CN101944366A - 用于在等离子体处理期间支撑工件的设备和方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于在等离子体处理期间支撑工件的设备和方法。具体地，提供用于在等离子体处理系统的处理空间内同时支撑多个工件的设备和方法，用于同时进行双侧等离子体处理。该设备可以是如下固定件，该固定件具有构造成被支撑在处理空间内的承载板和延伸该承载板的厚度的多个第一开口。该承载板被构造成在每个工件的外周边缘处的环形区域上接触每个工件，使得每个工件的第一侧和第二侧通过所述多个第一开口中的相应一个而暴露于等离子体。

Description

用于在等离子体处理期间支撑工件的设备和方法

技术领域

本发明总体上涉及利用等离子体处理多个工件的设备和方法。

背景技术

磁盘驱动器已广泛用于各种应用中，尤其是计算机工业中。特别地，磁盘驱动器用于在盘片上以可磁化的形式存储大量数据/信息。盘片被支撑在由马达驱动的轴上并且通过硬盘驱动器旋转。使用一个或多个写入头将数据/信息写入到盘片上的磁性介质并且使用一个或多个读出头来从该磁性介质读出。

每个写入头施加如下磁场，该磁场对沉积在盘片上的磁性介质中的可磁化材料的薄膜区域进行选择性磁化。通常，盘片由非磁性材料例如铝合金或者玻璃制成，并且磁性介质被沉积在盘片的两侧上。在消除由写入头产生的磁场之后，盘片的不同区域中的磁性介质保持磁化状态。磁化方向与所施加的磁场的方向相匹配，这允许用二进制格式、非易失地存储以数字方式写入的数据/信息。盘片上的磁性介质中包含的磁化图案能够随后在读出头中产生电响应，这允许所存储的数据/信息被读出。

图案化磁性记录介质被视为用于增加磁盘驱动器盘片的存储密度的、一种有希望的途径。离散磁道记录(DTR)和位模式介质(BPM)是能够超过当前水平地增加容量的两种特殊的图案化技术。一种适用于在图案化磁性记录介质中使用的比较新的工艺是不受光刻约束限制的压印光刻。

压印光刻依靠主模板来在被分配到磁性记录介质上的液体抗蚀剂中压印图案并然后利用通过该主模板转移的辐射光来固化已图案化的液体抗蚀剂。在该模板被移除之后，抗蚀剂的光固化图案形成蚀刻掩模，该蚀刻掩模是主模板上的图案的复制品。该蚀刻掩模包括作为主模板上的起伏结构的图案的镜像而调制的厚区域和较薄区域。使用各向异性干法蚀刻工艺例如反应离子蚀刻来移除薄区域中的抗蚀剂。因为厚度的差异，在薄区域被移除之后，抗蚀剂保留在蚀刻掩模的较厚区域中。利用不同的蚀刻方法继续干法蚀刻，以将图案从蚀刻掩模转移到下面的层。

希望有效率高且成本有效的方法和设备来从图案化掩模的薄化区域中移除经固化的抗蚀剂材料。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种用于在处理空间内支撑多个工件的设备，以利用等离子体同时干法蚀刻工件的第一侧和第二侧。该设备包括固定件，该固定件包括构造成被支撑在处理空间内的承载板和在该承载板的整个厚度上延伸的多个第一开口。该承载板被构造成在外周边缘处的环形区域上接触每一个工件，使得所述多个第一开口中的相应一个将每个工件的第一侧和第二侧暴露于等离子体。

在另一实施例中，提供了一种用于在处理空间内支撑多个工件的设备，以利用等离子体同时干法蚀刻工件的第一侧和第二侧。该设备包括固定件，该固定件具有构造成被支撑在处理空间内的承载板和从该承载板向外突出的多个支柱。每个支柱均包括被附接到承载板的第一部分，并且该第一部分被构造成通过与延伸穿过所述工件中的相应一个的中央孔口接触来支撑所述工件中的相应一个。

