CN101836285A - 具有高性能热电性质的纳米结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供纳米结构，或者这种纳米结构的阵列，每个纳米结构包含粗糙表面，以及掺杂的或未掺杂的半导体。该纳米结构是一维(1-D)纳米结构，比如纳米线，或二维(2-D)纳米结构。该纳米结构可以被放在两个电极之间并用于热电发电或热电冷却。

Description

具有高性能热电性质的纳米结构
政府资助声明
本文所描述的和要求保护的本发明部分地利用由美国能源部根据合同号为DE-AC02-05CH11231所提供的资金来进行。本发明中政府具有一定的权利。
技术领域
本发明一般涉及纳米结构。
背景技术
当前，大约90％的全球电力(～1013瓦特或10TW)由热力发动机产生，热力发动机用化石燃料燃烧作热源并且典型地以30-40％的效率运行，以致于大致15TW的热量消失到周围环境。潜在地，热电模块可以把此低级浪费的热量转化为电，其可能产生显著的燃料节约和碳排放的减少。它们的效率取决于它们材料成分的热电优良指数，其被定义为ZT＝S2σT/k，其中，S、σ、k、以及T分别是塞贝克系数、电导率、热导率以及绝对温度。然而，在过去的50年间，因为ZT的参数通常是互相依赖的，一直在向增加ZT＞1挑战。基于Bi、Te、Pb、Sb以及Ag的化合物的纳米结构的热电材料已经被显示为增加ZT＞1。
美国专利号为6,882,051以及6,996,147公开了具有小于大约200nm的均匀直径的一维纳米结构。这些纳米结构包括单晶同质结构(homostructure)以及至少两个具有不同化学成分的单晶材料的异质结构(heterostructure)。
发明内容
本发明提供新的包含粗糙表面的纳米结构，其中该纳米结构包含掺杂或未掺杂的半导体。
本发明还提供包含包括粗糙表面的纳米结构的设备，其中该纳米结构包含掺杂或未掺杂的半导体并且该纳米结构接触第一电极和第二电极。
本发明还提供产生电流的方法，该方法包含：提供本发明的设备，并且在第一和第二电极之间设置温度梯度，以便于产生从第一电极流向纳米结构、并且通过纳米结构流向第二电极的电流。
本发明另外提供设备，包含：第一电极；第二电极；第三电极；第一多个纳米结构，每个纳米结构包含粗糙表面，其中每个纳米结构包含Si、Ge或其组合，掺杂有三价元素(使得该纳米结构包含p型半导体)；以及，第二多个纳米结构，每个纳米结构包含粗糙表面，其中该纳米结构包含Si、Ge或其组合，掺杂有五价元素(使得该纳米结构包含n型半导体)；其中第一多个纳米结构接触第一电极和第三电极，第二多个纳米结构接触第一电极和第二电极；以便于在第一电极比第二和第三电极具有更高的温度时，产生电流，该电流从第二电极流向第二多个纳米结构，通过该第二多个纳米结构流向第一电极，通过第一电极流向第一多个纳米结构，通过第一多个纳米结构流向第三电极。
本发明另外提供产生电流的方法，包含：提供本发明具有第一多个纳米结构和第二多个纳米结构的设备，并且增加第一电极的温度；以便于产生电流，该电流从第二电极流向第二多个纳米结构，通过该第二多个纳米结构流向第一电极，通过第一电极流向第一多个纳米结构，通过第一多个纳米结构流向第三电极。
本发明还提供降低局部(locality)温度的方法，该方法包含提供本发明的设备，并且施加通过该设备的电流；使得第一电极的温度被降低，其中第一电极在该局部或接近该局部，并且第二和第三电极的温度被提高。
附图说明
结合附图阅读时，根据以下示意性的实施例的描述，本领域普通技术人员将容易理解到以上所述的方面以及其它。
图1示出了粗糙的硅纳米线的结构特性。板A示出了EE Si纳米线阵列的截面(cross-sectional)SEM。在阵列内可以看见树枝状银的生长-反应期间Ag+还原到晶圆上的产物。合成和元素分析确认银完全被融解后，银在硝酸内被蚀刻。板B示出了一段EE Si纳米线的明视场TEM图像。在线的表面可以清晰地看见粗糙度。SAED图案(插图)表明该线沿着它的长度都是单晶。板C示出了EE Si纳米线的HRTEM图像。在表面处的非晶体本征氧化物(amorphous native oxide)与晶体Si核之间的界面处，并且通过靠近边缘的交替的明/暗的厚度条纹的起伏，粗糙度是显而易见的。板D示出了VLS-生长的Si纳米线的HRTEM。定标线条(scale bars)分别是10μm、20nm、4nm和3nm。
图2示出了粗糙的硅纳米线的热导率。板A示出了结合铂(Pt)的(Pt-bonded)EE Si纳米线的SEM图像(以52°倾斜角获得)。靠近桥接线(bridging wire)的两个端部的Pt薄膜环是在悬浮的膜(membrane)对面的电阻热和传感线圈(resistive heating and sensingcoils)的一部分。定标线条是2μm。板B示出了VLS的依赖温度的k(复制自Li，D.等人.Thermal conductivity of individual siliconnanowires(单个硅纳米线的热导率).Appl.Phys.Lett.83，2934-2936(2003))和EE纳米线的依赖温度的k(实心方格所指示的)。VLS纳米线的峰值k大约是175-200K，而EE纳米线的峰值k大于250K。这个图中的数据来自由低掺杂的晶圆所合成的EE纳米线。板C示出了不同掺杂物密度(1014和1018cm-3)的EE Si纳米线的依赖温度的k(实心方格所指示的)。为了比较的目的，块(bulk)非晶体硅石的k被绘制为空心的方格。较小的高度掺杂的EE Si纳米线具有接近绝缘玻璃(insulating glass)的k的k，暗示极短的声子平均自由程。
图3示出了用于粗糙的硅纳米线的优良指数估计。板A示出了块k与直径为75nm的高度掺杂的EE Si纳米线的k的比率。随着温度降低kbulk∶kNW显著地增加，从在300K的100到几乎在25K的40,000。板B示出了与从Weber，L.&Gmelin，E.在Appl.Phys.A53，136-140(1991)的“硅的传输性质(Transport properties of silicon)”的退化地(degenerately)掺杂的块Si数据中所提取的ZT比较的针对75nm高度掺杂的EE纳米线所计算的ZT。
图4示出了纳米线FIB结合和控制实验。板A示出了远离辐照区域的纳米线上的Pt-C的过度沉积的TEM图像。如在SEM中所见的，沉积给线的直径添加了厚度，所以所有的计算都基于结合Pt之前所确定的直径。定标线条是10nm。板B示出了在FIB中利用Pt进行第一次结合之后的EE Si纳米线的导热性(实心方格)。样品在靠近焊接区(pad)之一处破裂并且在缝隙之上利用显著的Pt-C沉积被再次结合在端部。在该第二次结合(空心方格)之后的传导性的测量与第一次的测量一致。因此，在线端部的Pt沉积是良好的热锚(anchor)，但是对沿着线的导热性却没有显著的帮助。板C示出了197和257nm SiO2纳米线的k(分别是空心方格和空心三角形)与块SiO2的k(实心方格)的定量地比较。
图5示出了电传输测量。通过阴影矩形来示出纳米线。板A示出了被用来合成高度掺杂的EE Si纳米线的掺杂As的Si(100)晶圆的电阻率。板B示出了被用来合成高度掺杂的EE Si纳米线的掺杂As的Si(100)晶圆的塞贝克系数。
图6示出了包含用于产生电流的纳米线的设备。第一多个纳米线通过阴影矩形示出。第二多个纳米线通过点填充的矩形示出。板A示出了设备的一部分。板B示出了通过使用该设备所产生的电流。
图7示出了包含用于产生电流的两个多个纳米线的设备。板A示出了该设备的一部分。板B示出了通过使用该设备所产生的电流。第一多个纳米线(40)具有p型掺杂。第二多个纳米线(50)具有n型掺杂。
图8示出了包括如图7所示的本发明的设备的热电冷却器。阴影框表示接触纳米结构的电极。
