JPH03297124A - 紫外線照射装置 - Google Patents
紫外線照射装置Info
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- JPH03297124A JPH03297124A JP2099809A JP9980990A JPH03297124A JP H03297124 A JPH03297124 A JP H03297124A JP 2099809 A JP2099809 A JP 2099809A JP 9980990 A JP9980990 A JP 9980990A JP H03297124 A JPH03297124 A JP H03297124A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、紫外線照射装置に関する。
(従来の技術)
従来から、例えば半導体製造工程等においては、被処理
物例えば半導体ウェハおよびその雰囲気(処理用ガス)
に紫外線を照射し、各種処理を施すことが行われている
。
物例えば半導体ウェハおよびその雰囲気(処理用ガス)
に紫外線を照射し、各種処理を施すことが行われている
。
このような処理を行う紫外線照射装置は、一般に、減圧
雰囲気あるいは所定の処理ガス雰囲気下で紫外線を照射
するため、被処理物を収容するための気密容器を備えて
いる。また、紫外線ランプ等は、通常気密容器の外に設
けられており、気密容器に設けられた紫外線照射用窓を
介して気密容器内に紫外線を照射するよう構成されてい
るものが多い。
雰囲気あるいは所定の処理ガス雰囲気下で紫外線を照射
するため、被処理物を収容するための気密容器を備えて
いる。また、紫外線ランプ等は、通常気密容器の外に設
けられており、気密容器に設けられた紫外線照射用窓を
介して気密容器内に紫外線を照射するよう構成されてい
るものが多い。
また、上記紫外線照射用窓には、紫外線吸収の少ない透
明板として、通常石英ガラス板が用いられており、この
石英ガラス板を気密容器に設けられた開口を閉塞する如
く固定し、紫外線照射用窓が構成されている。なお、石
英ガラス板と気密容器との当接部には、気密シール用の
パツキンとして、例えばフッ素系ゴム等からなる0リン
グ等が設けられることが多い。
明板として、通常石英ガラス板が用いられており、この
石英ガラス板を気密容器に設けられた開口を閉塞する如
く固定し、紫外線照射用窓が構成されている。なお、石
英ガラス板と気密容器との当接部には、気密シール用の
パツキンとして、例えばフッ素系ゴム等からなる0リン
グ等が設けられることが多い。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記説明の従来の紫外線照射装置では、
例えば紫外線照射用窓の石英ガラス板内で紫外線が多重
反射し、この石英ガラス板と気密容器との間に設けられ
た気密シール用のパツキン(例えばフッ素系ゴム等から
なる)に紫外線が照射されるため、気密シール用のパツ
キンが劣化し、シール性が悪くなったり、パーティクル
が発生するという問題があった。
例えば紫外線照射用窓の石英ガラス板内で紫外線が多重
反射し、この石英ガラス板と気密容器との間に設けられ
た気密シール用のパツキン(例えばフッ素系ゴム等から
なる)に紫外線が照射されるため、気密シール用のパツ
キンが劣化し、シール性が悪くなったり、パーティクル
が発生するという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、紫外線照射用窓に設けられた気密シール用のパツキン
の紫外線照射による劣化を防止することができ、シール
性の悪化やパーティクルの発生を防止して、長期間に亘
って良好な処理を行うことのできる紫外線照射装置を提
供しようとするものである。
、紫外線照射用窓に設けられた気密シール用のパツキン
の紫外線照射による劣化を防止することができ、シール
性の悪化やパーティクルの発生を防止して、長期間に亘
って良好な処理を行うことのできる紫外線照射装置を提
供しようとするものである。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明は、開口を閉塞する如く透明板を設けた
紫外線照射用窓を有する気密容器内に被処理物を収容し
、この被処理物に前記紫外線照射用窓を介して紫外線を
照射して所定の処理を施す紫外線照射装置において、前
記透明板と前記気密容器との当接部に気密シール用のパ
ツキンを設けるとともに、この気密シール用のパツキン
に、紫外線遮蔽手段を設けたことを特徴とする。
紫外線照射用窓を有する気密容器内に被処理物を収容し
、この被処理物に前記紫外線照射用窓を介して紫外線を
照射して所定の処理を施す紫外線照射装置において、前
記透明板と前記気密容器との当接部に気密シール用のパ
ツキンを設けるとともに、この気密シール用のパツキン
に、紫外線遮蔽手段を設けたことを特徴とする。
(作 用)
本発明の紫外線照射装置では、気密シール用のパツキン
と透明板との間に、紫外線遮蔽手段が設けられているの
で、気密シール用のパツキンに透明板内で多重反射した
紫外線が照射されることを防止することができる。
と透明板との間に、紫外線遮蔽手段が設けられているの
で、気密シール用のパツキンに透明板内で多重反射した
紫外線が照射されることを防止することができる。
