CN101893793A - 液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示器。提供了一种薄膜晶体管阵列板，其包括：在绝缘衬底上形成的栅极线；与所述栅极线绝缘，并与所述栅极线交叉的数据线；布置在由所述栅极线和数据线的交叉界定的像素区域上的第一像素电极；第一薄膜晶体管，每一个第一薄膜晶体管具有三个端子，它们连接至栅极线中的一个、数据线中的一个、以及第一像素电极中的一个；布置在所述像素区域上的，与所述第一像素电极电容性耦合的第二像素电极；以及第二薄膜晶体管，每一个第二薄膜晶体管具有三个端子，它们连接至前一栅极线、存储电极线或数据线中的一个、以及第二像素电极中的一个。通过提高侧面可见度扩大了LCD的视角。

Description

液晶显示器
本申请是申请日为2004年3月26日且题为“液晶显示器及其屏板”的第200480008298.5号发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及液晶显示器及其屏板。
背景技术
典型的液晶显示器(LCD)包括一带有公共电极和滤色器阵列的上屏板(upper panel)，带有薄膜晶体管(TFT)和像素电极的下屏板(lower panel)以及位于两者之间的液晶层。在像素电极和公共电极上施加不同的电压，以生成电场，从而改变液晶分子的配向，进而改变穿过液晶层的透光度。因此，LCD显示需要的图像。
但是，LCD存在灰度反转(gray inversion)，即灰度之间的亮度发生反转，此外，还存在侧面γ曲线畸变，即侧面γ曲线与正面γ曲线不相吻合，因而在左右视角表现出较差的可见度。例如，随着向侧面的迁移，亮度增大，彩色转换成白色。特别是，亮灰度(bright gray)之间的亮度差异消失，从而导致图像不清晰。与此同时，最近在多媒体中采用的LCD越来越需要观看图像和移动图像的良好能见度。
附图说明
通过参照附图对本发明实施例予以说明，本发明将变得更加清晰，其中：
图1是根据本发明的第一实施例的LCD的TFT阵列板的布局图；
图2是沿线II-II′获得的图1所示的TFT阵列板的截面图；
图3是根据本发明的第一实施例的LCD的等效电路图；
图4是根据本发明的第二实施例的LCD的TFT阵列板的布局图；
图5是沿线V-V′获得的图4所示的TFT阵列板的截面图；
图6是根据本发明的第二实施例的LCD的等效电路图；
图7是根据本发明的第三实施例的LCD的布局图；
图8是根据本发明的第三实施例的LCD的等效电路图；
图9是根据本发明的第四实施例的LCD的布局图；
图10是根据本发明的第四实施例的LCD的等效电路图；
图11是根据本发明的第五实施例的LCD的TFT阵列板的布局图；
图12是根据本发明的第五实施例的LCD的滤色器屏板的布局图；
图13是根据本发明的第五实施例的LCD的布局图；
图14是沿图13中所示的LCD的XIV-XIV′线获得的剖面图；
图15是根据本发明的第六实施例的LCD的等效电路图；以及
图16是根据本发明的第七实施例的LCD的等效电路图。
具体实施方式
技术问题
本发明的目的在于提供具有卓越能见度的液晶显示器。
技术方案
基于这一目的，本发明将一个像素电极划分为两个子电极，并在所述子电极上施加不同的电压。
具体来讲，根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列板包括形成于绝缘衬底上的多个第一信号线，和与所述第一信号线绝缘并与之相交叉的多个第二信号线。在由第一信号线和第二信号线的交叉界定的像素区域上布置多个第一像素电极，像素区域排列成矩阵，在第一像素电极上形成多个第一薄膜晶体管，每一个第一薄膜晶体管具有三个端子，分别连接到第一信号线中的一个，第二信号线中的一个和第一像素电极中的一个。在所述像素区域上布置多个第二像素电极，并使之与第一像素电极电容性耦合，在其上形成多个第二薄膜晶体管。第二薄膜晶体管中的每一个都具有一个连接至第二像素电极中的一个的端子，以及连接至第一信号线中的一个的另一个端子，所述第一信号线连接至位于相邻行中的像素区域中的一个第一像素电极。
