CN101752221B - 真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法 - Google Patents

真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种真空容器，其包括一对弯曲构件，这对弯曲构件通过将金属板弯曲成预定形状而形成并相互结合以在弯曲构件内形成封闭空间。真空容器还包括密封构件和立方格子结构，该密封构件密封弯曲构件之间的结合部分中的间隙，该立方格子结构抵靠两个弯曲构件的内表面并容纳在封闭空间中。真空容器还包括磁体单元。该磁体单元将弯曲构件固定到结构上并通过沿着弯曲构件之间的结合部分压迫作为密封构件的O型环而密封结合部分中的间隙。

Description

真空容器及制造方法、真空处理设备和电子器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种诸如处理室或转移室的真空容器，所述真空容器构成处理例如液晶显示器衬底和半导体晶片的真空处理设备，本发明还涉及包括该真空容器的真空处理设备、真空容器制造方法以及电子器件制造方法。
背景技术
在例如液晶显示器衬底和半导体晶片上的诸如薄膜形成以及所形成薄膜的干法刻蚀和加热之类的处理主要在真空中执行。为在真空中处理这些处理对象作准备的对准、运输以及类似处理也经常在真空中持续地执行。为了执行这些处理，通常使用通过经由闸阀连接多个真空容器而形成的真空处理设备(日本专利特开No.2002-057203)。
近年来，液晶显示器衬底的尺寸日益增大。结果，甚至周边的边长大于3米的矩形衬底也已经变得可用。为了在真空中处理这种较大的衬底，较大的真空容器是必要的。通过切割单金属材料的内部可以制造具有极好气密性的较小的真空容器。然而，因为难于获得这样大的金属元件，所以不能通过上述用于制造较小真空容器的方法来制造较大的真空容器。
在这些情况下，传统的大真空容器形成为通过以下措施来维持气密性，即，通过在给定的焊接区中焊接多个金属板的组合来确保给定的机械强度。
然而，以这种方式制造的真空容器不期望地是重的。另外，所制造的真空容器由于与焊接相关联的因素而经常不期望地受到热应变。为此，在该方法中在焊接之后必须进行二次切割。此外，较大的焊接的真空容器经常难于运输，这是因为较大的焊接的真空容器的运输受到例如运输车辆的可接受的重量、宽度和高度以及某些法律约束的限制。
为了解决这些问题，经常使用两个弯曲的金属板的组合以形成封闭空间。本发明的发明人已经考察了一种真空容器，其通过在封闭空间中容纳坚固的结构并且由一个形成为封闭曲线的密封构件密封金属板之间的结合部分而维持所形成的封闭空间的气密性。
本发明的发明人也已经考察了一种方法，其通过螺栓将金属板可靠地固定到用作设置在容器内的结构的柱上以固定金属板之间的结合部分。
图17和18分别是由本发明的发明人考察的真空容器的外部视图和在该真空容器中的结合部分的剖视图。
如图17和18中所示，两个金属板(弯曲构件20和30)通过诸如螺栓的紧固构件61、62和密封固定板63、64可靠地固定在用作设置在容器内的结构的柱50上。
然而，这种固定两个金属板之间的结合部分的方法引起以下问题。因为两个金属板通过螺栓固定在容器内的结构上，以便可靠地挤压用作与两个金属板之间的结合部分相对应的密封构件4的O型环，所以真空容器容易抽空但具有复杂的结构。
为了通过螺栓将用作容器壁的金属板(弯曲构件20和30)固定到真空容器内的柱50上，必要的是在容器壁中形成孔20a和30a以插入螺栓，并且继而必要的是通过绕孔20a和30a布置其它的O型环65和66来维持封闭空间的气密。为此，对于两个金属板必要的是多孔形成和密封面制造。由于随之增加了制造成本并且使真空性能的可靠性退化，所以这是有问题的。