图9示出了包括如图7所示的本发明的设备的热电冷却器(板A)和热电发电机(板B)。箭头指示电流的流向。
具体实施方式
在描述本发明之前，应理解到本发明并不局限于所描述的特定实施例，当然，如上所述的可以变化。还应理解到，本文所使用的术语的目的仅在于描述特定的实施例，并非意在限制，因为本发明的范围将由所附的权利要求书来限定。
在提供值的范围的地方，应理解到在那个范围的上限和下限之间的每个居中值，到下限的单位的十分之一除非上下文明确地另外限定，也被具体公开。指定范围内的任何指定值或居中值与在该指定范围内的其它任何指定的或居中值之间的每个较小范围被包括在本发明内。这些较小范围的上限和下限可以被独立地包括在该范围内或排除在该范围，并且其中两个极限的任一个、两个极限都不、或两个极限都被包括在较小的范围内的每个范围也被包括在本发明内。在指定范围包括极限之一或两个极限的地方，把那些被包括的极限中的任一个或两个排除在外的范围也被包括在本发明中。
除非另外定义，本文所使用的所有技术和科学术语具有与熟悉本发明所属领域内的普通技术人员所理解的相同的含义。尽管与本文所描述的那些方法和材料相似或等同的任何方法和材料可以被使用在本发明的实践或测试中，现在描述优选的方法和材料。本文所提及的所有公开出版物通过引用被并入，以公开和描述同所引证的公开出版物有关的方法和/或材料。
必须注意到，如在所附的权利要求书和本文所使用的那样，单数形式“一个(a)”，“一个(an)”和“该”包括多个对象，除非上下文另外明确指出。因此，例如，“一个纳米线”的引用包括多个这样的纳米线，等等。
对熟悉本领域的技术人员来说，根据阅读如以下更加完整描述的本发明的详细内容，本发明的这些以及其它目的、优点、以及特征将变的显而易见。
纳米结构
本发明的纳米结构包含粗糙表面，其中该纳米结构包含任何适当掺杂或未掺杂的半导体；在纳米结构不是通过把干净的P型(111)取向的硅衬底浸入50□C的水性HF/AgNO3溶液中而准备的硅纳米线的情况下，比如在Peng等人所著的发表在Adv.Mater.14，1164-1167(2002)的“Synthesis of large-area silicon nanowire arraysvia self-assembling nanochemistry(通过自组成纳米化学合成大面积硅纳米线阵列)”；Peng等人所著的发表在Adv.Funct.Mater.13，127-132(2003)的“Dendrite-assisted growth of silicon nanowires inelectroless metal deposition(无电镀金属沉积中硅纳米线的辅助的树枝状生长)”；以及Peng等人所著的发表在Angew.Chem.Int.Edit.44，2737(2005)的“Uniform，axial-orientation alignment ofone-dimension single-crystal silicon nanostructure arrays(一维单晶硅纳米结构阵列的均匀轴向对齐)”中所描述的硅纳米线。本发明的纳米结构包含以下特征：限域(confinement)和表面工程(或界面工程)。
本发明还提供包含具有粗糙表面的纳米结构的设备，其中该纳米结构包含掺杂的或未掺杂的半导体且该纳米结构接触第一电极和第二电极。在一些实施例中，该设备包含一个或多个纳米结构，其中每个纳米结构都接触第一电极和第二电极。
该纳米结构为一维(1-D)，或二维(2-D)。
“限域”的定义是该纳米结构是一维(1-D)或二维(2-D)，且具有长度被限定在1nm到1,000nm的至少一维(one dimension)。1-D纳米结构包括，但不限于，纳米线。2-D纳米结构包括，但不限于，平面结构。例如，对1-D纳米结构而言，纳米线的直径或厚度在长度方面从1nm到1,000nm。例如，对2-D纳米结构而言，平面结构的厚度在长度方面从1nm到1,000nm。
“表面工程”的定义是纳米结构的至少一个或多个表面的部分或全部是粗糙的、具有缺陷、和/或具有某些化学性质。
在本发明的一些实施例中，纳米结构的表面是粗糙的，因为从相对于表面的最高点到最低点的距离是从大于0到5nm。
在本发明的一些实施例中，在将表面的实际表面面积与表面的表面积(如果该表面光滑的话)相比较的比率(下文表示为“r比率”)大于1时，纳米结构的表面是“粗糙”的。在一些实施例中，r比率是2或更大、3或更大、4或更大、5或更大、10或更大、20或更大、或者50或更大。具有“粗糙”表面的目的是充分地分散声子以便于在较低的温度减小k，比如在室温或在约20□C到约30□C之间。作为在纳米结构的合成期间由横向氧化的随意性引起的制造过程和/或由腐蚀性水溶液蚀刻或慢HF蚀刻和/或小面化(faceting)的结果，表面可能是“粗糙的”。
在本发明的一些实施例中，在表面的粗糙度因子大于1.0时，纳米结构的表面是“粗糙的”。粗糙度因子被定义为纳米结构的实际表面面积与具有原子级光滑表面的纳米结构的实际表面面积的比率。在本发明的一些实施例中，纳米结构的粗糙度因子至少等于或大于1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9或2.0。在其它实施例中，纳米结构的粗糙度因子至少等于或大于2.5、3.0、5.0、7.0或10.0。在一些实施例中，纳米结构的粗糙度因子至少等于或大于在示例1和2中所描述的纳米线之一的粗糙度因子。
纳米结构和掺杂物材料可以选自组II、III、IV、V、VI，或类似物，并且可以包括季铵盐类和叔(quatemaries and tertiaries)，以及氧化物。在一些实施例中，半导体包含一个或多个掺杂的II-VI型半导体、III-V型半导体、II-IV型半导体等等。在一些实施例中，半导体包含一个或多个掺杂的II-VI型半导体、III-V型半导体、II-IV型半导体、和类似物，并且可选地可以包括季铵盐类和叔，以及氧化物。在一些实施例中，纳米结构包含元素Si、Ge、GaAs、CdSe、GaN、AlN、Bi2Te3、ZnO等等，或者其组合，以及可选地掺杂有5价元素(用于n型掺杂)或3价元素(用于p型掺杂)。在一些实施例中，纳米结构包含元素Si，Ge，或其组合，以及可选地掺杂有5价元素(用于n型掺杂)或三价元素(用于p型掺杂)。适当的掺杂物包括B、Ph、As、In、Al等等。适当的五价元素包括P、As、Sb或类似物。适当的三价元素包括B、Al、Ga以及类似物。在一些实施例中，掺杂物可以取代纳米结构中在大于0％到100％之间的Si或Ge，或Si-Ge合金。纳米结构可以是晶体。
在本发明的一些实施例中，每个纳米结构在它的组成方面是均匀的，例如，任何掺杂物基本均匀地分布在整个纳米结构，和/或纳米结构不会在一个端部包含P型掺杂物并在另一端部包含N型掺杂物。
在本发明的一些实施例中，纳米结构包含1-D纳米结构，比如纳米线，包含具有第一端部和第二端部的细长形状，以及粗糙表面，其中1-D纳米结构包含元素Si、Ge或者其组合，以及可选地掺杂有五价元素或三价元素。
在一些实施例中，1-D纳米结构具有基本均匀的直径。在某些实施例中，基本均匀的直径小于约200nm。在某些实施例中，多个纳米结构是具有基本单分散的直径和/或长度分布的1-D纳米结构的族群(population)。术语“直径”指代的是有效直径，如由结构的截面的长轴和短轴的平均所定义的。
在一些实施例中，1-D纳米结构在它的最大点具有小于大约200nm的直径，以及优选地沿纵轴的直径在呈现最大直径变化的部分上按照小于大约10％变化。另外地，1-D纳米结构可以具有不同的截面形状(cross-sectional shape)，包括，但不限于，圆形、正方形、矩形以及六边形。例如，ZnO 1-D纳米结构具有六边形截面，SnO21-D纳米结构具有矩形截面，PbSe 1-D纳米结构具有正方形截面，而Si或Ge 1-D纳米结构具有圆形截面。