在另一实施例中，提供了一种用于在等离子体室内同时干法蚀刻多个工件的第一侧和第二侧的方法。该方法包括：在每个工件的第一侧和第二侧未被覆盖的情况下将工件支撑在等离子体室内的第一电极和第二电极之间；在等离子体室内产生等离子体；以及，将每个工件的第一侧和第二侧同时暴露于等离子体，以执行干法蚀刻。

根据本发明各个实施例的固定件允许多个工件(例如，磁盘驱动器盘片)的两侧被均匀地、各向异性地同时等离子体蚀刻。该固定件与使用取放机器人的自动化设备相兼容，并且在特定实施例中，边缘排除区是不需要的或者表面积得以减小。因为能够利用单一等离子体工艺来处理多个工件，所以该固定件促进了高的工艺处理量。该固定件能够在从经压印的蚀刻掩模的薄区域中移除残留抗蚀剂材料的压印光刻之后的等离子体处理工艺中使用。该固定件可以在用于处理工件的其它类型的等离子体工艺中使用，例如抗蚀剂的受控灰化或者不同类型材料的移除。

附图说明

并入本说明书中并且构成其一部分的附图示意了本发明的实施例，并且，附图与以上给出的本发明的一般性描述和以下给出的详细描述一起用于说明本发明实施例的原理。

图1是用于等离子体处理系统的固定件的顶部透视图。

图2是基本上沿着图1的线2-2截取的剖视图。

图3是图2的一部分的放大视图。

图4是类似于图3的放大视图，其中固定件被描绘成保持工件。

图5是根据可替代实施例的并且用于等离子体处理系统的固定件的顶部透视图。

图6是置于等离子体处理系统内的、图1的固定件的截面视图。

图7是图6的一部分的放大视图。

图8是根据可替代实施例的并且用于等离子体处理系统的固定件的顶部透视图。

图9是类似于图6的截面视图，示出了置于等离子体处理系统内的、图8的固定件。

图10是图9的一部分的放大视图。

具体实施方式

参考图1-4，固定件10被构造成：周期性地装载有多个工件12，水平地定位在等离子体处理系统的等离子体室内，保持所述工件12使其暴露于等离子体，从等离子体室中移除并卸载经等离子体处理的工件12。固定件10包括承载托盘或板14，该承载托盘或板14具有形式为多个开口16的支撑件以及一个或多个另外的开口18，所述多个开口16的尺寸和形状被设定为用于保持工件12，所述开口18具有与开口16不同的尺寸和形状。开口18的尺寸和形状未设定为用于保持工件12，而是具有如下所述的、不同的功能。

开口16可以布置成正方形阵列，该正方形阵列在代表性实施例中是能够支撑九个工件12的三乘三正方形阵列。在其它实施例中，可以设置十六个(例如，四乘四正方形阵列)、二十五个(例如，五乘五正方形阵列)或更多个开口16。本领域普通技术人员将会理解，这些开口16还可以具有非对称布置。在代表性实施例中为圆形或圆状的开口16具有比工件12小的直径，工件12被置于开口16内，其在代表性实施例中为圆盘形的或圆状的，并且相对平坦且薄。在使用中，开口16可以被工件12完全占据或者可以仅被工件12部分占据。

在制造磁性数据/信息存储和检索介质形式的例如硬盘的工件12时，所述固定件10尤其具有实用性。这些工件12通常是具有固定外径的圆盘或盘片，并且每个均具有圆形的中央孔口13，当已组装并且在磁盘驱动器中使用时，该中央孔口13定位在由马达驱动的驱动轴上。盘片两侧的、从中央孔口13的内周边缘到工件12的外周边缘15的径向范围的大部分用于数据存储和检索，并为此涂覆有磁性记录介质。工件12的每一侧均从中央孔口13延伸到外周边缘15。当工件12被置于开口16中时，若不是有中央孔口13，则承载板14中的开口16将被遮蔽。