本发明考虑到上述背景技术的问题，并且目的在于提高形成具有简单结构的真空容器的板构件之间的结合部分中的气密性。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供一种真空容器，所述真空容器包括多个板构件和密封构件，每个板构件都部分地或整个地由金属制成，并且所述板构件相互结合以在所述板构件内形成封闭空间，所述密封构件密封所述板构件之间的结合部分，所述真空容器包括：结构，所述结构容纳在所述封闭空间中，抵靠所述密封构件和所述板构件的内表面，并且整个地或部分地由铁磁体形成；以及永磁体，所述永磁体布置在所述板构件的外表面上并且通过作用在所述结构的铁磁体上的磁吸引力使所述板构件压靠所述密封构件。
根据本发明的另一方面，提供一种真空容器，所述真空容器包括一对板构件和一个密封构件，所述板构件通过弯曲金属板而形成并且相互结合以在板构件内形成封闭空间，所述密封构件形成为封闭曲线并且密封所述一对板构件之间的结合部分，所述真空容器包括：结构，所述结构容纳在所述封闭空间中，抵靠所述密封构件和所述板构件的内表面，并且整个地或部分地由铁磁体形成；以及永磁体，所述永磁体布置在所述板构件的与所述内表面相对的外表面上，并且通过作用在所述结构的铁磁体上的磁吸引力使所述板构件压靠所述密封构件。
根据本发明的又一方面，提供一种真空容器制造方法，所述真空容器制造方法包括：第一步骤，弯曲金属板以形成一对板，所述一对板相互结合以在板构件内形成封闭空间；第二步骤，在所述封闭空间中容纳整个地或部分地由铁磁体形成且抵靠所述板构件的内表面的结构，并且沿着所述一对板构件之间的结合部分在所述一对板构件的内表面与所述结构的外表面之间设置一个密封构件，所述一个密封构件形成为封闭曲线并且密封所述结合部分；以及第三步骤，在所述一对板构件的与所述内表面相对的外表面上布置多个永磁体，并且通过作用在所述结构的磁体上的磁吸引力使所述一对板构件压靠所述密封构件。
根据本发明的再一方面，提供一种真空处理设备，所述真空处理设备包括：处理室，所述处理室包括上述的真空容器并且在减小压力的气氛下在真空容器中处理对象。
根据本发明的又一方面，提供一种电子器件制造方法，所述电子器件制造方法包括以下步骤：使用上述的真空处理设备处理对象。
根据本发明，由于与形成真空容器的金属板之间的结合部分相对应的密封构件可以在不使用例如紧固金属板的螺栓的情况下被可靠地挤压，所以真空容器容易抽空并且具有高度可靠的真空性能。由于其简单的结构，也能够减少真空容器的制造成本。此外，容易制造真空容器。
本发明的其它特征将从以下参照附图的示例性实施例的说明变得清楚。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的真空容器的外部视图；
图2是真空容器的分解透视图，在该真空容器中没有示出图1中所示的磁体单元；
图3是用于解释图1中所示的一对弯曲构件的视图；
图4是用于解释图1中所示的结构的视图；
图5A至5C是示出形成图1所示结构的柱的布置示例的视图；
图6是示出作为图1中所示的密封构件的O型环的视图；
图7是图1中所示的弯曲构件之间的结合部分的剖视图；
图8是当盖从该磁体单元卸下时图1所示磁体单元的外部视图；
图9是示出其中盖附装至图8所示磁体单元的状态的视图；
图10是沿着图7中的线A-A得到的剖视图；
图11是与图1所示弯曲构件的弯曲部分相对应布置的磁体单元的剖视图；
图12是与图1所示弯曲构件的角部相对应布置的磁体单元的前视图；