所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个耦合电极，所述耦合电极与第一像素电极相连接，或将其覆盖，所述耦合电极覆盖第二像素电极，并与之绝缘。所述耦合电极优选连接至与第一像素电极相连的第一薄膜晶体管的漏电极。
所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个与第二信号线交叉的第三信号线，其中，每一个第二薄膜晶体管的终端连接至第三信号线和第二信号线中的一个。
每一个第二薄膜晶体管的终端可以连接至第三信号线中的一个，薄膜晶体管阵列板可以进一步包括多个第三薄膜晶体管，其中的每一个均具有三个端子，它们分别连接至第二信号线中的一个，第二像素电极中的一个，以及与相邻行中的像素区域相连接的第一信号线中的一个。
第一像素电极和第二像素电极中的至少一个包括至少一个域分割(domain partitioning)元件。所述薄膜晶体管阵列板可以进一步包括布置在第一信号线和第二信号线之间的栅极绝缘层，和布置在所述第二信号线与第一、第二像素电极之间的钝化层，其中，耦合电极优选通过位于钝化层的接触孔连接至第一像素电极。
根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列板用作液晶显示器的屏板。
有益效果
通过提高侧面可见度扩大了LCD的视角。
优选实施例
在下文中，将参照附图对本发明进行更加详细的说明，在附图中将示出本发明的实施例。但是，可以以不同的形式体现本发明，而不应推断本发明仅限于文中所述实施例。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标记自始至终指代相同的元件。应当理解的是：在称诸如层、区域或衬底的元件位于另一元件上时，其可能直接位于另一元件上，也可能存在插入元件。相反，在称一元件直接位于另一元件上时，不存在插入元件。
那么，现在将参照附图对根据本发明的实施例的液晶显示器及其薄膜晶体管屏板予以详细说明。
图1是根据本发明的第一实施例的LCD的TFT阵列板的布局图，图2是沿线II-II′获得的图1所示的TFT阵列板的截面图，图3是根据本发明的第一实施例的LCD的等效电路图。
根据本发明的实施例的LCD包括下屏板(即TFT阵列板)，与下屏板相对的上屏板(即相对屏板)和位于两个屏板之间的液晶层，所述液晶层包括按照扭转向列模式配向的液晶分子，从而使所述液晶分子从下屏板向上屏板扭转。
首先，将对下屏板予以说明。
在优选由透明绝缘材料，例如玻璃，制成的绝缘衬底110上形成优选由透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，构成的多个第一和第二像素电极190a和190b。每一个第一像素电极190a均连接至第一薄膜晶体管TFT1，并由其接收图像信号电压，每一个第二像素电极190b均连接至第二薄膜晶体管TFT2，所述的第二薄膜晶体管TFT2电连接至前一个栅极线121，其用于将栅极信号或扫描信号传输至前一像素行和存储电极线131。第二像素电极190b覆盖连接至第一像素电极190a的耦合电极176，从而与之电磁(电容性)耦合。第一薄膜晶体管TFT1连接至传输扫描信号的栅极线121，和传输图像电压的数据线171，并响应扫描信号开启或关闭提供给第一像素电极190a的图像信号。这里，用于反射LCD的第一和第二像素电极190a和190b可以不包括透明材料。
与此同时，尽管在图中未示出上屏板，现在仍要对其予以说明。
在优选由透明绝缘材料，例如玻璃，构成的绝缘衬底表面上形成，用于阻挡像素之间的泄漏光的黑矩阵，多个红色、绿色和蓝色滤色器，以及优选由透明导电材料，例如ITO和IZO，构成的公共电极，用于和像素电极190a和190b一起生成电场，所述衬底与TFT阵列板相对。可以在所述TFT阵列板上提供黑矩阵和滤色器。
