CN101809682B

CN101809682B - 同轴电缆

Info

Publication number: CN101809682B
Application number: CN200880108312.7A
Authority: CN
Inventors: 谷北真澄; 芹泽肇
Original assignee: Polyplastics Co Ltd
Current assignee: Polyplastics Co Ltd
Priority date: 2007-09-25
Filing date: 2008-05-23
Publication date: 2013-02-13
Anticipated expiration: 2028-05-23
Also published as: KR101131131B1; JP5281580B2; TW200915353A; JPWO2009041116A1; WO2009041116A1; EP2202759A4; EP2202759A1; CN101809682A; KR20100046282A

Abstract

提供一种高频用同轴电缆，在同轴电缆中的内部导体上包覆形成的绝缘体层具有充分的耐侧压性，传输中的衰减量较低。通过使包含环状烯烃系树脂、低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯的树脂组合物发泡成形，从而能够形成与现有的绝缘层相比发泡度更高、且机械强度优异的绝缘层。其结果，能够提供如下高频用同轴电缆：在同轴电缆中的内部导体上包覆形成的绝缘体层的介质损耗角正切和介电常数降低，传输特性和机械特性优异。

Description

同轴电缆

技术领域

本发明涉及使用了环状烯烃系树脂的同轴电缆。

背景技术

近年来，对手机、因特网、无线局域网(Local Area Network)等通信的宽带化的要求日益增高。并且，为了更高速且大量地传输信息，电信号的高频化正在显著发展。因此，要求在高频带衰减量少且信号延迟少的同轴电缆。

同轴电缆主要由中心导体、设置于其上的绝缘体层和设置于其外周的外部导体构成。高频带下的低衰减量受到重视，对于实现高频同轴电缆而言降低绝缘体层的介质损耗角正切是最有效的。另外，为了进一步低衰减化，发泡是有效的。然而，发泡会导致绝缘层的耐侧压性降低，可能会产生发泡体的形状难以维持的问题。

为了减小绝缘层的介电常数，已知提高绝缘层的发泡度是有效的。另外，作为介质损耗角正切较小的绝缘材料，可列举出环状烯烃系树脂。环状烯烃系树脂不仅发泡成形性良好，还被期待高刚性带来的耐侧压性也优异的特性。

因此，专利文献1中公开了一种使用了降冰片烯树脂的高频用同轴电缆。另外，专利文献2中公开了一种通过将环状烯烃-乙烯共聚物与聚烯烃等共混而成的耐侧压性优异的绝缘材料。

专利文献1：日本特开2000-297172号公报

专利文献2：日本特开2000-311519号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，要求一种在高频带下衰减量更小的同轴电缆，要求进行改良以形成与专利文献1、专利文献2的同轴电缆相比性能更高的同轴电缆。由专利文献1、专利文献2的实施例可知，前者的绝缘体层的发泡度为约62％，后者为约72％。因此，为了实现在高频带下衰减量更小的同轴电缆，考虑通过提高绝缘体层的发泡度来进行改善的方法。然而，通常若提高发泡度，则由于发泡孔(foam cell)的膨胀而耐侧压性恶化，不仅如此，若发泡孔破裂，则无法获得低介电常数的绝缘层。因此寻求一种如下所述的同轴电缆：即便提高发泡度，也能保持发泡孔的独立，具有能够充分作为同轴电缆而使用的耐侧压性。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种绝缘体层具有能够充分作为同轴电缆而使用的耐侧压性、且绝缘体层的发泡度更高的同轴电缆。

用于解决问题的方案

本发明人等发现，通过使包含环状烯烃系树脂、低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯的树脂组合物发泡成形，能够解决上述课题，从而完成了本发明。更具体而言，本发明提供如下方案。

(1)一种同轴电缆，其具备使包含环状烯烃系树脂、低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯的树脂组合物发泡成形而成的层作为绝缘层，所述绝缘层的发泡度为80％至90％。

根据(1)的方案，本发明的同轴电缆内的绝缘层包含环状烯烃系树脂。环状烯烃树脂的特征在于，其具有低介质损耗角正切、低介电常数、良好的发泡成形性，而且具有高弹性模量，从而期待发泡成形体的耐侧压性的提高。因此，由于本发明的同轴电缆内的绝缘层具有这些特性，因而本发明的同轴电缆可以优选作为高频用而使用。另一方面，环状烯烃系树脂具有挠性不足的缺点。然而，本发明的同轴电缆内的绝缘层包含挠性优异的低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯。因此，可以弥补环状烯烃系树脂的缺点，制作挠性优异的绝缘层。