典型地，1-D纳米结构的直径在直径的最大点小于大约200nm并且优选地在从大约5nm到大约50nm的范围内。另外，跨过在同一个过程中所合成的线的整体(ensemble)的直径的变化相对急剧，使得直径的分布典型地小于大约50％，小于大约20％，或小于大约10％。在纳米线的截面不是圆形的地方，在此上下文中，术语“直径”指代的是1-D纳米结构截面的长轴和短轴的长度的平均，且平面与1-D纳米结构的纵轴是正交。
在一些实施例中，1-D纳米结构在从端部到端部的直径典型地呈现高均匀性。在某些实施例中，在部分1-D纳米结构上，直径的最大变化将不会超过大约10％，大约5％，或大约1％。直径的变化可以被认为由((dmax-dmin)/dmin)来给出。熟悉本领域的技术人员应认识到1-D纳米结构的端部将包含直径的急剧变化，甚至可能呈现无限斜坡(infinite slope)，其中以上所描述的测量被认为是在远离1-D纳米结构的端部的地点。优选地测量是在离开端部1-D纳米结构的整个长度的至少5％、或至少10％的地点进行地。在某些实施例中，在1-D纳米结构的长度上估算直径的变化，该1-D纳米结构的长度在从1-D纳米结构整个长度的大约1％、直到大约25％、直到大约75％、或直到大约90％的范围。
1-D纳米结构，比如纳米线，可能包含沿着柱体形状的柱身(shaft)具有粗糙表面的的柱体形状。柱体形状的直径可能是大约5nm或更多、大约10纳米或更大、大约20nm或更大、大约50nm或更大、或大约75纳米或更大。柱体形状的直径可能不大于大约100nm、不大于大约200纳米、或不大于大约300nm。在多个1-D纳米结构中，可能有多个从大约5nm或更大到不大于大约300纳米变化的1-D纳米结构的直径。在本发明的一些实施例中，在多个1-D纳米结构中，可能有多个从大约10nm或更大、或大约20nm或更大，到不大于大约300纳米变化的1-D纳米结构的直径。
在一些实施例中，在大约室温或25□C，本发明的纳米结构具有大约2.0W·m-1·K-1或更少的k，和/或大约0.1或更大的ZT。在某些实施例中，在大约室温或25□C，本发明的纳米结构具有大约1.0W·m-1·K-1或更少的k，和/或大约0.8或更大的ZT。在另外的实施例中，在大约室温或25□C，本发明的纳米结构具有大约0.5W·m-1·K-1或更少的k，和/或大约3或更大的ZT。
本发明提供具有k≤大约1.0W·m-1·K-1并呈现ZT≥0.8的纳米结构的大面积阵列的合成。通过以不同的尺度(length scale)引入声子散射界面，阻止热传输并提高ZT是可能的。在一些实施例中，在室温与块相比较，本发明的纳米结构中k被降低100倍。在纳米结构表面的粗糙度有效地散射声子并且甚至进一步在更低的温度降低k。
在一个实施例中，纳米结构是Si纳米线。本发明提供具有1.0W·m-1·K-1的k并呈现大ZT＝0.8的粗糙Si纳米线的大面积阵列的合成。通过以不同的尺度引入声子散射，阻止热传输并提高ZT是可能的。这种情况中，在室温，与块相比较，在纳米线中Si的k被降低100倍。在纳米线表面的粗糙度有效地散射声子并且甚至进一步在更低的温度降低k。尽管块Si为不良热电材料，通过显著地降低k而不影响其它参数，就日常应用而言，Si纳米线阵列显示出有希望作为高性能及费用不高的热电材料。
在本发明的一些实施例中，多个纳米结构被聚集在一起，比如在阵列内。在一些阵列中，所有的纳米结构被布置为彼此平行。
纳米结构的合成
可以任何适当的方法来合成1-D纳米结构和多个1-D纳米结构。这样的方法包括本文所描述的例子1和2中所描述的方法，Peng等人所著发表在Adv，Mater.，14(16)：1164-1167(2002)的“Synthesis of large-area silicon nanowire arrays via self-assemblingnanochenistry(通过自组装纳米化学合成大面积硅纳米线阵列)”，以及Peng等人所著的发表在small，1(11)：1062-1067(2005)中的“Aligned single-crystalline Si nanowire arrays for photovoltaicapplications(用于光电应用的对齐的单晶Si纳米线阵列)”，在此通过应用将其整体并入。
多个纳米线，比如以阵列的形式，可以通过水性的无电镀蚀刻(EE)(aqueous electroless etching)方法(Peng，K.Q，Yan，Y.J.，Gao，S.P.& Zhu，J.所著的发表在Adv.Mater.14，1164-1167(2002)上的“Synthesis of large-area silicon nanowire arrays viaself-assembling nanochemistry(通过自组装纳米化学合成大面积硅纳米线阵列)”；Peng，K.，Yan，Y.，Gao，S.& Zhu，J.所著的发表在Adv.Funct.Mater.13，127-132(2003)上的“Dendrite-assisted growthof silicon nanowires in electroless metal deposition(无电镀金属沉积中硅纳米线的辅助的树枝状生长)”；Peng，K.等人所著的发表在Angew.Chem.mt.Edit.44，2737(2005)中的“Uniform，axial-orientation alignment of one-dimensional single-crystal siliconnanostructure arrays(一维单晶硅纳米结构阵列的均匀轴向对齐)”，在此通过应用将其整体并入)来合成。Si、Ge或其组合的晶圆，被如下处理：首先是Si、Ge或Si-Ge合金的电镀置换(galvanicdisplacement)，通过在晶圆表面上Ag+/Ag0还原(reduction)。在AgNO3与HF的水溶液中进行反应。通过把孔洞(holes)注入到Si、Ge或Si-Ge价带内以及氧化周围的晶格(lattice)，把Ag+还原到Si、Ge或Si-Ge晶圆的表面上，其随后通过HF来蚀刻。Ag+的初期还原在晶圆表面上形成Ag纳米粒子，因此界定了氧化和蚀刻过程的的空间程度。进一步的Ag+的还原发生在纳米粒子上，而非Si、Ge或Si-Ge晶圆，通过来自下面的晶圆的电子转移，其变成活性阴极。本发明的2-D纳米结构以及多个2-D纳米结构可以任何适当的方法被合成。这样的方法包括使用朗缪尔-布罗杰特(LB)处理，例如，在A.Tao，F.Kim，C.Hess，J.Goldberger，R.He，Y.Sun，Y.Xia，P.Yang所著的在Nano.Lett.3，1229，2003上发表的“Langmuir-Blodgett silver nanowire monolayers for molecularsensing with high sensitivity and specificity(用于具有高敏感性和专一性分子式感应的朗缪尔-布罗杰特银纳米线单层)”(在此通过应用将其整体并入)中所描述的。例如，LB处理可以容易地产生单层或多层单分散的单晶。然后，这样的单层和多层可以被融合在一起以生成粗糙的2-D纳米结构。
合成本发明的2-D纳米结构的其它适当的过程包含：(a)提供物理或化学汽相沉积(比如，原子层沉积或分子束外延)以形成具有光滑表面的薄膜，(b)在该薄膜的表面上分散一个或多个纳米晶体(nanocrystal)，并且(c)将该一个或多个纳米晶体融合到薄膜。
包含纳米结构的设备