现在，将对根据本发明第一实施例的LCD的TFT阵列板进行更为详细的说明。
在下部绝缘衬底110上形成沿横向延伸的多个栅极线121和多个存储电极线131。
每一栅极线121的多个部分向上和向下扩展至多个第一薄膜晶体管TFT1的栅极电极123a，每一个栅极线121均包括末端125，其具有用于连接外部电路的大面积。
与此同时，将栅极信号或扫描信号传输至前一像素行的栅极线121具有多个形成第二薄膜晶体管TFT2的栅极电极123b的部分。
每一存储电极线131包括多组由其分出的存储电极133a和133b。位于一组存储电极133a和133b中的两个存储电极133a和133b沿纵向形成分支并延伸至像素区域的边缘。
栅极线121和存储电极线131优选由诸如Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cr、Ti、Ta和Mo的金属构成。如图2所示，根据这一实施例的栅极线121和存储电极线131包括单层。但是，所述的栅极线121和存储电极线131可以具有双层结构，所述双层结构包括优选由具有良好的物理和化学特性的Cr、Mo、Ti和Ta构成的金属层，以及优选包含具有低电阻率的Al或Ag的另一金属层。所述的栅极线121和存储电极线131可以由除上述金属或导体以外的各种金属或导体构成。
栅极线121和存储电极线131具有倾斜侧表面，其相对于水平面的倾斜角优选为30-80°。
在栅极线121和存储电极线131上形成优选由氮化硅SiNx构成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上，形成多个数据线171，多个第一薄膜晶体管TFT1的漏电极175a，多个耦合电极176，和多个下部桥接(under-bridge)金属片172。每一数据线171实质上沿纵向延伸，其包括多个延伸至漏电极175a的分支，从而形成第一薄膜晶体管TFT1的源电极173a。下部桥接金属片172布置在前一栅极线121上，并且包括多个形成第二薄膜晶体管TFT2的漏电极175b的部分。在前一栅极线121上形成多个第二薄膜晶体管TFT2的源电极173b，将其布置在关于前一栅极线121与第二薄膜晶体管TFT2的漏电极175b相对的位置。将耦合电极176连接至第一薄膜晶体管TFT1的漏电极175a，并将其布置在邻近像素区域的位置，以覆盖存储电极线131。
与栅极线121类似，数据线171，漏电极175a和175b，耦合电极176，源电极173a和173b，以及下部桥接金属片172优选由Cr或Al构成，并且，它们可以包括单层或多层结构。
在数据线171和漏电极175a之下形成多个半导体带151，其大致沿数据线171所在的纵向延伸。优选由非晶硅构成的每一半导体带151具有多个朝向栅极线123a，源电极173a和漏电极175a延伸的分支，这些分支形成了第一薄膜晶体管TFT1的沟道部分154。此外，在前一栅极线121上形成多个半导体岛155，其构成了第二薄膜晶体管TFT2的沟道部分。
在半导体151和数据线171以及漏电极175a之间布置多个欧姆接触161，用于减少它们之间的接触电阻。欧姆接触161优选由硅化物或重掺杂了n型杂质的非晶硅构成。欧姆接触161包括位于源电极173a和漏电极175a之下的多个欧姆接触163a和165a，其用于第一薄膜晶体管TFT1，以及多个用于第二薄膜晶体管TFT2的欧姆接触163b和165b，其形成在第二薄膜晶体管TFT2的源电极173b和漏电极175b之下。
在数据线171、漏电极175a和175b、耦合电极176以及下部桥接金属片172上形成由诸如氮化硅的无机绝缘体或诸如树脂的有机绝缘体构成的钝化层180。