此外，由于低密度聚乙烯等还具有良好的发泡成形性，因而从提高绝缘层的发泡度的观点出发也优选包含。

发泡度表示绝缘层中所含的气泡的程度。气泡越多，则绝缘层内介电常数较低的气体所占的比例越多。因此，发泡度高，则同轴电缆内的绝缘层的介质损耗角正切和介电常数降低，能够获得即便在高频下衰减量也小的同轴电缆。本发明的同轴电缆中的绝缘层能够实现与现有的同轴电缆相比更高的发泡度。其原因在于，环状烯烃系树脂的良好的耐侧压性、以及环状烯烃系树脂与低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯所具有的良好的发泡成形性。这是因为若发泡成形性良好，则即便提高发泡度，发泡孔也能够独立存在。另外，本说明书中的发泡度是指通过下述式(1)求得的发泡度。

[数学式1]

(2)根据(1)所述的同轴电缆，所述树脂组合物含有20质量％至50质量％的所述环状烯烃系树脂，含有总量为50质量％至80质量％的所述低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯。

根据(2)的方案，通过使同轴电缆内的绝缘层中所含的环状烯烃系树脂的含量在上述范围，从而能够充分发挥环状烯烃系树脂所具有的良好的发泡成形性、低介电常数、耐侧压性等效果。另外，通过使环状烯烃系树脂的含量在上述范围，从而能够利用聚乙烯来充分弥补挠性略微不足的缺点。因此，通过将上述绝缘层用于同轴电缆中，能够获得进一步适于高频用的同轴电缆。

另外，通过使同轴电缆内的绝缘层中所含的低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯的总量在上述范围，从而能够充分发挥上述聚乙烯的挠性优异这一效果，并且能够利用环状烯烃系树脂充分弥补介电常数高这一缺点。因此，能够获得更适于高频用的同轴电缆。

(3)根据(1)或(2)所述的同轴电缆，所述绝缘层的抗压强度为800N/cm²以上，衰减量为27dB/100m以下。

根据(3)的发明，通过提高同轴电缆内的绝缘层的发泡度，增加绝缘层内的空孔，从而能够降低绝缘层的介电常数，即便使衰减量为27dB/100m以下，抗压强度也在800N/cm²以上，因此能够获得机械强度足够优异的同轴电缆。另外，本发明的同轴电缆内的绝缘层包含低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯。因此，由于同轴电缆中的其他材料挠性均优异，因而绝缘层的挠性优异，从而同轴电缆整体的挠性也优异，作为同轴电缆更优选。

抗压强度是指，对于压缩载荷，材料所能承受的最大应力，其为表示同轴电缆中的绝缘层的耐侧压性的指标之一。抗压强度低的绝缘层由于在制作、使用同轴电缆时等所施加的力而会破损，因此不优选作为高频用同轴电缆的绝缘层。本发明中使用的绝缘层的抗压强度为800N/cm²以上，因而作为同轴电缆用的绝缘层可以优选使用。

本发明的同轴电缆内的绝缘层的抗压强度优选为800N/cm²以上。若抗压强度为800N/cm²以上，则具有充分的机械强度，因而可以优选作为同轴电缆用的绝缘层加以利用。

本发明的同轴电缆内的绝缘层的衰减量优选为27dB/100m以下。若衰减量超过27dB/100m，则传输损耗增大，电子仪器等的正常工作可能会受损。

通常若介质损耗角正切大，则信号会衰减。尤其是，在高频带中，介质损耗角正切会对衰减量造成较大影响。因此，为了减小高频带下的同轴电缆的衰减量，多要求绝缘层的介质损耗角正切较小。

(4)根据(1)至(3)中任一项所述的同轴电缆，所述绝缘层的水分透过量为0.55g/m²·day·atm以下。

根据(4)的方案，本发明的同轴电缆内的绝缘层几乎不透过会导致衰减量增加的高介电常数的水分子，因而更适于高频用。另外，能够防止由于水分透过绝缘层而腐蚀内部导体。因此，可以获得能够长期使用的同轴电缆。

本发明的同轴电缆中使用的绝缘层的水分透过率优选为0.55g/m²·day·atm以下。若超过0.55g/m²·day·atm，则容易附着水分，严重的情况下还可能产生腐蚀等而引起导通不良。

(5)根据(1)至(4)中任一项所述的同轴电缆，所述绝缘层在1GHz至10GHz的频率区域中的相对介电常数为1.20以下。

根据(5)的方案，通过谋求本发明的同轴电缆中使用的绝缘材料的介电常数的低介电常数化，可获得在同轴电缆中的传输中信号的延迟时间少、且能够应对通信的高速大容量化的同轴电缆。

