JPH10161084A - 液晶表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率が大きく、視角が広く、低消費電力で
駆動する液晶表示装置を提供し、係る液晶表示装置にお
いてクロストークを低減し、液晶の誘電率異方性などに
よる直流成分を抑えてフリッカが発生しない駆動方法を
提供する。 【解決手段】 画素電極電位を制御する第１のＴＦＴ１
０３を介して表示信号電位を画素電極に伝達し、対向電
極電位を制御する第２のＴＦＴ１０５を介して次段の走
査信号配線１０１より対向電位を対向電極１０６に印加
し、対向信号配線を不要とする。ゲートドレイン間の寄
生容量１０９の影響による突き抜け電圧変化を補償する
電位を蓄積容量１０８を介して前段の走査信号配線１０
１より画素電極１０８に印加する。電位補償後の画素電
極電位の振幅中心値と表示信号の振幅中心値および対向
電極電位とを一致させ、対向信号と表示信号の位相関係
を逆とし、クロストークを低減し、誘電率異方性などに
よる直流成分を抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置および
その駆動方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】薄型、低消費電力という特徴を有する液
晶表示装置は近年、ノ−ト型コンピュ−タ、車載テレビ
等に広く利用されており、更なる表示品質の向上が望ま
れている。特に、液晶ディスプレイはその構造上、視野
角に課題を有しており、これらを改善するための様々な
構成や駆動方法が提案されている。例えば特開平７−３
６０５８においては、液晶層を挟持した基板面に平行に
電界を印加することにより広視角化を実現している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
技術の構成では、その構造上、走査信号配線及び表示信
号配線の他に、対向信号配線を同一基板内に必要とする
ため開口率の低下が避けられない。開口率の低下による
輝度の低下は、バックライトの輝度を増加することによ
り補う必要があり、バックライトの高輝度化は消費電力
増大の原因となっている。又、走査信号配線と対向信号
配線を平行して構成する必要があるため、走査信号配線
と対向信号配線のショートによる歩留まりの低下が問題
となる。

【０００４】また上記の横電界方式は視野角特性は優れ
ているものの、構造上画素電極と対向電極間のいわゆる
液晶容量が非常に小さくなるので、画素領域での画素の
静電容量が小さくなる。一方、スイッチング素子のゲー
ト−ドレイン間、つまり走査配線と画素電極間に生じる
寄生容量による画素電極電位の歪みを受けやすくなる。
これによってクロストークといった表示上の課題が発生
しやすくなるという問題がある。

【０００５】また液晶表示装置の駆動方法において、画
素電極電位および対向電極電位は走査ごとに変位する
が、その画素電極電位の変位と対向電極電位の変位がう
まく補償されていない場合は液晶の誘電率異方性などに
よる直流成分が生じ、それがフリッカの原因となり、液
晶表示装置の表示品質を低下させていた。

【０００６】本発明はかかる点に鑑み、開口率が大き
く、視角が広く、低消費電力、更に歩留まりの向上が可
能である液晶表示装置を提供し、係る液晶表示装置にお
いてクロストークを低減し、液晶の誘電率異方性などに
よる直流成分を抑えてフリッカが発生しない駆動方法を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置は、パネル基板の表面に構成さ
れた互いに交差する表示信号配線及び走査信号配線と、
前記走査信号配線及び前記表示信号配線の各交点に対応
してマトリックス状に配置され、走査信号によりオン・
オフが制御される第１のスイッチング素子と、前記第１
のスイッチング素子を介して表示信号が印加される画素
電極と、前記走査信号配線及び前記表示信号配線の各交
点に対応してマトリックス状に配置され、走査信号によ
りオン・オフが制御される第２のスイッチング素子と、
前記第２のスイッチング素子を介して前記第２のスイッ
チング素子が接続されている前記走査信号配線の少なく
とも１段前又は１段後の走査信号配線より駆動信号が印
加され、前記画素電極との間に前記パネル基板に対して
略平行な電界を生ずる対向電極を具備することを特徴と
する。

【０００８】かかる構成により、対向信号配線を不要と
した液晶表示装置となり、開口率が大きく、視角が広
く、低消費電力、更に歩留まりの向上が可能である液晶
表示装置を実現できる。

【０００９】さらに本発明の液晶表示装置は、前記第１
のスイッチング素子が接続されている前記走査信号配線
の少なくとも１段前又は１段後の走査信号配線と前記画
素電極との間に蓄積容量を構成することが好ましい。

【００１０】さらに本発明の液晶表示装置は、前記第２
のスイッチング素子が接続されている前記走査信号配線
の少なくとも１段前又は１段後の走査信号配線であって
前記対向電極に駆動信号を与える走査信号配線とは別の
走査配線と前記対向電極との間に容量を構成することが
好ましい。

【００１１】かかる構成により、画素電極電位および対
向電極電位を補償し、寄生容量による画素電極電位およ
び対向電極電位の歪みの影響を低減でき、クロストーク
を抑えることができる。

【００１２】また上記目的を達成するために本発明の液
晶表示装置の駆動方法は、信号配線に印加する電位を隣
接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、前記第１お
よび第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第１の
スイッチング素子を介して前記信号配線の電位を前記画
素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介して
接続されている前記走査信号配線の電位を対向電極に伝
達し、前記対向電極に伝達される信号の電位がハイとロ
ーの２つの電位レベルを持ち、少なくとも１フレーム毎
に、前記対向電極に伝達される信号の電位レベルが切り
替わることを特徴とする。

【００１３】かかる方法により、寄生容量の影響による
変位後の画素電極電位の振幅の中心値と対向電極電位に
印加する信号の振幅の中心値とが一致し、液晶の誘電率
異方性などによる直流成分を抑え、フリッカを発生させ
ることのない液晶表示装置の駆動方法が実現できる。

【００１４】また上記目的を達成するために本発明の液
晶表示装置の駆動方法は、信号配線に印加する電位を隣
接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、前記第１お
よび第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第１の
スイッチング素子を介して前記信号配線の電位を前記画
素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介して
接続されている前記走査信号配線の電位を前記対向電極
に伝達し、前記対向電極に伝達される駆動信号は一定値
であることを特徴とする。