图13是示出图1中所示的磁体单元的第一修改方案(设置有四个磁体的情况)的剖视图；
图14是示出图1中所示的磁体单元的第二修改方案(设置有一个磁体的情况)的剖视图；
图15是作为形成图1所示结构的柱的修改方案的柱的剖视图；
图16是示出应用根据本发明实施例的真空容器的真空处理设备的一个示例的视图；
图17是具有本发明所要解决的问题并由本发明的发明人考察过的真空容器的外部视图；
图18是图17所示弯曲构件之间的结合部分的剖视图；和
图19是示出a-Si TFT(薄膜晶体管)的截面结构的截面图。
具体实施方式
以下将参照附图说明本发明的详细实施例。
图1示出根据本发明的一个实施例的真空容器。该实施例将举例说明一种六面体的真空容器。图2是图1中所示的真空容器的分解透视图。
如图1和2中所示，真空容器1包括一对弯曲构件20和30。弯曲构件20和30通过将金属板弯曲成预定的形状而形成。通过使弯曲构件20和30相互结合以在弯曲构件20和30内形成封闭空间，而形成真空容器1。真空容器1还包括密封构件4和立方格子结构5。密封构件4密封弯曲构件20和30之间的结合部分中的间隙。结构5容纳在封闭空间中而同时抵靠弯曲构件20和30的内表面。真空容器1还包括磁体单元70，所述磁体单元70例如包括永磁体。磁体单元70将弯曲构件20和30固定到结构5上，并且沿着弯曲构件20和30之间的结合部分对用作密封构件4的O型环加压以密封结合部分。
弯曲构件20和30仅需要由至少具有给定机械强度和可加工性的材料制成，以便使由该材料制成的两个弯曲构件的组合可以形成一个封闭空间。
各弯曲构件20和30都是一个较薄的板构件并且都通过弯曲具有期望机械强度的金属板而形成。弯曲构件20和30之间的结合部分通过一个形成为封闭曲线(一条连续曲线)的密封构件4气密地密封。由两个弯曲构件20和30围绕的空间形成真空容器1。真空容器1通过两个弯曲构件20和30和一个形成为封闭曲线的密封构件4维持气密。
在根据该实施例的布置中，真空容器1形成六面体并且包括具有期望刚度的结构5。在该实施例中，结构5包括位于与六面体的面的边相对应的部分中的柱50，并由此形成为立方格子图案，12个柱50按照所述立方格子图案而成为一体。结构5设置在由一对弯曲构件20和30围绕的真空中，并且结构5支承真空容器1，以便承受施加到真空容器1的大气压力以抑制真空容器1的变形。
将参照图3解释形成真空容器1的弯曲构件20和30，并且将参照图4和5解释结构5。而且，将参照图6解释密封构件4，并且将参照图7解释成对的弯曲构件20和30之间的结合结构。此外，将参照图8至14解释磁体单元70。
现在将首先参照图3解释形成真空容器1的弯曲构件20和30。
如图3中所示，一对弯曲构件20和30各自都通过将例如一个板状的矩形金属板纵向弯曲成U形而形成。
当弯曲构件20和30弯曲成U形时，弯曲构件20和30的内表面与真空容器1的真空侧相对应，并且因此用作真空容器1的内表面。弯曲构件20上形成有两个弯曲部分21。类似地，弯曲构件30上形成有两个弯曲部分31。
两个弯曲部分21和31是直线的折皱，其中弯曲构件20和30沿着与宽度方向平行的直线弯曲。从而，各弯曲部分21和31都形成六面体的一个边，所述六面体形成用作真空容器1的封闭空间。形成封闭空间的真空容器的形状不限于六面体，而可以是由例如三个或更多个侧面和两个底面限定的多面体。
在该实施例中，弯曲部分21和31弯曲成直角。而且，弯曲部分21和31具有大约100mm至300mm的弯曲的曲率半径和弧形的横截面。应当注意到，对于弯曲部分21和31设定较小的曲率半径是不优选的，因为这会在所弯曲的金属板的表面中产生不均匀性。