同轴电缆中的绝缘层的介质损耗角正切越低，则同轴电缆的衰减量越小。

本发明的同轴电缆内的绝缘层在1GHz至10GHz的频率区域中的相对介电常数优选为1.20以下。若上述频率区域中的相对介电常数为1.20以下，则信号的延迟较少，因而优选。

(6)根据(1)至(5)中任一项所述的同轴电缆，所述环状烯烃系树脂为环状烯烃与α-烯烃的共聚物或其加氢物。

根据(6)的方案，通过使环状烯烃系树脂具有上述的组成，从而具有作为同轴电缆的信号传输特性、挠性、抗压强度、水分透过特性等的平衡优异的效果。

(7)根据(1)至(6)中任一项所述的同轴电缆，所述环状烯烃系树脂在1GHz至10GHz的频率区域中的相对介电常数为2.3以下，介质损耗角正切为4×10^-4以下，室温下的弯曲模量为2.0GPa以上。

根据(7)的方案，由于本发明的同轴电缆内的绝缘层中所含的环状烯烃系树脂的介质损耗角正切较低，因而只要使用该环状烯烃系树脂，则能够制作介质损耗角正切较低的绝缘层。若绝缘层的介质损耗角正切较低，则同轴电缆的衰减量减小。因此，具有该介质损耗角正切较低的绝缘层的同轴电缆适于高频用。

另外，通过使用相对介电常数较小的环状烯烃树脂，信号的延迟时间减小，能够获得作为高频用同轴电缆优异的特性。

弯曲模量是指材料对于弯曲应力的抗变形度。弯曲模量较高的材料对于弯曲应力的耐性优异，机械强度增强，因而优选。本说明书中的弯曲应力为基于ISO 178而测得的弯曲模量。另外，本发明的同轴电缆中的绝缘层包含低密度聚乙烯等具有挠性的材料。因此，能够防止形成较脆的材料。

环状烯烃系树脂的弯曲模量优选为2GPa以上，更优选为2GPa以上3.5GPa以下。若弯曲模量低于2GPa，则耐侧压性受损，若超过3.5GPa，则会损害挠性，缩小配合范围。

发明的效果

根据本发明，能够获得具有能够充分作为同轴电缆而使用的耐侧压性、且具备绝缘体层的发泡度更高的绝缘层的同轴电缆。由于同轴电缆内的绝缘层的发泡度较高，从而绝缘层的介质损耗角正切和介电常数降低，可以优选作为高频用的同轴电缆而加以利用。

附图说明

图1为表示挤出装置的图。

图2为表示同轴电缆制造装置的图。

附图标记说明

1第一挤出机

2第二挤出机

3加料斗

4发泡剂压入口

5导体输出机

6导体加热机

7直角口模(crosshead die)

8冷却装置

9牵引机

10卷绕机

11内部导体

12电线

具体实施方式

以下，对本发明的同轴电缆的实施方式进行详细说明，但本发明不受以下实施方式的任何限制，在本发明的目的的范围内，可以加以适当变更而实施。另外，对于说明重复之处，有时会适当省略说明，但并不限定本发明的主旨。

<环状烯烃系树脂>

以下，对作为本发明的同轴电缆的必须成分的环状烯烃系树脂进行说明。环状烯烃系树脂由于具有低介质损耗角正切、低介电常数、发泡成形性、低吸水性、耐侧压性等性质，因而优选作为用于同轴电缆的绝缘层中所含的材料。本发明中使用的环状烯烃系树脂包含环状烯烃成分作为共聚成分，只要是主链中含有环状烯烃成分的聚烯烃系树脂，则没有特别限制。例如，可列举出：

(a1)环状烯烃的加成聚合物或其加氢物，

(a2)环状烯烃与α-烯烃的加成共聚物或其加氢物，

(a3)环状烯烃的开环(共)聚合物或其加氢物。

另外，作为本发明中使用的包含环状烯烃成分作为共聚成分的环状烯烃系树脂，可列举出：

(a4)在上述(a1)～(a3)的树脂上接枝和/或共聚具有极性基团的不饱和化合物而成的物质。

作为极性基团，可列举出例如羧基、酸酐基、环氧基、酰胺基、酯基、羟基等，作为具有极性基团的不饱和化合物，可列举出(甲基)丙烯酸、马来酸、马来酸酐、衣康酸酐、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸烷基(碳原子数1～10)酯、马来酸烷基(碳原子数1～10)酯、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯等。

