KR20150067166A - 복합 시일 - Google Patents

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KR20150067166A
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잇페이 나카가와
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닛폰 바루카 고교 가부시키가이샤
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Abstract

이 복합 시일(100)은 제 1 장치(11)측에 배치되는 금속 부재(120)와 제 2 장치(21)측에 배치되고 탄성 변형이 가능한 탄성 부재(110)를 구비한다. 이것에 의해, 자외선 조사에 의해서도 열화를 억제하는 것이 가능한 구조를 구비하는 복합 시일을 제공하는 것이 가능해진다.

Description

복합 시일{COMPOSITE SEAL}
본 발명은 반도체 제조장치 등에 사용되는 복합 시일의 구조에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 제조장치 등에 있어서는 반도체 기판을 진공 분위기 하에 설치하기 위해서, 반도체 기판을 적재하는 영역과 다른 영역을 기밀적으로 분리할 때에, 특허문헌 1∼특허문헌 6에 개시되는 바와 같은 시일 부재(개스킷)가 사용된다.
일본 특허공개 평 08-193659호 공보 일본 특허공개 평 11-201288호 공보 일본 특허공개 2003-343727호 공보 일본 특허공개 2007-120738호 공보 일본 특허공개 2007-170634호 공보 일본 특허공개 2008-164079호 공보
최근, 반도체 제조장치의 제조공정에 있어서, 자외선을 사용하는 공정이 채용되도록 되고 있다. 자외선을 사용할 경우에는 자외선의 통과를 허용하기 위해서 판상의 석영 부재를 이용하여, 반도체 기판이 적재되는 영역과 다른 영역이 기밀적으로 분리된다. 이 경우에도 상기 시일 부재가 사용된다.
그러나, 석영 부재의 내부를 난반사한 자외선이 주변부에 위치하는 시일 부재에까지 도달하여 시일 부재에의 자외선 조사에 의해 현저하게 시일 부재가 열화되는 것이 생각된다.
본 발명은 상기와 같은 기술적 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 본 발명의 목적은 자외선이 조사되었을 경우에 있어서도 복합 시일의 열화를 억제하는 것이 가능한 구조를 구비하는 복합 시일을 제공하는 것이다.
본 발명에 근거한 복합 시일에 있어서는 기판을 배치하는 제 1 장치와, 상기 제 1 장치에 대향 배치되어 자외선을 통과시키는 판상의 제 2 장치를 구비하는 반도체 제조장치에 사용되고, 상기 기판의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 상기 제 1 장치와 상기 제 2 장치에 의해 끼워넣어짐으로써 탄성 변형하여, 상기 제 2 장치의 일방면측의 공간과 타방면측의 공간을 기밀적으로 분리하는 복합 시일로서, 상기 복합 시일은 상기 제 1 장치측에 배치되는 금속 부재와 상기 제 2 장치측에 배치되고 탄성 변형이 가능한 탄성 부재를 구비한다.
다른 형태에 있어서는, 상기 탄성 부재는 본체부와 상기 본체부로부터 외측으로 확장하는 플랜지부를 포함하고, 상기 금속 부재는 상기 플랜지부를 가운데 두고 상기 본체부와는 반대측 영역을 덮도록 설치된다.
다른 형태에 있어서는, 상기 본체부는 단면 형상이 상기 제 1 장치측이 단변, 상기 제 2 장치측이 장변인 대략 사다리꼴 형상이다.
다른 형태에 있어서는, 상기 본체부는 단면 형상이 상기 제 1 장치측을 향해서 볼록 형상의 곡면 형상을 갖는다.
다른 형태에 있어서는, 상기 플랜지부의 단면은 상기 본체부측에 접근함에 따라서 두께가 증가하는 사면 형상을 갖는다.
다른 형태에 있어서는, 상기 플랜지부의 단면은 상기 제 2 장치측이 가장 외측에 위치하고, 상기 제 2 장치측으로부터 상기 제 1 장치측을 향함에 따라서 내측으로 경사지는 사면이다.
다른 형태에 있어서는, 상기 플랜지부의 단면은 상기 제 1 장치측이 가장 외측에 위치하고, 상기 제 1 장치측으로부터 상기 제 2 장치측을 향함에 따라서 내측으로 경사지는 사면이다.