钝化层180具有多个接触孔181a、181b和183，分别用于暴露至少一部分漏电极175a和175b，以及数据线171的末端部分179。此外，分别暴露栅极线121的末端部分125，和存储电极线131的部分的多个接触孔182、184和185穿过栅极绝缘层140和钝化层180。此外，钝化层180具有多个接触孔186，所述接触孔186暴露了第二薄膜晶体管TFT2的源电极。
在钝化层180上形成多个像素电极190a和190b，多个接触辅助物95和97，以及多个存储桥接件91。像素电极190a和190b、接触辅助物95和97以及存储桥接件91优选由透明导体，例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，或具有良好光反射率的不透明导体，例如Al，构成。
像素电极190a和190b包括第一像素电极190a和第二像素电极190b。第一像素电极190a通过接触孔181a连接至第一薄膜晶体管TFT1的漏电极175a，第二像素电极190b通过接触孔181b连接至第二薄膜晶体管TFT2的漏电极175b，并覆盖耦合电极176。因此，第二像素电极190b与第一像素电极190a电磁(电容性)耦合。
存储桥接件91连接参照栅极线121彼此相对布置的两个存储电极线131。存储桥接件91通过穿透钝化层180和栅极绝缘层140的接触孔184和185接触存储电极133a和存储电极线131。存储桥接件91通过接触孔186连接至下部桥接金属片172。因此，在第二薄膜晶体管响应施加到前一栅极线121的栅极开启信号而工作时，向第二像素电极190b提供一公共电压或向存储电极线131提供一参考电压。存储桥接件91电连接位于下部衬底110上的所有存储电极线131。如果必要的话，存储电极线131用于修复栅极线121或数据线171的缺陷，在发射用于修复的激光束时，下部桥接金属片172增强栅极线121和存储桥接件91之间的电连接。
接触辅助物95和97分别通过接触孔182和183连接至栅极线121的末端部分125和数据线171的末端部分179。
在上述LCD中，第一像素电极190a通过第一薄膜晶体管TFT1接收图像信号电压，第二像素电极190b具有取决于与存储电极线131之间的电容耦合的可变电压。因此，第二像素电极190b的电压的绝对值总是高于第一像素电极190a的电压的绝对值。这样，布置在像素区域内但具有不同电压的两个像素电极补偿其电压，以减少γ曲线的畸变。
之后，参照图3说明保持第二像素电极190b的电压高于第一像素电极190a的电压的原因。
在图3中，CLCA表示第一像素电极190a和相对屏板的公共电极之间的液晶电容，CSTA表示第一像素电极190a和存储电极线131之间的存储电容。CLCB表示第二像素电极190b和相对屏板的公共电极之间的液晶电容，CSTB表示第二像素电极190b与存储电极线131之间的存储电容，CCPB表示耦合电极176和第二像素电极190b之间的耦合电容。
用Va(Vd1)表示相对于施加到相对屏板的公共电极上的公共电压或参考电压的第一像素电极190a的电压，用Vb表示第二像素电极190b的电压。由电压分布定理可以得到：
Vb≈1/(C1+2C2)x[(2-C3/C2)x(C1+C2)xVd1]。
可以通过调整电容控制电压Vb，使得电压Vb接近电压Va，但总是高于电压Va。这里，C1＝CLCA+CSTA，C2＝CCPB，及C3＝CLCB+CSTB。由于栅电极和源电极之间的寄生电容很小，所以可以忽略。
可以对第一或第二薄膜晶体管TFT1或TFT2的布置，或者第一和第二像素电极190a和190b之间的连接做出各种改变，对此将在第二至第七实施例中予以说明。
在下文中，只对与第一实施例不同的功能部件予以说明，对与第一实施例的功能部件相同的其余功能部件的说明将予以省略。
图4是根据本发明的第二实施例的LCD的TFT阵列板的布局图，图5是沿线V-V′获得的图4所示的TFT阵列板的截面图，图6是根据本发明的第二实施例的LCD的等效电路图。