【００１５】さらに上記の液晶表示装置の駆動方法は、
前記スイッチング素子のオフ期間に、前記画素電極との
間の蓄積容量を介して走査信号配線より前記画素電極に
変調信号を印加することが好ましい。

【００１６】さらに上記の液晶表示装置の駆動方法は、
前記蓄積容量を介して画素電極に印加する変調信号によ
る変調および前記寄生容量の影響を受けた後の前記画素
電極電位の振幅の中心値が前記対向電極電位の値と同じ
であることが好ましい。

【００１７】かかる方法により、寄生容量による画素電
極電位の歪みを補償するための変調電位を画素電極に与
えることができ、クロストークを低減させることができ
る。また、寄生容量の影響による変位後の画素電極電位
の振幅の中心値と対向電極電位に印加する信号の振幅の
中心値とが一致し、液晶の誘電率異方性などによる直流
成分を抑え、フリッカを発生させることのない液晶表示
装置の駆動方法が実現できる。

【００１８】また上記目的を達成するために本発明の液
晶表示装置は、パネル基板の表面に構成された互いに交
差する表示信号配線及び走査信号配線と、前記走査信号
配線及び前記表示信号配線の各交点に対応して少なくと
も前記表示信号配線の１段毎に前記走査信号配線の上下
に交互に千鳥状に構成され、走査信号によりオン・オフ
が制御される第１のスイッチング素子と、前記第１のス
イッチング素子を介して表示信号が印加される画素電極
と、前記走査信号配線と前記表示信号配線の各交点に対
応してマトリックス状に配置され、走査信号によりオン
・オフが制御される第２のスイッチング素子と、前記第
２のスイッチング素子を介して前記第２のスイッチング
素子が接続されている前記走査信号配線の少なくとも１
段前又は１段後の走査信号配線より駆動信号が印加さ
れ、前記画素電極との間に前記パネル基板に対して略平
行な電界を生ずる対向電極を具備することを特徴とす
る。

【００１９】かかる構成により、電位が変化する画素電
極を信号配線１つおきにすることができ、さらにクロス
トークの低減を図ることができる。また対向信号配線を
不要とした液晶表示装置となり、開口率が大きく、視角
が広く、低消費電力、更に歩留まりの向上が可能である
液晶表示装置を実現できる。

【００２０】さらに本発明に係る液晶表示装置は、前記
第１のスイッチング素子の前記走査信号配線に対する接
続方向に対応して、前記第１のスイッチング素子が接続
されている前記走査信号配線の１段前又は１段後の走査
信号配線と前記画素電極との間に蓄積容量を構成するこ
とが好ましい。

【００２１】さらに本発明の液晶表示装置は、前記第２
のスイッチング素子が接続されている前記走査信号配線
の少なくとも１段前又は１段後の走査信号配線であって
前記対向電極に駆動信号を与える走査信号配線とは別の
走査配線と前記対向電極との間に容量を構成することが
好ましい。

【００２２】かかる構成により、画素電極電位および対
向電極電位を補償し、寄生容量による画素電極電位およ
び対向電極電位の歪みの影響を低減でき、また電位が変
化する画素電極を信号配線１つおきにすることができ、
さらにクロストークの低減を図ることができる。

【００２３】また上記目的を達成するために本発明の液
晶表示装置の駆動方法は、前記信号配線に印加する電位
を隣接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、かつ１
走査期間ごとにさらにそのレベルを反転させ、前記第１
および第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第１
のスイッチング素子を介して前記信号配線の電位を前記
画素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介し
て接続されている前記走査信号配線の電位を対向電極に
伝達し、前記対向電極に伝達される信号の電位がハイと
ローの２つの電位レベルを持ち、少なくとも１フレーム
毎に前記対向電極に伝達される信号の電位レベルが切り
替わることを特徴とする。

【００２４】かかる方法により、寄生容量の影響による
変位後の画素電極電位の振幅の中心値と対向電極電位に
印加する信号の振幅の中心値とが一致し、液晶の誘電率
異方性などによる直流成分を抑え、フリッカを発生させ
ることのない液晶表示装置の駆動方法が実現できる。

【００２５】また上記目的を達成するために本発明の液
晶表示装置の駆動方法は、信号配線に印加する電位を隣
接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、かつ１走査
期間ごとにさらにそのレベルを反転させ、前記第１およ
び第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第１のス
イッチング素子を介して前記信号配線の電位を前記画素
電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介して接
続されている前記走査信号配線の電位を前記対向電極に
伝達し、前記対向電極に伝達される駆動信号は一定値で
あることを特徴とする。

【００２６】また上記目的を達成するために本発明の液
晶表示装置の駆動方法は、前記スイッチング素子のオフ
期間に、前記画素電極との間の蓄積容量を介して走査信
号配線より前記画素電極に変調信号を印加することを特
徴とする。

【００２７】さらに上記の液晶表示装置の駆動方法は、
前記画素電極の電位を変調するために印加される走査配
線の変調電位が、走査配線のスイッチング素子オン期間
の前後で印加されることが好ましい。

【００２８】さらに上記の液晶表示装置の駆動方法は、
前記蓄積容量を介して画素電極に印加する変調信号によ
る変調および前記寄生容量の影響を受けた後の前記画素
電極電位の振幅の中心値が前記対向電極電位の値と同じ
であることが好ましい。

【００２９】かかる方法により、寄生容量による画素電
極電位の歪みを補償するための変調電位を画素電極に与
えることができ、また電位が変化する画素電極を信号配
線１つおきにすることができ、クロストークを低減させ
ることができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。