本发明提供包含纳米结构的设备，包括在Peng等人所著的在Adv.Mater.14，1164-1167(2002)上发表的“Synthesis of large-areasilicon nanowire arrays via self-assembling nanochemistry(通过自组装纳米化学合成大面积硅纳米线阵列)”；Peng等人所著的在Adv.Funct.Mater.13.127-132(2003)上发表的“Dendrite-assistedgrowth of silicon nanowires in electroless metal deposition(无电镀金属沉积中硅纳米线的辅助的树枝状生长)”；以及Peng等人在Angew.Chem.mt.Edit.44，2737(2005)发表的“Uniform，axial-orientationalignment of one-dimensional single-crystal silicon nanostructurearrays(一维单晶硅纳米结构阵列的均匀轴向对齐)”中所描述的纳米线，接触第一电极和第二电极。当该设备在运行中时，第一电极和第二电极处在电气通信中。
在本发明的一些实施例中，该设备包含一个或多个本发明的1-D纳米结构，比如纳米线，其中该第一端部接触第一电极而该第二端部接触第二电极。
在本发明的一些实施例中，产生电流的方法包含：提供本发明的设备，并且在第一电极和第二电极之间设置温度梯度，以便产生电流，该电流从第一电极流向诸如纳米线的1-D纳米结构，并且通过该1-D纳米结构流向第二电极。
在本发明的一些实施例中，设备包含：第一电极；第二电极；第三电极；第一多个1-D纳米结构，比如纳米线，每个纳米结构包含具有第一端部和第二端部的细长形状，以及粗糙表面，其中1-D纳米结构包含掺杂有三价元素的Si，Ge，或其组合(使得1-D纳米结构包含p型半导体)；以及，第二多个1-D纳米结构，比如纳米线，每个纳米结构包含具有第一端部和第二端部的细长形状，以及粗糙表面，其中该1-D纳米结构包含掺杂有五价元素的Si，Ge，或其组合(使得该1-D纳米结构包含n型半导体)；其中第一多个1-D纳米结构的第一端部接触第一电极，第一多个1-D纳米结构的第二端部接触第三电极，第二多个1-D纳米结构的第一端部接触第一电极，第二多个1-D纳米结构的第二端部接触第二电极；使得在第一电极比第二和第三电极具有更高的温度时产生电流，该电流从第二电极流向第二多个1-D纳米结构、通过第二多个1-D纳米结构流向第一电极、通过第一电极流向第一多个1-D纳米结构、通过第一多个1-D纳米结构流向第三电极。
在本发明的一些实施例中，产生电流的方法包含：提供具有诸如纳米线的第一多个1-D纳米结构和诸如纳米线的第二多个纳米结构的本发明的设备，并且增加第一电极的温度；以便产生电流，该电流从第二电极流向第二多个1-D纳米结构、通过第二多个1-D纳米结构流向第一电极、通过第一电极流向第一多个1-D纳米结构、通过第一多个1-D纳米结构流向第三电极的。
在本发明的一些实施例中，降低局部的温度的方法包含：提供本发明的设备，并且施加通过该设备的电流；使得第一电极的温度被降低，其中第一电极在该局部或接近该局部，并且增加第二和第三电极的温度。
在一些实施例中，设备是使得第一电极包含第一不透明材料而第二电极包含第二不透明材料，其中第一和第二不透明材料为相同或不同材料。在一些实施例中，电极不是透明的，比如，基本包含掺杂In的SnO2或掺杂Al的ZnO的电极。在一些实施例中，在设备运行期间，没有或基本没有光或声子接触设备的纳米结构，比如纳米线，或者不需要光或声子接触设备的纳米结构，比如纳米线，以便设备在它计划的方式内运行。
在一些实施例中，设备是使得第一电极和第二电极是在电气通信中。特别地，当设备在运行中时，第一电极和第二电极是在电气通信中。
在一些实施例中，设备是使得在第一电极和第二电极之间有温度差别时，使得通过纳米结构产生电流。
在本发明的一些实施例中，设备包含多个纳米结构，其中每个纳米结构的第一端部接触第一电极而每个纳米结构的第二端部接触第二电极。当相对于第二电极的温度增加第一电极的温度、或者相对于第一电极的温度降低第二电极的温度时，产生电流，其中存在从第一电极流向纳米结构、并且经过该纳米结构流向第二电极的电流。在本发明的一些实施例中，使用以上所描述的设备的方法还包含维持第一和第二电极之间的温度差别(或温度梯度)，使得具有较高温度的电极继续具有较高的温度。当设备在运行中时，第一电极和第二电极是在电气通信中。
在本发明的一些实施例中，当纳米结构是纳米线时，设备包含多个纳米线(30)，其中每个纳米线的第一端部(31)接触第一电极(10)而每个纳米线的第二端部(32)接触第二电极(20)。当相对于第二电极(20)的温度增加第一电极(10)的温度、或者相对于第一电极(10)的温度降低第二电极(20)的温度时，产生电流，其中存在从第一电极(10)流向纳米线(30)、并通过纳米线(30)流到第二电极(20)的电流(60)(见图6)。当设备在运行中时，第一电极(10)和第二电极(20)是在电气通信中。
在本发明的一些实施例中，使用图6中所示意的设备的方法还包含维持第一和第二电极之间的温度差别(或温度梯度)，使得具有较高温度的电极继续具有较高的温度。
在本发明的一些实施例中，当纳米结构是纳米线时，设备包含第一电极(10)；第二电极(90)；第三电极(100)；第一多个纳米线(40)，每个纳米线包含具有第一端部(41)和第二端部(42)的细长形状，以及粗糙表面，其中每个纳米线包含掺杂有五价元素的Si、Ge或其组合；以及，第二多个纳米线(50)，每个纳米线包含具有第一端部(51)和第二端部(52)的细长形状，以及粗糙表面，其中每个纳米线包含掺杂有三价元素的Si、Ge或其组合；其中第一多个纳米线(40)的第一端部(41)接触第一电极(10)，第一多个纳米线(40)的第二端部(42)接触第三电极(100)，第二多个纳米线(50)的第一端部(51)接触第一电极(10)，第二多个纳米线(50)的第二端部(52)接触第二电极(90)。当相对于第二电极(90)和第三电极(100)的温度提高第一电极(10)的温度、或者相对于第一电极(10)的温度降低第二电极(90)和第三电极(100)的温度时，产生电流，其中电流(70)从第二电极(90)通过第二多个纳米线(50)流向第一电极(10)，电流(80)从第二多个纳米线(50)的第一端部(51)接触第一电极(10)的地点流向第一多个纳米线(40)的第一端部(41)接触第一电极(10)的地点，并且电流(85)从第一电极(10)经过第一多个纳米线(40)流向第三电极(100)(见图7)。当设备在运行中时，第二电极(90)和第三电极(100)是在电气通信中。
在本发明的一些实施例中，使用图7所示意的设备的方法还包含维持在(a)第一电极和(b)第二和第三电极之间的温度差别(或者温度梯度)。
电极可以包含任何适当的材料，比如，Pt、Au、Ti、或者类似物。
第一电极和第二电极之间的温度差别是1度或更大，5度或更大，10度或更大，50度或更大，100度或更大，或者200度或更大。只要每个电极的温度不会导致设备的任何元件融化、或者所期望的电流的干扰，任何温度都是适当的。
电流可以被电容通过或捕获或存储，或者电流可以被用来驱动任何使用直流电驱动的机器，比如发动机。
本发明的设备可以是热电发电机或热电冷却器(见图8和9)。本发明的设备可以被用于热电发电或热电冷却，比如用于计算机芯片冷却。
以上所描述的任何设备，包括但不限于图6-9中所示意的设备，可以以串行和/或矩阵的形式被布置。
本发明已经被描述，以下的例子被提供以示意的方式而非以限制的方式来示意性地阐述主题发明。
例子1
粗糙硅纳米线