每个开口16均在承载板14的整个厚度上从平坦的上表面或顶面或顶表面34延伸到平坦的下表面或底面或底表面38，并且绕中心线20形式的纵向轴线定中。在承载板14中限定的环形斜表面22向内并向下倾斜，从平坦的顶表面34朝向开口16的中心线20具有截头圆锥形形状。如图3中最好地示出的，环形斜表面22被凹槽中断，该凹槽包括环形侧壁24和在角部25处与该环形侧壁24相交的环形唇缘26。环形侧壁24在角部28处与环形斜表面22相交，并且环形唇缘26在角部32处与环绕开口16的内周边沿30相交。环形侧壁24、环形唇缘26、环形斜表面22和内周边沿30围绕开口16的中心线20定中并且围绕开口16沿着周向延伸。环形唇缘26以与环形斜表面22不同的角度朝向中心线20带有一定斜度地倾斜。在代表性实施例中，环形唇缘26由包含在如下平面内的平坦或平表面构成，该平面与包含顶表面34的平面大致平行。

每个开口16的特征在于从中心线20到环形侧壁24测得的半径R，其稍小于所述工件12的直径。开口16的尺寸、大小以及几何形状能够根据工件12的规格而改变。承载板14能够由任何适当的固态、导电型材料制成。

环形斜表面22作用在于使环形侧壁24和环形唇缘26相对于承载板14的平坦顶表面34凹进。环形唇缘26构造成与环绕工件12的外周边缘15的环形区域接触，并且如图4中最好地示出的，当工件12支靠在环形唇缘26上时，环形侧壁24限制工件12相对于开口16的横向运动。环形斜表面22的倾斜角度有助于在仅仅接触工件12的外部边缘的同时通过朝向环形唇缘26引导工件12来将工件12装载到开口16中。环形侧壁24和环形唇缘26相配合以提供工件12在开口16内的、可再现的定位。工件12的沿着外周边缘15的、与环形唇缘26最终具有接触关系的环形区域的宽度较窄，这允许在最小的表面积上支撑工件12。在一个实施例中，环形唇缘26的宽度是大约0.5mm，而环形侧壁24的深度同样是大约0.5mm。当置于等离子体室内时，承载板14定向成使得：环形斜表面22面向上，每个工件12均支靠在包围开口16之一的环形唇缘26上，并且每个环形唇缘26均支撑工件12的重量。

围绕每个开口16，另一环形斜表面36相对于承载板14的平坦底表面38朝向中心线20向内并向下倾斜。具有截头圆锥形形状的环形斜表面36围绕开口16沿着周向延伸。结果，承载板14也通过该环形斜表面36而相对于平坦底表面38围绕每个开口16凹进。承载板14的平坦的顶表面34和底表面38被包含在以承载板14的厚度分开的、大致平行的平面内。环形斜表面36在环形唇缘26附近与内周边沿30合并，并且环形斜表面22、36相配合以在距中心线20的距离减小的情况下有效薄化承载板14的材料。相信由环形斜表面22、36提供的渐缩特征有助于在工件12的、相反的前后表面上促进等离子体均匀性。

每个开口18也在承载板14的整个厚度上从平坦顶表面34延伸到平坦底表面38。在代表性实施例中，开口18是带有圆化端部的细长狭槽，但本发明不限于此。开口18被沿着周边布置在开口16与承载板14的外边沿40之间，该外边沿40包括面向外的外部边缘42、43、44、45。外边沿40突出到包含平坦顶表面34的平面上方，从而外边沿40和顶表面34限定一托盘。开口18围绕承载板14在空间上以对称结构分布，使得开口18之一位于开口16与边缘42-45中的相应一个之间。如下面更详细地说明的，开口18为工艺气体和等离子体提供了从承载板14的一侧34到承载板14的相反侧38的流动路径阵列。通常，如下面针对示例性等离子体处理系统50而描述的(图6)，该流动路径从侧面34延伸到侧面38，因为工艺气体从水平定向的承载板14上方进入并且在承载板14下面排出。