本发明中，包含上述环状烯烃成分作为共聚成分的环状烯烃系树脂(a1)～(a4)可以单独使用1种，也可以将二种以上混合使用。本发明中，可以优选使用(a2)环状烯烃与α-烯烃的加成共聚物或其加氢物。

另外，作为本发明中使用的包含环状烯烃成分作为共聚成分的环状烯烃系树脂，也能够使用市售的树脂。作为市售的环状烯烃系树脂，可列举出例如TOPAS(注册商标)(TOPASADVANCED POLYMER公司制)、Apel(注册商标)(三井化学公司制)、ZEONEX(注册商标)(ZEON Corp.制)、ZEONOR(注册商标)(ZEON Corp.制)、ARTON(注册商标)(JSR公司制)等。

作为优选用于本发明的组合物的(a2)环状烯烃与α-烯烃的加成共聚物，没有特别限制。作为尤其优选的例子，可列举出包含[1]碳原子数2～20的α-烯烃成分、和[2]下述通式(I)所示的环状烯烃成分的共聚物。

(式中，R¹～R¹²可以分别相同也可以不同，为选自由氢原子、卤素原子、和烃基构成的组中的物质，R⁹与R¹⁰、R¹¹与R¹²可以一体化而形成2价的烃基，R⁹或R¹⁰、与R¹¹或R¹²也可以相互形成环。另外，n表示0或正的整数，在n为2以上时，R⁵～R⁸在各自的重复单元中可以分别相同也可以不同。)

[[1]碳原子数2～20的α-烯烃成分]

在本发明中优选使用的环状烯烃成分与乙烯等其他共聚成分的加成聚合物中，作为共聚成分的碳原子数2～20的α-烯烃没有特别限制。可列举出例如乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3-甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-己烯、4，4-二甲基-1-己烯、4，4-二甲基-1-戊烯、4-乙基-1-己烯、3-乙基-1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯、1-二十碳烯等。另外，这些α-烯烃成分可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。这些当中，最优选单独使用乙烯。

[[2]通式(I)所示的环状烯烃成分]

在本发明中优选使用的环状烯烃成分与乙烯等其他共聚成分的加成聚合物中，对作为共聚成分的通式(I)所示的环状烯烃成分进行说明。

通式(I)中的R¹～R¹²可以分别相同也可以不同，为选自由氢原子、卤素原子、和烃基构成的组中的物质。

作为R¹～R⁸的具体例子，可列举出例如氢原子；氟、氯、溴等卤素原子；甲基、乙基、丙基、丁基等低级烷基等，它们可以分别不同，也可以部分不同，另外，也可以全部相同。

另外，作为R⁹～R¹²的具体例子，可列举出例如氢原子；氟、氯、溴等卤素原子；甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、己基、硬脂基等烷基；环己基等环烷基；苯基、甲苯基、乙基苯基、异丙基苯基、萘基、蒽基等取代或无取代的芳香族烃基；苄基、苯乙基、其他烷基被芳基取代而成的芳烷基等，它们可以分别不同，也可以部分不同，另外，也可以全部相同。

作为R⁹与R¹⁰、或R¹¹与R¹²一体化而形成2价的烃基时的具体例子，可列举出例如亚乙基、亚丙基、异亚丙基等亚烷基等。

在R⁹或R¹⁰、和R¹¹或R¹²相互形成环的情况下，所形成的环可以为单环也可以为多环，可以为具有桥的多环，也可以为具有双键的环，而且还可以为由这些环的组合构成的环。另外，这些环可以具有甲基等取代基。

作为通式(I)所示的环状烯烃成分的具体例子，可列举出二环[2.2.1]庚-2-烯(惯用名：降冰片烯)、5-甲基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5，5-二甲基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-乙基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-丁基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-亚乙基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-己基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-辛基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-十八烷基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-亚甲基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-乙烯基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-丙烯基-二环[2.2.1]庚-2-烯等2环的环状烯烃；

三环[4.3.0.1^2，5]癸-3，7-二烯(惯用名：二环戊二烯)、三环[4.3.0.1^2，5]癸-3-烯；三环[4.4.0.1^2，5]十一碳-3，7-二烯或三环[4.4.0.1^2，5]十一碳-3，8-二烯或它们的部分加氢物(或环戊二烯与环己烯的加成物)即三环[4.4.0.1^2，5]十一碳-3-烯；5-环戊基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-环己基-二环[2.2.1]庚-2-烯、5-环己烯基二环[2.2.1]庚-2-烯、5-苯基-二环[2.2.1]庚-2-烯等3环的环状烯烃；

