CN111876738A - 一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，包括底座，底座上设有呈并排布置的氩离子辐射室与磁控溅射室，氩离子辐射室的前侧设有进料口，磁控溅射室的后侧设有出料口，氩离子辐射室与磁控溅射室之间设有输送口；底座的前部设有放卷机构，底座的后部设有收卷机构，氩离子辐射室内安装有氩离子辐射机构，氩离子辐射机构包括氩离子激光器与水平移动架，水平移动架的底面设有一排氩离子枪，氩离子枪与氩离子激光器通过激光电缆线连接；氩离子枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的内部设有磁控溅射壳，磁控溅射壳的底面设有磁控溅射枪，磁控溅射枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的顶部设有真空泵。本发明大大提高了镀膜的效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种镀膜机，具体涉及一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机。
背景技术
玻璃镀膜机在架体上部设有作为动力源的电机减速器，包括导轨、滚珠丝杠、滑座、滚轮及螺母，滚珠丝杠一端与电机减速器相连接，另一端插在架体底部的轴承座内，滑座通过螺母连接在滚珠丝杠上，滑座上设有滚轮，导轨固装在架体上，滚轮配合连接在导轨上，滑座上设有安装底座，其内部开有通孔，带有滚轮的滚轮支座插在安装底座通孔的一端，调整螺母螺纹连接在安装底座通孔的另一端，在滚轮支座与调整螺母之间设有弹性体，保险顶丝穿过调整螺母插在安装底座的通孔内。真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面，通过成膜过程形成薄膜。 对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。现有的玻璃镀膜机不方便对低辐射玻璃进行磁控溅射镀膜处理，大大提高了覆膜的效率。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种方便对低辐射玻璃进行处理；磁控溅射壳通过磁控溅射枪对氩离子处理后的低辐射玻璃进行磁控溅射处理，从而在低辐射玻璃的表面形成膜层，大大提高了镀膜的效率的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，包括底座，底座上设有呈并排布置的氩离子辐射室与磁控溅射室，氩离子辐射室的前侧设有进料口，磁控溅射室的后侧设有出料口，氩离子辐射室与磁控溅射室之间设有输送口；底座的前部设有放卷机构，底座的后部设有收卷机构，所述放卷机构包括第一支撑架，第一支撑架安装在底座上，第一支撑架的顶部两侧均设有第一定位筒，第一定位筒之间设有第一安装轴，第一安装轴的外周面套装有放卷滚筒；所述收卷机构包括第二支撑架，第二支撑架安装在底座上，第二支撑架的顶部两侧均设有第二定位筒，第二定位筒之间设有第二安装轴，第二安装轴的外周面套装有收卷滚筒，收卷滚筒与放卷滚筒之间卷绕有输送皮带，输送皮带穿过进料口、出料口以及输送口；第二支撑架的中间位置外侧部位置设有电机座，电机座上设有驱动电机，驱动电机的前部设有驱动轴，驱动轴的前端与收卷滚筒的端部连接；氩离子辐射室内安装有氩离子辐射机构，氩离子辐射机构包括氩离子激光器与水平移动架，水平移动架的底面设有一排氩离子枪，氩离子枪与氩离子激光器通过激光电缆线连接；氩离子枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的内部设有磁控溅射壳，磁控溅射壳的底面设有磁控溅射枪，磁控溅射枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的顶部设有真空泵。
进一步地，所述氩离子辐射室的内部设有一对呈水平布置的导向轴，水平移动架的两侧套装在导向轴的外周面，氩离子辐射室的侧部位置设有呈水平布置的导向管，导向管内套装有推拉轴，推拉轴的外端为自由端，推拉轴的内端与水平移动架连接；推拉轴的内端与水平移动架之间设有弯曲部；推拉轴的外端设有推拉环，推拉环为环形形状，推拉环的直径大于导向管的直径。
进一步地，所述氩离子辐射室的内部设有吊顶架，氩离子辐射室的内顶部设有吊顶管，吊顶管的下端设有锁架，氩离子激光器安装在吊顶架上，锁架扣接在氩离子激光器的顶部。