したがって、気密シール用のパツキンの紫外線照射によ
る劣化を防止することができ、シール性の悪化やパーテ
ィクルの発生を防止して、長期間に亘って良好な処理を
行うことができる。
る劣化を防止することができ、シール性の悪化やパーテ
ィクルの発生を防止して、長期間に亘って良好な処理を
行うことができる。
(実施例)
以下、本発明を半導体ウェハに付着した重金属等の除去
を行うドライ洗浄装置に適用した一実施例を、図面を参
照して説明する。
を行うドライ洗浄装置に適用した一実施例を、図面を参
照して説明する。
第2図に示すように、ドライ洗浄装置1には、材質例え
ば表面にアルミナ処理されたアルミニウム等からなる気
密容器2が設けられている。この気密容器2内には、そ
の上面に被処理物としての半導体ウェハ3を載置可能に
構成された予め定められた温度に加熱される熱板4が設
けられており、この熱板4の側方には、半導体ウニ八3
の表面に沿って所定の処理ガスを流通させるためのガス
供給部5と排気部6とが熱板4を挾んで対向する如く設
けられている。
ば表面にアルミナ処理されたアルミニウム等からなる気
密容器2が設けられている。この気密容器2内には、そ
の上面に被処理物としての半導体ウェハ3を載置可能に
構成された予め定められた温度に加熱される熱板4が設
けられており、この熱板4の側方には、半導体ウニ八3
の表面に沿って所定の処理ガスを流通させるためのガス
供給部5と排気部6とが熱板4を挾んで対向する如く設
けられている。
また、上記気密容器2の底面には、赤外線照射用窓7が
設けられており、この赤外線照射用窓7の外側には赤外
線光源8が設けられている。そして、この赤外線光源8
から赤外線照射用窓7を介して熱板4の下面に赤外線を
照射し、熱板4(半導体ウェハ3)を上記した所定温度
に加熱する如(構成されている。
設けられており、この赤外線照射用窓7の外側には赤外
線光源8が設けられている。そして、この赤外線光源8
から赤外線照射用窓7を介して熱板4の下面に赤外線を
照射し、熱板4(半導体ウェハ3)を上記した所定温度
に加熱する如(構成されている。
上記熱板4には、上下方向に貫通する如く複数例えば3
つの図示しない透孔が設けられている。
つの図示しない透孔が設けられている。
また、この熱板4の下部には、これらの透孔に挿入可能
な如く、ピン支持部材9に支持された少な(とも 3本
のウェハ支持ピン10が設けられている。これらのウェ
ハ支持ピン10は、ピン支持部材9およびリンク機構1
1を介してピン昇降機構12に接続されており、上記透
孔を貫通する如く上昇して半導体ウェハ3わ熱板4から
上方に持ち上げ半導体ウェハ3を支持し、熱板4と半導
体ウェハ3との間に、ウェハ搬送用アーム等を挿入可能
とするための間隔を設定可能に構成されている。
な如く、ピン支持部材9に支持された少な(とも 3本
のウェハ支持ピン10が設けられている。これらのウェ
ハ支持ピン10は、ピン支持部材9およびリンク機構1
1を介してピン昇降機構12に接続されており、上記透
孔を貫通する如く上昇して半導体ウェハ3わ熱板4から
上方に持ち上げ半導体ウェハ3を支持し、熱板4と半導
体ウェハ3との間に、ウェハ搬送用アーム等を挿入可能
とするための間隔を設定可能に構成されている。
なお、前述した如く、熱板4は赤外線光源8からの赤外
線照射によって加熱する。したがって、上記ピン支持部
材9およびウェハ支持ピン10は、透明な部材(赤外線
を透過させる部材)、例えば石英等から構成し、熱板4
にピン支持部材9およびウェハ支持ピン10の影が形成
されないようにして、熱板4が均一に加熱されるよう構
成することか好ましい。このようにすれば、均一に加熱
された熱板4によって半導体ウェハ3か均一に加熱され
、半導体ウェハ3に均一な処理を施すことができる。
線照射によって加熱する。したがって、上記ピン支持部
材9およびウェハ支持ピン10は、透明な部材(赤外線
を透過させる部材)、例えば石英等から構成し、熱板4
にピン支持部材9およびウェハ支持ピン10の影が形成
されないようにして、熱板4が均一に加熱されるよう構
成することか好ましい。このようにすれば、均一に加熱
された熱板4によって半導体ウェハ3か均一に加熱され
、半導体ウェハ3に均一な処理を施すことができる。
一方、上記気密容器2の上面には、紫外線照射用窓13
が気密に設けられており、この紫外線照肘用窓13の外
側には紫外線光源14例えばキセノンランプが設けられ
ている。そして、この紫外線光源14から紫外線照射用
窓13を介して半導体ウェハ3およびガス供給部5から
、気密容器2内に導入された所定の処理ガス例えば塩素
ガス(C(2)に紫外線を照射する如く構成されている
。
が気密に設けられており、この紫外線照肘用窓13の外
側には紫外線光源14例えばキセノンランプが設けられ
ている。そして、この紫外線光源14から紫外線照射用
窓13を介して半導体ウェハ3およびガス供給部5から
、気密容器2内に導入された所定の処理ガス例えば塩素
ガス(C(2)に紫外線を照射する如く構成されている
。
上記紫外線照射用窓13は、第1図に示すように、気密
容器2の上面に形成された形状例えば円形の開口部15
を、紫外線透過率の高い材質からなる透明板、例えば円
板状に形成された石英ガラス板16によって閉塞する如
く構成されている。
容器2の上面に形成された形状例えば円形の開口部15
を、紫外線透過率の高い材質からなる透明板、例えば円