다른 형태에 있어서는, 상기 탄성 부재는 고무상 부재이고, 상기 금속 부재는 박막의 알루미늄 부재이다.
다른 형태에 있어서는, 상기 제 1 장치는 상기 기판을 배치하는 기판 배치 영역의 주위를 둘러싸도록 형성되는 홈부를 포함하고, 상기 복합 시일은 환상 형태를 갖고, 상기 홈부에 수용된다.
본 발명에 의하면, 자외선 조사에 의해서도 열화를 억제하는 것이 가능한 구조를 구비하는 복합 시일을 제공하는 것이다.
도 1은 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 2는 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 구조를 나타내는 측면도이다.
도 3은 도 1 중 III-III선 화살시 단면도이다.
도 4는 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 사용 상태를 나타내는 반도체 제조장치의 단면도이다.
도 5는 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태(변형 전)를 나타내는 제 1 단면도이다.
도 6은 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태(변형 후)를 나타내는 제 2 단면도이다.
도 7은 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 1 단면도이다.
도 8은 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 2 단면도이다.
도 9는 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 3 단면도이다.
도 10은 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 4 단면도이다.
도 11은 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 5 단면도이다.
도 12는 실시형태 1에 있어서의 복합 시일의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 6 단면도이다.
도 13은 실시형태 2에 있어서의 복합 시일의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 14는 실시형태 2에 있어서의 복합 시일의 변형 상태(변형 전)를 나타내는 제 1 단면도이다.
도 15는 실시형태 2에 있어서의 복합 시일의 변형 상태(변형 후)를 나타내는 제 2 단면도이다.
도 16은 실시형태 3에 있어서의 복합 시일의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 17은 실시형태 3에 있어서의 복합 시일의 변형 상태(변형 전)를 나타내는 제 1 단면도이다.
도 18은 실시형태 3에 있어서의 복합 시일의 변형 상태(변형 후)를 나타내는 제 2 단면도이다.
본 발명에 기초한 각 실시형태에 있어서의 복합 시일에 대해서, 이하 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 각 실시형태에 있어서, 개수, 양 등으로 언급할 경우, 특별히 기재가 있을 경우를 제외하고는 본 발명의 범위는 반드시 그 개수, 양 등에 한정되지 않는다. 또한, 동일한 부품, 상당 부품에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복하는 설명은 반복하지 않는 경우가 있다.
(실시형태 1: 복합 시일(100))
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 실시형태에 있어서의 복합 시일(100)의 구조 에 대해서 설명한다. 도 1은 복합 시일(100)의 구조를 나타내는 평면도이고, 도 2는 복합 시일(100)의 구조를 나타내는 측면도이고, 도 3은 도 1 중 III-III선의 화살표 방향에서 본 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 실시형태에 있어서의 복합 시일(100)은 환상 형태를 갖고 있다. 복합 시일(100)의 크기는 사용되는 반도체 제조장치의 크기 에 따라 적당히 결정되는 것이지만, 예를 들면 내직경(φD1)이 약 360mm, 폭(w1)이 약 6mm, 높이(h)가 약 3mm 정도이다.
도 3에 나타나 있는 바와 같이, 복합 시일(100)의 구체적 구조로서는 탄성 변형이 가능한 탄성 부재(110)와 금속 부재(120)를 구비하고 있다. 탄성 부재(110)는 고무상 부재로 이루어지고, 예를 들면 불소계 고무 부재(불화 비닐리덴(FKM))이 사용된다. 본 실시형태에서는 탄성 부재(110)로서 NIPPON VALQUA INDUSTRIES, LTD. 제품의 SPOQ ARMOR(등록상표)를 사용했다. 또한, 금속 부재(120)로서는 두께 약 0.05mm 정도의 시트상 알루미늄을 사용했다. 금속 부재(120)는 자외선의 통과를 억제하여 탄성 부재(110)에 자외선이 도달하는 것을 억제하는 재료인 것이 바람직하다. 예를 들면, 알루미늄 이외에, 알루미늄 합금, 알루마이트 등의 알루미늄 부재를 사용할 수도 있다.