进一步地，所述磁控溅射室的顶部设有液压缸，液压缸的下部设有呈竖向布置的活塞杆，活塞杆的下端与磁控溅射壳的顶部连接；磁控溅射室的顶部设有储物仓，储物仓外接有输送管道，输送管道的一端设有输送泵，输送泵安装在储物仓的内底部，输送管道的另一端设有出料仓，出料仓安装在磁控溅射壳的内顶部；储物仓的顶部设有密封推拉门，密封推拉门与储物仓的顶部通过卡扣连接；储物仓的顶部对内朝向面两侧均设有滑槽，密封推拉门安装在滑槽内；储物仓包括呈并排布置的一级储物仓体、二级储物仓体以及三级储物仓体，三级储物仓体的内部设有内仓，内仓的内部设有储物腔，内仓的顶部设有扣部，扣部扣接在三级储物仓体的顶部外周面。
进一步地，所述水平移动架的两侧均设有移动管，移动管的轴向设有移动槽，移动管通过移动槽套装在导向轴的外周面；导向轴与移动管的表面均设有陶瓷层。
采用上述结构后，本发明有益效果为：驱动电机通过驱动轴控制收卷滚筒实现转动，收卷滚筒通过放卷滚筒带动输送皮带实现转动，将待处理的低辐射玻璃放置在输送皮带上，低辐射玻璃通过输送皮带进入进料口，经过输送口，并从出料口输出，氩离子激光器通过一排氩离子枪对低辐射玻璃进行照射，一排氩离子枪照射在低辐射玻璃的横向位置，一排氩离子枪呈线光源照射，对低辐射玻璃进行处理；通过真空泵对磁控溅射室的内部进行抽真空处理，磁控溅射壳通过磁控溅射枪对氩离子处理后的低辐射玻璃进行磁控溅射处理，从而在低辐射玻璃的表面形成膜层，大大提高了镀膜的效率。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明所述氩离子枪的结构示意图。
图3为本发明所述氩离子辐射机构的结构示意图。
图4为本发明所述储物仓的结构示意图。
图5为本发明所述覆膜机构的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
如图1至图5所示，本发明所述的一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，包括底座1，底座1上设有呈并排布置的氩离子辐射室2与磁控溅射室3，氩离子辐射室2的前侧设有进料口49，磁控溅射室3的后侧设有出料口50，氩离子辐射室2与磁控溅射室3之间设有输送口51；底座1的前部设有放卷机构，底座1的后部设有收卷机构，所述放卷机构包括第一支撑架4，第一支撑架4安装在底座1上，第一支撑架4的顶部两侧均设有第一定位筒5，第一定位筒5之间设有第一安装轴6，第一安装轴6的外周面套装有放卷滚筒7；所述收卷机构包括第二支撑架8，第二支撑架8安装在底座1上，第二支撑架8的顶部两侧均设有第二定位筒9，第二定位筒9之间设有第二安装轴10，第二安装轴10的外周面套装有收卷滚筒11，收卷滚筒11与放卷滚筒7之间卷绕有输送皮带15，输送皮带15穿过进料口49、出料口50以及输送口51；第二支撑架8的中间位置外侧部位置设有电机座12，电机座12上设有驱动电机13，驱动电机13的前部设有驱动轴14，驱动轴14的前端与收卷滚筒11的端部连接；氩离子辐射室2内安装有氩离子辐射机构16，氩离子辐射机构16包括氩离子激光器38与水平移动架32，水平移动架32的底面设有一排氩离子枪33，氩离子枪33与氩离子激光器38通过激光电缆线39连接；氩离子枪33安装在输送皮带15的上方；磁控溅射室3的内部设有磁控溅射壳22，磁控溅射壳22的底面设有磁控溅射枪23，磁控溅射枪23安装在输送皮带15的上方；磁控溅射室3的顶部设有真空泵31。
本发明低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，驱动电机13通过驱动轴14控制收卷滚筒11实现转动，收卷滚筒11通过放卷滚筒7带动输送皮带15实现转动，将待处理的低辐射玻璃放置在输送皮带15上，低辐射玻璃通过输送皮带15进入进料口49，经过输送口51，并从出料口50输出，氩离子激光器38通过一排氩离子枪33对低辐射玻璃进行照射，一排氩离子枪33照射在低辐射玻璃的横向位置，一排氩离子枪33呈线光源照射，对低辐射玻璃进行处理；通过真空泵31对磁控溅射室3的内部进行抽真空处理，磁控溅射壳22通过磁控溅射枪23对氩离子处理后的低辐射玻璃进行磁控溅射处理，从而在低辐射玻璃的表面形成膜层，大大提高了镀膜的效率。