在用于根据本发明的第二实施例的LCD的TFT阵列板中，与第一实施例类似，通过前一栅极线121驱动第二薄膜晶体管TFT2，但是，第二薄膜晶体管TFT2与第一薄膜晶体管TFT1共同拥有一个栅电极123，并且，第一和第二薄膜晶体管TFT1和TFT2关于栅极线121相对布置。第二薄膜晶体管TFT2的源电极173b和第一薄膜晶体管TFT1的源电极173a从数据线171延伸，第二薄膜晶体管TFT2的漏电极175b关于栅电极123与第一薄膜晶体管TFT1的漏电极175a相对延伸。
在用于根据本发明第二实施例的LCD的TFT阵列板中，尽管最初由前一像素行的第一像素电极190a向第二像素电极190b提供了一像素电压，但是，由于第二像素电极190b与第一像素电极190a电容性耦合，所以，在驱动位于相应的像素行中的像素时，为第二像素电极190b提供了接近第一像素电极190a的电压Va(Vd1)的电压Vb。由电压分布定理可以得到电压Vb：
Vb≈1/(C1+2C2)x[(2-C3/C2)x(C1+C2)xVd1+(C1+C3)Vd2]。
可以通过调整电容对电压Vb予以控制，使得电压Vb接近电压Va，但始终高于电压Va，因此，优选对根据本发明第二实施例的TFT阵列板进行列反转。这里，在开启第二薄膜晶体管TFT2时，电压Vd2是最初提供给第二像素电极190b的电压。
根据本发明的第一和第二实施例涉及对提供给像素电极190b的有效驱动电压的控制。但是，可以对所述TFT阵列板进行修改，使得提供给第一像素电极190a的电压低于通过数据线传输的驱动电压，而提供给第二像素电极190b的电压则高于所述驱动电压，在下文中将参照附图对此予以详细说明。
图7是根据本发明的第三实施例的LCD的布局图，图8是根据本发明的第三实施例的LCD的等效电路图。
大部分构造与图1和图3中所示的构造相同。
但是，第一像素电极190a未通过位于钝化层(图2中由180表示)中的接触孔连接至第一薄膜晶体管TFT1，所述第一像素电极190a覆盖耦合电极176，使得其与第一薄膜晶体管TFT1电磁(电容性)耦合。
在用于根据本发明的第三实施例的LCD的TFT阵列板中，提供给第一像素电极190a的有效像素电压小于通过数据线171提供的电压Vd1。这是由于第一像素电极190a与连接至漏电极175a的耦合电极176电容性耦合，由电压分布定理可以得到相对于公共电压的第一像素电极190a的有效像素电压Va：
Va＝Vd1x[CCPA/(CCPA+CLCB)]。
由于CCPA/(CCPA+CLCB)始终小于1，电压Va始终小于电压Vd1。这里，CCPA表示耦合电极176和第一像素电极190a之间的耦合电容。
采取与第一实施例中相同的方式确定提供给第二像素电极190b的有效驱动电压Vb。
图9是根据本发明的第四实施例的LCD的布局图，图10是根据本发明的第四实施例的LCD的等效电路图。
大部分构造与图4和图6中所示的构造相同。
但是，第一和第二薄膜晶体管TFT1和TFT2与第一和第二像素电极190a和190b之间的连接关系基本上与图7和图8中相同。
在这种情况下，提供给第一像素电极190a的有效驱动电压Vb小于由数据线171传输的电压Vd1，采取与第二实施例中相同的方式确定提供给第二像素电极190b的有效驱动电压Vb。
LCD的一个主要缺陷在于视角狭窄，目前，已经开发出了几种提高视角以克服这种缺点的建议。在这些技术当中，有一种方法在彼此相对的像素电极和公共电极上提供多个切口或多个凸起，并使液晶分子垂直于上下屏板配向。可以将所述切口或突起应用到根据本发明的实施例的TFT阵列板上。
在像素电极和公共电极上同时提供的切口，通过产生散射场调整液晶分子的倾斜方向，从而提供宽视角。
通过在下部和上部屏板中的像素电极和公共电极上同时提供突起来扭曲电场，从而调整液晶分子的倾斜方向。
通过在下屏板的像素电极上提供切口和在上平板的公共电极上提供突起的方式，也可以获得用于调整液晶分子的倾斜方向以形成多个域的散射场。
这里，将对本发明的第五实施例予以详细说明，其涉及具有切口的构造。
