CN101768412B - 制造铜互连的阻挡层抛光的cmp浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。

Description

制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件
相关申请的引用
本申请要求于2008年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2008-0137804号以及于2009年9月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2009-0086869号的优先权，将其全部公开内容均结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于制造铜互连(copper interconnects)的阻挡层抛光(barrier polishing)的化学-机械抛光(CMP)浆料组合物(淤浆组合物，slurry composition)。
背景技术
随着近来向高集成和高性能大规模集成电路(在下文中，称为LSI)的趋势，已经开发了新型微处理方法。作为这样的方法之一的化学-机械-抛光(在下文中，称为CMP)是一种在用于制造LSI的方法中，尤其是在用于制造多层金属互连的方法中经常使用的技术，以平面化中间绝缘层(inter-insulating layer)，从而形成金属插头(metal plug)或埋置的金属互连等。近来，已经使用铜或铜合金作为互连材料，以便制造高度集成的LSI。然而，铜和铜合金采用已经常用于形成铝合金互连的干蚀刻很难进行处理。在这点上，使用了镶嵌工艺(damascene process)，其中铜或铜合金沉积并埋置在其上形成有槽的绝缘膜上和绝缘膜内，并且除了槽之外的薄膜部分随后通过CMP除去，从而形成埋置的铜互连。
CMP是一种在制造半导体器件期间使用抛光垫(polishing pad)和浆料组合物来平面化晶片表面的方法。在CMP期间，在晶片和抛光垫相互接触的状态下，使晶片相对于抛光垫进行轨道运动(旋转运动和直线运动的组合)，并且此时，采用包含磨料颗粒的浆料组合物来进行抛光。通常，在CMP中所用的浆料组合物包括产生物理作用的磨料颗粒以及产生化学作用的蚀刻剂。因此，CMP浆料组合物可以通过物理和化学作用来选择性地去除晶片表面上的暴露部分，由此确保在宽的表面区域(表面积)上的最佳平面化。
当使用CMP形成金属互连时，实现期望的抛光速率同时控制化学蚀刻是很重要的。尤其是，在形成铜互连时，由于化学物质的高腐蚀性能，铜膜可以被容易地去除，但是铜互连由于增加的蚀刻速率而可以被容易地腐蚀。考虑到该问题，应该使用适当浓度的氧化剂，并且同时，需要向CMP浆料组合物中添加缓蚀剂(腐蚀抑制剂)。
为了形成埋置的金属互连，例如，铜或铜合金互连或钨插头互连，如下进行三步抛光。例如，为了形成铜互连，首先，快速去除大量的铜(所谓的“粗铜(bulk copper)抛光步骤”)。第二，除去铜而非阻挡膜，并且不除去绝缘膜(所谓的“铜过抛光步骤(copperover-polishing step)”)。第三，铜的去除速率降低，而阻挡膜和绝缘膜的去除速率增加，使得铜的去除速率基本上与阻挡膜和绝缘膜的去除速率相同(所谓的“阻挡层抛光步骤”)。即，相对于阻挡膜和绝缘膜，铜的抛光选择性应该降低，以便降低在第二抛光步骤期间出现的磨蚀/表面凹陷(dishing)，并完全除去铜残留物。如果阻挡膜和绝缘膜的抛光速率显著低于铜，则在第二抛光步骤期间出现的磨蚀/表面凹陷不能被消除。
通常，第一和第二抛光步骤使用相同的粗铜抛光浆料组合物在不同的抛光条件下进行。第三抛光步骤使用不同于粗铜抛光浆料组合物的阻挡层抛光浆料组合物来进行。本发明提供了一种用于第三抛光步骤的浆料组合物。