外部边缘42、43、44、45中的每一个均相对于平坦底表面38倾斜，使得该表面38与外边沿40之间的夹角θ是钝角(即，大于90°)。本领域普通技术人员将会理解，只要外部边缘42、43、44、45相配合，就能够使所有外部边缘42、43、44、45不都是倾斜的。

孔120围绕承载板14的外边沿40沿着周边布置。这些孔120代表如下位置：该位置被构造成由取放机器人或其它自动化设备接合以移动承载板14，并且，这些孔120例如可以用于将固定件10和装载在该固定件10的开口16中的工件12传送到等离子体室以及从该等离子体室移出。

参考图5，其中相同的附图标记表示图1-4中的相同特征，并且根据一个可替代实施例，固定件48包括开口16但省去了开口18。因为可用于开口16的表面积增加了，所以能够增加开口16的数目。与固定件10(图1-4)相比，这增加了固定件48的容量，但限制了用于工艺气体和等离子体的从承载板14的一侧34到承载板14的相反侧38、再到由每个工件12中的中央孔口13限定的开放空间的流动路径。

参考图6和7，等离子体处理系统50大体上包括具有盖54和基部56的封罩52、上电极58、下电极60和一对隔离环62、64，所述盖54支靠在所述基部56上，一对隔离环62、64被置于上电极58与下电极60之间。密封构件66、68提供真空密封，它们被分别压缩在上电极58及下电极60与隔离环62、64之间，使得封罩52的内部形成与等离子体处理系统50的大气压力环境隔离的处理空间70，并且该组件形成能够提供产生等离子体的环境的等离子体室。

真空泵72由与延伸穿过下电极60的、带有端口76、78的真空歧管74联接。如由箭头75示意的，真空泵72被构造成把由处理空间70中发生的等离子体工艺产生的挥发性副产品和来自该处理空间70的、用过的工艺气体抽空。真空泵72可操作用于使处理空间70中的真空压力保持足够低，以允许形成等离子体。通常，适合于形成等离子体的压力范围为从大约二十(20)毫托到大于大约五十(50)托。处理空间70内的压力根据所期望的特定等离子体工艺而受到控制，并且主要由来自供应到已抽空的处理空间70的工艺气体的分压力贡献而构成，工艺气体可以包括一种或多种个体气体种类。挡板82、84被置于端口76、78中，以阻止等离子体在真空歧管74中激发，使得等离子体被限制在处理空间70内。

等离子体处理系统50包括与上电极58联接并且悬挂在下电极60上方的气体喷头86。将工艺气体供应源90与位于气体喷头86和上电极58之间的气体分配空间92联接的气体端口88延伸穿过上电极58。气体喷头86包括多个通道94，如利用单端箭头95以图解方式示出的，所述多个通道94将工艺气体从气体分配空间92传送到处理空间70中。工艺气体从气体喷头86到处理空间70中的流量和真空泵72的泵送速率得以协调，以使处理空间70中的总气体压力保持在低到足以利用工艺气体的分压力来促进等离子体形成的水平。

支撑框架96被置于隔离环62、64之间并且围绕处理空间70沿周向延伸。密封构件98、100利用隔离环62、64来为支撑框架96提供真空密封。支撑框架96被构造成在上58和下电极60之间的位置处在处理空间70内支撑所述固定件10(或者可替代地，支撑所述固定件48)。当置于支撑框架96上时，固定件10中的开口16被工件12占据。当处理空间70被抽真空并且通过气体喷头86中的通道94喷射工艺气体时，工艺气体流经开口18，并且穿过每个工件12中的中央孔口13，如由单端箭头105示意的，以通过端口76、78而被排放到真空泵72。在一个实施例中，开口16、18绕承载板的中心具有对称布置，相信这优化了流经开口16、18的工艺气体的分布并因此优化了等离子体均匀性，特别是通过促进在承载板14的底侧38上的均匀工艺气体分布的方式。