四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯(也简称为四环十二碳烯)、8-甲基四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-乙基四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-亚甲基四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-亚乙基四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-乙烯基四环[4，4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-丙烯基-四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯等4环的环状烯烃；

8-环戊基-四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-环己基-四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-环己烯基-四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯、8-苯基-环戊基-四环[4.4.0.1^2，5.1^7，10]十二碳-3-烯；四环[7.4.1^3，6.0^1，9.0^2，7]十四碳-4，9，11，13-四烯(也称为1，4-亚甲基-1，4，4a，9a-四氢芴)、四环[8.4.1^4，7.0^1，10.0^3，8]十五碳-5，10，12，14-四烯(也称为1，4-亚甲基-1，4，4a，5，10，10a-六氢蒽)；五环[6.6.1.1^3，6.0^2，7.0^9，14]-4-十六碳烯、五环[6.5.1.1^3，6.0^2，7.0^9，13]-4-十五碳烯、五环[7.4.0.0^2，7.1^3，6.1^10，13]-4-十五碳烯；七环[8.7.0.1^2，9.1^4，7.1^11，17.0^3，8.0^12，16]-5-二十碳烯、七环[8.7.0.1^2，9.0^3，8.1^4，7.0^12，17.1^13，16]-14-二十碳烯；环戊二烯的四聚体等多环的环状烯烃。

这些环状烯烃成分可以单独使用1种，另外也可以组合使用2种以上。这些当中，优选使用二环[2.2.1]庚-2-烯(惯用名：降冰片烯)、四环十二碳烯。

[1]碳原子数2～20的α-烯烃成分与[2]通式(I)所示的环状烯烃成分的聚合方法以及所得的聚合物的加氢方法，没有特别限制，可以根据公知的方法而进行。可以为无规共聚，也可以为嵌段共聚，但优选为无规共聚。

另外，关于所使用的聚合催化剂，没有特别限制，可以使用齐格勒-纳塔(Ziegler-Natta)系、复分解(metathesis)系、金属茂系催化剂等现有周知的催化剂通过周知的方法而获得。本发明中优选使用的环状烯烃与α-烯烃的加成共聚物或其加氢物，优选使用金属茂系催化剂或齐格勒-纳塔系催化剂来制造。

作为复分解催化剂，可列举出作为环烯烃的开环聚合用催化剂而公知的钼或钨系复分解催化剂(例如，日本特开昭58-127728号公报、日本特开昭58-129013号公报等中有记载)。另外，通过复分解催化剂而获得的聚合物优选使用无机载体负载过渡金属催化剂等，使主链中90％以上的双键、侧链的芳香环中98％以上的碳-碳双键加氢。

[其他共聚成分]

本发明的组合物中尤其优选使用的(a2)环状烯烃与α-烯烃的加成共聚物，除了含有上述[1]碳原子数2～20的α-烯烃成分和[2]通式(I)所示的环状烯烃成分以外，在不损害本发明的目的的范围内，根据需要还可以含有其他能够共聚的不饱和单体成分。

作为可以被任意共聚的不饱和单体，没有特别限制，可列举出例如1分子内包含2个以上碳-碳双键的烃系单体等。作为1分子内包含2个以上碳-碳双键的烃系单体的具体例子，可列举出1，4-己二烯、1，6-辛二烯、2-甲基-1，5-己二烯、4-甲基-1，5-己二烯、5-甲基-1，5-己二烯、6-甲基-1，5-庚二烯、7-甲基-1，6-辛二烯等链状非共轭二烯；环己二烯、二环戊二烯、甲基四氢茚、5-乙烯基-2-降冰片烯、5-亚乙基-2-降冰片烯、5-亚甲基-2-降冰片烯、5-异亚丙基-2-降冰片烯、6-氯甲基-5-异丙烯基-2-降冰片烯、4，9，5，8-二亚甲基-3a，4，4a，5，8，8a，9，9a-八氢-1H-苯并茚等环状非共轭二烯；2，3-二异亚丙基-5-降冰片烯；2-亚乙基-3-异亚丙基-5-降冰片烯；2-丙烯基-2，2-降冰片二烯等。这些当中，优选1，4-己二烯、1，6-辛二烯、和环状非共轭二烯，尤其是二环戊二烯、5-亚乙基-2-降冰片烯、5-乙烯基-2-降冰片烯、5-亚甲基-2-降冰片烯、1，4-己二烯、1，6-辛二烯。

