9653352B2 (en) * 2014-04-11 2017-05-16 Applied Materials, Inc. Methods for forming metal organic tungsten for middle of the line (MOL) applications
JP6635950B2 (ja) 2014-06-13 2020-01-29 ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド 液体前駆体組成物、その製造方法、及び前記組成物を利用した膜の形成方法
TWI656232B (zh) * 2014-08-14 2019-04-11 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 鉬組成物及其用於形成氧化鉬膜之用途
US9685370B2 (en) * 2014-12-18 2017-06-20 Globalfoundries Inc. Titanium tungsten liner used with copper interconnects
JP6465699B2 (ja) * 2015-03-06 2019-02-06 株式会社Adeka ジアザジエニル化合物、薄膜形成用原料、薄膜の製造方法及びジアザジエン化合物
KR101581314B1 (ko) * 2015-07-20 2015-12-31 (주)마이크로켐 텅스텐 전구체 및 이를 포함하는 텅스텐 함유 필름 증착방법
CN110980738B (zh) * 2019-12-04 2021-07-27 中国化学赛鼎宁波工程有限公司 一种硅烷热解法制备乙硅烷和丙硅烷的系统及其方法
CN114836729A (zh) * 2022-05-17 2022-08-02 合肥安德科铭半导体科技有限公司 一种功函数可调的wcn薄膜沉积方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD295876A5 (de) * 1990-09-20 1991-11-14 Inst. F. Physikalische U. Mechanische Technologie Chemnitz,De Verfahren zum abscheiden amorpher hartstoffschichten
US6020511A (en) * 1996-10-02 2000-02-01 Micron Technology, Inc. Methods, complexes, and systems for forming metal-containing films
JP2005533178A (ja) * 2002-07-12 2005-11-04 ザ プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ 窒化タングステンの蒸着
JP2005307218A (ja) * 1995-01-24 2005-11-04 E I Du Pont De Nemours & Co 触媒組成物
JP2007182443A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Hc Starck Gmbh & Co Kg タングステン化合物及びモリブデン化合物並びに化学蒸着（ｃｖｄ）のためのその使用

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281124B1 (en) * 1998-09-02 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Methods and systems for forming metal-containing films on substrates
US7199255B2 (en) * 2001-12-18 2007-04-03 Univation Technologies, Llc Imino-amide catalysts for olefin polymerization
EP1620447B1 (en) * 2002-05-30 2007-08-08 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Soluble late transition metal catalysts for olefin oligomerizations iii
US9034105B2 (en) 2008-01-10 2015-05-19 American Air Liquide, Inc. Solid precursor sublimator
WO2012027357A2 (en) 2010-08-24 2012-03-01 Wayne State University Thermally stable volatile precursors
WO2013015947A2 (en) * 2011-07-22 2013-01-31 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Heteroleptic (allyl)(pyrroles-2-aldiminate) metal-containing precursors, their synthesis and vapor deposition thereof to deposit metal-containing films

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DD295876A5 (de) * 1990-09-20 1991-11-14 Inst. F. Physikalische U. Mechanische Technologie Chemnitz,De Verfahren zum abscheiden amorpher hartstoffschichten
JP2005307218A (ja) * 1995-01-24 2005-11-04 E I Du Pont De Nemours & Co 触媒組成物
US6020511A (en) * 1996-10-02 2000-02-01 Micron Technology, Inc. Methods, complexes, and systems for forming metal-containing films
JP2005533178A (ja) * 2002-07-12 2005-11-04 ザ プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ 窒化タングステンの蒸着
JP2007182443A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Hc Starck Gmbh & Co Kg タングステン化合物及びモリブデン化合物並びに化学蒸着（ｃｖｄ）のためのその使用

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017226614A (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 株式会社Adeka バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
WO2017221586A1 (ja) * 2016-06-22 2017-12-28 株式会社Adeka バナジウム化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
US10882874B2 (en) 2016-06-22 2021-01-05 Adeka Corporation Vanadium compound
US10900119B2 (en) 2017-06-15 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Tungsten precursor and method of forming Tungsten containing layer using the same
KR20200037218A (ko) 2017-08-21 2020-04-08 가부시키가이샤 아데카 텅스텐 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
US11807652B2 (en) 2017-08-21 2023-11-07 Adeka Corporation Tungsten compound, raw material for thin film formation and method for producing thin film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140067147A (ko) 2014-06-03
US20140235054A1 (en) 2014-08-21
WO2013046155A1 (en) 2013-04-04
WO2013046155A8 (en) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014534952A (ja) タングステンジアザブタジエン分子、その合成及びタングステン含有膜の堆積へのその使用
JP6097754B2 (ja) ニッケル含有膜を堆積させる方法、及びニッケルケイ化物膜を堆積させるａｌｄ方法
JP6596737B2 (ja) アミドイミン配位子を含む金属複合体
TWI579292B (zh) 用於ａｌｄ／ｃｖｄ含矽薄膜應用之有機矽烷前驅物
KR101659725B1 (ko) 휘발성 디하이드로피라지닐 및 디하이드로피라진 금속 착화합물
US9416443B2 (en) Method for the deposition of a ruthenium containing film using arene diazadiene ruthenium(0) precursors
US9187511B2 (en) Titanium-aluminum alloy deposition with titanium-tetrahydroaluminate bimetallic molecules
JP2012533680A (ja) 高温でのｉｖ族金属含有膜の堆積
JP6193260B2 (ja) ニッケル含有膜堆積用ニッケルアリルアミジナート前駆体
US20120321817A1 (en) Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films
TWI714802B (zh) 第v族金屬化合物、其製備方法、包含其的膜沉積用前體組合物和利用該組合物的膜沉積方法
JP7026683B2 (ja) シクロペンタジエニル配位子を含む金属錯体
JP6317370B2 (ja) コバルト含有化合物、その合成及びコバルト含有膜の堆積におけるその使用
US9034761B2 (en) Heteroleptic (allyl)(pyrroles-2-aldiminate) metal-containing precursors, their synthesis and vapor deposition thereof to deposit metal-containing films
US20130337192A1 (en) Bis-pyrroles-2-aldiminate manganese precursors for deposition of manganese containing films
US20100119406A1 (en) Allyl-containing precursors for the deposition of metal-containing films
KR101546319B1 (ko) 텅스텐 함유 막을 증착시키기 위한 텅스텐 전구체 및 이를 포함하는 텅스텐 함유 필름 증착방법
KR20160062675A (ko) 신규 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체 및 이를 이용한 니켈 함유 필름 증착방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150917

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160511

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170111