图11是根据本发明的第五实施例的LCD的TFT阵列板的布局图，图12是根据本发明的第五实施例的LCD的滤色器屏板的布局图，图13是根据本发明的第五实施例的LCD的布局图，图14是沿图13中所示的LCD的XIV-XIV′线获得的剖面图。
根据本发明的第五实施例的LCD包括下屏板，与下屏板相对的上屏板，以及布置在两个屏板之间的液晶层，所述液晶层包括垂直于屏板表面配向的液晶分子。
首先，将对下屏板予以说明。
在优选由透明绝缘材料，例如玻璃，制成的绝缘衬底110上形成优选由透明导电材料，例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)，构成的多个第一和第二像素电极190a和190b。与第一实施例相同，第一和第二像素电极190a和190b分别连接至第一和第二薄膜晶体管TFT1和TFT2。每一个第二像素电极190b均覆盖连接至第一像素电极190a的耦合电极176，从而与之进行电磁(电容性)耦合。第二像素电极190b具有切口192。下部起偏振片12附着于绝缘衬底110的外表面。这里，用于反射LCD的第一和第二像素电极190a和190b可以不包括透明材料，在这种情况下，下部起偏振片12是不必要的。
现在将对上屏板予以说明。
在优选由透明绝缘材料，例如玻璃，构成的绝缘衬底210的内表面上形成阻挡像素之间光泄漏的黑矩阵220，多个红色、绿色和蓝色滤色器230，以及优选由透明导电材料，例如ITO和IZO，构成的公共电极270。公共电极270具有多个切口271、272和273。围绕像素区域布置黑矩阵220，其可以覆盖公共电极270的切口271、272和273，用于阻挡切口271、272和273边缘附近的光泄漏。
现在，将对根据本发明第一实施例的LCD的TFT阵列板进行更为详细的说明。
通过一缝隙划分一对第一像素电极190a和第二像素电极190b，所述缝隙包括一对与栅极线121成45度角的部分191和193，以及垂直于栅极线121的部分。每一个45度角部分191和193都比垂直部分长。此外，45度角部分彼此垂直。
第二像素电极190b具有从第二像素电极190b的右侧向其左侧延伸的切口192，并且具有扩展的入口。
第一像素电极190a和第二像素电极190b相对于平分像素区域的直线具有反演对称性，所述像素区域由栅极线121和数据线171(平行于栅极线121延伸)的交叉部分界定。
在上部绝缘衬底210上形成阻挡光泄漏的黑矩阵220，在黑矩阵220上形成多个红色、绿色和蓝色滤色器230。在滤色器230上形成优选由透明导电材料，例如ITO和IZO，构成的，包括多组切口271-273的公共电极270。
在像素电极190a和190b之间的缝隙的45度角部分插入位于公共电极270中的一组切口271、272和273，所述切口包括平行于45度角部分的倾斜部分，和覆盖像素电极190a和190b边缘的末端部分。切口271-273的末端部分包括纵向末端部分和横向末端部分。
对准并组装上述TFT阵列板和滤色器屏板，并在其间插入液晶材料，并对其进行垂直配向，从而制备根据本发明实施例的LCD的基本结构。
当TFT阵列板和滤色器屏板彼此对准后，公共电极270中的一组切口271、272和273将像素电极190a和190b的每个分割为多个子区域，根据本实施例，为图13所示的四个子区域。如图13所示，延长每一个子区域，从而使其具有宽度方向和长度方向。
将布置在像素电极190a和190b的子区域之间的液晶层3的部分和与之相对应的公共电极270的子区域称为子区，根据在电场的作用下包含在其中的液晶分子的平均长轴方向，将所述子区划分为四个类别，我们称其为域。
与此同时，尽管在第一至第五实施例中，将第二像素电极190b连接至第二薄膜晶体管TFT2，但是，也可以将第二像素电极190b连接至两个薄膜晶体管。
图15是根据本发明的第六实施例的LCD的等效电路图。
参照图15，根据本发明第六实施例的LCD将第二实施例的第二薄膜晶体管(图6中所示的TFT2)作为第三薄膜晶体管TFT3添加到了第一实施例的连接构造中。
图16是根据本发明的第七实施例的LCD的等效电路图。
