CN101958237A - 形成光刻对准标记的方法 - Google Patents

形成光刻对准标记的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101958237A
CN101958237A CN2009100576053A CN200910057605A CN101958237A CN 101958237 A CN101958237 A CN 101958237A CN 2009100576053 A CN2009100576053 A CN 2009100576053A CN 200910057605 A CN200910057605 A CN 200910057605A CN 101958237 A CN101958237 A CN 101958237A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mark
alignment mark
photoetching alignment
pattern
formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009100576053A
Other languages
English (en)
Inventor
季伟
吴鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CN2009100576053A priority Critical patent/CN101958237A/zh
Publication of CN101958237A publication Critical patent/CN101958237A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种形成光刻对准标记的方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上预先生长一层或多层薄膜；步骤2，通过光刻、刻蚀形成一个凸起的零层标记，这个标记用于埋层和外延后第一层的光刻对位标记；步骤3，外延生长，在硅衬底和凸起的零层标记上外延生长形成外延层。该方法利用外延选择性生长的特点，造成凸起的对准标记上不能或不能完全外延生长进而与周边正常的外延层形成较高的对比度来提高光刻对准能力。

Description

形成光刻对准标记的方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造中外延工艺方法，尤其涉及一种利用外延工艺形成光刻对准标记的方法。
背景技术
目前大多数的外延工艺，通常会有零层标记用于外延后工艺的对准，零层标记的形成通常是以零层掩模板作光刻后，通过刻蚀在硅片表面刻出一个硅的凹槽。外延后的光刻工序则通过对准这个凹槽来进行光刻对准。但随着外延生长，离子注入和退火等工艺影响，零层标记的台阶、形貌会逐渐变差往往会造成外延后光刻对准的困难。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种形成光刻对准标记的方法，该方法可以改善外延工艺中的对准能力。
为解决上述技术问题，本发明提供一种形成光刻对准标记的方法，包括如下步骤：
步骤1，在硅衬底上预先生长一层或多层薄膜；
步骤2，通过光刻、刻蚀形成一个凸起的零层标记，这个标记用于埋层和外延后第一层的光刻对位标记；
步骤3，外延生长，在硅衬底和凸起的零层标记上外延生长形成外延层。
步骤1中所述在硅片上生长一层或多层薄膜，该薄膜是氧化硅或氮化硅，该薄膜厚度范围为100埃-20000埃。
步骤2中通过调整所述凸起的零层标记的形貌来改善外延后标记的形貌。所述调整所述凸起的零层标记的形貌为垂直或倾斜。
步骤1中通过对所述薄膜厚度的调整，来决定外延后标记的形貌。所述外延后标记的形貌是凹或凸。
步骤3中通过外延工艺在硅表面和步骤1生长的薄膜表面的选择性比来调整外延后标记的形貌。所述外延后标记的形貌是凹或凸。
步骤3中外延生长可包括Si，Ge，Si1-xGex，Si1-x-yGexCy，GaAs和InP等。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：利用外延选择性生长的特点，造成凸起的对准标记上不能或不能完全外延生长进而与周边正常的外延层形成较高的对比度来提高光刻对准能力。通过调整这层薄膜的厚度或者外延生长在这层薄膜和硅上的选择比来控制外延生长后这个标记的形状(例如凹或凸)和高低。本发明能有效改善外延工艺中的对准能力。
附图说明
图1是本发明步骤1完成后的结构示意图；
图2是本发明步骤2完成后的结构示意图；
图3是本发明步骤3完成后的结构示意图，图3A显示外延生长后标记的形貌是凸，图3B显示外延生长后标记的形貌是凹。
其中，1是硅衬底，2是薄膜(氧化硅或氮化硅等一层或多层薄膜)，3是外延层(位于硅衬底1上)，4是外延薄膜(位于薄膜2上)。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
原有零层标记的形成通常是以零层掩模板作光刻后，通过刻蚀在硅片表面刻出一个硅的凹槽。外延后的光刻工序则通过对准这个凹槽来进行光刻对准。但随着外延生长、离子注入和退火等工艺影响，零层标记的台阶、形貌会逐渐变差往往会造成外延后光刻对准的困难。
本发明方法利用外延选择性生长的特点，造成凸起的对准标记上不能或不能完全外延生长进而与周边正常的外延层形成较高的对比度以形成较大的段差来提高对准能力。通过调整这层薄膜的厚度或者外延生长在这层薄膜和硅上的选择比来控制外延生长后这个标记的形状(例如凹或凸)和高低。
本发明一种形成光刻对准标记的方法，具体包括如下步骤：
步骤1，在埋层前预先在硅衬底1上生长一层(或多层)薄膜2(比如氧化硅或氮化硅)，如图1所示。
步骤2，同样利用光刻、刻蚀的方法形成一个凸起的台阶(零层标记，薄膜2)，这个标记用于埋层和外延后的第一层的光刻对位标记(如图2所示)；可以通过调整该凸起的零层标记的形貌(垂直或倾斜)来改善外延后标记的形貌。
步骤3，外延生长，在硅衬底1上外延生长形成外延层3，在薄膜2(零层标记)上外延生长形成外延薄膜4，如图3所示；该步骤的外延生长可包括Si，Ge，Si1-xGex，Si1-x-yGexCy，GaAs和InP等。由于外延生长具有选择性生长的特点，所以可以通过调整步骤1生长的薄膜的厚度(该薄膜厚度范围为100埃-20000埃)来调整外延生长后这个光刻对位标记的形状(例如凹或凸)和高低，或者通过外延生长在该薄膜2表面和硅衬底1表面的选择比来调整外延生长后这个标记的形状(例如凹或凸)和高低(如图3A和图3B所示)。