支撑框架96包括位于处理空间70内并且围绕处理空间70沿周向延伸的凹槽110。该凹槽110包括第一表面112和第二表面114，该第二表面114与第一表面112相交，从而限定大于90°的内角φ。该内角φ大致等于或稍小于表面38与外边沿40之间的夹角θ。当承载板14被支撑在支撑框架96上时，承载板14的底表面38与第一表面112具有接触关系，并且承载板14的外部边缘42、43、44、45中的每一个均与第二表面114具有接触关系或者相对的关系，以便提供承载板14在等离子体室内的、可再现的定位。当被支撑在支撑框架96上时，承载板14具有水平定向，从而重力使每个工件12均与围绕每个开口16沿周向延伸的相应环形唇缘26接触。承载板14没有任何类型的夹子或者用于将工件12固定在开口16内的其它机械结构或约束件。

如图7中最好地示出的，翼片102从支撑框架96向外延伸，并且能够从处理空间70的外部触及，以与支撑框架96电接触。电源104通过屏蔽同轴电缆或传输线与翼片102以及上电极58和下电极60联接。电源104可以在一个或多个射频下运行并且可以包括阻抗匹配网络(未示出)，该阻抗匹配网络测量从由上电极58和下电极60、支撑框架96、固定件10和工件12以及处理空间70内的等离子体106代表的负载反射回电源104的功率。作为本领域普通技术人员理解的一种构造，该阻抗匹配网络被构造成调节阻抗以使反射功率最小。电源104的功率和电压电平以及运行频率可以根据具体应用而改变。

在工件12的处理期间，从电源104供应到上电极58和下电极60以及固定件10的电力在处理空间70中产生时变电磁场。该电磁场将处理空间70中存在的工艺气体激发到等离子体状态。在等离子体处理的持续时段内，通过从电源104持续施加电力，等离子体106得以维持。可以用各种不同的方式向上电极58和下电极60以及固定件10供电。例如，固定件10可以被供电，而上电极58和下电极60可以接地；固定件10可以接地，而上电极58和下电极60可以被供电；或者，固定件10可以未接地，而上电极58和下电极60可以被供电。

由工艺气体产生的等离子体的构成成分(自由基等)与工件12的两侧上的暴露材料例如磁性记录介质互相作用，以执行预期的表面改性。等离子体被构造成通过选择参数来执行预期的表面改性，该参数例如是：工艺气体的化学性质、处理空间70内的压力，和施加到上电极58和下电极60以及固定件10的功率和/或频率的大小。在一个实施例中，由氧气和氩气的气体混合物(主要是氩气)形成的等离子体可以用于对工件12的两侧同时进行等离子体处理。处理系统50可以包括当等离子体工艺(例如，蚀刻工艺)已经达到预定终点时能够自动识别的终点识别系统(未示出)，或者可替代地，可以基于根据实验确定的工艺时间来对等离子体工艺进行定时。

参考图8-10，其中相同的附图标记表示与图1-7中的相同的特征，并且根据一个可替代实施例，固定件130包括承载板148和多个基座或支柱132形式的支撑件，所述支撑件被构造成在处理空间70内保持并支撑工件12。每个支柱132均包括通过紧固件138与承载板148固定的下部分134以及与该下部分134联接的上部分136。当与下电极60固定以在承载板148与下电极6之间形成具有良好电接触的组件时，承载板148在下电极60被供电时而被供电。

每个支柱132的下部分134被圆盘形或圆状凸缘140遮蔽，凸缘140具有：位于其周边缘处凹进的环形表面142、圆状的升高的中央表面144、和沿着径向位于升高的中央表面144与凹进的环形表面142之间的凹进的环形表面146。凸缘140具有外边沿145并且凹进的环形表面142在与外边沿145相交处限定有角部。凹进的环形表面146相对于圆状的升高的中央表面144凹进但相对于凹进的环形表面142升高，从而限定圆状的升高的中央表面144的侧壁160。

