CN101924140A - 薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器 - Google Patents

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Abstract

能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

Description

薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器
本申请是申请日为2006年4月21日，申请号为200610079397.3，发明名称为“薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器”的申请的分案申请。
优先权要求
本申请引用、结合早在2005年4月22日在韩国知识产权局提交的题为“薄膜晶体管及包含薄膜晶体管的平板显示器”的申请No.10-2005-0033532，并且要求依照35U.S.C.§119产生的所有权益。
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管(TFT)以及包括TFT的平板显示器，更具体地说，涉及减小泄露电流和防止在相邻的TFT之间串扰的TFT，以及包括TFT的平板显示器。
背景技术
用于液晶显示器、有机电致发光显示器或无机电致发光显示器的薄膜晶体管(TFT)被用作开关装置以便控制每个像素或用于驱动像素的驱动装置的操作。
TFT包括：彼此分开的源极电极和漏极电极、具有在源极和漏极电极之间形成的沟道区域的半导体层、以及与源极电极、漏极电极和半导体层绝缘的栅极电极。
当按阵列形成具有上述结构的TFT时，每个TFT作为独立的开关装置工作。能对半导体层形成图案以便防止相邻的TFT之间的串扰。例如，在常规TFT的情况中，使用光刻方法对由硅形成的半导体层形成图案。
另一方面，已经进行了许多的尝试在柔性显示器中使用塑料衬底来代替常规的玻璃衬底。因为塑料衬底不能在高温下处理，所以不能使用常规的硅TFT。
因此，提出了低温下在塑料衬底上形成TFT的方法。具体地说，进行了关于能在低温下处理的TFT(即其中半导体层由有机材料形成的TFT)的许多研究。但是，在有机TFT的情况中，不能使用常规的光刻方法对有机半导体层形成图案。即，当使用常规的湿法、干法或混合蚀刻处理对有机半导体层形成图案时，会损坏有机半导体层，因此不能使用该法。
发明内容
本发明提供了减小泄露电流和防止在邻近的TFT之间串扰的TFT，以及包括TFT的平板显示器。
根据本发明的一个方面，提供了薄膜晶体管(TFT)，包括：衬底；布置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且包括将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽；每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
源极线最好电连接到源极电极，每个槽至少经过与源极线对应的半导体层的部分，并且由经过与源极线对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极线而生成的投影图像覆盖源极线。
漏极线最好电连接到漏极电极，每个槽至少经过与漏极线对应的半导体层的部分，并且由经过与漏极线对应的半导体层的部分的每个槽投影到漏极线而生成的投影图像覆盖漏极线。
每个槽最好包括闭合曲线。每个槽可选地最好至少包括一对平行线。每个槽的深度最好小于半导体层的厚度。每个槽的深度可选地最好大于半导体层的厚度，以及小于布置在半导体层下的至少一层的厚度。
TFT最好还包括适于将半导体层、源极电极和漏极电极与栅极电极绝缘的绝缘膜。
半导体层最好包括有机半导体层。
根据本发明的另一方面，提供了薄膜晶体管(TFT)，包括：衬底；布置在衬底上的栅极电极和电连接到栅极电极的栅极线；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽；每个槽至少经过与栅极线对应的半导体层的部分，并且每个槽的部分的宽度大于栅极线的宽度。
由经过与栅极线对应的半导体层的部分的槽投影到栅极线而生成的投影图像最好覆盖栅极线。
每个槽最好包括闭合曲线。每个槽可选地最好至少包括一对平行线。每个槽的深度最好小于半导体层的厚度。每个槽的深度可选地最好大于半导体层的厚度，以及小于布置在半导体层下的至少一层的厚度。
TFT最好还包括适于将半导体层、源极电极和漏极电极与栅极电极绝缘的绝缘膜。
半导体层最好包括有机半导体层。
根据本发明的再一方面，提供了薄膜晶体管(TFT)，包括：衬底；布置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽；每个槽的宽度大于布置在半导体层上或下的线的宽度。