【００３１】（実施形態１）図１に本発明の実施形態１
に係る液晶表示装置の等価回路を示す。１０１は走査信
号配線、１０２は表示信号配線、１０３は第１のＴＦＴ
であり、そのゲ−ト電極は第Ｎライン目（Ｎは整数）の
走査信号配線１０１に接続され、ソ−ス電極は第Ｍライ
ン目（Ｍは整数）の表示信号配線１０２に接続されてい
る。１０４は画素電極であり第１のＴＦＴ１０３のドレ
イン電極に接続されている。１０５は第２のＴＦＴであ
り、そのゲ−ト電極は第Ｎライン目（Ｎは整数）の走査
信号配線１０１に接続され、ソ−ス電極は第n+1ライン
目（Ｎは整数）の走査信号配線１０１に接続されてい
る。１０６は対向電極であり第２のＴＦＴ１０５のドレ
イン電極に接続されている。１０７は画素電極１０４と
対向電極１０６との間に形成される液晶容量（Ｃlc）で
あり、１０８は液晶層の電荷保持能力の不足分を補償し
走査信号配線１０１の電位変化により画素電極１０４に
変調をかけるために、第Ｎライン目の第１のＴＦＴ１０
３に接続された画素電極１０４と第n-1ライン目の走査
信号配線１０１との間に形成された蓄積容量（Ｃst）で
ある。１０９は第１のＴＦＴ１０３のゲ−ト電極とドレ
イン電極間に発生する寄生容量（Ｃgd）、１１０は対向
電極１０６に印加された電荷を保持する補助容量であ
る。この構成が表示信号配線方向及び走査信号配線方向
にマトリックス状に繰り返し形成されているものとす
る。

【００３２】図２は、本実施形態１の一構成例であり、
ある１画素に着目している。ここで、１０５ａは第２の
ＴＦＴ１０５のドレイン電極、１０５ｂは第２のＴＦＴ
１０５のソース電極、１１１は第２のＴＦＴのドレイン
電極１０５ａと対向電極１０６を接続するコンタクトホ
ール１、１１２は第２のＴＦＴのソース電極と走査信号
配線１０１を接続するコンタクトホール２、１１３は補
助容量１１０と対向電極１０４を接続するコンタクトホ
ール３である。

【００３３】図３は本実施形態１における走査信号配線
１０１と表示信号配線１０２における信号のタイミング
関係を示した図であり、Ｖsig(m)は表示信号配線１０２
の第ｍラインにおける信号波形でありフレームによりレ
ベルが反転している。ここでＶg(n-1)は走査信号配線１
０１の第n-1ラインにおける信号波形、Ｖg(n)は走査信
号配線１０１の第ｎラインにおける信号波形、Ｖg(n+1)
は走査信号配線１０１の第n+1ラインにおける信号波形
である。

【００３４】図４は本実施形態１における、走査信号配
線１０１と表示信号配線１０２における信号波形及び、
画素電極１０４における信号電位の関係を示した図であ
り、Ｖsig(m)は表示信号配線１０２の第ｍラインにおけ
る信号波形、Ｖg(n)は走査信号配線１０１の第ｎライン
における信号波形、Ｖg(n+1)は走査信号配線１０１の第
n+1ラインにおける信号波形、Ｖpは走査信号配線１０１
の第ｎライン及び表示信号配線１０２の第ｍラインの交
点に位置する画素電極１０４における電位である。

【００３５】また、図３および図４において、Ｖgonは
ＴＦＴオン電位レベル、ＶgoffはＴＦＴオフ電位レベ
ル、Ｖcom_aは信号電圧がロー側の電位Ｖsの場合に対向
電極電位として与えるハイ側の電位、Ｖcom_bは信号電
圧がハイ側の電位Ｖcの場合に対向電極電位として与え
るロー側の電位である。

【００３６】以上のように構成された本実施形態の液晶
表示装置および駆動方法において、以下その動作を説明
する。まず図３に示す駆動信号を図１に示す液晶表示装
置に印加した場合の画素電極１０４における電圧につい
て図４を用いて説明する。

【００３７】図４の（ａ）の領域において、走査信号Ｖ
g(n)の電位がＶgonとなるタイミングで、画素電極１０
４には表示信号Ｖcが印加され、画素電極電圧Ｖp＝Ｖc
となる。対向電極電位はＸ(n+1)の走査配線に印加され
ている電位Ｖcom_bとなっている。

【００３８】次に、走査信号Ｖg(n)の電位がＶgonから
Ｖgoffに変化することにより、寄生容量１０９を介して
画素電極１０４の電位はΔＶ1変化する。

【００３９】ここで、ΔＶ1＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgon−
Ｖgoff）である。

【００４０】但し、Ｃtot＝Ｃlc＋Ｃst＋Ｃgdとする。

【００４１】よって液晶印加電圧Ｖlc_aは、Ｖlc_a＝Ｖ
com_b−（Ｖc−ΔＶ1）となる。

【００４２】同様にして図４の（ｂ）の領域において、
走査信号Ｖg(n)の電位がＶgonとなるタイミングで、画
素電極１０４には表示信号Ｖｓが印加され、画素電極電
圧Ｖp＝Ｖsとなる。ここで対向電極電位はＸ(n+1)の走
査配線に印加されている電位Ｖcom_aとなっている。

【００４３】次に、走査信号Ｖg(n)の電位がＶgonから
Ｖgoffに変化することにより、寄生容量１０９を介して
画素電極１０４の電位はΔＶ2変化する。

【００４４】ここで、ΔＶ2＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgon−
Ｖgoff）＝ΔＶ1となる。

【００４５】よって液晶印加電圧Ｖlc_bは、Ｖlc_b＝Ｖ
com_a−（Ｖs−ΔＶ２）となる。

【００４６】ここで、 Ｖlc_a＋Ｖlc_b＝０ すなわち、 Ｖcom_a＋Ｖcom_b−（Ｖc＋Ｖs）＋Ｋtg・（Ｖgon−Ｖg
off）＝０ ただし、Ｋtg＝Ｃgd／Ｃtotとする。

【００４７】上記の条件を満たすＶcom_a及びＶcom_bを
設定した場合には、対向電極電位Ｖcomの振幅の中心と
画素電極電位Ｖpの振幅の中心が一致し、液晶の誘電率
異方性等による直流成分が生じず、フリッカのない表示
を実現することができる。又、対向電極電位Ｖcomと表
示信号Ｖsigは互いに逆位相であるため、表示信号振幅
を小さく保ったまま液晶印加電圧を大きくすることが可
能であり、低消費電力化も実現できる。更に、図２に示
すように対向信号配線が不要となるため、開口率の向上
が可能となる。