上部分136被圆盘形或圆状凸缘150遮蔽，该凸缘150带有凹进的圆状中央表面152和围绕该凹进的中央表面152的升高的环形表面154。升高的环形表面154相对于凹进的圆状中央表面152升高，从而限定杯形结构，并且凹进的圆状中央表面152由升高的环形表面154的侧壁162界定。由于上部分136的存在，在该代表性实施例中为下部分134的外部镜像的上部分136可以通过减小围绕下部分134的工艺气流中的干扰来改进蚀刻均匀性。

工件12以与凸缘140的凹进的环形表面142接触的关系支靠在中央孔口13周围的小的环形区域上。工件12的这个环形区域被置于凸缘140的凹进的环形表面142与凸缘150的升高的环形外表面154之间。凹进的环形表面146的外径大致等于工件12中的中央孔口13的直径。凹进的环形表面142、146之间的高度差提供了沿径向位于中央孔口13内侧的环形侧壁148，该环形侧壁148限制工件12相对于凸缘140、150的横向运动的范围。

支柱132分布在承载板148的整个表面区域上，使得工件12彼此具有非接触关系。支柱132的布置结构可以与开口16的布置结构(图1-5)类似。在使用期间，下部分134和上部分136组装成使得工件12被固定在凸缘140、150之间，并且，凸缘140的升高的圆状中央表面144突入到由凸缘150的升高的环形外表面154界定的凹部中，以与凹进的圆状中央表面152形成接触，从而侧壁160、162固定该上部分136以防止其相对于下部分134的意外横向运动。

为了将工件12置于支柱132上，可以由取放机器人或其它自动化设备使用类似于固定件10(图1-6)的传送托盘来将工件12从真空室外部的位置传送到支柱132上方的位置。传送托盘中的开口将能够与支柱132的位置配准。当传送托盘降低时，工件12被传送到支柱132的下部分134。在完成该传送之后，传送托盘被降低到下电极60上并且在等离子体处理期间保持在该位置中。上部分136可以由取放机器人安装在相应的下部分134的顶上。若要从支柱132和等离子体室中移除经处理的工件12，则相反地执行该传送过程。

与固定件10、48(图1-7)相比，固定件130的支柱132将工件12直接悬挂在下电极60上方，而无需如承载板中的开口那样的另外结构。结果，工艺气体从气体喷头86经过处理空间70到端口76、78的流动不受阻碍。工件12悬挂在承载板148的平面上方的高度主要由每个支柱132的下部分134的高度来决定。因为工件12通过圆形的中央孔口13而不是沿着外周边缘15被支撑，所以工件12包括外周边缘15在内均被彻底处理，这增加了经处理的表面积，并且适合于没有外部边缘排除区域的工件12。另外，工件12的围绕中央孔口13的部分通常不用于数据存储，而是用于与磁盘驱动器中的由马达驱动的驱动轴接口。

在一个实施例中，支柱132由导体构成，使得当下电极60被通电时支柱132代表被供电的基座，这促进了各向异性干法蚀刻工艺。与利用可能被抗蚀剂覆盖且因此稍微电绝缘的外部边缘来支撑工件12的方案相比，通过围绕中心孔口13的接触来支撑工件12可以提供与工件12的优异电接触。在另一实施例中，支柱132可以由电绝缘体构成，使得工件12是电浮的，并且这促进了各向同性干法蚀刻工艺。

虽然已经通过对各种实施例的描述示意了本发明并且已经相当详细地描述了这些实施例，但本申请人并非意图将所附权利要求的范围限定或者以任何方式限制于这种细节。本领域技术人员易于想到另外的优点和修改。因此，本发明在其更广泛的方面不限于所示出和描述的具体细节、代表性的设备和方法以及示意性实例。据此，在不偏离申请人的总体创造性构思的精神或范围的情况下，可以对这些细节进行改变。本发明自身的范围应该仅仅由所附权利要求限定。

Claims (15)