最广泛使用的商用热电材料是块Bi2Te3和具有Sb、Se等的它的合金，其具有ZT～1。虽然难于将块Bi2Te3规模化(scale)到大规模的能量转换，制造用于这个目的的合成纳米结构甚至更加困难和昂贵。另一方面，就低成本和高产出的处理而言，Si是最丰富和广泛使用的具有大的工业基本设施的半导体。然而，块硅在300K具有让ZT～0.009(Weber，L.& Gmelin，E所著的发表于Appl.Phys.A53，136-140(1991)的“Transport properties of silicon(硅的传输性质)”，在此其通过引用将其整体并入)的高k(在室温～150W·m-1·K-1)(Touloukian，Y.S.，Powell，R.W.，Ho，C.Y.&Klemens，P.G.所著的发表在v.1，IFI/Plenum，New York，339(1970)的“Thermal Conductivity：Metallic Elements and Alloys，Thermophysical Properties of Matter(热导率：金属元素与合金，物质的热物理性质))”。有助于Si的在室温的k的声子的光谱分布是相当地宽。因为声子-声子的倒逆散射(Umklapp scattering)的比率标定为ω2，其中ω是声子频率，低频率(或长波长)的声频声子(acoustic phonon)具有长的平均自由程并且相当地有助于在高温的k(Nolas，G.S.& Sharp，J.，Goldsmid，H.J.所著的发表在Springer-Verlag，Berlin，2001的“Thermoelectrics：Basic Principlesand New Materials Development(热电：基本原理和新材料开发)”；Asheghi，M.，Leung，Y.K.，Wong，S.S.& Goodson，K.E.所著的发表在Appl.Phys.Lett.71，1798-1800(1997)的“Phonon-boundaryscattering in thin silicon layers(薄硅层中的声子边界散射)”；Asheghi，M.，Touzelbaev，Goodson，K.E.，Leung，Y.K.& Wong，S.S.所著的发表于J.Heat Transf.120，30-36(1998)的“Temperature-dependent thermal conductivity of single-crystalsilicon layers in SOl substrates(SOI衬底中单晶硅层的依赖温度的热导率)”；Ju，Y.S.& Goodson，K.E.所著的发表在Appl.Phys.Lett.74，3005-3007(1999)的“Phonon scattering in silicon filmswith thickness of order 100nm(数量级100nm的厚度的硅膜内的声子散射)”，在此通过引用将其整体并入)。因此，通过以不同的尺度合理地引入声子散射成分(element)，Si的k被期望显著地降低。这里，我们示出通过使用变粗糙的纳米线，人们可以将热导降低到～1W·m-1·K-1而无需显著地修改S2σ，使得在室温ZT～1。纳米线直径的进一步减小可能增加ZT＞1，提供了高性能、低成本以及可规模化(scalable)的基于Si的热电设备的可能性。
通过水性无电镀蚀刻(EE)方法合成Si纳米线的晶圆-规模阵列(Peng，K.Q，Yan，Y.J.，Gao，S.P.& Zhu，J.所著的发表在Adv.Mater.14，1164-1167(2002)的“Synthesis of large-area siliconnanowire arrays via self-assembling nanochemistry(通过自组装纳米化学合成大面积硅纳米线阵列)”；Peng，K.，Yan，Y.，Gao，S.& Zhu，J.所著的发表在Adv.Funct.Mater.13，127-132(2003)“Dendrite-assisted growth of silicon nanowires in electroless metaldeposition(无电镀金属沉积中硅纳米线的辅助的树枝状生长)”；Peng，K.等人所著的发表在Angew.Chem.Int.Edit.44，2737(2005)的“Uniform，axial-orientation alignment of one-dimensionalsingle-crystal silicon nanostructure arrays(一维单晶硅纳米结构阵列的均匀轴向对齐)”，在此通过引用将其整体并入)。该技术基于通过在晶圆表面上Ag+/Ag0还原的Si的电镀置换。该反应在AgNO3和HF的水溶液中进行。简言之，通过将孔洞注入到Si价带并氧化周围的晶格来将Ag+还原到Si晶圆表面上，其随后被HF蚀刻。Ag+的初期还原在晶圆表面上形成Ag纳米粒子，因此界定了氧化和蚀刻过程的的空间程度。进一步的Ag+还原发生在纳米粒子上，而非Si晶圆，其通过来自下面的晶圆的电子转移变成活性阴极。
通过该方法所合成的纳米线被垂直对齐并且整个批次直至到晶圆规模稳定。图1，板A示出了一种这样的阵列的截面(cross-sectional)扫描电子显微镜(SEM)图像。使用p型(100)取向、标称10-20Ω·cm的Si作为蚀刻晶圆来识别反应的关键参数。，蚀刻时间和AgNO3浓度两者控制纳米线长度、粗略地线性地、在短的浸入时间(＜10分钟)下至5μm。在较长的蚀刻时间，纳米线长度可控地高达150μm，而较长的线太易碎以致不能保持该矩阵。切隔成(100)，(110)，以及(111)取向的晶圆都产生被蚀刻为与在大多数晶圆面积上与晶圆表面正交的纳米线阵列。对于具有从0.01到10Ω·cm变化的电阻率的n型和p型晶圆的无电镀蚀刻，获得相似的结果。因为热电模块由串行布线的互补的p型和n型材料组成，这个合成的普遍性和规模性表明它是有希望用于基于Si的设备的制备的方法。
蚀刻之后，纳米线的填充因子(fill factor)在整个晶圆表面上大约为30％。纳米线的直径自20到300nm变化具有大约100nm的平均直径，如透射电子显微镜(TEM)所测量的显微图片那样(图1，板B)。纳米线是单晶体，如通过图1模板C中的所选择的区域电子衍射(SAED)图案(顶部插图)以及纳米线的Si晶格的高分辨率的TEM(HRTEM)图像所证明的那样。与典型的气液固(VLS)生长的光滑表面相比，金催化Si纳米线(图1板D)(Li，D.等人发表在Appl.Phys.Lett.83，2934-2936(2003)的“Thermal conductivity of individual silicon nanowires(单个硅纳米线的热导率)”；Hochbaum，A.I.，Fan，R.，He，R.& Yang，P.发表在Nano Lett.5，457-460(2005)的“Controlled growth of Si nanowirearrays for device integration(用于设备集成的Si纳米线的控制生长)”)，在此通过引用将其整体并入，EE Si纳米线中的那些非常粗糙。这些纳米线的平均粗糙度最高点(height)每个线都不同，但是典型地为1到5nm，粗糙度周期为几个纳米数量级。这个粗糙度可以归因于合成期间晶格的小面化和腐蚀水溶液中的蚀刻或者慢HF蚀刻以及横向氧化的随机性。
使用用于热电应用的Si纳米线的关键优点在于室温时电子和声子之间的平均自由程长度内的较大差别：在高度掺杂样品中，对电子而言1-10nm(Ashcroff，N.W.& Mermin，N.D.发表在SaundersCollege Publishing，Fort Worth，ch.1，2，13(1976)的“Solid StatePhysics(固态物理)”；Sze，S.M.发表在John Wiley & Sons，Inc.，New York，ch.1(1981)的“Physics of Semiconductor Devices(半导体设备的物理性质)”；在此通过引用将其整体并入)以及在室温对声子而言～300nm(Ju，Y.S.& Goodson，K.E.发表在Appl.Phys.Lett.74，3005-3007(1999)的“Phonon scattering in silicon films withthickness of order 100nm(在具有100nm数量级厚度的硅膜中的声子散射)”；在此通过引用将其整体并入)。电子的平均自由程通过le＝vth·τ计算，其中