绝缘层中的环状烯烃系树脂的含量优选为20质量％～50质量％。若低于20质量％，则作为同轴电缆的信号传输特性、抗压强度、水分透过性等低劣，若超过50质量％，则可能无法获得充分的挠性。

<聚乙烯>

对作为本发明的同轴电缆的必须成分的低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯进行说明。低密度聚乙烯和直链状低密度聚乙烯由于具有挠性，因而优选作为用于同轴电缆内的绝缘层中的材料。

低密度聚乙烯、和直链状低密度聚乙烯的由JIS K6922-1规定的MFR(melt flow rate，熔体流动速率)优选为1.0～10.0g/10min，更优选为2.0～8.0g/10min。在低于1.0g/10min的情况下，虽然能获得挠性，但流动性恶化，可能无法获得良好的成形加工性，若超过10.0g/10min，则虽然成形加工性良好，但可能无法获得挠性。

尤其是，低密度聚乙烯与直链状低密度聚乙烯的总含量优选为50质量％～80质量％。若低于50质量％，则可能无法获得充分的挠性，若超过80质量％，则可能无法将绝缘层的介电常数保持为较低。

<其他成分>

本发明的同轴电缆内的绝缘层中，在不损害其特性的范围内，根据需要可以添加其他热塑性树脂、各种配合剂等。作为其他树脂，例如，可例示其他聚烯烃系树脂、聚苯乙烯系树脂、氟树脂等。这些其他树脂可以单独使用，也可以组合2种以上使用。此外，在同轴电缆需要挠性的情况下，优选在环状聚烯烃系树脂中添加弹性体。所添加的弹性体只要不损害同轴电缆的衰减量等特性，则没有特别限制，例如，优选聚烯烃系弹性体或苯乙烯系弹性体。尤其是，在取得衰减量和挠性的平衡的方面，优选聚烯烃系弹性体。另外，作为配合剂，可例示出稳定剂(氧化防止剂或抗氧化剂、耐重金属稳定剂、紫外线吸收剂、热稳定剂等)、抗静电剂、阻燃剂、阻燃助剂、着色剂(染料或颜料等)、润滑剂、增塑剂、滑剂、脱模剂、结晶成核剂、抗滴落剂、交联剂等。由于同轴电缆的绝缘层与作为导体的铜等金属接触，因而优选添加耐重金属稳定剂。作为耐重金属稳定剂，可例示出水杨酸衍生物(例如，商品名ADKSTAB CDA6)、酰肼衍生物(例如，商品名Irganox MD 1024)、草酸酰胺衍生物(例如，商品名Naugard XL-1)、含硫亚磷酸盐化合物(例如，商品名Hostanox OSP-1)等，只要不损害同轴电缆的特性，则耐重金属稳定剂的种类没有特别限制。对于耐重金属稳定剂的添加量也没有特别限制，但通常相对于树脂成分优选使用0.3质量％以下的添加量。对于添加方法没有特别限制，但更优选预先添加到环状聚烯烃系树脂、聚乙烯树脂、其他添加树脂等中。

<同轴电缆>

同轴电缆的构成没有特别限制，例如，作为最一般的例子可列举出由内部导体、绝缘层、外部导体、外壳构成的同轴电缆。本说明书中的“具备使树脂组合物发泡成形而成的层作为绝缘层”是指在内部导体上包覆形成的绝缘层。一般的同轴电缆在其绝缘层上包覆形成用于电磁屏蔽等的外部导体，进而在其上包覆形成外壳。

内部导体只要是具有导电性的物质则没有特别限制，可列举出例如铜或铜合金等导电性金属。另外，内部导体也可以使用将多根导电性金属线材加捻而成的绞合金属线。

外部导体例如构成为多根导体线材以网眼状编织而成的导体编组。作为在外部导体中使用的导体线材，例如使用铜线或铜合金。另外，除了以编组形式构成以外，还可列举出将带状的导体进行螺旋卷绕、复叠绕等的方法。

本发明中的树脂组合物的发泡成形的方法只要是能够实现所期望的发泡度的方法，则没有特别限制。作为优选的发泡成形的方法可列举出气体发泡。

气体发泡是指如下方法：在熔融挤出机内压入发泡剂，在导体上包覆绝缘材料并挤出的同时使其发泡。作为发泡剂，可列举出氮气、氩气、二氧化碳气体等惰性气体；甲烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷、碳氟化合物等的气体。此外，还可以并用发泡助剂。可列举出例如尿素、尿素系化合物、锌华、硬脂酸锌等发泡助剂。发泡剂、发泡助剂不限于这些物质。另外，这些发泡剂等可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。