为了形成铜互连，使用钽、钽合金、氮化钽或其它钽化合物作为阻挡材料，用于防止铜扩散到中间绝缘层(inter-insulating layer)中。这些阻挡材料具有比铜和铜合金更高的刚性，并且倾向于不易于被氧化。因此，通常增加使用机械方法的阻挡材料的去除速率。然而，在这种情况下，存在在抛光后在图案表面上引起刮伤的更高的可能性。
为了改善在最终铜互连图案上去除表面凹陷和磨蚀，在阻挡层抛光步骤期间，铜膜、阻挡膜和绝缘膜的抛光速率比理想地为1∶1∶1，并在最后抛光后，由于保留在绝缘膜和铜互连上的残留磨料颗粒引起的表面缺陷如污染或刮伤处于尽可能低的水平。
发明内容
本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光(barrierpolishing)的CMP浆料组合物，其可以实现用作阻挡材料的钽和用作绝缘材料的氧化硅的高抛光速率，使得钽、氧化硅和铜的抛光速率比为约1∶1∶1(非选择性抛光)。
本发明还提供了一种使用上述的CMP浆料组合物以高速非选择性抛光阻挡膜、绝缘膜和铜膜，由此最小化最终抛光后的表面缺陷的方法以及通过该方法制造的半导体器件(半导体装置)。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物，该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中所述磨料颗粒是非球形胶体氧化硅，其平均一次粒径(average primary particle size)与平均二次粒径(average secondary particle size)的比率为约0.6或更小，并且铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
该组合物可以实施非选择性抛光，使得阻挡膜、绝缘膜和铜膜相对于彼此的抛光速率比在约0.8～约1.2的范围内。
胶体氧化硅可以具有约20～约60nm的平均一次粒径以及约34～约200nm的平均二次粒径，并且基于CMP浆料组合物的总重量，可以以约0.5wt％～约30wt％的量使用。
基于CMP浆料组合物的总重量，铜表面保护剂的用量可以为约0.01wt％～约3wt％，并且可以包括选自由聚羧酸、聚丙烯酸-共-有机酸和约60％或更多的羧基官能化的聚羧酸-共-酰胺组成的组中的至少一种物质。
铜表面保护剂可以是选自由聚丙烯酸、聚丁二烯-共-马来酸、聚马来酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸-共-马来酸和聚丙烯酰胺-共-丙烯酸(acylic acid)组成的组中的至少一种。
氧化剂可以是选自由无机或有机过氧化物(per-compounds)、溴酸及其盐、硝酸及其盐、氯酸及其盐、铬酸及其盐、碘酸及其盐、铁及其盐、铜及其盐、稀土金属氧化物、过渡金属氧化物、铁氰化钾和重铬酸钾组成的组中的至少一种，并且基于CMP浆料组合物的总重量，可以以约0.01wt％～约1.5wt％的量使用。
铜缓蚀剂可以是选自由5-甲基-1H-苯并三唑、2，2’-[[(5-甲基-1H-苯并三唑-1-基)-甲基]亚氨基]二-乙醇、1，2，4-三唑、1，2，3-三唑和1，2，3-三唑并[4，5-b]吡啶组成的组中的至少一种，并且基于CMP浆料组合物的总重量，可以以约0.001wt％～约1wt％的量使用。
根据本发明的另一个方面，提供了一种使用上述的CMP浆料组合物进行制造铜互连的阻挡膜抛光的方法。
根据本发明的又一个方面，提供了一种包括通过上述方法制造的铜互连的半导体器件。
如上所述，本发明的CMP浆料组合物可以实现对用作阻挡材料的钽和用作绝缘材料的氧化硅的高抛光速率，使得钽膜、氧化硅膜和铜膜相对于彼此的抛光速率比在约0.8～约1.2的范围内，由此最小化最终抛光之后的表面缺陷，因此对于制造铜互连的阻挡层抛光是非常有用的。
具体实施方式
现在，在下文中在本发明的以下详细描述中将更充分地描述本发明，其中描述了本发明的一些但不是所有的实施方式。确实，本发明可以以许多不同的形式来具体体现，并且不应视为限于本文陈述的实施方式；相反，提供了这些实施方式以使该披露内容将满足适用的法律要求。