1.一种用于在等离子体室内支撑多个工件的设备，用于利用等离子体同时干法蚀刻所述工件的第一侧和第二侧，所述设备包括：

固定件，所述固定件构造成被支撑在处理空间内，所述固定件包括承载板和延伸穿过所述承载板的厚度的多个第一开口，所述承载板被构造成在外周边缘处在环形区域上接触每个工件，使得每个工件的所述第一侧和第二侧基本上全部暴露于等离子体。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述承载板包括延伸穿过所述承载板的厚度的一个或多个第二开口，所述一个或多个第二开口被构造成使用于产生等离子体的工艺气体通过。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述承载板包括：平坦的第一表面；平坦的第二表面；以及围绕所述平坦的第一表面延伸并且相对于所述平坦的第一表面升高的外边沿，并且，所述外边沿包括相对于所述平坦的第二表面以大于90°的夹角倾斜的一个或多个外部边缘。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述承载板包括：被所述多个第一开口穿孔的平坦表面；以及多个环形表面，该多个环形表面每一个均围绕所述多个第一开口中的相应一个延伸，并且所述多个环形表面中的每一个均相对于所述平坦表面倾斜。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述承载板包括多个环形唇缘，所述多个环形唇缘每一个均在所述工件中的相应一个的外周边缘处被所述环形区域接触，所述多个环形唇缘中的每一个均相对于所述多个所述第一开口中的相应一个沿周向延伸，并且，所述环形唇缘中的每一个均通过所述环形表面中的相应一个而与所述平坦表面分开。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个第一开口中的每一个均是圆形的，并且具有稍小于工件直径的直径。

7.一种用于在等离子体室内支撑多个工件的设备，用于利用等离子体同时干法蚀刻所述工件的第一侧和第二侧，所述设备包括：

固定件，所述固定件构造成被支撑在所述等离子体室内，所述固定件包括承载板和从所述承载板向外突出的多个支柱，所述支柱中的每一个均包括被附接到所述承载板的第一部分，并且，所述第一部分被构造成通过与延伸穿过所述工件中的相应一个的中央孔口接触来支撑所述工件中的相应一个。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一部分包括凸缘，所述凸缘具有外边沿和从所述外边沿径向向内延伸的第一环形表面，所述第一环形表面被相应的工件的环形部分接触。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一部分的所述凸缘包括从所述第一环形表面径向向内延伸的第二环形表面，所述第二环形表面相对于所述第一环形表面升高并且具有大致等于所述工件中的中央孔口的直径的外径。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述支柱包括从所述承载板分离的第二部分，所述第二部分具有凸缘，该凸缘被构造成定位在所述第一部分的所述凸缘上，使得相应的工件的环形部分位于所述第一部分的所述凸缘与所述第二部分的所述凸缘之间。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个支柱中的每一个均由电绝缘体构成。

12.一种用于在等离子体室内同时干法蚀刻多个工件的第一侧和第二侧的方法，所述方法包括：

在每个工件的第一侧和第二侧基本未被覆盖的情况下，将工件支撑在所述等离子体室内的第一电极和第二电极之间；

在所述等离子体室内产生等离子体；以及

将所述工件中的每一个的未被覆盖的第一侧和第二侧同时暴露于等离子体，以执行干法蚀刻。

13.根据权利要求12所述的方法，其中将工件支撑在第一电极和第二电极之间包括：

在围绕外周边缘接触每一个工件的环形区域的同时，将所述工件装载到承载板中的多个第一开口中；

将所述承载板和所述工件作为组件移动到等离子体室中，该等离子体室被构造成产生和限制工艺空间中的等离子体；和

在所述第一电极和第二电极之间在所述工艺空间中支撑所述承载板和所述工件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中从工艺气体产生所述等离子体，并且进一步包括：

通过延伸穿过所述承载板的厚度的一个或者多个第二开口传送所述工艺气体。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述工件中的每一个均包括在所述第一侧和第二侧之间延伸的中央孔口，并且将工件支撑在第一电极和第二电极之间包括：

使得围绕每一个工件的中央孔口沿周向延伸的环形区域与从所述第一电极向外延伸的支柱相接触。

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