탄성 부재(110)는 후술하는 반도체 제조장치에 형성되는 홈부(13)(도 4 참조)의 단면에서 볼 때, 홈부(13)의 내부에 수용되는 본체부(111)와, 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(13)로부터는 노출되고 본체부(111)로부터 외측으로 확장하는 플랜지부(112)를 포함한다. 여기에서, 본체부(111)로부터 외측으로 확장하는 것이란, 복합 시일(100)의 반경 방향의 내방 및 외방을 향해서, 도 3에 나타나 있는 바와 같이, 플랜지부(112)가 돌출하는 것을 의미한다. 이하의 실시형태에 있어서도 마찬가지이다.
금속 부재(120)는 플랜지부(112)를 사이에 두고 본체부(111)와는 반대측의 영역을 덮도록 설치된다.
본체부(111)은 단면 형상이 홈부(13)측(도 3 중의 하측)이 단변, 금속 부재(120)측이 장변인 대략 사다리꼴 형상이고, 단변부(110a), 경사 측면부(110b, 110b)를 갖고 있다.
또한, 플랜지부(112)의 단면(110c)은 본체부(111)측에 근접함에 따라서 두께가 증가하는 사면 형상을 갖고, 구체적으로는 단면(110c)은 후술하는 제 2 장치(21)측(도 3 중의 상측)이 가장 외측에 위치하고, 제 2 장치(21)측(도 3 중의 상측)으로부터 제 1 장치(11)측(도 3 중의 하측)을 향함에 따라서 내측으로 경사지는 사면이다.
(복합 시일(100)의 사용 상태)
다음에, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 복합 시일(100)의 사용 상태에 대해서 설명한다. 도 4는 복합 시일(100)의 사용 상태를 나타내는 반도체 제조장치의 단면도이고, 도 5는 복합 시일(100)의 변형 상태(변형 전)를 나타내는 제 1 단면도이고, 도 6은 복합 시일(100)의 변형 상태(변형 후)를 나타내는 제 2 단면도이다.
도 4를 참조하여, 이 복합 시일(100)이 사용되는 반도체 제조장치(1)는 반도체 기판(50)을 배치하는 기판 배치 영역(12)의 주위를 둘러싸도록 형성되는 홈부(13)를 구비하는 제 1 장치(11)와, 이 제 1 장치(11)에 대향 배치되어 자외선을 통과시키는 판상의 제 2 장치(21)를 구비한다. 판상의 제 2 장치(21)에는 석영 기판이 사용되고 있다. 이 반도체 제조장치(1)에 있어서는 홈부(13)는 환상으로 형성되어 있다.
도 5를 참조하여, 복합 시일(100)이 홈부(13)에 적재된 상태를 나타내고 있다. 홈부(13)에 복합 시일(100)의 본체부(111)가 위치하고, 플랜지부(112)는 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(13)로부터는 노출되어 있다. 또한, 플랜지부(112)의 제 2 장치(21)측에 금속 부재(120)가 위치하고 있다.
도 6을 참조하여, 반도체 제조장치(1)에 있어서, 제 1 장치(11)측을 향해서 제 2 장치(21)가 하강하고, 기판 배치 영역(12)측이 진공 상태가 되도록 제어된 상태를 나타낸다. 복합 시일(100)은 제 1 장치(11)와 제 2 장치(21)에 의해 끼워넣어짐으로써 크게 탄성 변형하여, 제 2 장치(21)의 일방면측(제 1 장치(11)측)의 공간과 타방면측의 공간이 기밀적으로 분리된다.
이때, 기판 배치 영역(12)에 적재된 반도체 기판(50)에 자외선(UV)이 조사되었을 경우, 도 6 중의 제 2 장치(21) 내의 화살표(L1)에 나타나 있는 바와 같이, 제 2 장치(석영 부재)(21)의 내부를 난반사한 자외선이 주변부에 위치하는 탄성 부재(110)에까지 도달하여 탄성 부재(110)에 자외선이 조사된다.
그러나, 본 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)에 의하면, 금속 부재(120)에 의해 탄성 부재(110)로의 자외선의 조사가 크게 억제되어, 탄성 부재(110)의 열화의 촉진을 지연시키는 것이 가능해진다.
또한, 탄성 부재(110)의 압축시에 있어서는 도 5 및 도 6에 나타나 있는 바와 같이 홈부(13)의 내부에 있어서 탄성 부재(110)가 크게 변화됨으로써 탄성 부재(110)로서의 기밀성을 담보하는 것에 성공하는 한편으로, 플랜지부(112)의 변형량을 작게 억제하고 있다. 이것에 의해, 탄성 변형이 부족한 금속 부재(120)에의 균열 발생 등의 파손을 방지하는 것을 가능하게 하고 있다.