本文使用的术语仅用于描述特定的实施方式的目的，而并不用于限制本发明。如本文所使用的，术语“和/或”包括联合列出的术语中的一个或多个的任何和所有组合。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式“一个”、“一种”也旨在包括复数形式。将进一步理解到，当术语“包括”或者“包含”用于本说明书中时，表明存在所述的特征、整体(整数，integers)、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或它们的组的存在或添加。
本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物，该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中所述磨料颗粒是非球形胶体氧化硅，其平均一次粒径与平均二次粒径的比率为约0.6或更小，并且铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
现在，将在下文中更充分地描述本发明。
胶体氧化硅是一种这样的材料，其用于提供在酸性条件下增强的分散稳定性，以降低铜抛光速率而无刮伤并增加阻挡膜和绝缘膜的抛光速率，以使铜膜、阻挡膜和绝缘膜相对于彼此的抛光速率比基本上相同。胶体氧化硅可以具有约0.6或更低，例如约0.3～约0.6的平均一次粒径(D1)与平均二次粒径(D2)的比率。虽然更小的D1/D2比率能提供更好的抛光效率，但是在工业化规模上使用约0.3～约0.6范围的D1/D2比率。如本领域中众所周知的，金属氧化物的粒径(直径)可以分成两种类型，即一次粒径(直径)和二次粒径(长度)。通常，一次粒径是指在制备浆料组合物之前通过BET(Brunauer-Emmett-Teller)或TEM(透射电子显微镜)分析测量的单个球形金属氧化物颗粒的尺寸(直径)，而二次粒径是指在制备浆料组合物之后通过DLS(动态激光散射)分析测量的非球形颗粒簇的尺寸(长度)。胶体氧化硅可以具有约20～约60nm的平均一次粒径以及约34～200nm的平均二次粒径。
基于CMP浆料组合物的总重量，胶体氧化硅的用量可以为约0.5wt％～约30wt％，例如，约1wt％～约20wt％，并且作为另一实例为约5wt％～约10wt％，其可以提供适当的抛光速率和良好的浆料分散稳定性。
铜表面保护剂通过与缓蚀剂竞争性地作用于铜表面而负责将铜抛光速率调节至适当的水平而没有出现铜点蚀。铜表面保护剂可以是重均分子量(Mw)为约500,000或更低的阴离子羧基官能化的水溶性聚合物。铜表面保护剂可以选自聚羧酸(例如，聚丙烯酸)、丙烯酸-共-有机酸(如，丙烯酸-共-马来酸)、羧酸-共酰胺、以及它们的组合。关于羧酸-共-酰胺，羧基官能团与酰胺官能团的相对分布(比率)可以为约60％或更大。这是因为更多的阳离子酰胺官能团可能会导致阻挡膜的降低的去除速率以及浆料组合物的更小的储存稳定性。
示例性的聚羧酸可以包括但不限于聚丙烯酸、聚丁二烯-共-马来酸、聚马来酸、聚甲基丙烯酸等、以及它们的组合，示例性的丙烯酸-共-有机酸可以包括但不限于聚丙烯酸-共-马来酸、以及它们的组合，而示例性的羧酸-共-酰胺可以包括但不限于聚丙烯酰胺-共-丙烯酸等、以及它们的组合。
基于CMP浆料组合物的总重量，铜表面保护剂的用量可以为约0.01wt％～约3wt％，例如约0.02wt％～约2wt％，并且作为另一实例为约0.05wt％～约1wt％，这可以提供适当的抛光速率和良好的浆料分散稳定性。
如本文中所用的氧化剂用来氧化金属表面，由此确保提高的抛光速率。示例性的氧化剂可以包括但不限于无机或有机过氧化物、溴酸及其盐、硝酸及其盐、氯酸及其盐、铬酸及其盐、碘酸及其盐、铁及其盐、铜及其盐、稀土金属氧化物、过渡金属氧化物、铁氰化钾、重铬酸钾等以及它们的组合。过氧化氢可以导致更小的环境污染。