Figure GPA00001111864300201
是电子的热速度，而
Figure GPA00001111864300202
是用迁移率(mobility)(μ)、有效导电电子质量(m*＝0.26·m0)、以及基本电荷(q)所表达的平均散射时间。对于高度掺杂的n型Si晶圆而言，迁移率从霍尔(Hall)测量(见例子2)中得出。在室温时μ＝265cm2·V-1·s-1，产生8.98nm的电子平均自由程。因为迁移率由于电离杂质散射而降低，更加高度掺杂的Si样品将具有更短的平均自由程。因此300nm之下的纳米结构Si应减小热导率而不显著地影响S2σ，其主要被电子迁移所控制。使用由在平行、悬浮的SiNx膜片上所支持的电阻线圈所组成的设备来表征这些分级构建的Si纳米线的热电导率(Li，D.等人发表在Appl.Phys.Lett.83，2934-2936(2003)的“Thermal conductivity of individual siliconnanowires(单个硅纳米线的热导率)”；Shi，L.等人发表在J.HeatTransf.125，881-888(2003)的“Measuring thermal and thermoelectricproperties of one-dimensional nanostructures using a microfabricateddevice(使用微制程设备测量一维纳米结构的热和热电特性)”，在此通过引用将其整体并入)。为了将纳米线固定(anchor)到膜片并减小接触电阻，使用聚焦离子束将Pt-C合成物沉积在两个端部上(图2，板A)。通过桥接纳米线热连接膜片，具有可忽略的通过除通过线传导以外的方式的来自热传输的泄露。使用纳米线的尺寸(dimension)从热传导中获取热导率，如通过SEM确定。
图2板B示出了测量的VLS和EE Si纳米线的热导率。先前已众所周知VLS Si纳米线的k强烈地依赖直径(14)，这归因于声子的边界散射。我们发现EE Si纳米线呈现出的k对直径的依赖相似于VLS生长线的k对直径的依赖。所惊讶的是k的量值(magnitude)是比可比直径的EE纳米线低4到7倍。因为声子频谱宽并且类普朗克(Planck-like)，通过以超过纳米线直径的其它的尺度引入散射来获得k的减小(Majumdar，A.发表在Science303，777-778(2004)的“Thermoelectricity in semiconductornanostructures(半导体纳米结构中的热电现象)”；Hsu，K.F.等人发表在Science 303，818-821(2004)的“Cubic AgPbmSbTe2+m：bulkthermoelectric materials with high figure of merit(正立方体AgPbmSbTe2+m：具有高优良指数的块热电材料)”；Harman，T.C.，Taylor，P.J.，Walsh，M.P.& LaForge，B.E.发表在Science 297，2229-2232(2002)的“Quantum dot superlattice thermoelectricmaterials and devices(量子点超晶格热电材料和设备)”；Venkatasubramanian，R.，Siivola，E.，Colpitts，T.& O′Quinn，B.发表在Nature413，597-602(2001)的“Thin-film thermoelectric deviceswith high room-temperature figures of merit(具有高室温优良指数的薄膜热电设备)”；Kim，W.等人发表在Phys.Rev.Lett.96，045901-1-045901-4(2006的“Thenrmal conductivity reduction andthermoelectric figure of merit increase by embedding nanoparticles incrystalline semiconductors(通过在晶体半导体中嵌入纳米粒子来减少导率和增加热电优良指数)”，在此通过引用将其整体并入)。在EE纳米线的情况下，通过散射中等到长波长的声子，在纳米线表面的粗糙度表现(behave)类似于晶体中的次生相粒子。粗糙度可能有助于较高的界面处声子的漫反射率或反向散射率。已经预测这些过程以影响Si纳米线的k，但不是这里所观察的程度(Zou，J.& Balandin，A.所著的“Phonon heat conduction in a semiconductorNanowire(半导体纳米线中的声子热传导)”，发表在J.App.Phys.89，2932-2938(2001)；Saha，S.，Shi，L.& Prasher，R.所著的“MonteCarlo simulation of phonon backscattering in a Nanowire(纳米线中的反向散射的蒙特卡洛仿真)”，发表在Proc.of Int.Mech.Eng.Congress and Exp.IMECE2006-15668：1-5(2006))。峰值k被移到比VLS纳米线的那个高得多的温度，并且两个都显著地高于块硅的k，其峰值为大约25K(Touloukian，Y.S.，Powell，R.W.，Ho，C.Y.& Klemens，P.G.所著的“Thermal Conductivity：Metallic Elementsand Alloys(热导率：金属元素和合金)”，发表在ThermophysicalProperties of Matter，v.1，IFI/Plenum，New York，339(1970)，通过引用将其整体并入)。这个移动暗示声子平均自由程由与本征倒逆散射相对的边界散射所限制。
为了进一步通过引入第三尺度来降低k(点缺陷)，自具有～1×1018cm-3的载流子浓度的高度掺杂(As)的n型(100)晶圆中蚀刻纳米线。这些纳米线的确显示出k从相似直径的低掺杂的EE硅纳米线(1×1014cm-3)中降低了4倍，如图2中板C所示。掺杂和同位素提纯块Si的研究已经注意到杂质散射的结果导致的k的减小(Weber，L.& Gmelin，E.发表在Appl.Phys.A53，136-140(1991)的“Transport properties of silicon(硅的传输特性)”；Brinson，M.E.& Dunstan，W发表在J.Phys.C 3，483-491(1970)的“Thermal conductivity and thermoelectric power of heavily dopedn-type silicon(高度掺杂的n型硅的热导率和热电功率)”；Ruf，T.等人发表在Solid State Commun.115，243-247(2000)的“Thermalconductivity of isotopically enriched silicon(同位素浓缩的硅的热导率)”，在此通过引用将其整体并入)。由于这种缺陷的原子本性，它们被期望主要地散射短波声子。在这些高度掺杂的纳米线的情况下，直径大约100nm的线的k被减小到在室温的1.5W·m-1·K-1。为了比较，非晶体的块SiO2的依赖温度的k(使用来自http://users.mrl.uiuc.edu/cahill/tcdata/tcdata.html的数据点，与Cahill，D.G.& Pohl，R.0.发表在Phys.Rev.B35，4067-4073(1987)的“Thermal conductivity of amorphous solids above the plateau(稳定状态上的非晶体固体的热导率)”中的测量一致，在此通过引用将其整体并入)也被绘制在图2的板B中，暗示高度掺杂的单晶EE Si纳米线的整个k在与绝缘玻璃的整个k做比较，其中声子的平均自由程大约为原子间间距。另外，用于半导体的峰值ZT被预测出现在1×1019cm-3的掺杂物浓度，所以最优地掺杂的线将可能具有甚至更低的k(Rowe，D.M.ed.所编的.“CRC Handbook ofThermoelectrics(CRC热电手册)”，CRC出版社，Boca Raton，ch.5(1995)，在此通过引用将其整体并入)。