여기에서, 도 7 내지 도 12를 참조하여, 온도 변화에 따른 복합 시일(100)의 압축시에 있어서의 내압의 변화에 대해서 설명한다. 도 7 내지 도 12는 복합 시일(100)의 변형 상태에 있어서의 내부 압력의 변화를 나타내는 제 1 단면도 내지 제 6 단면도이다.
도 7은 실온(25℃) 상태에 있어서, 복합 시일(100)의 본체부(111) 및 플랜지부(112)에 가압력이 가해져 있지 않은 상태를 나타낸다. 영역 A(탄성 부재(110)의 모든 영역)에는 압력이 가해져 있지 않다. 도 8은 실온(25℃) 상태에 있어서, 복합 시일(100)에 가압력이 가해진 상태(진공압이 약 5Torr일 때)를 나타낸다. 본체부(111)의 내부에 있어서, 내부 압력이 상승하여 있다. 내부 압력은 영역 A<영역 B<영역 C이다. 한편, 플랜지부(112)의 내부 압력의 변화는 본체부(111)에 비해서 작다.
도 9 내지 도 12를 참조하여, 복합 시일(100)의 온도가 더욱 상승했을 경우에 대해서 설명한다. 도 9는 온도가 70℃인 경우를 나타낸다. 본체부(111)의 내부에 있어서, 내부 압력이 더욱 상승하여 있다. 내부 압력은 영역 A<영역 B<영역 C<영역 D이다. 한편, 플랜지부(112)의 내부 압력의 변화는 본체부(111)에 비해서 작다.
도 10은 온도가 120℃인 경우를 나타낸다. 본체부(111)의 내부에 있어서, 영역 D가 확대되고, 내부 압력이 더욱 상승하여 있다. 내부 압력은 영역 A<영역 B<영역 C<영역 D이다. 한편, 플랜지부(112)의 내부 압력의 변화는 본체부(111)에 비해서 작다.
도 11은 온도가 150℃인 경우를 나타낸다. 본체부(111)의 내부에 있어서 영역 D보다 내부 압력이 높은 영역 E가 발생하고, 내부 압력이 더욱 상승하여 있다. 내부 압력은 영역 A<영역 B<영역 C<영역 D<영역 E이다. 한편, 플랜지부(112)의 내부 압력의 변화는 본체부(111)에 비해서 작다.
도 12는 온도가 200℃인 경우를 나타낸다. 본체부(111)의 내부에 있어서, 영역 E가 확대되고, 영역 F보다 내부 압력이 높은 영역 F가 발생하여, 내부 압력이 더욱 상승하여 있다. 내부 압력은 영역 A<영역 B<영역 C<영역 D<영역 E<영역 F이다. 한편, 플랜지부(112)의 내부 압력의 변화는 본체부(111)에 비해서 작다.
이와 같이, 복합 시일(100)의 온도가 상승했을 경우에도 본체부(111)의 변형량은 작기 때문에, 탄성 변형이 부족한 금속 부재(120)에의 균열 발생 등의 파손을 방지하는 것이 가능한 것을 확인할 수 있었다.
이상, 본 실시형태에 있어서의 복합 시일(100)에 의하면, 금속 부재(120)에 의해 탄성 부재(110)로의 자외선의 조사가 크게 억제되어, 탄성 부재(110)의 자외선에 의한 열화의 촉진을 지연시키는 것이 가능해진다.
또한, 복합 시일(100)의 압축시에 있어서는 플랜지부(112)의 변형량이 작기 때문에, 탄성 변형이 부족한 금속 부재(120)에의 균열 발생 등의 파손을 방지하는 것을 가능하게 하고 있다.
(실시형태 2: 복합 시일(200))
도 13을 참조하여, 본 실시형태에 있어서의 복합 시일(200)의 구조에 대해서 설명한다. 도 13은 복합 시일(200)의 구조를 나타내는 단면도이다.
본 실시형태에 있어서의 복합 시일(200)은, 기본적 구성은 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)과 같은 형태이고, 환상 형태를 갖고 있다. 복합 시일(200)의 크기는 사용되는 반도체 제조장치의 크기에 따라 적당하게 결정되는 것이지만, 예를 들면 내직경(φD1)이 약 360mm, 폭(w1)이 약 6mm, 높이(h)가 약 3mm 정도이다.