基于CMP浆料组合物的总重量，氧化剂的用量可以为约0.01wt％～约1.5wt％，例如约0.05wt％～约1wt％，并且作为另一实例为约0.1wt％～约0.5wt％，这可以提供适当的抛光速率和良好的抛光表面的表面性能。
铜缓蚀剂是一种用于延迟氧化剂的化学反应的物质。详细地，铜缓蚀剂用作抛光调节剂，其在物理抛光不会出现的较低表面形貌区域抑制铜腐蚀，而在较高的表面形貌区域通过磨料颗粒的物理作用而被除去。铜缓蚀剂可以主要选自含氮化合物，例如氨、烷基胺、氨基酸、亚胺、唑(氮杂茂)等，以及两种或多种的组合。示例性的铜缓蚀剂可以包括但不限于，环状氮化合物或其衍生物，例如，苯并三唑或其衍生物，并且作为另外的实例，5-甲基-1H-苯并三唑的异构混合物，2，2’-[[(5-甲基-1H-苯并三唑-1-基)-甲基]亚氨基]二-乙醇、1，2，4-三唑、1，2，3-三唑或1，2，3-三唑并[4，5-b]吡啶的异构混合物。
基于CMP浆料组合物的总重量，缓蚀剂的用量可以为约0.001wt％～约1wt％，例如约0.005wt％～约0.1wt％，并且作为另一实例为约0.01wt％～约0.07wt％，这能够提供良好的腐蚀抑制效应、适当的抛光速率以及良好的浆料储存稳定性。
本发明的CMP浆料组合物可以包括本领域中通常使用的pH调节剂，以便将浆料组合物的pH调节至约2.0～约4.5的范围。另外，CMP浆料组合物可以进一步包括添加剂如本领域内通常使用的表面活性剂。
现在，将简单地描述使用本发明的CMP浆料组合物来抛光阻挡膜。第一抛光步骤使用本领域通常已知的粗铜抛光浆料组合物来执行，以快速除去过量的铜。然后，使用与第一抛光步骤中相同的粗铜抛光浆料组合物来实施第二抛光步骤，不同之处在于，施加较低的向下力，并且在除去铜时，并不除去阻挡膜和绝缘膜。最后，使用本发明的CMP浆料组合物以基本上相同的速率来除去铜、阻挡膜和绝缘膜，由此降低在第二抛光步骤期间在阻挡膜和绝缘膜上出现的磨蚀/表面凹陷，，并完全除去铜残留物。
因此，本发明提供了一种使用上述的CMP浆料组合物来进行用于制造铜互连的阻挡膜抛光的方法。
本发明还提供了一种制造铜互连的方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件，该方法包括：在较高的向下力(downforce)下使用本领域已知的铜抛光浆料组合物对其上具有铜膜、阻挡膜和绝缘膜的晶片表面上的铜膜进行抛光；在较低的向下力下使用如上所述的相同铜抛光浆料组合物对晶片表面上的残留铜膜进行抛光；以及使用上述本发明的CMP浆料组合物以基本上相同的速率抛光阻挡膜、绝缘膜和埋置的铜。
如上所述，本发明的CMP浆料组合物对于制造铜互连的阻挡层抛光是有效的，因此，可用于制造涉及阻挡层抛光步骤的半导体器件。
在下文中，将参照以下实施例来描述本发明，但本发明并不限于此。
实施例1～4
首先，将0.5wt％的胶体氧化硅(粒径：20nm)、0.5wt％的甘氨酸和0.1wt％的苯并三唑(BTA)与纯水进行混合以制备用于粗铜抛光的浆料前体组合物。使用KOH和硝酸将浆料前体组合物调节成具有pH7.0，在抛光之前与1.0wt％的过氧化氢混合并立即搅拌10min，以完成铜抛光浆料组合物。然后，使用所得的浆料组合物分别在2.5psi的向下力、93rpm的台板转速(platen rotation rate)、87rpm的头转速和150mL/min的浆料进料速率的条件下以及1.5psi的向下力、93rpm的台板转速、87rpm的头转速和150mL/min的浆料进料速率的条件下，使其上具有铜膜、钽膜和TEOS(原硅酸四乙酯)膜的晶片顺序进行第一抛光步骤和第二抛光步骤。
如下面的表1中所示，将8wt％的胶体氧化硅，0.045wt％的用作缓蚀剂的5-甲基-1H-苯并三唑(TTA)，0.2wt％的过氧化氢、0.1wt％的铜表面保护剂和91.65wt％的去离子水混合以制备用于阻挡层抛光的浆料组合物。使用少量的硝酸，将该浆料组合物调节成具有pH 2.9～3.0。在以下条件下使用各阻挡层抛光浆料组合物在用第一和第二抛光步骤处理的晶片上实施第三抛光步骤。评价了铜蚀刻速率和抛光性能，并且结果总结在下面的表2中。