发泡剂可以预先与被发泡有机高分子混合，或者也可以从设置于挤出机的筒体上的发泡剂供给口而供给于挤出机内。

发泡度优选为80％～90％。若发泡度低于80％，则绝缘层的介电常数、介质损耗角正切升高，作为高频同轴电缆的特性可能会不充分。若发泡度超过90％，则可能无法维持绝缘层的充分的机械强度。

<同轴电缆的制造方法>

制造本发明的同轴电缆的方法没有特别限制，可以使用一般的方法。例如，可列举出通过挤出机来制造同轴电缆。另外，挤出机的种类例如为双螺杆挤出机、单螺杆挤出机，或者也可以为将它们连接并赋予了气体注入和包覆功能的机器。

同轴电缆的制造如下：例如，使用发泡剂，通过挤出机而在内部导体上挤出发泡成形，在内部导体的外周包覆形成发泡绝缘层。在内部导体上包覆发泡绝缘层时，通常使用直角口模等包覆装置。通常，即便在空气中将内部导体导入包覆装置中，也能不损害同轴电缆特性地制造。在制造衰减量非常低的同轴电缆时，若使内部导体导入部充满氮气等惰性气体等对包覆装置下了功夫，则能够抑制因空气导致的树脂成分的氧化，为了达到特性稳定化的目的而有时优选。利用通常的方法进一步在该发泡绝缘层上包覆成形外部导体，最后利用通常的方法在外部导体上包覆成形外壳。

实施例

以下，示出实施例和比较例对本发明进行具体说明，但本发明不限于这些实施例。

<各种材料>

[环状烯烃树脂]

·TOPAS ADVANCED POLYMER公司制，商品名：TOPAS8007F-04、TOPAS6013S-04、TOPAS6015S-04

·ZEON Co.，Ltd.，制，商品名：ZEONOR 1060R

测定上述环状烯烃树脂的弹性模量、比重、介电常数、介质损耗角正切。弹性模量根据ISO 178进行测定。介电特性(介电常数、介质损耗角正切)使用Agilent公司制Network analyzer8757D和关东电子株式会社制空腔谐振器复介电常数测定装置，在23℃下通过空腔谐振器扰动法测定1GHz、3GHz、10GHz下的相对介电常数。另外，测定时，使绝缘层形成规定的形状(

长度80mm)，插入空腔谐振器中。各测定结果示于表1。

[表1]

由表1可确认，上述环状烯烃的弹性模量在2.0GPa以上3.5GPa以下，因而具备充分的耐侧压性和适度的挠性。另外，由于介电常数为2.3以下、且介质损耗角正切为4×10^-4以下，因而能够防止发泡成形后的绝缘层的相对介电常数因材料部分的相对介电常数而成为较高的值。

[聚乙烯]

低密度聚乙烯：住友化学株式会社制，商品名：SumikasenG401、MFR 4.0g/10min(JIS K6922-1)

直链状低密度聚乙烯：住友化学株式会社制，商品名：Sumikasen L GA401MFR 3.0g/10min(JIS K6922-1)

<测定和评价方法>

以下述表2所示的树脂配方，测定发泡度、抗压强度、水分透过率、相对介电常数、衰减量。

[发泡度的测定]

发泡度在下述说明的同轴电缆的制造阶段通过比重法来测定。测定发泡前的树脂密度和发泡体的密度，使用上述式(1)进行测定。

[抗压强度]

将表2所示的树脂组合物共混，使用料筒C的温度设定为200℃、模D的温度设定为195℃的挤出装置(图1)，将用氮气发泡的薄片挤出成形。共混后的组合物由加料斗A投入，通过料筒中央部的混合部B而注入氮气。以薄片厚度为5mm的方式成形。

将所得到的5mm厚度的薄片剪切为30mm×100mm，在厚度方向施加负载，测定抗压强度。使用Orientec Co.，Ltd.，制TENSILON UTA-50KN，以试验速度1mm/min进行测定。

[水分透过量的测定]

根据ISO 10156-1(压差法)，测定器使用Labthink公司制VAC-V2压差法气体渗透装置进行测定。

[同轴电缆的制造方法]