【００４８】（実施形態２）図５に本発明の第２の実施
形態に係る液晶表示装置の等価回路を示す。２０１は走
査信号配線、２０２は表示信号配線、２０３は第１のＴ
ＦＴであり、そのゲ−ト電極は第Ｎライン目（Ｎは整
数）の走査信号配線２０１に接続され、ソ−ス電極は第
Ｍライン目（Ｍは整数）の表示信号配線２０２に接続さ
れている。２０４は画素電極であり第１のＴＦＴ２０３
のドレイン電極に接続されている。２０５は第２のＴＦ
Ｔであり、そのゲ−ト電極は第Ｎライン目（Ｎは整数）
の走査信号配線２０１に接続され、ソ−ス電極は第N+1
ライン目（Ｎは整数）の走査信号配線２０１に接続され
ている。２０６は対向電極であり第２のＴＦＴ２０５の
ドレイン電極に接続されている。２０７は画素電極２０
４と対向電極２０６との間に形成される液晶容量（Ｃl
c）であり、２０８は液晶層の電荷保持能力の不足分を
補償し走査信号配線２０１の電位変化により画素電極２
０４に変調をかけるために、第Ｎライン目の第１のＴＦ
Ｔ２０３に接続された画素電極２０４と第N-1ライン目
の走査信号配線２０１との間に形成された蓄積容量（Ｃ
st）である。２０９は第１のＴＦＴ２０３のゲ−ト電極
とドレイン電極間に発生する寄生容量（Ｃgd）である。
この構成が表示信号配線方向及び走査信号配線方向にマ
トリックス状に繰り返し形成されているものとする。

【００４９】図６は本実施形態における走査信号配線２
０１と表示信号配線２０２における信号のタイミングチ
ャートであり、Ｖsig(m)は表示信号配線２０２の第ｍラ
インにおける信号波形、Ｖg(n-1)は走査信号配線２０１
の第n-1ラインにおける信号波形、Ｖg(n)は走査信号配
線２０１の第ｎラインにおける信号波形、Ｖg(n+1)は走
査信号配線２０１の第n+1ラインにおける信号波形であ
る。

【００５０】図７は本実施形態における、走査信号配線
２０１と表示信号配線２０２における信号波形及び、画
素電極２０４における信号電位の関係を示した図であ
り、Ｖsig(m)は表示信号配線２０２の第ｍラインにおけ
る信号波形、Ｖg(n-1)は走査信号配線２０１の第n-1ラ
インにおける信号波形、Ｖg(n)は走査信号配線２０１の
第ｎラインにおける信号波形、Ｖg(n+1)は走査信号配線
２０１の第n+1ラインにおける信号波形、Ｖpは走査信号
配線２０１の第ｎライン及び表示信号配線２０２の第ｍ
ラインの交点に位置する画素電極２０４における電位変
化である。又、図６及び図７においてＶgonはＴＦＴオ
ン電位レベル、ＶgoffはＴＦＴオフ電位レベル、Ｖe(+)
はハイ側補償電位レベル、Ｖe(-)はロー側補償電位レベ
ル、Ｖcomは対向電極電位である。また、表示信号Ｖsig
のレベルは１走査期間（１フレーム）毎に反転してい
る。

【００５１】以上のように構成された本実施形態の液晶
表示装置において、以下その動作を説明する。まず図６
に示す駆動信号を図５に示す液晶表示装置に印加した場
合の、画素電極２０４における電位について、図７を用
いて説明する。図５より、画素電極２０４は、蓄積容量
２０８を介して前段の走査信号配線Ｘ(n-1)に、また寄
生容量２０９を介して自段の走査信号配線Ｘ(n)に容量
的に結合している。そのため、画素電極２０４における
電位は、表示信号配線Ｙ(m)より供給される表示信号電
位と、蓄積容量２０８に接続した走査信号配線の電位変
化により励起される電圧（容量結合電圧と呼ぶ）と、寄
生容量２０９に接続した走査信号配線の電位変化により
励起される電圧（突き抜け電位と呼ぶ）に依存する。ま
た、液晶に印加される電圧は、画素電極２０４と、第２
のＴＦＴ２０５を介して次段の走査信号配線Ｘ(n+1)よ
り供給される対向信号Ｖcomとの電位差である。図７に
おいて、（ａ）はハイ側補償電位による変調、（ｂ）は
ロー側補償電位による変調を示している。

【００５２】ここで、図７の（ａ）の領域のタイミング
ａ１においては、自段の走査信号Ｖg(n)の電位変化によ
る突き抜け電圧ΔＶa1が生じ画素電極２０４に印加され
る。

【００５３】ここで、 ΔＶa1＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖe(-)−Ｖgon） と表せる。ただし Ｃtot＝Ｃlc＋Ｃst＋Ｃgd とする。次にタイミングａ２においては、前段の走査信
号Ｖg(n-1)の電位変化による容量結合電圧ΔＶa2が生じ
画素電極２０４に印加される。ここで、 ΔＶa2＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(+)） と表せる。更にタイミングａ３においては、自段の走査
信号Ｖg(n)の電位変化による突き抜け電圧ΔＶa3が画素
電極２０４に印加される。ここで、 ΔＶa3＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(-)） と表せる。よって、容量結合電圧及び突き抜け電圧の合
計ΔＶtaは ΔＶta＝ΔＶa1＋ΔＶa2＋ΔＶa3 ＝Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（Ｖgoff−Ｖe(+)） と表せる。ただし Ｋtg＝Ｃgd／Ｃtot Ｋzg＝Ｃst／Ｃtot とする。同様にして、図７の（ｂ）の領域の、各タイミ
ングｂ１〜ｂ３における電位変化ΔＶb1〜ΔＶb3はそれ
ぞれ、 ΔＶb1＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖe(+)−Ｖgon） ΔＶb2＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖgoff-Ｖe(-)） ΔＶb3＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(+)） と表せる。よって、容量結合電圧及び突き抜け電圧の合
計ΔＶｔｂは ΔＶtb＝ΔＶb1＋ΔＶb2＋ΔＶb3 ＝Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（Ｖgoff−Ｖe(-)） と表せる。ここで、 ΔＶta＋ΔＶtb＝０ すなわち、 ２Ｋtg（Ｖgon−Ｖgoff）+Ｋzg（２Ｖgoff−Ｖe(+)−Ｖ
e(-)）＝０ を満たす電位を設定した場合には、画素電極電位Ｖpの
表示信号Ｖsig(m)からのハイ側への電位変化分とロー側
への電位変化分の合計が０となり、画素電極電位Ｖpの
振幅の中心、表示信号Ｖsig(m)の振幅の中心および対向
電極電位Ｖcomが一致し、液晶の誘電率異方性等による
直流成分が生じず、フリッカのない表示を実現すること
ができる。また、蓄積容量を介して走査信号を画素電極
に印加できるため、表示信号振幅を小さく保ったまま液
晶印加電圧を大きくすることが可能なため、低消費電力
化も実現できる。更に、本駆動法によれば液晶の持つ誘
電率異方性により、表示信号電位Ｖsigの振幅が突き抜
け電位などにより変化した場合、その変化直後に前記突
き抜け電位の変化以上の補償電位が画素電極２０４の振
幅方向に印加されるため、応答速度の高速化に有効であ
る。