为了评价铜的蚀刻速率，将铜样品(3×3cm)在含有10g的各阻挡层抛光浆料组合物的烧杯中在25℃下温育(incubated)30min，并且测量蚀刻前后铜样品的厚度。
为了评价抛光性能，在93rpm的台板转速、87rpm的头转速、1.5psi的向下力、150mL/min的浆料进料速率的条件下使用200mmApplied Mirra Mesa CMP系统(AMAT)在60秒内除去埋置的铜、钽膜和TEOS膜。使用了IC 1010抛光垫(Rodel)。抛光前后的膜厚度差转化成电阻以获得抛光速率。
评价了铜和TEOS膜表面缺陷的程度。对于铜表面，计数0.247μm或更大尺寸的缺陷，而对于TEOS表面，计数0.09μm或更大尺寸的缺陷。
比较例1～6
除了铜表面保护剂和磨料颗粒的颗粒分布如下面的表1中所示之外，以与实施例1中相同的方式来评价抛光性能，并且结果总结在下面的表2中。
表1
Figure G2009102158485D00111
PAA：聚丙烯酸
PAM：聚丙烯酰胺
PAA/MA：聚丙烯酸-共-马来酸
PAM/AA：聚丙烯酰胺-共-丙烯酸
表2
Figure G2009102158485D00121
如表1和表2所示，根据本发明的CMP浆料组合物，钽膜和氧化物膜表现出高抛光速率，并且钽膜、氧化物膜和铜的抛光速率比为约1∶1∶1(非选择性抛光)。如本文中所用的表达“非选择性抛光”或其类似表达旨在意味着，阻挡膜、绝缘膜和铜膜相对于彼此的抛光速率比为1.0±0.20(即，0.80～1.20)。
实施例1～4的本发明的CMP浆料组合物(其中使用了D1/D2比率为0.4～0.6的磨料颗粒，并且聚丙烯酸、丙烯酸和马来酸(1∶1)的共聚物、或丙烯酰胺和丙烯酸(4∶6)的共聚物用作铜表面保护剂)实现了期望的抛光性能。
关于比较例1～3的CMP浆料组合物，其中使用了D 1/D2比率为0.8～0.9的磨料颗粒，并且使用聚丙烯酸作为铜表面保护剂，钽膜和TEOS膜表现出较低的抛光速率。关于比较例4～5的CMP浆料组合物，其中使用了D1/D2比率为0.5的磨料颗粒，并且使用聚丙烯酰胺或丙烯酰胺和丙烯酸(6∶4)的共聚物作为铜表面保护剂，钽膜的抛光速率相对于TEOS膜和铜膜降低，这使得很难实现约1∶1∶1的钽膜、氧化物膜和铜膜的抛光速率比(非选择性抛光)。
关于不含铜表面保护剂的比较例6的CMP浆料组合物，由于缓蚀剂在铜表面上过度反应而并不能有效地发生铜抛光。在这方面，可以考虑调节缓蚀剂的含量，但是这样的调节会导致铜抛光速率的剧烈变化，由此导致不适当的铜去除。
图案评价使用实施例3的CMP浆料组合物在与上述相同的抛光条件下实施。结果示于下面的表3中。表面凹陷现象在具有100μm线宽的铜和氧化物线的区域中进行测量，并且磨蚀现象在线宽为9μm的铜线和线宽为1μm的氧化物线的90％图案密度区域中进行测量。
表3
Figure G2009102158485D00131
如表3中所示，本发明的CMP浆料组合物显著地改善了最终抛光之后的表面凹陷和磨蚀问题，并且绝缘膜的表面凹陷在磨蚀区域显著降低。
如上所述，本发明的CMP浆料组合物对于用作阻挡材料的钽和用作绝缘材料的氧化硅可以实现高抛光速率，使得钽、氧化硅和铜相对于彼此的抛光速率比在约0.8～约1.2的范围内，即约1∶1∶1(非选择性抛光)，由此最小化了最终抛光之后的表面缺陷，因此可以非常有利于制造铜互连的阻挡层抛光。
与本发明有关的技术领域中的技术人员将想到本发明的许多改进和其它实施方式，其具有以上描述中所提供的教导的益处。因此，应当理解，本发明并不限于所披露的具体实施方式，并且改进和其他实施方式旨在包括在所附权利要求的范围内。虽然本文采用了特定的术语，但它们仅在普通及描述意义上加以使用而不是用于限制目的，本发明的范围在权利要求书中加以限定。

Claims (10)