使用图2所示的同轴电缆制造装置，在内部导体(铜线)上形成发泡绝缘层。最初，关闭导体加热机6侧的直角口模7的内部导体插入口，以表2所示的树脂配方向第一挤出机的加料斗3中投入树脂，一边将树脂熔融混炼，一边从发泡剂压入口4压入氮气，将其混合物注入第二挤出机2。将在第二挤出机2中进一步熔融混炼的混合物注入直角口模7，通过冷却装置8、牵引机9而得到不含内部导体的发泡绝缘体。对该发泡绝缘体进行密度测定，调整氮气的压力以达到规定的发泡度，确定发泡绝缘体的发泡条件。另外，在包含TOPAS 8007F-04和ZEONOR 1060R的树脂配方的情况下以及比较例的情况下，第一挤出机1和第二挤出机2的设定温度设定为200℃，在包含TOPAS 6013S-04的树脂配方的情况下设定为215℃，在包含TOPAS 6015S-04的树脂配方的情况下设定为230℃。关于发泡度的调整，除了使用了高密度聚乙烯单体的比较例1以外，均可以设定80％～90％的发泡度，但在比较例1的情况下发泡度未上升，将发泡度设定为40％。此处获得的不含内部导体的发泡绝缘体用于相对介电常数测定。

接着打开导体加热机6侧的直角口模7的内部导体插入口，从导体输出机5输出直径1.4mm的内部导体11(铜线)，依次设置于导体加热机6、直角口模7、冷却装置8、牵引机9中。将在与之前确定的发泡绝缘体的挤出条件相同的条件下挤出的混合物通过直角口模7包覆于内部导体11上，依次向冷却装置8、牵引机9移送，调整牵引速度以使得在内部导体11上包覆有发泡绝缘层的电线12的外径为4.8mm。调整后，在卷绕机中卷绕该电线12。之后，用皱纹铜(corrugated copper)作为外部导体包覆电线11，进而，用聚乙烯的外壳包覆，得到同轴电缆。测定所得到的同轴电缆的衰减量。另外，除去导线12的内部导体11而测定发泡绝缘层的密度，结果确认到其密度与未包覆于内部导体并以相同挤出条件制作的发泡绝缘体的密度相同。

[表2]

	实施例8	实施例9	实施例10	实施例11	实施例12	实施例13	实施例14
								topAS8007F-04	20	30	50	50	80	30	50
低密度聚乙烯				50		35	25
								直链状低密度聚乙烯	80	70	50		20	35	25
发泡度(％)	80	80	80	80	80	80	80
								抗压强度(kPa)	874	912	963	975	1248	941	956
水分透过量(g/m2·day·atm)	0.47	0.45	0.41	0.40	0.25	0.45	0.40
								相对介电常数(1GHz)	1.18	1.18	1.18	1.18	1.17	1.18	1.18
相对介电常数(3GHz)	1.18	1.18	1.18	1.18	1.17	1.18	1.18
								相对介电常数(10GHz)	1.18	1.18	1.17	1.17	1.16	1.18	1.17
衰减量(dB/100m)	24.6	23.1	20.2	22.9	15.5	25.0	21.5

由表2可以确认，实施例1～14的发泡度为80％～90％的范围，抗压强度为800(kPa)以上，水分透过量为0.55(g/m²·day·atm)以下，相对介电常数为1.20以下，衰减量为27(dB/100mm)。因此，实施例1～14的同轴电缆为适于高频用的同轴电缆。与此相对，确认到在不含环状烯烃的比较例1、2、3中衰减量较大，此外，水分透过量也较高，因而不适于高频用，而且抗压强度减小，不适于作为同轴电缆。

Claims

1.一种同轴电缆，其具备使包含环状烯烃系树脂、低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯的树脂组合物发泡成形而成的层作为绝缘层，所述树脂组合物含有20质量％至50质量％的所述环状烯烃系树脂，含有总量为50质量％至80质量％的所述低密度聚乙烯和/或直链状低密度聚乙烯，所述绝缘层的发泡度为80％至90％，所述绝缘层的抗压强度为800N/cm²以上，衰减量为27dB/100m以下。

2.根据权利要求1所述的同轴电缆，所述绝缘层的水分透过量为0.55g/m²·day·atm以下。

3.根据权利要求1或2所述的同轴电缆，所述绝缘层在1GHz至10GHz的频率区域中的相对介电常数为1.20以下。

4.根据权利要求1或2所述的同轴电缆，所述环状烯烃系树脂为环状烯烃与α-烯烃的共聚物或其加氢物。

5.根据权利要求1或2所述的同轴电缆，所述环状烯烃系树脂在1GHz至10GHz的频率区域中的相对介电常数为2.3以下，介质损耗角正切为4×10^-4以下，室温下的弯曲模量为2.0GPa以上。