根据本发明的再一方面，提供了包括薄膜晶体管(TFT)的平板显示器，包括：衬底；布置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并包括将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽；每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
根据本发明的再一方面，提供了包括TFT的平板显示器，包括：衬底；布置在衬底上的栅极电极和电连接到栅极电极的栅极线；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽；每个槽至少经过与栅极线对应的半导体层的部分，并且每个槽的部分的宽度大于栅极线的宽度。
附图说明
当结合附图考虑时，参考下文的详细描述，将会更好地理解本发明，因而容易更完整地了解本发明及其许多伴随优点，图中相似的标记符号指示相同或相似的组成部分，其中：
图1是根据本发明的实施例的薄膜晶体管(TFT)的截面图；
图2是图1的TFT的平面图；
图3是作为图1的TFT的比较示例的TFT的截面图；
图4是图3的TFT的平面图；
图5到7是根据本发明的另一实施例的TFT的平面图；
图8是用于根据本发明的再一实施例的制造TFT使用的光掩模的平面图；
图9是沿图8的线IX-IX得到的截面图；
图10是使用图8的光掩模制造的TFT的平面图；
图11是根据本发明的再一实施例的TFT的截面图；
图12是根据本发明的再一实施例的TFT的截面图；
图13是根据本发明的再一实施例的TFT的平面图；
图14是根据本发明的又一实施例的TFT的平面图；
图15是根据本发明的又一实施例的TFT的截面图；
具体实施方式
下文参考其中示出了本发明的示范实施例的附图更全面地描述了本发明。
图1是根据本发明的实施例的薄膜晶体管(TFT)的截面图，以及图2是图1的TFT的平面图。
参考图1和2，在衬底11上形成TFT。可以由各种材料，比如玻璃、金属或塑料来形成衬底11。
在衬底11上形成栅极电极12和彼此分开并与栅极电极12绝缘的源极和漏极电极14。而且，与栅极电极12绝缘的半导体层15，接触源极和漏极电极14的每一个，并且包括在衬底上形成用以将源极和漏极电极14之间的区域至少与相邻的TFT分开的槽16。为了方便解释，在图2中分开描绘了在x方向的槽16a和在y方向的槽16b，并且每个槽的形状即便在交叉区域也是持续的。用于将源极和漏极电极14和半导体层15与栅极电极12绝缘的绝缘膜13也能包括在它们之间。
半导体层15能由各种无机或有机半导体材料形成。
半导体层15能由包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC或Si的无机半导体材料形成。半导体层15能由包括聚合物有机材料或低分子量有机材料的有机半导体材料形成。聚合物有机材料能包括：聚噻吩及其衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚对亚苯基及其衍生物、聚芴(polylorene)及其衍生物、聚噻吩亚乙烯基及其衍生物、噻吩/杂环芳族化合物共聚物及其衍生物；以及低分子量有机材料能包括：并五苯、并四苯、α-6-噻吩、α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐或均苯四甲酰二亚胺及其衍生物、苝四甲酸二酐或苝四甲酰二亚胺及其衍生物。能使用包括加浸涂(deeping)或旋转涂敷的各种方法形成半导体层15。
在上述结构中，响应供给栅极电极12的信号，在半导体层15中形成沟道，并且在源极和漏极电极14之间通过沟道传递电信号。在相邻的TFT之间会导致串扰。相应地，需要防止串扰的方法，并且为了该目的，在半导体层15中形成了槽16。槽16至少导致形成图案的效果，因为当通过把信号供给到栅极电极12在半导体层15中形成沟道时，沟道与相邻的TFT分开。在图1和2中，通过分别在x方向和y方向延伸的两条平行直线来表示槽16，以致沟道能与相邻的TFT分开。
为了在半导体层15中形成槽16，能使用各种方法。使用激光切除技术(LAT)把激光束辐照到半导体层15上移除半导体层15的部分能形成槽16。
如图2所示，通过在x方向移动激光或衬底11把激光束辐照到半导体层15上来形成槽16a为两条平行直线，然后通过在y方向移动激光或衬底11把激光束辐照到半导体层15上来形成槽16b为两条平行直线，在源极和漏极电极14之间能形成岛屿形状的半导体层。当然，能使用其它各种方法来形成槽16a和16b。
在上述结构中，对应于除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分之外的源极和漏极电极的区域形成槽16。即，在对应于源极和漏极电极14的半导体层15的部分形成的槽16的宽度等于或大于源极和漏极14的宽度。在下文中详细描述了形成具有大于源极和漏极电极14宽度的宽度的槽16的方法。
图3是作为图1的TFT的比较示例的TFT的截面图，以及图4是图3的TFT的平面图。