Claims (9)

1.一种形成光刻对准标记的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，在硅衬底上预先生长一层或多层薄膜；
步骤2，通过光刻、刻蚀形成一个凸起的零层标记，这个标记用于埋层和外延后第一层的光刻对位标记；
步骤3，外延生长，在硅衬底和凸起的零层标记上外延生长形成外延层。
2.如权利要求1所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，步骤1中所述在硅片上生长一层或多层薄膜，该薄膜是氧化硅或氮化硅，该薄膜厚度范围为100埃-20000埃。
3.如权利要求1所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，步骤2中通过调整所述凸起的零层标记的形貌来改善外延后标记的形貌。
4.如权利要求3所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，所述调整所述凸起的零层标记的形貌为垂直或倾斜。
5.如权利要求1或2所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，步骤1中通过对所述薄膜厚度的调整，来决定外延后标记的形貌。
6.如权利要求5所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，所述外延后标记的形貌是凹或凸。
7.如权利要求1所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，步骤3中通过外延工艺在硅表面和步骤1生长的薄膜表面的选择性比来调整外延后标记的形貌。
8.如权利要求7所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，所述外延后标记的形貌是凹或凸。
9.如权利要求1所述的形成光刻对准标记的方法，其特征在于，步骤3中外延生长包括Si，Ge，Si1-xGex，Si1-x-yGexCy，GaAs和InP。
CN2009100576053A 2009-07-16 2009-07-16 形成光刻对准标记的方法 Pending CN101958237A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100576053A CN101958237A (zh) 2009-07-16 2009-07-16 形成光刻对准标记的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009100576053A CN101958237A (zh) 2009-07-16 2009-07-16 形成光刻对准标记的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101958237A true CN101958237A (zh) 2011-01-26

