CN101908535A - 集成电感及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种集成电感及其制造方法，所述集成电感上置于半导体衬底上，包括由一根导电线缠绕而成的多层线圈，所述导电线的宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化，所述多层线圈之间形成的间隙宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化，所述导电线为铝、铜或者导电的硅化物。所述半导体衬底包括：背衬底；在所述背衬底表面上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的半导体层；在所述半导体层内形成的沟槽氧化物。与现有技术相比，本发明的集成电感以半导体为衬底，使得所述集成电感与衬底之间不再含有导电的金属线，并去除对应所述集成电感位置的背衬底，消除了各种干扰集成电感的因素，从而提高了集成电感的Q值。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成电感及其制造方法，具体的，涉及一种集成电感及其制造方法。
背景技术
电感在电路中具有广泛的应用，尤其在射频集成电路中，电感是一种关键元件，也是集成电路中最难设计和掌握的元件之一，它的性能参数直接影响着电路的性能。
随着集成电路的高速发展，集成在SOC(system on chip：片上系统)的电感已经变成现实，它具有成本低、噪声小和功耗低的优点。但是，一片复杂的SOC往往会集成各种各样器件，对于集成在SOC中的集成电感来说，如果位于集成电感下方的衬底还集成有金属，则该金属以及衬底产生的寄生电容、寄生电阻以及金属本身都将会对集成电感造成干扰，从而降低所述集成电感的Q值(品质因数)。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种集成电感及其制造方法，提高集成电感的Q值。
为了实现本发明目的，本发明提供一种集成电感，所述集成电感上置于半导体衬底上，包括由一根导电线缠绕而成的多层线圈。
所述导电线的宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化。
所述多层线圈之间形成的间隙宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化。
所述导电线为铝、铜或者导电的硅化物。
所述半导体衬底包括：
背衬底；
在所述背衬底表面上形成的绝缘层；
在所述绝缘层上形成的半导体层；
在所述半导体层内形成的沟槽氧化物。
所述背衬底以及半导体层为硅。
所述绝缘层为氧化层。
所述氧化层为二氧化硅。
本发明还提供一种如上所述集成电感的制造方法，包括步骤：
在晶圆上形成背衬底；
在所述背衬底的表面上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成沟槽；
在所述沟槽内沉积形成沟槽氧化物；
在所述沟槽氧化物表面上沉积金属层；
刻蚀部分金属层，使剩余部分金属层形成所述集成电感；
去除对应所述集成电感位置的背衬底，形成凹槽，在所述凹槽内填充绝缘材料。
与现有技术相比，本发明的集成电感以半导体为衬底，使得所述集成电感与衬底之间不再含有导电的金属线，并去除对应所述集成电感位置的背衬底，消除了各种干扰集成电感的因素，从而提高了集成电感的Q值。
附图说明
图1为本发明集成电感的结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
本实施例中的集成电感上置于半导体衬底上，包括由一根导电线缠绕而成的多层线圈，根据实际产品的应用需要，所述导电线的宽度可以设计成相等或者呈等差、等比数列的规律变化。在所述多层线圈之间形成的间隙宽度也可以设计成相等或者呈等差、等比数列的规律变化。所述导电线可以由铝、铜或者导电的硅化物形成。
请参阅图1，图1为所述集成电感的截面示意图。所述集成电感5置于半导体衬底上，所述半导体衬底包括：背衬底6；在所述背衬底6表面上形成的绝缘层2；在所述绝缘层2上形成的半导体层3；在所述半导体层3内形成的沟槽氧化物4。
所述背衬底6以及半导体层3为硅，所述绝缘层2为氧化层，优选为二氧化硅。
制造所述集成电感的步骤如下：
在晶圆上形成背衬底6；
在所述背衬底6的表面上形成绝缘层2；
在所述绝缘层2上形成半导体层3；
在所述半导体层3上形成沟槽4；
在所述沟槽4内沉积形成沟槽氧化物，该沟槽氧化物为绝缘材料；
在所述沟槽氧化物表面上沉积金属层；
刻蚀部分金属层，使剩余部分金属层形成所述集成电感5；
去除对应所述集成电感位置的背衬底6，形成凹槽1，在所述凹槽内填充绝缘材料，比如硅的氧化物或者硅的氮化物等均可。
本实施例的集成电感5以半导体为衬底，使得所述集成电感5与半导体衬底之间不再含有导电的金属线，并去除对应所述集成电感位置的背衬底，消除了各种干扰集成电感的因素，从而提高了集成电感的Q值。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (9)
1.一种集成电感，其特征在于：所述集成电感上置于半导体衬底上，包括由一根导电线缠绕而成的多层线圈。
2.如权利要求1所述的集成电感，其特征在于：所述导电线的宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化。
3.如权利要求2所述的集成电感，其特征在于：所述多层线圈之间形成的间隙宽度相等或者呈等差、等比数列的规律变化。
4.如权利要求1所述的集成电感，其特征在于：所述导电线为铝、铜或者导电的硅化物。
5.如权利要求1所述的集成电感，其特征在于：所述半导体衬底包括：
背衬底；
在所述背衬底表面上形成的绝缘层；
在所述绝缘层上形成的半导体层；
在所述半导体层内形成的沟槽氧化物。
6.如权利要求5所述的集成电感，其特征在于：所述背衬底以及半导体层为硅。
7.如权利要求5所述的集成电感，其特征在于：所述绝缘层为氧化层。
8.如权利要求7所述的集成电感，其特征在于：所述氧化层为二氧化硅。
9.一种如权利要求1所述集成电感的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在晶圆上形成背衬底；
在所述背衬底的表面上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成沟槽；
在所述沟槽内沉积形成沟槽氧化物；
在所述沟槽氧化物表面上沉积金属层；
刻蚀部分金属层，使剩余部分金属层形成所述集成电感；
去除对应所述集成电感位置的背衬底，形成凹槽，在所述凹槽内填充绝缘材料。
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2010
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