CN201778108U - 卷绕式带状ito导电薄膜的生产装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，基材在放料室，真空状态下经过红外加热器、离子源表面处理；进入溅射室，使用溅射靶及二氧化硅发放器在基材上溅射二氧化硅膜；在二氧化硅膜上溅射氧化铟锡膜；在放料室(2)和溅射室(3)内排布输送架(4)，输送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在输送架(4)的首尾端分别安装放料辊(10)和收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧依次安装红外加热器(17)、离子源(5)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧安装溅射靶(9)，溅射室(3)内位于溅射靶(9)的前方和中间分别安装二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)。该方法及装置在基材上溅射镀层，连续化生产，增大产品幅宽和长度，扩大产品用途。
Description
技术领域
本实用新型属于电子材料技术领域，涉及导电薄膜的生产方法及装置，特别是涉及一种卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置。
背景技术
众所周知，电子产品的发展趋势是向着薄轻、占用空间小、携带方便等方向发展，透明导电薄膜在平板显示器、太阳能电池、大面积透明电磁屏蔽、大面积触摸屏等领域的市场需求越来越大。
现在市场上生产的导电薄膜，局限于片式生产，片式的产品不能满足大规格产品的要求，而且生产工序多，产品性能的一致性差。
发明内容
本实用新型的目的在于：提供一种卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，该方法及装置在基材上溅射镀层，连续化生产，增大产品幅宽和长度，扩大产品用途。
本实用新型的技术方案是：在由隔板间隔的放料室和溅射室内安装生产装置，生产装置包括输送架、红外加热器、离子源、深冷捕集器、二氧化硅发放器、氧化铟锡发放器和溅射靶，在放料室和溅射室内排布连贯的输送架，输送架的首尾端都位于放料室，在输送架的首端安装放料辊，在输送架的尾端安装收料辊，在放料室内位于输送架的两侧呈平面矩形安装离子源，在离子源之前安装红外加热器，在溅射室内位于输送架的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶，溅射室内位于溅射靶的前方和中间分别安装二氧化硅发放器、氧化铟锡发放器，放料室、溅射室内各放置一个深冷捕集器和真空泵。
其中，在输送架的接近首尾端上分别安装涨力器。
工作时，基材由放料辊放出，被输送架输送经过放料室的红外加热器和离子源，再交错经过溅射室的二氧化硅发放器、溅射靶、氧化铟锡发放器、溅射靶，最后由放料室的收料辊将导电薄膜收集起来；其中，基材在经过红外加热器、离子源时，基材被清洁表面、消除水汽、克服张力；其中，预处理后的基材在溅射室内经溅射靶先直接溅射上氧化二硅膜，再在二氧化硅膜的基础上溅射氧化铟锡膜，形成ITO导电薄膜。
本实用新型具有以下优点：1、ITO导电薄膜宽幅大，最大满足1800mm，长度长，可以满足近1000m；2、从基材进入工作室到产品，在同一真空条件下完成，连续化生产，产品性能一致性好；3、红外加热器、离子源处理基材，清洁表面、消除水汽、增大张力，增加基材与溅射层的结合力；4、溅射二氧化硅膜作为过渡层，提高ITO导电薄膜质量；在真室的放料室和溅射室放置深冷捕集器，捕集吸附水分子、油分子，洁净溅射环境。
附图说明
图1为本实用新型的生产装置流程示意图
图中：1隔板，2放料室，3溅射室，4输送架，5离子源，6、7深冷捕集器，8二氧化硅发放器，9溅射靶，10放料辊，11收料辊，12氧化铟锡发放器，13、14真空泵，15、16涨力器，17红外加热器。
具体实施方式
如图1所示，在由隔板1间隔的放料室2和溅射室3内安装生产装置，生产装置包括输送架4、红外加热器17、离子源5、深冷捕集器6、7、二氧化硅发放器8、氧化铟锡发放器12和溅射靶9，在放料室2和溅射室3内排布连贯的输送架4，输送架4的首尾端都位于放料室2，在输送架4的首端安装放料辊10，在输送架4的尾端安装收料辊11，在放料室2内位于输送架4的两侧呈平面矩形安装离子源5，在离子源5之前安装红外加热器17，在溅射室3内位于输送架4的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶9，溅射室3内位于溅射靶9的前方和中间分别安装二氧化硅发放器8、氧化铟锡发放器12，放料室2、溅射室3内各放置一个深冷捕集器6、7和真空泵13、14。
其中，在输送架4的接近首尾端上分别安装涨力器15、16。
Claims (2)
1.卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，其特征在于：在由隔板(1)间隔的放料室(2)和溅射室(3)内安装生产装置，生产装置包括输送架(4)、红外加热器(17)、离子源(5)、深冷捕集器(6、7)、二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)和溅射靶(9)，在放料室(2)和溅射室(3)内排布连贯的输送架(4)，输送架(4)的首尾端都位于放料室(2)，在输送架(4)的首端安装放料辊(10)，在输送架(4)的尾端安装收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧呈平面矩形安装离子源(5)，在离子源(5)之前安装红外加热器(17)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧呈平面矩形安装一组溅射靶(9)，溅射室(3)内位于溅射靶(9)的前方和中间分别安装二氧化硅发放器(8)、氧化铟锡发放器(12)，放料室(2)、溅射室(3)内各放置一个深冷捕集器(6、7)和真空泵(13、14)。
2.根据权利要求1所述的卷绕式带状ITO导电薄膜的生产装置，其特征在于：其中，在输送架(4)的接近首尾端上分别安装涨力器(15、16)。
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| CN2010202579181U CN201778108U (zh) | 2010-07-13 | 2010-07-13 | 卷绕式带状ito导电薄膜的生产装置 |
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| CN2010202579181U CN201778108U (zh) | 2010-07-13 | 2010-07-13 | 卷绕式带状ito导电薄膜的生产装置 |
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| CN201778108U true CN201778108U (zh) | 2011-03-30 |
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ID=43791327
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| CN (1) | CN201778108U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111776822A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-16 | 泰州市光明电子材料有限公司 | 一种聚四氟乙烯薄膜卷绕设备 |
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2010
- 2010-07-13 CN CN2010202579181U patent/CN201778108U/zh not_active Expired - Lifetime
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