如后面将说明的，通过结合一对弯曲构件20和30形成的真空容器1通过诸如O型环的密封构件4(参见图2)并且通过调整形成真空容器1的弯曲构件20和30的表面状态而维持气密。
为此，必要的是使弯曲构件20和30在与密封构件4接触的部分中的表面平滑。鉴于此，对于弯曲部分21和31设定较大的弯曲的曲率半径可以抑制在弯曲构件20和30的表面中发生不均匀性，导致与密封构件4的良好接触特性。
弯曲构件20的四个角部22和弯曲构件30的四个角部32分别类似地具有大约100mm至300mm的弯曲的曲率半径并且切割成弧形。这使角部22和32的曲率半径等于弯曲构件20和30的弯曲部分21和31的弯曲的曲率半径，当结合弯曲构件20和30时所述弯曲部分21和31分别与角部32和22组合。
真空容器1中一般形成有开口9，以将衬底转移到真空容器1中并且容纳多种装置。在该实施例中，弯曲构件30构造成使得矩形开口9形成在两个相对的平坦表面中。开口9容纳其它真空容器、装置、或盖子以便最终维持真空容器1的内部中的气密性。
弯曲构件20和30可以由诸如铝或非磁性不锈钢的非磁性金属材料制成。弯曲构件20和30优选具有大约0.1mm至3mm的厚度。形成具有这种厚度的弯曲构件使得能够容易地弯曲这些弯曲构件并且使它们的弯曲部分中的表面平滑。太厚的弯曲构件在弯曲时在它们的弯曲部分的表面中产生不均匀性，并且这样难于密封真空容器1。与此相反，太薄的弯曲构件在抽空真空容器1时导致变形或者不能可靠地挤压诸如O型环的密封构件4，并且这同样难于密封真空容器1。
由铁磁金属制成弯曲构件20和30是不优选的，因为这样减小了磁体单元70对结构5(后面将说明)的磁吸引力。然而，当弯曲构件20和30充分地薄时，弯曲构件20和30可以由铁磁金属制成，因为虽然磁体单元70作用在结构5上的磁吸引力稍微减弱，但是磁体单元70仍可以吸引结构5。
图4示出结构5的布置的示例。
在该实施例中，结构5包括12个设置在与六面体的面的边相对应的位置处的柱50。柱50由整个地或部分地含有铁磁材料的刚性金属材料制成。使用的铁磁材料例如是SUS430或铁。在此将举例说明其中柱50整个地由铁磁材料制成的情况，并且后面将说明其中柱50部分地由铁磁材料制成的情况。
每个柱50都通过紧固螺栓(未示出)固定和组装，以便具有足够大的机械强度以抵抗施加到真空容器1的大气压力而支承真空容器1。由于所有的柱50都容纳在真空容器1中，所以柱50不必经过任何用于维持真空容器1的气密性的处理。这又使得不必将柱50相互焊接和在柱50上形成密封面。
柱50的外形形成为与真空容器1的内表面的形状一致，所述真空容器1的内表面的形状通过组合两个弯曲构件20和30而形成。因此，在形成结构5的六面体的12个边中，四个边上形成有与真空容器1的内表面的形状一致的曲面。换言之，结构5上形成有曲面部分401和402，所述曲面部分401和402具有与弯曲构件20和30的弯曲部分21和31相对应的曲率。
图5A至5C示出结构5的布置的其它示例。在各图5A至5C中示出的布置示例中，结构5上形成有曲面部分401和402，所述曲面部分401和402具有与弯曲构件20和30的弯曲部分21和31相对应的曲率。为了清楚示出柱50的结构，图5A至5C没有示出曲面部分401和402。
图4中所示的结构5包括仅位于六面体的边上的柱50。因此，柱50未支承弯曲构件20和30内表面处的部分(例如，面的中央部分)可能由于大气压力而变形。如果真空容器1的变形变得较大，则真空容器1可能无法维持封闭空间的气密或者可能会被破坏。
在这些情况下，为了进一步减小形成真空容器1的内壁的弯曲构件20和30的变形，形成结构5的柱50可以等距地布置成栅栏图案，如图5A中所示。或者，布置成格子图案的柱50′也可以设置在左柱与右柱50之间，如图5B中所示。又或者，真空容器1的内壁的变形可以通过用平板构件51覆盖由柱50围绕的至少一个表面而显著地减小，如图5C中所示。