图3的TFT具有与图1的TFT类似的配置，除了在半导体层15中形成的槽16的形状与在图1的TFT中的形状不同之外。即，在图3的TFT的情况中，槽16仅仅把在源极和漏极电极14之间的半导体层15的区域与半导体层15的其它区域分开。在图4中，槽16描绘为闭合曲线，但是，槽16当然能包括在x方向延伸的两个平行槽和在y方向延伸的两个平行槽。然而，参考图1和2的TFT，布置槽16以致不能在与源极和漏极电极14对应的区域上形成半导体层15。
那就是，在图1和2中描绘的根据本发明的实施例的TFT的情况中，在半导体层15中形成的槽16至少经过对应于源极和漏极电极14的半导体层15的部分。当经过对应于源极和漏极电极14的半导体层15的部分的槽16投影到源极和漏极14时而生成的投影图像，覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分的源极电极14。即，在除了面向漏极电极的源极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分之外的源极和漏极电极14上没有形成半导体层15。
如上所述，为了防止相邻的TFT之间的串扰，在半导体层15中形成槽16，即通过槽的形成图案效果能够达到。参考图3和4，在源极和漏极电极14上仍然保留了半导体层15。当通过将信号供给栅极电极12在半导体层15上形成沟道，并且因而在源极和漏极电极14之间传递电信号时，仅仅在源极和漏极电极之间形成沟道。相应地，半导体层15不需要在除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分的源极和漏极电极14上存在。如果半导体层15保留在源极和漏极电极14的剩余部分，会出现泄露电流，由此恶化TFT的特性。因此，能通过经过对应于源极和漏极电极14的半导体层15的区域的槽16来防止泄露电流，因而能通过增加经过对应于源极和漏极电极14的半导体层15的部分的槽16的宽度改善TFT的特性。在该情况中，如图2所示，能改变槽16的宽度，例如，在x方向的槽16a的宽度W1与在y方向的槽16b的宽度W2能够不同。
当由有机材料形成半导体层15(即形成了有机TFT)时，对于使用激光切除技术在半导体层15上形成槽16特别有效。如上所述，在有机半导体层的情况中，因为在形成有机半导体层之后会损坏有机材料，所以不能应用使用比如光刻的湿法蚀刻处理的形成图案方法。但是，如上所述，通过槽16将连接源极和漏极电极14的半导体层区域与相邻的TFT分开，即，能达到防止串扰的形成图案效果。
在图2中，槽16a在x方向上彼此平行，槽16b在y方向上彼此平行，但是本发明并不限于此。即，如图4所示，槽16能形成为闭合曲线，并且能够形成对应于源极和漏极电极14的槽16的部分的宽度，以便与除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分之外的源极和漏极电极14对应。此外，还能按各种形状来形成槽。
图5到7是根据本发明的另一实施例的TFT的平面图。
在图1和2中，在对应于源极和漏极电极的半导体层中形成的槽的宽度等于或大于半导体层的宽度。如图5和6所示，源极线或漏极线14a能连接到源极和漏极电极14中的一个，或者如图7所示，线14a能连接到源极和漏极电极14。在该情况中，通过在对应于线14a的半导体层15的部分中形成槽16能防止在半导体层15的部分的泄露电流，并且槽16的宽度大于线14a宽度。线可以是连接到源极和漏极电极14的电传导单元。例如，线可以包括连接到源极或漏极电极14的电容器的电极。
图8是根据本发明的再一实施例的制造TFT使用的光掩模的平面图，图9是沿图8的线IX-IX得到的截面图，以及图10是根据本发明的再一实施例使用图8的光掩模制造的TFT的平面图。
如上所述，当使用激光切除技术形成图5所示的槽16时，通过在x方向移动激光或衬底11把激光束辐照到半导体层15上来形成槽16a为两条平行直线，再通过在y方向移动激光或衬底11把激光束辐照到半导体层15上来形成槽16b为两条平行直线，在源极和漏极电极14之间能形成岛屿形状的半导体层15。但是，在该情况中，在x方向的槽16a和y方向的槽16b的交叉区域的半导体层15会导致两次扫描，因而，会损坏在半导体层15的交叉区域下的层。
因此，当通过辐照激光束在半导体层15中形成槽时，会使用掩模。在该情况中，控制激光束使得将形成槽的区域仅仅被扫描一次。按这种方式，能避免多次激光束扫描到半导体层15的将形成槽的特定区域上，由此防止损坏在其下的层。
当形成槽时，会使用光掩模。在图8中描绘了光掩模的平面图，以及在图9中描绘了沿图8的光掩模的线IX-IX得到的截面图。参考图8和9，在激光束能够经过的衬底17(比如玻璃衬底)上形成由诸如Ni、Cr或Co之类的材料形成的光屏蔽单元18。光屏蔽单元18。包括具有对应于半导体层15的槽的形状的预定图案的开口19。图10是具有通过使用在图8中描绘的光掩模将激光辐照到半导体层上形成的槽的TFT的平面图。
当使用在图8和9中描绘的光掩模形成在图10中描绘的槽16时，通过辐照在x方向上具有足够大的宽度的激光束，同时激光或衬底在y方向上移动，能控制激光束使得能对将形成槽16的区域仅仅辐射一次。