板状に形成された石英ガラス板16によって閉塞する如
く構成されている。
そして、気密容器2と石英ガラス板16との間には、気
密シール用のパツキン例えばフッ素系ゴムからなる0リ
ング17が設けられている。また、石英ガラス板16に
は、Oリング17への紫外線照射を防止する紫外線遮蔽
手段として、0リング17との当接部に沿って環状に金
属膜18が形成されている。この金属膜18は、例えば
金、タンタル等紫外線を反射または吸収し透過させない
材料からなり、例えば蒸着等の方法によって形成されて
いる。勿論Oリング17の表面に紫外線遮蔽膜を被覆し
てもよい。
密シール用のパツキン例えばフッ素系ゴムからなる0リ
ング17が設けられている。また、石英ガラス板16に
は、Oリング17への紫外線照射を防止する紫外線遮蔽
手段として、0リング17との当接部に沿って環状に金
属膜18が形成されている。この金属膜18は、例えば
金、タンタル等紫外線を反射または吸収し透過させない
材料からなり、例えば蒸着等の方法によって形成されて
いる。勿論Oリング17の表面に紫外線遮蔽膜を被覆し
てもよい。
上記構成のドライ洗浄装置1では、赤外線光源8から赤
外線照射用窓7を介して熱板4の下面に赤外線を照射し
、熱板4を予め所定温度(例えば150〜300℃)に
加熱しておく。また、予めピン昇降機構12により、ウ
ェハ支持ビン10を熱板4の上面に突出させた状態に設
定しておく。
外線照射用窓7を介して熱板4の下面に赤外線を照射し
、熱板4を予め所定温度(例えば150〜300℃)に
加熱しておく。また、予めピン昇降機構12により、ウ
ェハ支持ビン10を熱板4の上面に突出させた状態に設
定しておく。
そして、気密容器2の図示しない搬出入口から、例えば
図示しない自動搬送装置等により、ウェハ支持ピン10
上に半導体ウェハ3を載置し、この後、ウェハ支持ピン
10を下降させ、半導体ウェハ3を熱板4上に載置する
。
図示しない自動搬送装置等により、ウェハ支持ピン10
上に半導体ウェハ3を載置し、この後、ウェハ支持ピン
10を下降させ、半導体ウェハ3を熱板4上に載置する
。
しかる後、気密容器2内を所定圧力(例えば20Tor
r)の減圧状態とし、ガス供給部5から所定の処理ガス
例えば塩素ガス(Cβ2)を所定流量(例えば508C
CM)で供給し、排気部6から排気を実施することによ
り、半導体ウェハ3の表面に沿って処理ガスを流通させ
る。そして、紫外線光源14から紫外線照射用窓13を
介して半導体ウェハ3および処理ガスに紫外線を照射す
る。
r)の減圧状態とし、ガス供給部5から所定の処理ガス
例えば塩素ガス(Cβ2)を所定流量(例えば508C
CM)で供給し、排気部6から排気を実施することによ
り、半導体ウェハ3の表面に沿って処理ガスを流通させ
る。そして、紫外線光源14から紫外線照射用窓13を
介して半導体ウェハ3および処理ガスに紫外線を照射す
る。
すると、5iCJ2s、5iCJ2sでの反応に触発さ
れて、MxCρYが形成され、SiCβ4、SiCβ6
の蒸発に導かれてMxCβYも気化し、重金属等の残留
物が半導体ウェハ3表面から除去される。
れて、MxCρYが形成され、SiCβ4、SiCβ6
の蒸発に導かれてMxCβYも気化し、重金属等の残留
物が半導体ウェハ3表面から除去される。
この時、第1図に矢印で示す如く、紫外線光源14から
の紫外線が、石英ガラス板16内で多重反射するが、金
属膜18によって反射されるので、この紫外線がOリン
グ17に照射されることはない。
の紫外線が、石英ガラス板16内で多重反射するが、金
属膜18によって反射されるので、この紫外線がOリン
グ17に照射されることはない。
したがって、フッ素系ゴム等からなるOリング17の紫
外線照射による劣化を防止することかでき、シール性の
悪化やパーティクルの発生を防止することができるので
、長期間に亘って良好なりリーニング処理を行うことが
できる。
外線照射による劣化を防止することかでき、シール性の
悪化やパーティクルの発生を防止することができるので
、長期間に亘って良好なりリーニング処理を行うことが
できる。
なお、上記実施例では、本発明をドライ洗浄装置1に適
用した例について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、気密容器の外側から紫外線照
射用窓を介して被処理物に紫外線を照射する装置であれ
ば、どのような装置でも、上記実施例と同様にして適用
することができる。
用した例について説明したが、本発明はかかる実施例に
限定されるものではなく、気密容器の外側から紫外線照
射用窓を介して被処理物に紫外線を照射する装置であれ
ば、どのような装置でも、上記実施例と同様にして適用
することができる。
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明の紫外線照射装置によれば
、紫外線照射用窓に設けられた気密シール用のパツキン
の紫外線照射による劣化を防止することができ、シール
性の悪化やパーティクルの発生を防止して、長期間に亘
って良好な処理を実施することができる。
、紫外線照射用窓に設けられた気密シール用のパツキン
の紫外線照射による劣化を防止することができ、シール
性の悪化やパーティクルの発生を防止して、長期間に亘
って良好な処理を実施することができる。
第1図は本発明の一実施例のドライ洗浄装置の要部構成