另一方面，增加柱50的数量或者用平板构件51覆盖由柱50围绕的表面导致真空容器1的重量和制造成本二者增加。因此，形成结构5的柱50的数量可期望地设置成在真空容器1的变形的允许范围内尽可能小。
图6是作为密封构件4的一个示例的O型环的透视图。密封构件4可以是由橡胶材料制成的O型环。例如，使用形成为连续环形形状的、具有圆形截面的O型环。如图2和6中所示，密封构件4的形状可以变形成与两个弯曲构件20和30之间的结合部分的形状一样。密封构件4密封两个弯曲构件20和30之间的结合部分的整个区域。
图7是用于解释在该实施例中两个弯曲构件20和30之间的结合状态的剖视图。
密封构件4通过三个表面夹持：柱50的一个侧表面以及弯曲构件20和30的内表面。柱50制造成使得柱50抵靠密封构件4的表面相对于真空容器1的内壁(即，弯曲构件20和30的内表面)形成45°的角。在该实施例中，一组围绕密封构件4的三个表面的横截面是等腰直角三角形。
在密封构件4与弯曲构件20之间的位置处以及在密封构件4与弯曲构件30之间的位置处，通过弯曲构件20和30对密封构件4加压，并且因此密封构件4与弯曲构件20和30的接触部分是平坦的。平坦的接触部分起密封部分4a的作用以用于维持真空容器1的气密性。密封构件4通过柱50支承。真空容器1的内部通过由密封部分4a密封弯曲构件20和30之间的结合部分的整个区域而满意地维持气密。
磁体单元70布置在弯曲构件20和30的大气侧的表面的外周中。磁体单元70固定成在弯曲构件20和30之间的结合部分的整个区域上对密封构件4加压并且将弯曲构件20和30推靠在柱50上。
磁体单元70包括作为永磁体的磁体71、由铁磁材料制成的轭72、密封固定板73和盖74。
磁体71是永磁体并且在其磁面面对柱50时在柱50上产生吸引力。例如，磁体71可以由铁氧体或钕制成。由于铁氧体磁体具有较弱的磁力，所以铁氧体磁体适用于较小的真空容器。由于较大的真空容器自然包括作为密封构件4的大直径O型环，所以具有较强磁力的钕磁体适于作为较大真空容器中的磁体71以便可靠地挤压O型环。
磁体71固定在密封固定板73上。密封固定板73由诸如铝或非磁性不锈钢的非磁性刚性材料制成。密封固定板73要求给定的厚度以维持给定的刚度。同时，密封固定板73需要具有一定厚度，在此厚度，在磁体71与柱50之间的间隔足够窄以允许磁体71产生大的吸引力。为了满足这些要求，在密封固定板73中布置磁体71的部分中形成有与磁体71的形状一致的凹槽，以将磁体71固定到该凹槽中。借助该结构，磁体71与柱50之间的间隔可以在固定磁体71的部分中较窄，而同时维持密封固定板73的给定刚度。此时，密封固定板73在固定磁体71的部分中的厚度a是大约1mm。该厚度允许磁体71与柱50之间的磁力足够大以满意地固定弯曲构件。
密封固定板73沿着弯曲构件20和30的外周布置，以便可靠地挤压密封构件4。磁体71的吸引力被传递到密封固定板73以挤压密封构件4。虽然该实施例举例说明了其中密封固定板73挤压密封构件4的情况，但是密封构件4可以在没有密封固定板73的情况下仅被磁体71挤压，只要磁体71的尺寸大致与密封固定板73的尺寸相同即可。然而，在该情况中，当多个磁体71并置时，相邻的磁体71相互吸引，所以磁体71难于操纵。自然地，不包括密封固定板73的布置可用于例如包括弱磁体的小真空容器。
盖74附装至磁体单元70，这是因为在磁体单元70定位于真空容器1上之后让具有强磁力的磁体71露出是危险的。盖74可以由非磁性金属或诸如丙烯酸酯的树脂制成，并且盖74在某种程度上与磁体71和轭72间隔开。后面将说明轭72。
