CN101914755A - 卷绕式带状ito导电薄膜的生产方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了卷绕式带状ITO导电薄膜的生产方法，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；在放料室(2)和溅射室(3)内排布输送架(4)，输送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在输送架(4)的首尾端分别安装放料辊(10)和收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧依次安装红外加热器(17)、离子源(5)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧安装溅射靶(9)，溅射室(3)内位于溅射靶(9)的前方和中间分别安装二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)。该方法及装置在基材上溅射镀层，连续化生产，增大产品幅宽和长度，扩大产品用途。

Description

卷绕式带状ITO导电薄膜的生产方法及装置

技术领域

本发明属于电子材料技术领域，涉及导电薄膜的生产方法及装置，特别是涉及一种卷绕式带状ITO导电薄膜的生产方法及装置。

背景技术

众所周知，电子产品的发展趋势是向着薄轻、占用空间小、携带方便等方向发展，透明导电薄膜在平板显示器、太阳能电池、大面积透明电磁屏蔽、大面积触摸屏等领域的市场需求越来越大。

现在市场上生产的导电薄膜，局限于片式生产，片式的产品不能满足大规格产品的要求，而且生产工序多，产品性能的一致性差。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种卷绕式带状ITO导电薄膜的生产方法及装置，该方法及装置在基材上溅射镀层，连续化生产，增大产品幅宽和长度，扩大产品用途。

本发明的生产方法是：首先，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；其次，进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；接着，在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；最后，出工作室分切、包装；其中，线性离子源功率为2～10kw；红外加热器功率为300～800W，温度100～130℃；溅射室真空度为1×10^-3pa--5×10^-3pa，由质量比为0.2∶(5-6)的氧气与氩气形成溅射氛围；二氧化硅膜：溅射功率为200w-500w，溅射靶为纯度大于99.99％的石英，溅射电源为射频溅射电源；氧化铟锡膜：溅射功率为500w-800w，溅射靶为陶瓷靶，氧化铟和氧化锡质量比为90～80∶10～20，溅射电源为直流溅射电源；深冷捕集器温度为-130℃～-150℃。

本发明的生产装置是：在由隔板间隔的放料室和溅射室内安装生产装置，生产装置包括输送架、红外加热器、离子源、深冷捕集器、二氧化硅发放器、氧化铟锡发放器和溅射靶，在放料室和溅射室内排布连贯的输送架，输送架的首尾端都位于放料室，在输送架的首端安装放料辊，在输送架的尾端安装收料辊，在放料室内位于输送架的两侧呈平面矩形安装离子源，在离子源之前安装红外加热器，在溅射室内位于输送架的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶，溅射室内位于溅射靶的前方和中间分别安装二氧化硅发放器、氧化铟锡发放器，放料室、溅射室内各放置一个深冷捕集器和真空泵。

其中，在输送架的接近首尾端上分别安装涨力器。

工作时，基材由放料辊放出，被输送架输送经过放料室的红外加热器和离子源，再交错经过溅射室的二氧化硅发放器、溅射靶、氧化铟锡发放器、溅射靶，最后由放料室的收料辊将导电薄膜收集起来；其中，基材在经过红外加热器、离子源时，基材被清洁表面、消除水汽、克服张力；其中，预处理后的基材在溅射室内经溅射靶先直接溅射上氧化二硅膜，再在二氧化硅膜的基础上溅射氧化铟锡膜，形成ITO导电薄膜。

本发明具有以下优点：1、ITO导电薄膜宽幅大，最大满足1800mm，长度长，可以满足近1000m；2、从基材进入工作室到产品，在同一真空条件下完成，连续化生产，产品性能一致性好；3、红外加热器、离子源处理基材，清洁表面、消除水汽、增大张力，增加基材与溅射层的结合力；4、溅射二氧化硅膜作为过渡层，提高ITO导电薄膜质量；在真室的放料室和溅射室放置深冷捕集器，捕集吸附水分子、油分子，洁净溅射环境。

附图说明

图1为本发明的生产装置流程示意图

图中：1隔板，2放料室，3溅射室，4输送架，5离子源，6、7深冷捕集器，8二氧化硅发放器，9溅射靶，10放料辊，11收料辊，12氧化铟锡发放器，13、14真空泵，15、16涨力器，17红外加热器。