参照图16，根据本发明第六实施例的LCD将第四实施例的第二薄膜晶体管(图10中所示的TFT2)作为第三薄膜晶体管TFT3添加到了第三实施例的连接构造中。
上述构造提高了LCD的侧面可见度，从而拓宽了视角。
虽然已经参照优选实施例对本发明进行了详细说明，但是本领域的技术人员将认识到在不背离如附加的权利要求书设定的本发明的精神和范围的前提下，可以对其进行各种修改和替换。特别地，在像素电极和公共电极中形成的切口具有各种变型。

Claims (48)

1.一种液晶显示器，包括：
第一衬底；
设置在所述第一衬底上的第一信号线；
设置在所述第一衬底上的第二信号线；
设置在第一像素区域中且彼此电容性耦合的第一电极和第二电极；
与所述第一电极连接的第一薄膜晶体管；
与所述第二电极连接的第二薄膜晶体管；
面对所述第一衬底的第二衬底；
设置在所述第二衬底上的公共电极；以及
液晶层，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间，且包括与所述第一像素电极对应的第一液晶区域和与所述第二像素电极对应的第二液晶区域，
其中，所述第一液晶区域和所述第二液晶区域分别包括四个域。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括通过接触孔连接至所述第二电极的第三电极。
3.如权利要求2所述的液晶显示器，其中所述第三电极自所述第二薄膜晶体管的漏电极延伸。
4.如权利要求2所述的液晶显示器，其中所述第三电极覆盖所述第一电极和所述第二电极，且所述第三电极与所述第一电极的覆盖面积不同于所述第三电极与所述第二电极的覆盖面积。
5.如权利要求2所述的液晶显示器，其中所述第一电极相对于平分所述第一电极为上半部和下半部的假想直线具有反演对称性。
6.如权利要求5所述的液晶显示器，其中所述第二电极相对于平分所述第二电极为上半部和下半部的假想直线具有反演对称性。
7.如权利要求6所述的液晶显示器，还包括覆盖所述第一电极和所述第二电极的存储电极线。
8.如权利要求7所述的液晶显示器，其中所述第一电极和所述第二电极彼此隔开一缝隙。
9.如权利要求8所述的液晶显示器，其中所述缝隙包括一对与所述第一信号线成45度角的第一部分、以及垂直于所述第一信号线的第二部分。
10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中每个所述第一部分比所述第二部分长。
11.如权利要求9所述的液晶显示器，其中所述第一部分彼此垂直。
12.如权利要求8所述的液晶显示器，其中所述公共电极具有多个域形成部件，所述域形成部件具有平行于所述第一部分的倾斜部分。
13.如权利要求12所述的液晶显示器，其中所述域形成部件还具有自所述倾斜部分延伸且覆盖所述第一电极和所述第二电极的边缘的末端部分。
14.如权利要求1所述的液晶显示器，其中所述第二电极相对于平分所述第二电极为上半部和下半部的假想直线具有反演对称性。
15.如权利要求14所述的液晶显示器，还包括覆盖所述第一电极和所述第二电极的存储电极线。
16.如权利要求15所述的液晶显示器，其中所述第一电极和所述第二电极彼此隔开一缝隙。
17.如权利要求16所述的液晶显示器，其中所述缝隙包括一对与所述第一信号线成45度角的第一部分、以及垂直于所述第一信号线的第二部分。
18.如权利要求17所述的液晶显示器，其中每个所述第一部分比所述第二部分长。
19.如权利要求17所述的液晶显示器，其中所述第一部分彼此垂直。
20.如权利要求16所述的液晶显示器，其中所述公共电极具有多个域形成部件，所述域形成部件具有平行于所述第一部分的倾斜部分。
21.如权利要求20所述的液晶显示器，其中所述域形成部件还具有自所述倾斜部分延伸且覆盖所述第一电极和所述第二电极的边缘的末端部分。
22.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括覆盖所述第一电极和所述第二电极的存储电极线。