图8至10示出磁体单元70的详细布置。
图8是磁体单元70的透视图。磁体单元70包括两个磁体71、轭72、密封固定板73和螺钉75，所述轭72将磁体71相互连接并且由铁磁材料制成。而且，图9示出其中为了操纵安全将盖74附装至磁体单元70以围绕磁体71和轭72的情况。应当注意到，图1为了清楚看到内部布置而示出了没有盖74的磁体单元70。
图10是当磁体单元70布置在真空容器1中时沿着图7中的线A-A得到的剖视图。
两个磁体71布置成使得其相对的磁极面对柱50。轭72连接两个磁体71在与柱50相对的侧上的表面。图10示出此时的磁力线76。在该状态中，磁力线76几乎完全穿过柱50和作为铁磁体的轭72。由此形成的磁路是优选的，这是因为与其中一个磁体吸引柱50的情况相比，磁通密度增大并且继而磁力增大。
两个螺纹通孔77延伸通过密封固定板73，并且比螺纹孔77的深度更长的螺钉75插入螺纹孔77中。螺钉75用于将磁体单元70从真空容器1拆卸。
当磁体单元70固定在真空容器1的外表面上时，螺钉75的前端还未到达螺钉75完全穿透螺纹孔77的位置处。或者，螺钉75可以被拉出并从螺纹孔77移除。
为了组装真空容器1，经常必须拆卸布置在真空容器1中的磁体单元70以进行调节或为了与装配过程相关联的便利。在该情况中，螺钉75深入旋转到螺纹孔77中直到螺钉75的前端从螺纹孔77伸出为止。通过使螺钉75的前端从螺纹孔77伸出而将密封固定板73与弯曲构件20分离。借助该操作，磁体单元70容易地从真空容器1拆卸。然而，如果在磁体单元70中使用弱磁体，则操作者也可以在没有使用任何这种机构的情况下直接用手拆卸。在该情况中，螺钉75是不必要的。
图11是示出其中弧形的磁体单元70A位于弯曲构件20弯曲的部分(图3中所示的弯曲部分21)中的情况。图12是示出其中弧形的磁体单元70B位于弯曲构件30的角部(图3中所示的角部32)处的情况。
磁体单元70A和70B的形状与弯曲构件在布置有磁体单元70A和70B的部分中的表面形状一致地变化。然而，磁体单元70A和70B的基本结构与图7至10中所示的磁体单元70的基本结构相同。
在需要时可以以以下方式改变上述真空容器1的构成部件。
图13是磁体单元70的第一修改方案，在所述修改方案中磁体单元70包括四个磁体71。从端部开始，四个磁体71的磁极方向依次交替地彼此相反。轭72在所有磁体71上方伸展并且连接这些磁体71。这种磁路中的每个磁体都可以产生与由两个磁体产生的磁吸引力相等的磁吸引力。在该情况中，每个磁体单元70都较长，所以当装配较大的真空容器1时使用较少数量的磁体单元70，从而帮助装配。当多个磁体以这种方式并置时，包括四个或更多个磁体71的磁体单元也是可行的。
图14是磁体单元70的第二修改方案，在所述第二修改方案中磁体单元70包括一个磁体71。在该情况中，轭是不必要的。由一个磁体71产生的磁吸引力弱于由两个磁体71产生的磁吸引力，所以第二修改方案适用于较小的真空容器。当磁吸引力较弱时，可以没有用于拉出磁体单元的螺钉75。
而且，虽然在上述实施例中柱50整个由铁磁材料制成(图7)，但是柱50可以部分地由铁磁材料制成。图15举例说明这种情况。图15中所示的柱50与磁体71相邻的表面部分地由磁性板80形成，并且其余部分由非磁性的材料制成，所述磁性板80由铁磁材料制成。磁性板80仅需要具有大约5mm至10mm的厚度以允许磁体71产生充分大的磁吸引力。磁性板80可以通过例如螺栓(未示出)或焊接而固定在柱50上。以这种方式形成柱50经常便利地避开柱50的材料的约束。另外，能够减小柱50的重量和结构5的重量。