在EE硅纳米线表面的声子的强散射的其它结果是随着温度降低，纳米线的k和块的k之间的差别变大。在低温，非常有助于块中热传输的长波声子模式(phonon mode)被有效地散射在被粗糙化的纳米线中。图3板A将75nm高度掺杂的EE硅纳米线的kbulk∶knw的比率制图为温度函数。当室温下knw比kbulk小一个数量级时，这个比率在低温时达到多于五个数量级。这种k的大差别非常预示着ZT的显著提高。
为了计算纳米线ZT，在从其蚀刻出纳米线的精确的晶圆上进行电阻率和塞贝克测量。EE反应在接近室温进行，所以期望在线内或外没有掺杂物或杂质扩散，即纳米线应保留晶圆的相同晶体结构和缺陷。另外地，因为纳米线比Si中电子的平均自由程大许多倍，不应出现显著的电子散射，并且电阻率和塞贝克系数应与块的电阻率和塞贝克系数一致(见用于测量的例子2)。75nm EE Si纳米线的ZT在靠近室温时最高在0.8(见图3板B)。尽管高度掺杂的Si的塞贝克系数起初随着温度降低而稍微增加，但该上升不足以抵消电阻率的快速增加。结果，ZT单调地随着温度降低。与优化地被掺杂的块Si(～1×1019cm-3)相比，EE纳米线的ZT在整个所测量的温度范围，比块Si的ZT是接近100倍大。
最后，我们已经示出了在通过晶圆规模制造技术来处理的直径75nm的粗糙Si纳米线中，在室温获得ZT＝0.8是可能的。另外，由于优化掺杂、直径减小、以及粗糙度控制，ZT可能上升地甚至更高。该ZT增加可以归因于有效地散射，遍布声子频谱，通过以不同尺度(直径、粗糙度、以及点缺陷)引入纳米结构。通过获得声子传输的宽带阻抗，我们已经展示了EE Si纳米线系统能够接近晶体内最小的晶格热导率的限制。另外，具有这里所报告的效率、并且自诸如Si的不昂贵和普遍存在的材料所生产的模块，将发现在废热利用、发电、以及固态冷冻中的广泛应用。此外，此研究中所开发的声子散射技术可能显著地增大ZT进一步地甚至于在其它材料中的ZT(没有理论极限)，并且产生具有替代机械发电和冷冻系统的潜在的高效固态设备。
例子2
纳米合成。标准的纳米合成在掺杂B的p型(100)Si晶圆上进行。晶圆芯片在丙酮和2-丙醇中被声处理(sonicate)，然后被放进0.02M的AgNO3和5M的氢氟酸(HF)的水溶液中的特弗隆衬里的高压釜内。该加压釜被密封并放在50℃的烤箱中一个小时。对于150μm长的纳米线，晶圆芯片被以相同的方式制备，并且被放在具有0.04M AgNO3和5M HF的高压釜内四小时。还从整个Si晶圆中蚀刻纳米线。清洁晶圆并将晶圆放在具有相同的蚀刻溶液的特弗隆盘子中并且在室温进行合成。以室温在敞开的盘子中蚀刻的晶圆产生相似于在高压釜内所蚀刻的线的线，但是长度上＜50μm。相同的反应条件被用在所有取向、掺杂类型和浓度的晶圆上。所有样品上的小区域具有以垂直角度所蚀刻的纳米线。
纳米线特性。通过裂开EE Si纳米线衬底和垂直于劈开的表面进行检查来制备截面(cross-sectional)样品。使用JEOL JSM-6340F场致发射SEM和FEI层(Strata)235双波束FIB来获得SEB图像。用飞利浦CM200/FEG(场致发射抢)显微镜在200kV收集TEM和HRTEM图像。
纳米线的热结合。使用FEI层235双波束FIB将EE Si纳米线结合到两个悬浮的SiNx。聚焦型电子(5kV，点尺寸3)或离子(Ga离子，30kV，10pA孔径)束被用来将Pt选择地沉积在桥接纳米线的两个端部中的任一个。入射光束导致来自下面的材料的表面的二次电子发射，局部分解了金属有机物Pt的前体(precursor)。注意沉积之后不立即将样品曝露给电子或离子照射，但是一些沉积总是出现在曝露区域的一到二微米半径内。
此沉积是以Pt碳合成物的形式，是由于远离照射区域的低强度的二次电子发射，并且是不可避免的。图4的板A示出了在靠近两个膜片之间的中点的两个桥接Si纳米线上的这种沉积的TEM。以在非晶体碳矩阵-有机金属的前体分解的产物内所嵌入的纳米粒子的形式来沉积Pt。纳米粒子没有形成连续的膜，并且Pt碳合成物对热传导性的帮助是可以忽略的，如通过第一次测量之后在同一个纳米线上重复的结合和过度沉积所展示的那样(图4板B)。两次测量的依赖温度的热导率是相同的。
纳米线测量的校准。为了展示这些热传输实验的精确度，用这个装置来测量SiO2纳米线的k。通过在1000℃干氧化VLS生长的Si纳米线24小时来制备SiO2纳米线。被氧化的线的TEM分析显示没有残留的晶体材料并且能量分散的X射线光谱确认纳米线内存在丰富的O。这些线的k(图4板C)非常接近块非晶体SiO2的k，这是所期望的，因为声子的平均自由程接近非晶体固体中的原子间间隔的平均自由程。结果，与块相比没有观察到增加的边界散射。
酮和2-丙醇中被声处理并且在30秒缓冲HF浴(buffered HF bath)内被除去它的天然氧化物。在去离子水中冲洗15秒后，晶圆立即被转移到高度真空的热蒸发室中。通过用铝箔遮盖剩余部分将20nm Ti和20nm Au仅沉积到Si芯片的角上。之后，通过溅射来沉积Au的另外～300nm。然后芯片被迅速地在450℃热退火(anneal)3分钟。铟被用来将外部的接触部丝焊(wire bond)到芯片上，并且依赖温度的电阻率通过霍尔测量(图5，模板A)来实验地确定。此电阻率对应于1.7×1018cm-3的掺杂浓度。就ZT的确定而言，通过线性内插来推断实验地测量的值之间的温度点。
塞贝克测量。通过在两个分隔3nm缝隙的热电(TE)设备之间固定芯片(1×1cm)，在自制的(home-built)低温恒温器设备内来测量块硅的塞贝克系数(S)。加热一个TE设备而冷却另一个设备生成了沿长度采样的温度梯度(ΔT)。固定在芯片的每个端部的两个T型热电偶(铜-钪(Copper-Constantan)，欧米茄模型5SRTC(Omega Model 5SRTC))和莱克斯霍模型(Lakeshore Model)331温度控制器被用来测量ΔT。吉时利2400型源计量器(KeithleyModel 2400source meter)控制TE设备的功率，并且跨样品的ΔT被维持在小于2K。为了测量样品的热电电压(ΔV)，吉时利2100型万用表(Keithley Model 2100multimeter)被连接到热电偶的两个铜探针。Si样品的S通过S＝-ΔV/ΔT来计算。Cu的S(～6uV/K)小于Si的S 1％并且计算中可以被忽略。所测量的塞贝克系数(图5板B)与文献数据(Geballe，T.H.& Hull，G.W.发表在Phys.Rev.，98，940(1955)的“Seebeck effect in silicon(硅中的塞贝克效应)”；Brinson，M.E.& Dunstan，W.发表在J.Phys.C 3，483491(1970)的“Thermal conductivity and thermoelectric power of heavily dopedn-type silicon(高度掺杂的n型硅的热导率和热电功率)”；vanHerwaarden，A.W.发表在Sensors and Actuators，6，245-254(1984)的“The Seebeck effect in silicon Ics(硅Ic中的塞贝克效应)”，的“The Seebeck effect in silicon Ics(硅Ic中的塞贝克效应)”，通过引用将其整体并入)非常一致。