优选地，氩离子辐射室2的内部设有一对呈水平布置的导向轴17，水平移动架32的两侧套装在导向轴17的外周面，氩离子辐射室2的侧部位置设有呈水平布置的导向管19，导向管19内套装有推拉轴40，推拉轴40的外端为自由端，推拉轴40的内端与水平移动架32连接；推拉轴40的内端与水平移动架32之间设有弯曲部41；推拉轴40的外端设有推拉环42，推拉环42为环形形状，推拉环42的直径大于导向管19的直径；操作者通过推拉轴40沿着导向管19实现稳定地推拉操作，通过推拉轴40对水平移动架32进行推拉操作，水平移动架32沿着导向轴17实现稳定地滑动调节，从而方便对氩离子枪33进行灵活移动调节；大大提高了对低辐射玻璃进行氩离子处理的效率。
优选地，氩离子辐射室2的内部设有吊顶架18，氩离子辐射室2的内顶部设有吊顶管20，吊顶管20的下端设有锁架21，氩离子激光器38安装在吊顶架18上，锁架21扣接在氩离子激光器38的顶部；吊顶管20通过锁架21对氩离子激光器38的顶部进行安装，通过吊顶架18对氩离子激光器38进行固定安装。
优选地，磁控溅射室3的顶部设有液压缸24，液压缸24的下部设有呈竖向布置的活塞杆25，活塞杆25的下端与磁控溅射壳22的顶部连接；磁控溅射室3的顶部设有储物仓26，储物仓26外接有输送管道27，输送管道27的一端设有输送泵29，输送泵29安装在储物仓26的内底部，输送管道27的另一端设有出料仓28，出料仓28安装在磁控溅射壳22的内顶部；液压缸24通过活塞杆25控制磁控溅射壳22进行竖直升降调节，磁控溅射壳22带动磁控溅射枪23进行竖直升降调节，通过磁控溅射枪23对输送皮带15上的玻璃进行磁控溅射处理，方便在玻璃上覆膜；输送管道27通过输送泵29将储物仓26内的物料输送到出料仓28内，通过出料仓28将物料输送到磁控溅射壳22内，通过磁控溅射枪23对输送皮带15上的玻璃进行磁控溅射处理，储物仓26内可储存银粉、氧化硅粉以及聚氯乙烯树脂粉末，通过磁控溅射枪23对输送皮带15上的玻璃进行磁控溅射处理，方便在玻璃上覆膜。
优选地，储物仓26的顶部设有密封推拉门30，密封推拉门30与储物仓26的顶部通过卡扣连接；储物仓26的顶部对内朝向面两侧均设有滑槽，密封推拉门30安装在滑槽内；通过密封推拉门30对储物仓26的顶部进行密封。
优选地，储物仓26包括呈并排布置的一级储物仓体43、二级储物仓体44以及三级储物仓体45，三级储物仓体45的内部设有内仓46，内仓46的内部设有储物腔47，内仓46的顶部设有扣部48，扣部48扣接在三级储物仓体45的顶部外周面；一级储物仓体43储存银粉，二级储物仓体44储存氧化硅粉，三级储物仓体45储存聚氯乙烯树脂粉末，扣部48使内仓46安装在储物仓26内，内仓46通过储物腔47储存物料，从而方便输送泵29将物料抽送到输送管道27内。
优选地，水平移动架32的两侧均设有移动管34，移动管34的轴向设有移动槽35，移动管34通过移动槽35套装在导向轴17的外周面；导向轴17与移动管34的表面均设有陶瓷层；水平移动架32通过移动管34的移动槽35沿着导向轴17实现稳定地滑动调节，陶瓷层大大增加了导向轴17与移动管34表面的耐磨度与耐高温。
优选地，第二支撑架8上设有覆膜机构，所述覆膜机构包括定位架52，定位架52安装在第二支撑架8上，定位架52的顶部设有挡位架54，挡位架54的中部安装有旋转轮53，旋转轮53的轴中心位置安装有旋转轴55，旋转轴55安装在挡位架54的中部，旋转轮53的外周面套装有放卷轮56；放卷轮56放卷防护膜，放卷轮56通过旋转轮53绕旋转轴55实现转动，通过放卷轮56放卷防护膜，将防护膜贴附在玻璃表面上，从而对玻璃进行进一步覆膜。
以上所述仅是本发明的较佳实施方式，故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。
Claims (10)
1.一种低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，包括底座，底座上设有呈并排布置的氩离子辐射室与磁控溅射室，氩离子辐射室的前侧设有进料口，磁控溅射室的后侧设有出料口，氩离子辐射室与磁控溅射室之间设有输送口；
其特征在于：底座的前部设有放卷机构，底座的后部设有收卷机构，所述放卷机构包括第一支撑架，第一支撑架安装在底座上，第一支撑架的顶部两侧均设有第一定位筒，第一定位筒之间设有第一安装轴，第一安装轴的外周面套装有放卷滚筒；所述收卷机构包括第二支撑架，第二支撑架安装在底座上，第二支撑架的顶部两侧均设有第二定位筒，第二定位筒之间设有第二安装轴，第二安装轴的外周面套装有收卷滚筒，收卷滚筒与放卷滚筒之间卷绕有输送皮带，输送皮带穿过进料口、出料口以及输送口；第二支撑架的中间位置外侧部位置设有电机座，电机座上设有驱动电机，驱动电机的前部设有驱动轴，驱动轴的前端与收卷滚筒的端部连接；