虽然上述说明已经举例说明了真空容器由一对板构件形成的情况，所述一对板构件通过弯曲金属板形成并且相互结合以在板构件内形成封闭空间，但是本发明不受该示例的限制。也能够由例如三个或更多个板构件形成真空容器1。
接下来将解释制造真空容器1的方法。
如从图1和2可以看到，制造真空容器1的方法包括布置结构5的步骤。制造真空容器1的方法还包括沿着弯曲构件20和30之间的结合部分在弯曲构件20、30的内表面与结构5的外表面之间插置密封构件4的步骤。制造真空容器1的方法还包括以下步骤：通过将磁体单元70布置在弯曲构件20和30的大气侧上的表面的外周中而将弯曲构件20和30固定到结构5上，并且通过压迫密封构件4而结合弯曲构件20和30。
根据上述实施例的真空容器1具有以下效果。
由于真空容器1通过一对由较薄的金属板制成的弯曲构件20和30形成，所以与现有技术不同，真空容器1的重量可以减小并且真空容器1可以在不使用较大金属材料的情况下制造。因此，根据该实施例，能够减少真空容器的材料成本。
而且，由于为通过一个形成为封闭曲线的密封构件4密封一对弯曲构件20和30之间的结合部分作准备，磁体单元70的磁吸引力用作固定弯曲构件20、30和柱50(用作容器中的结构)的手段，不必在制造真空容器的处理中采用焊接。这使得能够容易地制造真空容器和在装配之前运输真空容器，并且继而使得在真空容器的运输期间能够方便操纵真空容器。
而且，由于真空容器可以通过使用磁体单元70的磁吸引力挤压作为O型环的密封构件4而可靠地维持气密性，所以真空容器容易抽空并且具有高度可靠的真空性能。也能够由于真空容器的简单结构而减少真空容器的制造成本。
而且，根据上述实施例的真空容器1可用于在室中执行预定的真空处理的真空处理设备。图16示出包括根据该实施例的真空容器1的真空处理设备的示例。
如图16中所示，真空处理设备用作例如单晶片处理式的真空处理设备，并且包括用于第一溅射的真空处理室(Pro1)42和用于第二溅射的真空处理室(Pro2)43。真空处理设备还包括分离室(Sep)40、加热/冷却室(H/C)41和装载/卸载室(L/UL)44。分离室(Sep)40包括衬底转移机构。使用根据本实施例的真空容器1形成分离室(Sep)40、加热/冷却室(H/C)41、真空处理室(Pro1)42和真空处理室(Pro2)43，并且室41至43各自都与分离室(Sep)40相邻。
真空处理设备还包括闸阀46，所述闸阀46布置在(i)分离室(Sep)40和用于装载待处理的衬底或卸载处理过的衬底的装载/卸载室(L/UL)44之间；(ii)分离室(Sep)40和加热/冷却室(H/C)41之间；(iii)真空处理室(Pro1)42和分离室(Sep)40之间；以及(iV)真空处理室(Pro2)43和分离室(Sep)40之间。
构成真空处理设备的室41、42、43和44通过闸阀46分隔开，从而在真空中(即，在减小压力的气氛中)装载和卸载作为待处理对象的衬底45，并且因此可以独立地维持这些室的真空。
在排气系统(未示出)将装载/卸载室(L/UL)44抽空到预定压力之后，装载到装载/卸载室(L/UL)44中的衬底45转移到分离室40中。随后，根据各种处理，衬底45从分离室40运输到加热/冷却室41以及真空处理室42和43中。在真空处理完成之后，衬底45从装载/卸载室(L/UL)44通过分离室40卸载。
虽然将溅射沉积设备作为上述实施例中的真空处理设备的示例，但是沉积设备不限于溅射类型。根据该实施例的真空处理设备可用于使用诸如化学气相沉积方法的沉积方法的沉积设备并且也可用于诸如蚀刻设备的处理设备。