Family

ID=43485502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009100576053A Pending CN101958237A (zh) 2009-07-16 2009-07-16 形成光刻对准标记的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101958237A (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683181A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 上海华虹Nec电子有限公司 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
CN102891079A (zh) * 2012-09-17 2013-01-23 上海华力微电子有限公司 一种零层对准标记的补刻蚀方法
CN102956617A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 上海华虹Nec电子有限公司 零层光刻对准标记的制造方法
CN103065929A (zh) * 2011-10-19 2013-04-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 对准标记保护层的制作方法
CN106025094A (zh) * 2016-05-04 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 封装玻璃上的对位标记及其制造方法、oled及其生产方法
CN107037692A (zh) * 2016-02-03 2017-08-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜组件及对准量测方法
CN107658290A (zh) * 2017-09-26 2018-02-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 形成光刻对准标记的方法
CN108063121A (zh) * 2016-11-08 2018-05-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及制备方法、电子装置
CN108231742A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 吉林华微电子股份有限公司 光刻标记对准方法和芯片制备方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102683181A (zh) * 2011-03-14 2012-09-19 上海华虹Nec电子有限公司 提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法
CN102956617B (zh) * 2011-08-31 2015-06-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 零层光刻对准标记的制造方法
CN102956617A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 上海华虹Nec电子有限公司 零层光刻对准标记的制造方法
CN103065929A (zh) * 2011-10-19 2013-04-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 对准标记保护层的制作方法
CN103065929B (zh) * 2011-10-19 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 对准标记保护层的制作方法
CN102891079B (zh) * 2012-09-17 2015-04-08 上海华力微电子有限公司 一种零层对准标记的补刻蚀方法
CN102891079A (zh) * 2012-09-17 2013-01-23 上海华力微电子有限公司 一种零层对准标记的补刻蚀方法
CN107037692A (zh) * 2016-02-03 2017-08-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜组件及对准量测方法
CN107037692B (zh) * 2016-02-03 2019-03-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜组件及对准量测方法
CN106025094A (zh) * 2016-05-04 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 封装玻璃上的对位标记及其制造方法、oled及其生产方法
CN108063121A (zh) * 2016-11-08 2018-05-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及制备方法、电子装置
CN107658290A (zh) * 2017-09-26 2018-02-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 形成光刻对准标记的方法
CN107658290B (zh) * 2017-09-26 2020-07-31 上海华虹宏力半导体制造有限公司 形成光刻对准标记的方法
CN108231742A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 吉林华微电子股份有限公司 光刻标记对准方法和芯片制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101958237A (zh) 形成光刻对准标记的方法
CN100580905C (zh) 获得在分割衬底上制造的半导体器件的高质量边界的方法
CN102969353B (zh) 多鳍片器件及其制造方法
KR20150101398A (ko) 기판 내 반도체 장치의 핀 구조체 제조방법
WO2008067228B1 (en) Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions
TW200816324A (en) Method for fabricating fin transistor
KR101881594B1 (ko) 측벽 이미지 트랜스퍼로부터 패턴을 제조하기 위한 향상된 방법
WO2002091468A9 (en) Method for thin film lift-off processes using lateral extended etching masks and device
CN100429743C (zh) 制造半导体器件的方法
CN102856164B (zh) 一种提高对位标记清晰度的方法
CN103065929B (zh) 对准标记保护层的制作方法
JP4531713B2 (ja) アライメントマーク及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
CN103633014A (zh) 半导体器件制造方法
US8698284B2 (en) Nitride-based semiconductor substrates having hollow member pattern and methods of fabricating the same
US10366883B2 (en) Hybrid multilayer device
KR100898220B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
US8759204B1 (en) Method for manufacturing semiconductor substrate
JPH05343319A (ja) 半導体装置の製造方法
CN102376563A (zh) 平坦化凹槽和形成半导体结构的方法
KR20080062727A (ko) 반도체 소자의 더미패턴 형성방법
US20180068872A1 (en) Carrier Substrate For Semiconductor Structures Suitable For A Transfer By Transfer Print And Manufacturing Of The Semiconductor Structures On The Carrier Substrate
KR100802221B1 (ko) 반도체 소자의 형성 방법
CN102034685A (zh) 外延后光刻对准零层标记的方法
TW202419668A (zh) 用於在不同密度圖案區域上形成層之方法
KR20080032797A (ko) 반도체 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110126