另一方面，在图1的TFT中，槽16的深度与半导体层15的厚度是相同的。然而，本发明并不限于此。那就是，在根据本发明的再一实施例的图11所描绘的TFT中，槽16的深度可小于半导体层15的厚度。或者，像在根据本发明的再一实施例的图12所描绘的TFT中，槽16的深度可大于半导体层15的厚度。换言之，如果在半导体层15中形成槽16，则槽16的深度可小于或大于半导体层15的厚度。通过控制辐照到半导体层15上的激光的强度可控制槽16的深度。
此外，槽16不需要以闭合曲线形成或围绕在如图2、5-7和10中描绘的对应于源极和漏极电极14之间的区域的半导体层15。那就是，如果在相邻侧上没有形成TFT，则在相邻侧上不需要形成槽16，或者即使在相邻侧上形成TFT，根据特定的需要，在相邻侧中不需要形成槽16。例如，如在根据本发明的另一实施例的图13描绘的TFT中一样，能按一对平行线的形状形成槽16。
图14是根据本发明的又一实施例的TFT的平面图。
如上所述，在半导体层15中形成沟道，信号供给栅极电极12，以及通过沟道在源极和漏极电极14之间传递电信号。期望仅仅在源极和漏极电极14之间形成沟道。但是，能基本上在对应于栅极电极12的半导体层15的区域中形成沟道。为了将信号供给栅极电极12，栅极线12a电连接到栅极电极12。相应地，能在对应于栅极线12a的半导体层15的区域中形成沟道。结果，能沿着栅极线12a生成泄露电流或在相邻的TFT之间发生串扰。
相应地，在半导体层15中形成槽16以便至少经过对应于栅极线12a的半导体层15的部分，并且在半导体层15的部分中槽16的宽度能大于栅极线12a的宽度。更具体地说，能形成槽16以致当经过对应于栅极线12a的半导体层15的部分的槽16投影到栅极线12a上时，投影图像能覆盖栅极线12a。通过形成具有上述形状的槽16，能防止在相邻的TFT之间的串扰和沿栅极线12a的泄露电流。
尽管基于所谓的“反共面类型TFT”描述了本发明的上述实施例，其中，在衬底上安置栅极电极，安置了覆盖栅极电极的绝缘膜，在绝缘膜上安置了源极和漏极电极，以及形成了覆盖源极和漏极电极的半导体层，但是本发明并不限于此。那就是，本发明能应用到各种类型的TFT，比如根据本发明的实施例的图15的交错类型的TFT。
此外，在根据本发明的上述实施例的TFT中，TFT包括半导体层，该半导体层接触TFT的源极和漏极电极并包括将在源极和漏极电极之间的区域至少与相邻的TFT分开的槽，其中，槽的宽度大于安置在半导体层上或下的线的宽度。
上述TFT，特别是有机TFT，由于它良好的柔性，所以能用于具有TFT的柔性平板显示器。上述平板显示器包括液晶显示器或有机电致发光显示器。
那就是，上述TFT能用作开关晶体管或用于平板显示器的驱动晶体管，或者用于各种驱动器的晶体管。
当TFT用作驱动晶体管时，显示单元的像素电极能连接到源极和漏极电极中的一个。
根据本发明的TFT对于有机电致发光显示器特别有用。因此在下文中简短描述了具有根据本发明的TFT的有机电致发光显示器。
电致发光显示器根据电致发光装置的光的颜色具有不同的像素模式，并且它能包括红、绿和蓝子像素。红、绿和蓝子像素的每一个具有电致发光单元，它是一个发射单元。
能使用各种类型的电致发光显示器装置，但是，在本发明中，电致发光显示器是具有上述TFT的有源矩阵(AM)电致发光显示器。
电致发光显示器通过响应电流而发射红、绿或蓝光来显示图像，并且电致发光单元包括连接到上述TFT的源极和漏极电极之一的像素电极、安置用于覆盖全部像素的面对电极(facing electrode)、以及包括在像素电极和面对电极之间安置的至少一个发光层的中间层。但是，本发明不限于此，因而能使用各种电致发光单元。
上述像素电极用作阳极电极而面对电极用作阴极电极，但是上述像素电极和面对电极的极性能够交换。
像素电极能形成为透明电极或反射电极。当像素电极形成为透明电极时，像素电极能由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成，以及当像素电极形成为反射电极时，在使用Ag、Mg、A1、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些金属的化合物形成反射膜之后，在反射膜上能由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成像素电极。
面对电极能形成为透明电极或反射电极。当面对电极形成为透明电极时，在中间层上沉积诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或这些金属的化合物之类的具有低功函数的金属之后，在材料层上能包括由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3之类用于形成透明电极的材料形成的辅助电极层或总线电极线。当面对电极形成为反射电极时，通过完全地沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或这些金属的化合物来形成面对电极。然而，本发明不限于此，并且比如传导聚合物的有机材料能用作像素电极和面对电极。