(电子器件制造方法)现在将参照图19解释使用作为根据本发明的真空处理设备的溅射设备制造作为电子器件示例的显示器件的方法。图19是示出a-SiTFT(薄膜晶体管)的截面结构的截面图。在制造显示器件的方法中，沉积设备用于阵列制造处理和BM(黑矩阵)制造处理。
在阵列制造处理中，在衬底1901上形成晶体管和互连。主要在以下步骤a、d和e中使用溅射以用于沉积，并且在以下步骤a至f中相继堆叠给定的层：步骤a：门电极(例如，Mo或Al)1902步骤b：门绝缘膜(例如，SiNx)1903步骤c：半导体层(例如，a-Si或a-Si(n+)P)1904和1905步骤d：源电极/漏电极(例如，Mo或Al)1906和1907步骤e：透明电极(例如，ITO)1908步骤f：保护膜(例如，SiNx)1909在图19中所示的TFT的截面结构中，适用于显示器件的薄膜通过在步骤a、d和e中根据作为薄膜材料源的靶的类型调节参数而形成，所述参数例如是与溅射气体、真空度、衬底温度、放电功率和放电时间相关联的特征。
虽然已经参照示例性实施例说明本发明，但应理解本发明不受所公开的示例性实施例限制。下述权利要求的范围将与最广泛解释一致，从而包含所有这些修改和等同结构以及功能。

Claims (8)

1.一种真空容器，包括：
一对弯曲板构件，所述板构件通过弯曲两个金属板而形成并且相互结合以在所述真空容器内形成封闭空间；
密封构件，所述密封构件由一个封闭曲线形成并且设置在结合部分处以密封所述一对弯曲板构件之间的结合部分；
结构，所述结构容纳在所述封闭空间中，且设置成抵靠所述密封构件和所述一对弯曲板构件的内表面；以及
永磁体，所述永磁体布置在所述一对弯曲板构件的大气侧的外表面处，
其中，所述结构整个地或部分地由铁磁体形成，
所述密封构件通过由所述永磁体和所述结构的铁磁体产生的磁吸引力而压靠所述一对弯曲板构件，
所述结合部分通过被磁吸引力压的密封构件而密封，并且
其中，所述板构件形成的封闭空间形成多面体，并且所述板构件沿着形成所述多面体的边的折皱弯曲。
2.根据权利要求1所述的容器，其中，所述密封构件由三个表面夹持：形成所述封闭空间的所述一对弯曲板构件的内表面和所述结构的一个侧表面。
3.根据权利要求1所述的容器，其中，所述磁体单元与金属板成为一体，在所述金属板中形成不少于一个的螺纹通孔，具有比所述螺纹孔的深度更长的长度的螺钉插入所述螺纹孔中，并且所述螺纹孔的深度的方向与所述板构件垂直。
4.根据权利要求1所述的容器，其中，所述多个磁体单元中多于一个的磁体单元连接至所述铁磁体的轭以形成磁路。
5.根据权利要求1所述的容器，其中，所述真空容器包括覆盖所述磁体单元的盖。
6.一种真空处理设备，包括：
处理室，所述处理室包括权利要求1至5中任一项所限定的真空容器并且在减小压力的气氛下在所述真空容器中处理对象。
7.一种真空容器制造方法，包括：
第一步骤，弯曲两个金属板以形成一对弯曲板构件，
第二步骤，将所述一对弯曲板构件相互结合以在所述真空容器内形成封闭空间；
第三步骤，在结合部分处设置由一个封闭曲线形成的密封构件，以密封所述一对弯曲板构件之间的结合部分；
第四步骤，设置一结构，以抵靠所述密封构件和所述一对弯曲板构件的内表面，其中所述密封构件设置在所述一对板构件的内表面与所述结构的外表面之间，并且其中所述结构容纳在所述封闭空间中，且整个地或部分地由铁磁体形成；
第五步骤，在所述一对弯曲板构件的大气侧的外表面处布置永磁体；
第六步骤，通过由所述永磁体和所述结构的铁磁体产生的磁吸引力使所述密封构件压靠所述一对弯曲板构件，并且通过被磁吸引力压的密封构件来密封所述结合部分。
8.一种电子器件制造方法，包括以下步骤：
使用权利要求6中限定的真空处理设备处理对象。
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