尽管已经参考其中的具体实施例描述了本发明，但熟悉本领域的技术人员应理解到在不背离本发明的真实精神和范围的情况下，可以进行不同的变化并且也可以进行等同替代。另外，可以进行许多修改以适应特定的环境、材料、物质的组成、过程、过程步骤或步骤，以适应本发明的目的、精神和范围。所有这样的修改都旨在于被包括在附于此的权利要求书的范围内。

Claims (27)

1.一种包含粗糙表面的一维(1-D)或二维(2-D)纳米结构，其中所述纳米结构包含半导体，并且可选地被掺杂，条件是所述纳米结构不是通过将洁净的p型(111)取向的硅衬底在50℃浸入水性HF/AgNO3溶液中20分钟所制备的硅纳米线。
2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述半导体包含元素Si、Ge、GaAs、CdSe、GaN、AIN、Bi2Te3、ZnO、以及类似物、或者其组合，并且可选地掺杂有五价元素或三价元素。
3.根据权利要求2所述的纳米结构，其中所述半导体包含Si、Ge或其组合。
4.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构是1-D纳米结构。
5.根据权利要求4所述的纳米结构，其中所述1-D纳米结构是纳米线。
6.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构是2-D纳米结构。
7.一种包含一个或多个一维(1-D)或两维(2-D)纳米结构的设备，该纳米结构包含粗糙表面，其中每个纳米结构包含半导体，并且可选地被掺杂，其中每个纳米结构接触第一电极和第二电极。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一电极包含第一不透明材料且所述第二电极包含第二不透明材料，其中所述第一和第二不透明材料是相同或不同的材料。
9.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一电极和所述第二电极是在电气通信中。
10.根据权利要求7所述的设备，其中当所述第一电极和所述第二电极之间存在温度差别时，使得通过所述纳米结构产生电流。
11.一种产生电流的方法，包含：
(a)提供权利要求10的所述设备，以及
(b)提高所述第一电极的温度，以便产生电流，该电流从所述第一电极流向所述纳米结构、并且通过所述纳米结构流向所述第二电极。
12.一种设备，包含：
(a)第一电极；
(b)第二电极；
(c)第三电极；
(d)包含粗糙表面的第一多个一维(1-D)或二维(2-D)的纳米结构，其中每个纳米结构包含半导体，并且可选地被掺杂；以及，
(e)包含粗糙表面的第二多个1-D或2-D纳米结构，所述每个纳米结构包含半导体，并且可选地被掺杂。
其中所述第一多个纳米结构接触所述第一电极和所述第三电极，所述第二多个纳米结构接触所述第一电极和所述第二电极，并且所述第二电极与所述第三电极在电气通信中；使得当所述第一电极比所述第二电极具有更高的温度时，产生电流，该电流从所述第二电极流向所述第二多个纳米结构、通过所述第二多个纳米结构流向所述第一电极、通过所述第一电极流向所述第一多个纳米结构、通过所述第一多个纳米结构流向所述第三电极。
13.一种包含权利要求12中的所述设备的热电发电机。
14.一种包含权利要求12中的所述设备的热电冷却器。
15.一种产生电流的方法，包含：
(a)提供权利要求12的所述设备，以及
(b)提高所述第一电极的温度；使得产生电流，该电流从所述第二电极流向所述第二多个纳米结构、通过所述第二多个纳米结构流向所述第一电极、通过所述第一电极流向所述第一多个纳米结构、通过所述第一多个纳米结构流向所述第三电极。
16.一种降低局部的温度的方法，包含：
(a)提供利要求12的所述设备，其中电力与所述第二和第三电极进行通信并且所述第一电极在所述局部或接近所述局部，以及
(b)电流从所述第二电极流向所述第二多个纳米结构、通过所述第二多个纳米结构流向所述第一电极、通过所述第一电极流向所述第一多个纳米结构、通过所述第一多个纳米结构流向所述第三电极；使得在所述局部的温度被降低。
17.一种包含权利要求4的所述的1-D纳米结构中的一个或多个的设备，其中1-D纳米结构包含第一端部和第二端部，其中所述第一端部接触第一电极而所述第二端部接触第二电极。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述1-D纳米结构是纳米线。
19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第一电极包含第一不透明材料而所述第二电极包含第二不透明材料，其中所述第一和第二不透明材料是相同或不同的材料。
20.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一电极和所述第二电极是在电气通信中。
21.根据权利要求17所述的设备，其中当所述第一电极和所述第二电极之间存在温度差别时，使得通过所述1-D纳米结构产生电流。
22.一种产生电流的方法，包含：
(a)提供权利要求21的所述设备，以及
(b)提高所述第一电极的温度，使得产生电流，该电流从所述第一电极流向所述1-D纳米结构、并且通过所述1-D纳米结构流向所述第二电极。
23.一种设备，包含：
(a)第一电极；
(b)第二电极；
(c)第三电极；
(d)第一多个1-D纳米结构，每个包含具有第一端部和第二端部的细长形状，以及粗糙表面，其中每个1-D纳米结构包含半导体，掺杂有三价元素；以及，
(f)第二多个1-D纳米结构，每个包含具有第一端部和第二端部的细长形状，以及粗糙表面，其中每个1-D纳米结构包含半导体，掺杂有五价元素。
其中所述第一多个1-D纳米结构的所述第一端部接触所述第一电极，所述第一多个1-D纳米结构的所述第二端部接触所述第三电极，所述第二多个1-D纳米结构的所述第一端部接触所述第一电极，所述第二多个1-D纳米结构的所述第二端部接触所述第二电极，以及所述第二电极与所述第三电极是在电气通信中；使得当所述第一电极比所述第二电极具有更高的温度时，产生电流，该电流从所述第二电极流向所述第二多个1-D纳米结构、通过所述第二多个1-D纳米结构流向所述第一电极、通过所述第一电极流向所述第一多个1-D纳米结构、通过所述第一多个1-D纳米结构流向所述第三电极。
24.一种包含权利要求23的所述设备的热电发电机。
25.一种包含权利要求23的所述设备的热电冷却器。
26.一种产生电流的方法，包含：
(a)提供权利要求23的所述设备，以及
(b)提高所述第一电极的温度；使得产生电流，该电流从所述第二电极流向所述第二多个1-D纳米结构、通过所述第二多个1-D纳米结构流向所述第一电极、通过所述第一电极流向所述第一多个1-D纳米结构、通过所述第一多个1-D纳米结构流向所述第三电极。
27.一种降低局部的温度的方法，包含：
(a)提供利要求23的所述设备，其中电力与所述第二和第三电极进行通信，而且所述第一电极在所述局部或接近所述局部，以及
(b)电流从所述第二电极流向所述第二多个1-D纳米结构、通过所述第二多个1-D纳米结构流向所述第一电极、通过所述第一电极流向所述第一多个1-D纳米结构、通过所述第一多个1-D纳米结构流向所述第三电极；使得在所述局部的温度被降低。
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