中间层能由有机或无机材料形成。如果中间层是由有机材料形成，则有机材料可以是低分子有机材料或聚合物有机材料。如果中间层是由低分子有机材料形成，则中间层可通过堆积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)以复合或单个结构来形成。用于形成中间层的有机材料包括：铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)和三(8-喹啉酚根)合铝(Alq3)，但本发明并不限于此。能通过蒸发方法形成低分子有机层。
如果中间层是由聚合物有机材料形成，则中间层可具有包括HTL和EML的结构。此时，聚合物HTL能够由聚(2，4)-亚乙二氧茎噻吩(PEDOT)形成，并且发光层能由聚亚苯基亚乙烯基(PPV)和聚芴基聚合物使用丝网印刷、喷墨印刷方法形成。
但是，中间层不限于上述内容，并且能由其它材料和按照其它结构形成。
在前述的电致发光显示器装置中，通过包括根据本发明的实施例的TFT能防止泄露电流和串扰。相应地，能制造根据输入的图像信号显示正确图像的电致发光显示器。
此外，本发明能应用到包括TFT的任何显示器。根据本发明的TFT能安装在每个子像素上，以及安装在不显示图像的驱动电路上。
根据本发明的TFT，以及包括TFT的平板显示器具有以下优点。
首先，因为通过使用激光束简单地形成槽将TFT与相邻的TFT分开，能达到形成图案效果。
其次，因为没有执行包括湿法蚀刻的蚀刻处理，能避免有机半导体层的损坏。
第三，除了连接源极和漏极的半导体层的部分之外的全部半导体层的蚀刻是不必的，因为通过形成槽能避免串扰，由此减少处理时间和增加处理效率。
第四，通过形成大于源极和漏极电极宽度的、在对应于源极和漏极电极的半导体层的区域中形成的槽宽度，可以防止泄露电流。
第五，通过在对应于栅极线的半导体层的区域中形成槽和形成大于栅极线宽度的槽宽度，能防止沿栅极线生成的泄露电流和在相邻的TFT之间发生的串扰。
虽然参考本发明的示范实施例详细地示出和描述了本发明，本领域的技术人员将理解到，能在其中进行在形式和细节上的各种修改，而不会背离由所附的权利要求书所定义的本发明的范围和精神。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管，包含：
衬底；
布置在所述衬底上的栅极电极和电连接到所述栅极电极的栅极线；
彼此分开并与所述栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及
与所述栅极电极绝缘的半导体层，接触所述源极和漏极电极的每一个，并且包括把在所述源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的薄膜晶体管分开的槽；
其中每个槽至少经过与所述栅极线对应的半导体层的部分并且覆盖所述栅极线，并且其中
所述半导体层的一部分设置在不对应于所述源极和漏极电极的区域上，并且不是设置在所述源极和漏极电极之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述槽的宽度经过与所述栅极线对应的半导体层的部分，其大于所述栅极线的宽度。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中每个槽包含闭合曲线。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中每个槽至少包含一对平行线。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中每个槽的深度小于所述半导体层的厚度。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中每个槽的深度大于所述半导体层的厚度，以及小于布置在所述半导体层下的至少一层的厚度。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包含适于将所述半导体层、所述源极电极以及所述漏极电极与所述栅极电极绝缘的绝缘膜。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包含有机半导体层。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中每个槽的宽度大于布置在所述半导体层上或下的线的宽度。
10.一种包括薄膜晶体管的平板显示器，包含：
衬底；
布置在所述衬底上的栅极电极和电连接到所述栅极电极的栅极线；
彼此分开并与所述栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及
与所述栅极电极绝缘的半导体层，接触所述源极和漏极电极的每一个，并包括把在所述源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的薄膜晶体管分开的槽；
其中每个槽至少经过与所述栅极线对应的半导体层的部分并且覆盖所述栅极线，并且其中
所述半导体层的一部分设置在不对应于所述源极和漏极电极的区域上，并且不是设置在所述源极和漏极电极之间。
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