氩离子辐射室内安装有氩离子辐射机构，氩离子辐射机构包括氩离子激光器与水平移动架，水平移动架的底面设有一排氩离子枪，氩离子枪与氩离子激光器通过激光电缆线连接；氩离子枪安装在输送皮带的上方；
磁控溅射室的内部设有磁控溅射壳，磁控溅射壳的底面设有磁控溅射枪，磁控溅射枪安装在输送皮带的上方；磁控溅射室的顶部设有真空泵。
2.根据权利要求1所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：氩离子辐射室的内部设有一对呈水平布置的导向轴，水平移动架的两侧套装在导向轴的外周面，氩离子辐射室的侧部位置设有呈水平布置的导向管，导向管内套装有推拉轴，推拉轴的外端为自由端，推拉轴的内端与水平移动架连接。
3.根据权利要求2所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：推拉轴的内端与水平移动架之间设有弯曲部；推拉轴的外端设有推拉环，推拉环为环形形状，推拉环的直径大于导向管的直径。
4.根据权利要求1所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：氩离子辐射室的内部设有吊顶架，氩离子辐射室的内顶部设有吊顶管，吊顶管的下端设有锁架，氩离子激光器安装在吊顶架上，锁架扣接在氩离子激光器的顶部。
5.根据权利要求1所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：磁控溅射室的顶部设有液压缸，液压缸的下部设有呈竖向布置的活塞杆，活塞杆的下端与磁控溅射壳的顶部连接。
6.根据权利要求5所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：磁控溅射室的顶部设有储物仓，储物仓外接有输送管道，输送管道的一端设有输送泵，输送泵安装在储物仓的内底部，输送管道的另一端设有出料仓，出料仓安装在磁控溅射壳的内顶部。
7.根据权利要求6所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：储物仓的顶部设有密封推拉门，密封推拉门与储物仓的顶部通过卡扣连接；储物仓的顶部对内朝向面两侧均设有滑槽，密封推拉门安装在滑槽内。
8.根据权利要求7所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：储物仓包括呈并排布置的一级储物仓体、二级储物仓体以及三级储物仓体，三级储物仓体的内部设有内仓，内仓的内部设有储物腔，内仓的顶部设有扣部，扣部扣接在三级储物仓体的顶部外周面。
9.根据权利要求1所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：水平移动架的两侧均设有移动管，移动管的轴向设有移动槽，移动管通过移动槽套装在导向轴的外周面。
10.根据权利要求9所述的低辐射玻璃制备用真空磁控溅射镀膜机，其特征在于：导向轴与移动管的表面均设有陶瓷层。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN113025978A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-25 | 张鹏成 | 一种磁控溅射镀膜装置 |
| CN113774345A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-12-10 | 江苏星浪光学仪器有限公司 | 一种基于磁控溅射的复合板手机后盖印刷镀膜方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5344718A (en) * | 1992-04-30 | 1994-09-06 | Guardian Industries Corp. | High performance, durable, low-E glass |