도 13에 나타나 있는 바와 같이, 복합 시일(200)의 구체적 구조로서는 탄성 변형이 가능한 탄성 부재(210)와 자외선을 반사하는 금속 부재(220)를 구비하고 있다. 탄성 부재(210) 및 금속 부재(220)에 사용되는 재료는 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)과 같다.
탄성 부재(210)는 후술하는 반도체 제조장치에 형성되는 홈부(13)(도 4 참조)의 단면에서 볼 때, 홈부(13)의 내부에 수용되는 본체부(211)와, 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(13)로부터는 노출되고 본체부(211)로부터 외측으로 확장하는 플랜지부(212)를 포함한다.
금속 부재(220)는 플랜지부(212)를 사이에 두고 본체부(211)와는 반대측의 영역을 덮도록 설치된다. 본체부(211)는 단면 형상이 홈부(13)를 향해서 볼록 형상의 곡면 형상(210a)을 갖고 있다.
플랜지부(212)의 단면(210c)은 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)의 단면(110c)과 같은 형태이다.
(복합 시일(200)의 사용 상태)
다음에, 도 14 및 도 15를 참조하여, 복합 시일(200)의 사용 상태에 대해서 설명한다. 도 14는 복합 시일(200)의 변형 상태(변형 전)를 나타내는 제 1 단면도이고, 도 15는 복합 시일(200)의 변형 상태(변형 후)를 나타내는 제 2 단면도이다.
도 14를 참조하여, 이 복합 시일(200)이 사용되는 반도체 제조장치(1)는 실시형태 1과 같다. 복합 시일(200)이 홈부(13)에 적재된 상태를 나타내고 있다. 홈부(13)에 복합 시일(200)의 본체부(211)가 위치하고, 플랜지부(212)는 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(23)로부터는 노출되어 있다. 또한, 플랜지부(212)의 제 2 장치(21)측에 금속 부재(220)가 위치하고 있다.
도 15를 참조하여, 반도체 제조장치(1)에 있어서 제 1 장치(11)측을 향해서 제 2 장치(21)가 하강하고, 기판 배치 영역(12)측이 진공 상태가 되도록 제어된 상태를 나타낸다. 복합 시일(200)은 제 1 장치(11)와 제 2 장치(21)에 의해 끼워넣어짐으로써 크게 탄성 변형하여, 제 2 장치(21)의 일방면측(제 1 장치(11)측)의 공간과 타방면측의 공간이 기밀적으로 분리된다.
본 실시형태에 있어서의 복합 시일(200)에 의해서도 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)과 마찬가지로 금속 부재(220)에 의해 탄성 부재(210)로의 자외선의 조사가 크게 억제되어, 탄성 부재(210)의 자외선에 의한 열화의 촉진을 지연시키는 것이 가능해진다.
또한, 복합 시일(200)의 압축시에 있어서는 플랜지부(212)의 변형량이 작기 때문에, 탄성 변형이 부족한 금속 부재(220)에의 균열 발생 등의 파손을 방지하는 것을 가능하게 하고 있다.
실시형태 1과 같이 복합 시일의 탄성 부재의 단면 형상이 대략 사다리꼴 형상일 경우에는 복합 시일을 홈에 장착했을 경우에 복합 시일의 자세가 기울어진 경우에는 단변부가 부분적으로 홈에 접촉한다. 그 결과, 탄성 부재에 뒤틀림이 발생하여, 복합 시일을 압축했을 때의 접촉면압이 불균일해지는 것이 생각된다. 본 실시형태와 같이 탄성 부재의 단면 형상을 볼록 형상의 곡면 형상으로 함으로써 복합 시일의 자세가 기울어진 경우에도, 압축했을 때의 접촉면압을 균일하게 할 수 있어서 시일성을 보다 높이는 것이 가능해진다.
(실시형태 3: 복합 시일(300))
도 16을 참조하여, 본 실시형태에 있어서의 복합 시일(300)의 구조에 대해서 설명한다. 도 16은 복합 시일(300)의 구조를 나타내는 단면도이다.