【００５４】なお、本実施形態において、対向信号と表
示信号の空間的及び時間的位置関係を逆にした場合、す
なわち、接続関係を前段と後段を逆にした接続の場合で
あって、走査信号Ｖgにおいて、対向信号Ｖcomをゲ−ト
オン信号Ｖgonの直後に印加し、補償電圧Ｖe(+)又は、
Ｖe(-)をゲ−トオン信号Ｖgonの直前に印加し、蓄積容
量を次段の走査信号配線２０１に接続し、第２のＴＦＴ
２０５のソ−ス電極を前段の走査信号配線２０１に接続
した場合にも同様の効果が得られる。

【００５５】（実施形態３）図８に本発明の第３の実施
形態に係る液晶表示装置の等価回路を示す。３０１は走
査信号配線、３０２は表示信号配線、３０３は第１のＴ
ＦＴであり、そのゲ−ト電極は第Ｎライン目（Ｎは整
数）の走査信号配線３０１に接続され、ソ−ス電極は第
Ｍライン目（Ｍは整数）の表示信号配線３０２に接続さ
れている。３０４は画素電極であり第１のＴＦＴ３０３
のドレイン電極に接続されている。３０５は第２のＴＦ
Ｔであり、そのゲ−ト電極は第Ｎライン目（Ｎは整数）
の走査信号配線３０１に接続され、ソ−ス電極は第Ｎ−
１ライン目（Ｎは整数）の走査信号配線３０１に接続さ
れている。３０６は対向電極であり前段の第２のＴＦＴ
３０５のドレイン電極に接続されている。３０７は画素
電極３０４と対向電極３０６の間に形成される液晶容量
（Ｃlc）であり、３０８は液晶層の電荷保持能力の不足
分を補償し走査信号配線３０１の電位変化により画素電
極３０４に変調をかけるために、画素電極３０４と第N-
1ライン目または第N+1ライン目の走査信号配線３０１と
の間に形成された蓄積容量（Ｃst）である。３０９はＴ
ＦＴ３０３のゲ−ト電極とドレイン電極間に発生する寄
生容量（Ｃgd）である。ここで、第１のＴＦＴ３０３は
表示信号配線３０２の１本毎に、走査信号配線３０１の
上下に構成され、必然的に第１のＴＦＴの寄生容量３０
９も表示信号配線３０２の１本毎に、走査信号配線３０
１の上下に構成される。すなわち、第ｎライン目の走査
信号配線Ｘ(n)の上部に構成された第１のＴＦＴ３０３
に接続された画素電極３０４には、その前段の走査信号
配線Ｘ(n-1)に接続した蓄積容量３０８が接続される
（以後、前段容量構成と呼ぶ）。また、第ｎライン目の
走査信号配線Ｘ(n)の下部に構成された第１のＴＦＴ３
０３に接続された画素電極３０４には、その後段の走査
信号配線Ｘ(n-1)に接続した蓄積容量３０８が接続され
る（以後、後段容量構成と呼ぶ）。

【００５６】図９は本実施例における走査信号配線３０
１と表示信号配線３０２における信号のタイミング関係
を示した図であり、Ｖsig(m)は表示信号配線３０２の第
ｍラインにおける信号波形、Ｖsig(m+1)は表示信号配線
３０２の第m+1ラインにおける信号波形、Ｖg(n-1)は走
査信号配線３０１の第n-1ラインにおける信号波形、Ｖg
(n)は走査信号配線３０１の第ｎラインにおける信号波
形、Ｖg(n+1)は走査信号配線３０１の第n+1ラインにお
ける信号波形である。

【００５７】図１０は前段容量構成の画素に着目した場
合の、走査信号配線３０１と、表示信号配線３０２にお
ける信号波形及び、画素電極３０４における信号電位の
関係を示した図であり、Ｖsig(m)は表示信号配線３０２
の第ｍラインにおける信号波形、Ｖg(n-1)は走査信号配
線３０１の第n-1ラインにおける信号波形、Ｖg(n)は走
査信号配線３０１の第ｎラインにおける信号波形、Ｖg
(n+1)は走査信号配線３０１の第n+1ラインにおける信号
波形、Ｖpは走査信号配線３０１の第ｎライン及び表示
信号配線３０２の第ｍラインの交点に位置する画素電極
３０４における電位である。

【００５８】図１１は後段容量構成の画素に着目した場
合の、走査信号配線３０１と、表示信号配線３０２にお
ける信号波形及び、画素電極３０４における信号電位の
関係を示した図であり、Ｖsig(m+1)は表示信号配線３０
２の第m+1ラインにおける信号波形、Ｖg(n-1)は走査信
号配線３０１の第n-1ラインにおける信号波形、Ｖg(n)
は走査信号配線３０１の第ｎラインにおける信号波形、
Ｖg(n+1)は走査信号配線３０１の第n+1ラインにおける
信号波形、Ｖpは走査信号配線３０１の第ｎライン及び
表示信号配線３０２の第m+1ラインの交点に位置する画
素電極３０４における電位である。また、図９、図１０
および図１１において、ＶgonはＴＦＴオン電位レベ
ル、ＶgoffはＴＦＴオフ電位レベル、Ｖe(+)はハイ側補
償電位レベル、Ｖe(-)はロー側補償電位レベル、Ｖcom
は対向電極電位である。また、Ｖsigのレベルは１走査
期間（１フレーム）毎および表示信号配線３０２の１本
毎に反転している。