| US20060008655A1 (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | C.R.V.C., Luxembourg And Guardian Industries Corp. | Coated Article having low-E coating with ion beam treated IR reflecting layer and corresponding method |
| CN1865489A (zh) * | 2006-01-06 | 2006-11-22 | 浙江大学 | 贴片电感骨架的连续镀膜装置 |
| CN101914755A (zh) * | 2010-07-13 | 2010-12-15 | 淮安富扬电子材料有限公司 | 卷绕式带状ito导电薄膜的生产方法及装置 |
| US20120207988A1 (en) * | 2011-02-15 | 2012-08-16 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Coated glass and method for making the same |
| CN109913847A (zh) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | Low-e玻璃真空磁控溅射镀膜生产线 |
| CN110506091A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-11-26 | 3M创新有限公司 | 耐久的低辐射率窗膜构造 |
-
2020
- 2020-07-25 CN CN202010726322.XA patent/CN111876738A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5344718A (en) * | 1992-04-30 | 1994-09-06 | Guardian Industries Corp. | High performance, durable, low-E glass |
| US20060008655A1 (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | C.R.V.C., Luxembourg And Guardian Industries Corp. | Coated Article having low-E coating with ion beam treated IR reflecting layer and corresponding method |
| CN1865489A (zh) * | 2006-01-06 | 2006-11-22 | 浙江大学 | 贴片电感骨架的连续镀膜装置 |
| CN101914755A (zh) * | 2010-07-13 | 2010-12-15 | 淮安富扬电子材料有限公司 | 卷绕式带状ito导电薄膜的生产方法及装置 |
| US20120207988A1 (en) * | 2011-02-15 | 2012-08-16 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Coated glass and method for making the same |
| CN110506091A (zh) * | 2017-04-14 | 2019-11-26 | 3M创新有限公司 | 耐久的低辐射率窗膜构造 |
| CN109913847A (zh) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | Low-e玻璃真空磁控溅射镀膜生产线 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113025978A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-25 | 张鹏成 | 一种磁控溅射镀膜装置 |
| CN113774345A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-12-10 | 江苏星浪光学仪器有限公司 | 一种基于磁控溅射的复合板手机后盖印刷镀膜方法 |
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