본 실시형태에 있어서의 복합 시일(300)은, 기본적 구성은 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)과 같은 형태이고, 환상 형태를 갖고 있다. 복합 시일(300)의 크기는 사용되는 반도체 제조장치의 크기에 따라 적당하게 결정되는 것이지만, 예를 들면 내직경(φD1)이 약 360mm, 폭(w1)이 약 6mm, 높이(h)가 약 3mm정도이다.
도 16에 나타나 있는 바와 같이, 복합 시일(300)의 구체적 구조로서는 탄성 변형이 가능한 탄성 부재(310)와 자외선을 반사하는 금속 부재(320)를 구비하고 있다. 탄성 부재(210) 및 금속 부재(220)에 사용되는 재료는 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)과 같다.
탄성 부재(310)는 후술하는 반도체 제조장치에 형성되는 홈부(13)(도 4 참조)의 단면에서 볼 때, 홈부(13)의 내부에 수용되는 본체부(311)와, 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(13)로부터는 노출되고 본체부(311)로부터 외측으로 확장하는 플랜지부(212)를 포함한다.
금속 부재(320)는 플랜지부(312)를 사이에 두고 본체부(211)와는 반대측의 영역을 덮도록 설치된다. 본체부(311)의 단면 형상은 실시형태 1에 있어서의 본체부(111)와 동일한 형상이다. 플랜지부(312)의 단면(310c)은 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)의 단면(110c)과는 반대의 형태이고, 제 1 장치(11)측이 가장 외측에 위치하고, 제 1 장치(11)측으로부터 제 2 장치(21)측을 향함에 따라서 내측으로 경사지는 사면이다.
(복합 시일(300)의 사용 상태)
다음에, 도 17 및 도 18을 참조하여, 복합 시일(300)의 사용 상태에 대해서 설명한다. 도 17은 복합 시일(300)의 변형 상태(변형 전)를 나타내는 제 1 단면도이고, 도 18은 복합 시일(300)의 변형 상태(변형 후)를 나타내는 제 2 단면도이다.
도 17을 참조하여, 이 복합 시일(300)이 사용되는 반도체 제조장치(1)는 실시형태 1과 같다. 복합 시일(300)이 홈부(13)에 적재된 상태를 나타내고 있다. 홈부(13)에 복합 시일(300)의 본체부(311)가 위치하고, 플랜지부(312)는 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(23)로부터는 노출되어 있다. 또한, 플랜지부(312)의 제 2 장치(21)측에 금속 부재(320)가 위치하고 있다.
도 18을 참조하여, 반도체 제조장치(1)에 있어서, 제 1 장치(11)측을 향해서 제 2 장치(21)가 하강하고, 기판 배치 영역(12)측이 진공 상태가 되도록 제어된 상태를 나타낸다. 복합 시일(200)은 제 1 장치(11)와 제 2 장치(21)에 의해 끼워넣어짐으로써 크게 탄성 변형하여, 제 2 장치(21)의 일방면측(제 1 장치(11)측)의 공간과 타방면측의 공간이 기밀적으로 분리된다.
본 실시예에 있어서의 복합 시일(300)에 의해서도, 상기 실시형태 1에 있어서의 복합 시일(100)과 마찬가지로, 금속 부재(320)에 의해 탄성 부재(310)로의 자외선의 조사가 크게 억제되어, 탄성 부재(310)의 자외선에 의한 열화의 촉진을 지연시키는 것이 가능해진다.
또한, 복합 시일(300)의 압축시에 있어서는 플랜지부(312)의 변형량이 작기 때문에, 탄성 변형이 부족한 금속 부재(320)에의 균열 발생 등의 파손을 방지하는 것을 가능하게 하고 있다.
또한, 자외선이 제 2 장치(석영 부재)(21)의 내부뿐만 아니라 제 1 장치(11)와 제 2 장치(21) 사이에도 침입하는 환경일 경우, 본 실시형태와 같이 단면(310c)까지 금속 부재(320)가 설치되어 있으면, 도 18에 나타나 있는 바와 같이 제 2 장치(21)와 제 1 장치(11) 사이로부터 침입하는 자외선을 차단하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 각 실시형태에 있어서는 홈부(13)를 갖는 반도체 제조장치에 복합 시일을 배치하는 경우에 대해서 설명했지만, 홈부(13)를 갖지 않는 반도체 제조장치에 대해서도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 각 실시형태에 있어서는 복합 시일의 탄성 부재의 형상으로서, 홈부(13)의 내부에 수용되는 본체부와, 홈부(13)의 내부에 수용되지 않고 홈부(13)로부터는 노출되고 본체부로부터 외측으로 확장하는 플랜지부를 포함하는 구조를 채용했을 경우에 대해서 설명하고 있지만, 이 구조에 한정되는 것은 아니고, 플랜지부를 설치하지 않은 구조를 채용하는 것도 가능하다. 홈부(13)측에 배치되고 탄성 변형이 가능한 탄성 부재(110)와, 제 2 장치(21)측에 배치되고 자외선을 반사하는 금속 부재(120)를 구비하는 복합 시일이면, 자외선이 조사되었을 경우에도 복합 시일의 열화를 억제하는 것을 가능하게 한다.