23.如权利要求22所述的液晶显示器，其中所述第一电极和所述第二电极彼此隔开一缝隙。
24.如权利要求23所述的液晶显示器，其中所述缝隙包括一对与所述第一信号线成45度角的第一部分、以及垂直于所述第一信号线的第二部分。
25.如权利要求24所述的液晶显示器，其中每个所述第一部分比所述第二部分长。
26.如权利要求24所述的液晶显示器，其中所述第一部分彼此垂直。
27.如权利要求23所述的液晶显示器，其中所述公共电极具有多个域形成部件，所述域形成部件具有平行于所述第一部分的倾斜部分。
28.如权利要求27所述的液晶显示器，其中所述域形成部件还具有自所述倾斜部分延伸且覆盖所述第一电极和所述第二电极的边缘的末端部分。
29.如权利要求1所述的液晶显示器，其中所述第一电极和所述第二电极彼此隔开一缝隙。
30.如权利要求29所述的液晶显示器，其中所述缝隙包括一对与所述第一信号线成45度角的第一部分、以及垂直于所述第一信号线的第二部分。
31.如权利要求30所述的液晶显示器，其中每个所述第一部分比所述第二部分长。
32.如权利要求30所述的液晶显示器，其中所述第一部分彼此垂直。
33.如权利要求29所述的液晶显示器，其中所述公共电极具有多个域形成部件，所述域形成部件具有平行于所述第一部分的倾斜部分。
34.如权利要求44所述的液晶显示器，其中所述域形成部件还具有自所述倾斜部分延伸且覆盖所述第一电极和所述第二电极的边缘的末端部分。
35.一种液晶显示器，包括：
第一衬底；
设置在第一像素区域中且包括第一像素电极和第二像素电极的像素电极；
第三电极，其设置在所述第一衬底上，通过接触孔连接至所述第二像素电极，且重叠所述第一像素区域；
面对所述第一衬底的第二衬底；
设置在所述第二衬底上的公共电极；以及
液晶层，设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间，包括与所述第一像素电极对应的第一液晶区域和与所述第二像素电极对应的第二液晶区域，
其中，所述第一液晶区域和所述第二液晶区域分别包括四个域。
36.如权利要求35所述的液晶显示器，其中当电场施加到所述液晶显示器上时，施加在所述第一液晶区域上的电场不同于施加在所述第二液晶区域上的电场。
37.如权利要求32所述的液晶显示器，其中所述第三电极自所述第二薄膜晶体管的漏电极延伸。
38.如权利要求35所述的液晶显示器，其中所述第三电极覆盖所述第一电极和所述第二电极，且所述第三电极与所述第一电极的覆盖面积不同于所述第三电极与所述第二电极的覆盖面积。
39.如权利要求35所述的液晶显示器，其中所述第二电极相对于平分所述第二电极为上半部和下半部的假想直线具有反演对称性。
40.如权利要求35所述的液晶显示器，还包括覆盖所述第一电极和所述第二电极的存储电极线。
41.如权利要求35所述的液晶显示器，其中所述第一电极和所述第二电极彼此隔开一缝隙。
42.如权利要求41所述的液晶显示器，其中所述缝隙包括一对与所述第一信号线成45度角的第一部分、以及垂直于所述第一信号线的第二部分。
43.如权利要求42所述的液晶显示器，其中每个所述第一部分比所述第二部分长。
44.如权利要求42所述的液晶显示器，其中所述第一部分彼此垂直。
45.如权利要求41所述的液晶显示器，其中所述公共电极具有多个域形成部件，所述域形成部件具有平行于所述第一部分的倾斜部分。
46.如权利要求45所述的液晶显示器，其中所述域形成部件还具有自所述倾斜部分延伸且覆盖所述第一电极和所述第二电极的边缘的末端部分。
47.如权利要求1所述的液晶显示器，其中在没有电场时，所述液晶层中的液晶分子相对于所述第一衬底和所述第二衬底垂直配向。
48.如权利要求35所述的液晶显示器，其中在没有电场时，所述液晶层中的液晶分子相对于所述第一衬底和所述第二衬底垂直配向。
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