具体实施方式

如图1所示，在由隔板1间隔的放料室2和溅射室3内安装生产装置，生产装置包括输送架4、红外加热器17、离子源5、深冷捕集器6、7、二氧化硅发放器8、氧化铟锡发放器12和溅射靶9，在放料室2和溅射室3内排布连贯的输送架4，输送架4的首尾端都位于放料室2，在输送架4的首端安装放料辊10，在输送架4的尾端安装收料辊11，在放料室2内位于输送架4的两侧呈平面矩形安装离子源5，在离子源5之前安装红外加热器17，在溅射室3内位于输送架4的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶9，溅射室3内位于溅射靶9的前方和中间分别安装二氧化硅发放器8、氧化铟锡发放器12，放料室2、溅射室3内各放置一个深冷捕集器6、7和真空泵13、14。

其中，在输送架4的接近首尾端上分别安装涨力器15、16。

实施例1：

依以下步骤生产ITO导电薄膜：首先，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；其次，进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；接着，在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；最后，出工作室分切、包装；其中，线性离子源功率为2kw；红外加热器功率为300W，温度100℃；溅射室真空度为1×10^-3pa，由质量比为0.2∶5的氧气与氩气形成溅射氛围；二氧化硅膜：溅射功率为200w，溅射靶为纯度大于99.99％的石英，溅射电源为射频溅射电源；氧化铟锡膜：溅射功率为500w，溅射靶为陶瓷靶，氧化铟和氧化锡质量比为90∶10，溅射电源为直流溅射电源；深冷捕集器温度为-130℃；透明导电薄膜性能：可见光透过率：89％，方块电阻15Ω。

实施例2：

依以下步骤生产ITO导电薄膜：首先，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；其次，进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；接着，在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；最后，出工作室分切、包装；其中，线性离子源功率为6kw；红外加热器功率为550W，温度115℃；溅射室真空度为3×10^-3pa，由质量比为0.2∶5.5的氧气与氩气形成溅射氛围；二氧化硅膜：溅射功率为350w，溅射靶为纯度大于99.99％的石英，溅射电源为射频溅射电源；氧化铟锡膜：溅射功率为650w，溅射靶为陶瓷靶，氧化铟和氧化锡质量比为85∶15，溅射电源为直流溅射电源；深冷捕集器温度为-140℃，透明导电薄膜性能：可见光透过率：92％，方块电阻15Ω。

实施例3：

依以下步骤生产ITO导电薄膜：首先，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；其次，进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；接着，在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；最后，出工作室分切、包装；其中，线性离子源功率为10kw；红外加热器功率为800W，温度130℃；溅射室真空度为5×10^-3pa，由质量比为0.2∶6的氧气与氩气形成溅射氛围；二氧化硅膜：溅射功率为500w，溅射靶为纯度大于99.99％的石英，溅射电源为射频溅射电源；氧化铟锡膜：溅射功率为800w，溅射靶为陶瓷靶，氧化铟和氧化锡质量比为80∶20，溅射电源为直流溅射电源；深冷捕集器温度为-150℃；透明导电薄膜性能：可见光透过率：95％，方块电阻：15Ω。

Claims (3)

1.卷绕式带状ITO导电薄膜的生产方法，其特征在于该生产方法包括以下步骤：首先，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；其次，进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；接着，在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；最后，出工作室分切、包装；其中，线性离子源功率为2～10kw；红外加热器功率为300～800W，温度100～130℃；溅射室真空度为1×10^-3pa--5×10^-3pa，由质量比为0.2∶(5-6)的氧气与氩气形成溅射氛围；二氧化硅膜：溅射功率为200w-500w，溅射靶为纯度大于99.99％的石英，溅射电源为射频溅射电源；氧化铟锡膜：溅射功率为500w-800w，溅射靶为陶瓷靶，氧化铟和氧化锡质量比为90～80∶10～20，溅射电源为直流溅射电源；深冷捕集器温度为-130℃～-150℃。

2.根据权利要求1所述的卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，其特征在于：在由隔板(1)间隔的放料室(2)和溅射室(3)内安装生产装置，生产装置包括输送架(4)、红外加热器(17)、离子源(5)、深冷捕集器(6、7)、二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)和溅射靶(9)，在放料室(2)和溅射室(3)内排布连贯的输送架(4)，输送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在输送架(4)的首端安装放料辊(10)，在输送架(4)的尾端安装收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧呈平面矩形安装离子源(5)，在离子源(5)之前安装红外加热器(17)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶(9)，溅射室(3)内位于溅射靶(9)的前方和中间分别安装二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)，放料室(2)、溅射室(3)内各放置一个深冷捕集器(6、7)和真空泵(13、14)。

3.根据权利要求1所述的卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，其特征在于：其中，在输送架(4)的接近首尾端上分别安装涨力器(15、16)。

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