【００５９】以上のように構成されたこの実施例の液晶
表示装置において、以下その動作を説明する。まず、図
８の前段容量構成部に、図９に示す信号を入力した場合
について説明する。ここで、画素電極３０４は、蓄積容
量３０８を介して前段の走査信号配線Ｘ(n-1)に、又寄
生容量３０９を介して自段の走査信号配線Ｘ(n)に容量
的に結合している。そのため、画素電極３０４における
電位は、表示信号配線Ｙ(m)より供給される表示信号Ｖs
ig(m)と、蓄積容量３０８に接続した走査信号配線Ｘ(n-
1)の電位変化により励起される電圧（容量結合電圧と呼
ぶ）と、寄生容量３０９に接続した走査信号配線Ｘ(n)
の電位変化により励起される電圧（突き抜け電位と呼
ぶ）に依存する。また液晶に印加される電圧は、画素電
極３０４と、第２のＴＦＴ３０５を介して前段の走査信
号配線Ｘ(n-2)より供給される対向信号Ｖcomとの電位差
である。図１０において、（ａ）はハイ側補償電位によ
る変調、（ｂ）はロー側補償電位による変調を示してい
る。ここで、図１０の（ａ）の領域のタイミングａ１に
おいては、自段の走査信号Ｖg(n)の電位変化による突き
抜け電圧と、前段の走査信号Ｖg(n-1)の電位変化による
容量結合電圧の和であるΔＶa1が画素電極３０４に印加
される。ここで、 ΔＶa1＝Ｃgd／Ｃtot・(Ｖcom−Ｖgon）＋Ｃst／Ｃtot
（Ｖe(+)−Ｖcom） と表せる。ただし Ｃtot＝Ｃlc＋Ｃst＋Ｃgd とする。次に、タイミングａ２においては、前段の走査
信号Ｖg(n-1)の電位変化による容量結合電圧ΔＶa2が画
素電極３０４に印加される。ここで、 ΔＶa2＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(+)） と表せる。タイミングａ３においては、自段の走査信号
Ｖg(n)の電位変化による突き抜け電圧ΔＶa3が画素電極
３０４に印加される。ここで、 ΔＶa3＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖe(-)−Ｖcom） となる。更にタイミングａ４において、自段の走査信号
Ｖg(n)の電位変化による突き抜け電圧ΔＶ4aが画素電極
３０４に印加される。ここで、 ΔＶ4a＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(-)） と表せる。よって、容量結合電圧及び突き抜け電圧の合
計ΔＶtaは ΔＶta＝ΔＶa1＋ΔＶa2＋ΔＶa3＋ΔＶ4a ＝Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（Ｖgoff−Ｖcom） と表せる。ただし Ｋtg＝Ｃgd／Ｃtot Ｋzg＝Ｃst／Ｃtot とする。同様にして、図１０の（ｂ）の領域の各タイミ
ングｂ１〜ｂ４における電位変化ΔＶb1〜ΔＶ4bはそれ
ぞれ、 ΔＶb1＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖcom−Ｖgon）＋Ｃst／Ｃtot
・（Ｖe(-)−Ｖcom） ΔＶb2＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(-)） ΔＶb3＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖe(+)−Ｖcom） ΔＶ4a＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(+)） となる。よって、容量結合電圧及び突き抜け電圧の合計
ΔＶtbは ΔＶtb＝ΔＶb1＋ΔＶb2＋ΔＶb3＋ΔＶ4b ＝Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（Ｖgoff−Ｖcom） と表せる。

【００６０】次に、図８の後段容量構成部に、図９に示
す信号を入力した場合について説明する。ここで、画素
電極３０４は、蓄積容量３０８を介して次段の走査信号
配線Ｘ(n+1)に、また寄生容量３０９を介して自段の走
査信号配線Ｘ(n)に容量的に結合している。そのため、
画素電極３０４における電位Ｖpは、表示信号配線Ｙ(m+
1)より供給される表示信号電位と、蓄積容量３０８に接
続した走査信号配線Ｘ(n+1)の電位変化により励起され
る電圧（容量結合電圧と呼ぶ）と、寄生容量３０９に接
続した走査信号配線Ｘ(n)の電位変化により励起される
電圧（突き抜け電位と呼ぶ）に依存する。また、液晶に
印加される電圧は、画素電極３０４と、第２のＴＦＴ３
０５を介して前段の走査信号配線Ｘ(n-1)より供給され
る対向信号Ｖcomとの電位差である。図１１において、
（ｃ）はハイ側補償電位による変調、（ｄ）はロー側補
償電位による変調を示している。

【００６１】ここで、図１１の（ｃ）の領域のタイミン
グｃ１においては次段の走査信号Ｖg(n-1)の電位変化に
よる容量結合電圧と自段の走査信号Ｖg(n)の電位変化に
よる突き抜け電圧の和であるΔＶ1cが画素電極３０４に
印加される。

【００６２】ΔＶ1c＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖcom−Ｖgon）
＋Ｃst／Ｃtot・（Ｖgon−Ｖe(-)） タイミングｃ２においては、次段の走査信号Ｖg(n+1)の
電位変化による容量結合電圧と、自段の走査信号配線Ｖ
g(n)の電位変化による突き抜け電圧の和であるΔＶ2cが
画素電極３０４に印加される。

【００６３】ΔＶc2＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖe(-)−Ｖcom）
＋Ｃst／Ｃtot・（Ｖcom−Ｖgon） タイミングｃ３においては、自段の走査信号Ｖg(n)の電
位変化による突き抜け電圧ΔＶc3が画素電極３０４に印
加される。ここで、 ΔＶc3＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(-)） タイミングｃ４においては、次段の走査信号Ｖg(n+1)の
電位変化による容量結合電圧ΔＶc4が画素電極３０４に
印加される。