を示す図、第2図は第1図のドライ洗浄装置の全体構成
を示す図である。 1・・・・・・ド・ライ洗浄装置、2・・・・・・気密
容器、3・・・・・・半導体ウェハ、4・・・・・・熱
板、5・・・・・・ガス供給部、6・・・・・・排気部
、7・・・・・・赤外線照射用窓、8・・・・・・赤外
線光源、9・・・・・・ピン支持部材、10・・・・・
・ウェハ支持ビン、11・・・・・・リンク機構、12
・・・・・・ビン昇篩機構、13・・・・・・紫外線照
射用窓、14・・・・・・紫外線光源、15・・・・・
・開口部、16・・・・・・石英ガラス板、17・・・
・・・0リング、18・・・・・・金属膜。
を示す図、第2図は第1図のドライ洗浄装置の全体構成
を示す図である。 1・・・・・・ド・ライ洗浄装置、2・・・・・・気密
容器、3・・・・・・半導体ウェハ、4・・・・・・熱
板、5・・・・・・ガス供給部、6・・・・・・排気部
、7・・・・・・赤外線照射用窓、8・・・・・・赤外
線光源、9・・・・・・ピン支持部材、10・・・・・
・ウェハ支持ビン、11・・・・・・リンク機構、12
・・・・・・ビン昇篩機構、13・・・・・・紫外線照
射用窓、14・・・・・・紫外線光源、15・・・・・
・開口部、16・・・・・・石英ガラス板、17・・・
・・・0リング、18・・・・・・金属膜。
Claims (1)
- (1)開口を閉塞する如く透明板を設けた紫外線照射用
窓を有する気密容器内に被処理物を収容し、この被処理
物に前記紫外線照射用窓を介して紫外線を照射して所定
の処理を施す紫外線照射装置において、 前記透明板と前記気密容器との当接部に気密シール用の
パッキンを設けるとともに、この気密シール用のパッキ
ンに、紫外線遮蔽手段を設けたことを特徴とする紫外線
照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2099809A JPH03297124A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 紫外線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2099809A JPH03297124A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 紫外線照射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03297124A true JPH03297124A (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=14257189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2099809A Pending JPH03297124A (ja) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | 紫外線照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03297124A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6837967B1 (en) * | 2002-11-06 | 2005-01-04 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for cleaning deposited films from the edge of a wafer |
WO2015098345A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
JPWO2014057803A1 (ja) * | 2012-10-09 | 2016-09-05 | 日本バルカー工業株式会社 | 複合シール |
-
1990
- 1990-04-16 JP JP2099809A patent/JPH03297124A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6837967B1 (en) * | 2002-11-06 | 2005-01-04 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for cleaning deposited films from the edge of a wafer |
JPWO2014057803A1 (ja) * | 2012-10-09 | 2016-09-05 | 日本バルカー工業株式会社 | 複合シール |
US9892945B2 (en) | 2012-10-09 | 2018-02-13 | Nippon Valqua Industries, Ltd. | Composite seal |
WO2015098345A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
JP2015126162A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
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