또한, 금속 부재에 의해 자외선을 반사시킴으로써 탄성 부재로의 자외선의 조사를 억제하여, 탄성 부재의 자외선에 의한 열화의 촉진을 지연시키는 것을 가능하게 했을 경우에 대해서 설명하고 있지만, 100% 자외선을 반사시킬 경우에 한정되지 않고, 탄성 부재로의 자외선의 조사를 억제할 수 있는 부재이면, 어떤 금속 부재이어도 상관없다.
또한, 상기 각 실시형태에 있어서는, 복합 시일의 형상으로서 원환상 형태를 채용했을 경우에 대해서 설명했지만, 환상에 대해서는 원 형상에 한정되지 않고, 타원 형상, 사각 형상의 환상 형태를 채용하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 근거하는 상기 각 실시형태에 있어서 나타내는 복합 시일이 사용되는 반도체 제조장치에 있어서도 사용되는 반도체란, 소자가 조립되는 반도체 기판, FPD(플랫 패널 디스플레이)를 구성하는 반도체 기판 등, 반도체 제조 프로세스를 채용하는 것이 가능한 반도체를 의미한다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아닌 것으로 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 청구범위에 의해 나타내고, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
11: 제 1 장치 13: 홈부
21: 제 2 장치 100, 200, 300: 복합 시일
110, 210, 310: 탄성 부재 110a: 단변부
110b: 경사 측면부 110c, 210c, 310c: 단면
111, 211, 311: 본체부 112, 212, 312: 플랜지부
120, 220, 320: 금속 부재 210a: 곡면 형상

Claims (9)

  1. 기판을 배치하는 제 1 장치와, 상기 제 1 장치에 대향 배치되어 자외선을 통과시키는 판상의 제 2 장치를 구비하는 반도체 제조장치에 사용되고, 상기 기판의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 상기 제 1 장치와 상기 제 2 장치에 의하여 끼워넣어짐으로써 탄성 변형하여 상기 제 2 장치의 일방면측의 공간과 타방면측의 공간을 기밀적으로 분리하는 복합 시일로서,
    상기 제 1 장치측에 배치되는 금속 부재와,
    상기 제 2 장치측에 배치되고 탄성 변형이 가능한 탄성 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는,
    본체부와,
    상기 본체부로부터 외측으로 확장하는 플랜지부를 포함하고,
    상기 금속 부재는 상기 플랜지부를 사이에 두고 상기 본체부와는 반대측의 영역을 덮도록 설치되는 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 본체부는 단면 형상이 상기 제 1 장치측이 단변, 상기 제 2 장치측이 장변인 대략 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 본체부는 단면 형상이 상기 제 1 장치측을 향해서 볼록 형상인 곡면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플랜지부의 단면은 상기 본체부측에 근접함에 따라서 두께가 증가하는 사면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 플랜지부의 단면은 상기 제 2 장치측이 가장 외측에 위치하고, 상기 제 2 장치측으로부터 상기 제 1 장치측을 향함에 따라서 내측으로 경사지는 사면인 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 플랜지부의 단면은 상기 제 1 장치측이 가장 외측에 위치하고, 상기 제 1 장치측으로부터 상기 제 2 장치측을 향함에 따라서 내측에 경사지는 사면인 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는 고무상 부재이고,
    상기 금속 부재는 박막의 알루미늄 부재인 것을 특징으로 하는 복합 시일.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 장치는 상기 기판을 배치하는 기판 배치 영역의 주위를 둘러싸도록 설치되는 홈부를 포함하고,
    상기 복합 시일은 환상 형태를 갖고, 상기 홈부에 수용되는 것을 특징으로 하는 복합 시일.
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