【００６４】ΔＶc4＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖe(+)−Ｖcom） 更にタイミングｃ５においては、次段の次段の走査信号
Ｖg(n+1)の電位変化による容量結合電圧ΔＶc5が画素電
極３０４に印加される。

【００６５】 ΔＶc5＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(+)） よって、容量結合電圧及び突き抜け電圧の合計ΔＶtcは ΔＶtc＝ΔＶc1＋ΔＶc2＋ΔＶc3＋ΔＶc4＋ΔＶc5 ＝Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（Ｖgoff−Ｖe(-)） と表せる。ただし Ｋtg＝Ｃgd／Ｃtot Ｋzg＝Ｃst／Ｃtot とする。同様にして、図１１の（ｂ）の領域の、各タイ
ミングｄ１〜ｄ４における電位変化ΔＶd1〜ΔＶd4はそ
れぞれ、 ΔＶd1＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖcom−Ｖgon）＋Ｃst／Ｃtot
・（Ｖgon−Ｖe(+)） ΔＶd2＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖe(+)−Ｖcom)＋Ｃst／Ｃtot
・（Ｖcom−Ｖgon） ΔＶd3＝Ｃgd／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(+)） ΔＶd4＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖe(-）−Ｖcom） ΔＶd5＝Ｃst／Ｃtot・（Ｖgoff−Ｖe(-)） となる。よって、容量結合電圧及び突き抜け電圧の合計
ΔＶtdは ΔＶtd＝ΔＶd1＋ΔＶd2＋ΔＶd3＋ΔＶd4＋ΔＶd5 ＝Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（Ｖgoff−Ｖe(+)） と表せる。ここで、 ΔＶta＋ΔＶtb＝０ 及び、 ΔＶtc＋ΔＶtd＝０ すなわち、 ２Ｋtg（Ｖgoff−Ｖgon）＋Ｋzg（２Ｖgoff−Ｖe(-)−
Ｖe(+)）＝０ を満たす電位を設定した場合には、表示信号Ｖｓｉｇの
振幅の中心と画素電極電位Ｖｐの振幅の中心及び対向電
極電位Ｖｃｏｍが一致し、液晶の誘電率異方性等による
直流成分が生じず、フリッカのない表示を実現すること
ができると同時に、高速応答化に効果的であり、更に、
隣り合う表示信号配線３０２の信号のレベルを反転して
いることにより、クロスト−クの減少に効果的である。

【００６６】（実施形態４）図１２に本発明の第４の実
施形態に係る液晶表示装置の等価回路を示す。図１２に
おいて、４０１は表示信号をラッチするラッチ回路、４
０２は１水平走査期間タイミングをずらすバッファメモ
リ、４０３は出力回路、４０４は表示信号配線、４０５
は垂直駆動回路、４０６は走査信号配線である。本実施
形態が第２の実施形態と異なっている点は、表示信号配
線１本毎にバッファメモリ４０２を有することである。
バッファメモリ４０２により、表示信号配線１本毎に表
示信号のタイミングは１水平走査期間分遅延するため、
ＴＦＴを千鳥状に構成した場合においても、上下のズレ
のない正常な画像を表示することが可能である。

【００６７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置は、対向電極配線が不要となり、開口率が大きくな
る。スイッチング素子の構成位置関係を、表示信号配線
及び走査信号配線各交点に対応して少なくとも前記表示
信号配線の１段毎に前記走査信号配線の上下に交互に千
鳥状に構成する関係にすることにより、電位が変化する
画素電極を信号配線１つおきにすることができ、クロス
トークの低減を図ることができる。また本発明の液晶表
示装置の駆動方法により画素電極電位および対向電極電
位を補償し、寄生容量による画素電極電位および対向電
極電位の歪みの影響を低減でき、クロストークを抑える
ことができる。さらに、前記蓄積容量を介して画素電極
に印加する変調信号による変調および前記寄生容量の影
響を受けた後の前記画素電極電位の振幅の中心値が一定
値である対向電極電位の値と同じものとすることによ
り、寄生容量の影響による変位後の画素電極電位の振幅
の中心値と対向電極電位に印加する信号の振幅の中心値
とが一致し、液晶の誘電率異方性などによる直流成分を
抑え、フリッカを発生させることのない液晶表示装置の
駆動方法が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置
の等価回路。

【図２】同実施形態における液晶表示蔵置の一構成例

【図３】同実施形態の動作説明図

【図４】同実施形態の動作説明図

【図５】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置
の等価回路。

【図６】同実施形態の動作説明図。

【図７】同実施形態の動作説明図。

【図８】本発明の第３の実施形態における液晶表示装置
の等価回路。

【図９】同実施形態の動作説明図。

【図１０】同実施形態の動作説明図。

【図１１】同実施形態の動作説明図。

【図１２】本発明の第４の実施形態における液晶表示装
置の等価回路。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１ 走査信号配線 １０２，２０２，３０２ 表示信号配線 １０３，２０３，３０３ 第１のＴＦＴ １０４，２０４，３０４ 画素電極 １０５，２０５，３０５ 第２のＴＦＴ １０５ａ 第２のＴＦＴ１０５のドレイン電極 １０５ｂ 第２のＴＦＴ１０５のソース電極 １０６，２０６，３０６ 対向電極 １０７，２０７，３０７ 液晶容量 １０８，２０８，３０８ 蓄積容量 １０９，２０９，３０９ 寄生容量 １１０ 補助容量 １１１ コンタクトホール１ １１２ コンタクトホール２ １１３ コンタクトホール３ ４０１ ラッチ回路 ４０２ バッファメモリ ４０３ 出力回路 ４０４ 表示信号配線 ４０５ 垂直駆動回路 ４０６ 走査信号配線