1.一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物，所述组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂， 
其中，所述磨料颗粒是具有0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物，其实施非选择性抛光，使得阻挡膜、绝缘膜和铜膜相对于彼此的抛光速率比在0.8～1.2的范围内， 
其中，所述铜表面保护剂包括聚丙烯酸、聚丁二烯-共-马来酸、聚马来酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸-共-马来酸、聚丙烯酰胺-共-丙烯酸、或它们的组合， 
其中，所述胶体氧化硅具有20～60nm的平均一次粒径以及34～200nm的平均二次粒径。 
2.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物，其中，基于所述CMP浆料组合物的总重量，所述胶体氧化硅的用量为0.5wt％～30wt％。 
3.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物，其中，基于所述CMP浆料组合物的总重量，所述铜表面保护剂的用量为0.01wt％～3wt％。 
4.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物，其中，所述氧化剂包括无机过氧化物、有机过氧化物、溴酸、溴酸盐、硝酸、硝酸盐、氯酸、氯酸盐、铬酸、铬酸盐、碘酸、碘酸盐、铁盐、铜盐、稀土金属氧化物、过渡金属氧化物、铁氰化钾、重铬酸 钾、或它们的组合，并且基于所述CMP浆料组合物的总重量，其用量为0.01wt％～1.5wt％。 
5.根据权利要求1所述的CMP浆料组合物，其中，所述铜缓蚀剂包括5-甲基-1H-苯并三唑、2，2’-[[(5-甲基-1H-苯并三唑-1-基)-甲基]亚氨基]二-乙醇、1，2，4-三唑、1，2，3-三唑、1，2，3-三唑并[4，5-b]吡啶、或它们的组合，并且基于所述CMP浆料组合物的总重量，其用量为0.001wt％～1wt％。 
6.一种使用包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂、和pH调节剂的CMP浆料组合物来进行用于制造铜互连的阻挡膜抛光的方法，其中，所述磨料颗粒是具有0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物，其中，包括以相对于彼此0.8～1.2范围的抛光速率比对阻挡膜、绝缘膜和铜膜进行抛光， 
其中，所述铜表面保护剂包括聚丙烯酸、聚丁二烯-共-马来酸、聚马来酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸-共-马来酸、聚丙烯酰胺-共-丙烯酸、或它们的组合， 
其中，所述胶体氧化硅具有20～60nm的平均一次粒径以及34～200nm的平均二次粒径。 
7.根据权利要求6所述的方法，其中，基于所述CMP浆料组合物的总重量，所述胶体氧化硅的用量为0.5wt％～30wt％。 
8.根据权利要求6所述的方法，其中，基于所述CMP浆料组合物的总重量，所述铜表面保护剂的用量为0.01wt％～3wt％。 
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述氧化剂包括无机或有机过氧化物、溴酸、溴酸盐、硝酸、硝酸盐、氯酸、氯酸盐、 铬酸、铬酸盐、碘酸、碘酸盐、铁盐、铜盐、稀土金属氧化物、过渡金属氧化物、铁氰化钾、和重铬酸钾、或它们的组合，并且基于所述CMP浆料组合物的总重量，其用量为0.01wt％～1.5wt％。 
10.一种包括通过根据权利要求6所述的方法制造的铜互连的半导体器件。 
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