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パネル基板の表面に構成された互いに交
   差する表示信号配線及び走査信号配線と、前記走査信号
   配線及び前記表示信号配線の各交点に対応してマトリッ
   クス状に配置され、走査信号によりオン・オフが制御さ
   れる第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチン
   グ素子を介して表示信号が印加される画素電極と、前記
   走査信号配線及び前記表示信号配線の各交点に対応して
   マトリックス状に配置され、走査信号によりオン・オフ
   が制御される第２のスイッチング素子と、前記第２のス
   イッチング素子を介して前記第２のスイッチング素子が
   接続されている前記走査信号配線の少なくとも１段前又
   は１段後の走査信号配線より駆動信号が印加され、前記
   画素電極との間に前記パネル基板に対して略平行な電界
   を生ずる対向電極を具備することを特徴とする液晶表示
   装置。
2. 【請求項２】 前記第１のスイッチング素子が接続され
   ている前記走査信号配線の少なくとも１段前又は１段後
   の走査信号配線と前記画素電極との間に蓄積容量を構成
   したことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記第２のスイッチング素子が接続され
   ている前記走査信号配線の少なくとも１段前又は１段後
   の走査信号配線であって前記対向電極に駆動信号を与え
   る走査信号配線とは別の走査配線と前記対向電極との間
   に容量を構成したことを特徴とする請求項１または２に
   記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 請求項１、２または３に記載の液晶表示
   装置を駆動する方法であって、信号配線に印加する電位
   を隣接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、前記第
   １および第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第
   １のスイッチング素子を介して前記信号配線の電位を前
   記画素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介
   して接続されている前記走査信号配線の電位を対向電極
   に伝達し、前記対向電極に伝達される信号の電位がハイ
   とローの２つの電位レベルを持ち、少なくとも１フレー
   ム毎に、前記対向電極に伝達される信号の電位レベルが
   切り替わることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
5. 【請求項５】 請求項１または２に記載の液晶表示装置
   を駆動する方法であって、信号配線に印加する電位を隣
   接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、前記第１お
   よび第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第１の
   スイッチング素子を介して前記信号配線の電位を前記画
   素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介して
   接続されている前記走査信号配線の電位を前記対向電極
   に伝達し、前記対向電極に伝達される駆動信号は一定値
   であることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
6. 【請求項６】 前記スイッチング素子のオフ期間に、前
   記画素電極との間の蓄積容量を介して走査信号配線より
   前記画素電極に変調信号を印加することを特徴とする請
   求項５記載の液晶表示装置の駆動方法。
7. 【請求項７】 前記蓄積容量を介して画素電極に印加す
   る変調信号による変調および前記寄生容量の影響を受け
   た後の前記画素電極電位の振幅の中心値が前記対向電極
   電位の値と同じであることを特徴とする請求項６に記載
   の液晶表示装置の駆動方法。
8. 【請求項８】 パネル基板の表面に構成された互いに交
   差する表示信号配線及び走査信号配線と、前記走査信号
   配線及び前記表示信号配線の各交点に対応して少なくと
   も前記表示信号配線の１段毎に前記走査信号配線の上下
   に交互に千鳥状に構成され、走査信号によりオン・オフ
   が制御される第１のスイッチング素子と、前記第１のス
   イッチング素子を介して表示信号が印加される画素電極
   と、前記走査信号配線と前記表示信号配線の各交点に対
   応してマトリックス状に配置され、走査信号によりオン
   ・オフが制御される第２のスイッチング素子と、前記第
   ２のスイッチング素子を介して前記第２のスイッチング
   素子が接続されている前記走査信号配線の少なくとも１
   段前又は１段後の走査信号配線より駆動信号が印加さ
   れ、前記画素電極との間に前記パネル基板に対して略平
   行な電界を生ずる対向電極を具備することを特徴とする
   液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記第１のスイッチング素子の前記走査
   信号配線に対する接続方向に対応して、前記第１のスイ
   ッチング素子が接続されている前記走査信号配線の１段
   前又は１段後の走査信号配線と前記画素電極との間に蓄
   積容量を構成することを特徴とする請求項８に記載の液
   晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記第２のスイッチング素子が接続さ
    れている前記走査信号配線の少なくとも１段前又は１段
    後の走査信号配線であって前記対向電極に駆動信号を与
    える走査信号配線とは別の走査配線と前記対向電極との
    間に容量を構成したことを特徴とする請求項８または９
    に記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 請求項８、９または１０に記載の液晶
    表示装置を駆動する方法であって、信号配線に印加する
    電位を隣接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、か
    つ１走査期間ごとにさらにそのレベルを反転させ、前記
    第１および第２のスイッチング素子のオン期間に、前記
    第１のスイッチング素子を介して前記信号配線の電位を
    前記画素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を
    介して接続されている前記走査信号配線の電位を対向電
    極に伝達し、前記対向電極に伝達される信号の電位がハ
    イとローの２つの電位レベルを持ち、少なくとも１フレ
    ーム毎に前記対向電極に伝達される信号の電位レベルが
    切り替わることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
12. 【請求項１２】 請求項８または９に記載の液晶表示装
    置を駆動する方法であって、信号配線に印加する電位を
    隣接する信号配線毎にそのレベルを反転させ、かつ１走
    査期間ごとにさらにそのレベルを反転させ、前記第１お
    よび第２のスイッチング素子のオン期間に、前記第１の
    スイッチング素子を介して前記信号配線の電位を前記画
    素電極に伝達し、前記第２のスイッチング素子を介して
    接続されている前記走査信号配線の電位を前記対向電極
    に伝達し、前記対向電極に伝達される駆動信号は一定値
    であることを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
13. 【請求項１３】 前記スイッチング素子のオフ期間に、
    前記画素電極との間の蓄積容量を介して走査信号配線よ
    り前記画素電極に変調信号を印加することを特徴とする
    請求項１２記載の液晶表示装置の駆動方法。
14. 【請求項１４】 前記画素電極の電位を変調するために
    印加される走査配線の変調電位が、走査配線のスイッチ
    ング素子オン期間の前後で印加されることを特徴とする
    請求項１３に記載の液晶表示装置の駆動方法。
15. 【請求項１５】 前記蓄積容量を介して画素電極に印加
    する変調信号による変調および前記寄生容量の影響を受
    けた後の前記画素電極電位の振幅の中心値が前記対向電
    極電位の値と同じであることを特徴とする請求項１３に
    記載の液晶表示装置の駆動方法。