CN104576283A - 闸阀装置和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种闸阀装置，其能够确保阀体和处理容器的导通，并且降低阀体和处理容器的损伤，抑制金属颗粒的产生。阀座板(204)为框状，具有与基板搬送用开口(1b1)基本同等大小的开口(204a)。阀座板(204)由金属等导电性材料构成，在由阀体(202)将基板搬送用开口(1b1)关闭的状态下介于阀体(202)与处理容器(1)之间。由与阀座板(204)同种的金属材料构成屏蔽环(232、242)，由此减少异种金属间的接触，抑制金属颗粒的产生。

Description

闸阀装置和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及例如在真空条件下处理基板的等离子体处理装置中，用于使进行基板的搬入搬出的闸门开口部开闭的闸阀装置和具备该闸阀装置的等离子体处理装置。
背景技术
为了对FPD(平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板在真空条件下进行等离子体蚀刻、等离子体灰化、等离子体成膜等处理，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置例如能够构成为具备对基板进行处理的处理模块、收纳有进行向处理模块搬入基板和从处理模块搬出基板的搬送装置的搬送模块、和设置在处理模块与搬送模块之间的闸阀装置等的真空处理系统的一部分。
处理模块具有用于在搬入或搬出基板时使基板通过的开口部。设置在处理模块与搬送模块之间的闸阀装置具有使处理模块的开口部开闭的阀体。通过由该阀体关闭处理模块的开口部，处理模块被气密地密封。
在处理模块内进行处理时，处理模块的开口部由闸阀装置的阀体关闭。在该状态下，金属制的阀体的表面的一部分在处理模块内空间中露出。另外，由于在阀体与处理模块之间，存在有由绝缘性的弹性体等构成的密封部件，所以阀体与处理模块成为电位上独立的状态。因此，如果在处理模块中导入高频使等离子体生成，则阀体被高频充电，会有在阀体的附近产生局部的等离子体或异常放电等问题。
在专利文献1中，为了实现闸阀装置的阀体与处理模块之间的导通，提出了配备导电性的密封部件的方案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009－252635号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
作为专利文献1所记载的导电性的密封部件，通常使用不锈钢制的螺旋屏蔽件。另一方面，在闸阀装置的阀体或处理模块的容器(处理容器)中通常使用铝。其结果，在螺旋屏蔽件与阀体或处理容器之间产生异种金属间的接触。特别是由于阀体为可动部件，所以在反复异种金属间的接触和离开的期间，由异种金属接触腐食引起的化学性的损害、或因硬度不同造成的物理性的损害等，成为对阀体或处理容器造成损伤从而需要更换等的维护，或者产生金属颗粒的原因。
本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种闸阀装置，其能够确保阀体和处理容器的导通，并且降低阀体和处理容器的损伤，抑制金属颗粒的产生。
用于解决技术课题的技术方案
本发明的闸阀装置是配置在具有用于将被处理基板搬入处理容器内和从上述处理容器内搬出上述被处理基板的开口部、利用在上述处理容器内生成的等离子体对上述被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中的闸阀装置。
本发明的闸阀装置具备用于开闭上述开口部的阀体。
本发明的闸阀装置具备阀体移动机构，其使上述阀体移动来通过上述阀体开闭上述开口部。
本发明的闸阀装置具备导电性的阀座部件，其为具有开口的框状，安装于上述处理容器中的上述开口部的周围的壁，在通过上述阀体将上述开口部关闭了的状态下介于上述阀体与上述处理容器之间。
本发明的闸阀装置具备第一气密密封部件，其在通过上述阀体将上述开口部关闭了的状态下，介于上述阀体与阀座部件之间而将它们之间气密地密封。
本发明的闸阀装置具备第一导电性部件，其在通过上述阀体将上述开口部关闭了的状态下，介于上述阀体与阀座部件之间而将它们之间电连接。
本发明的闸阀装置具备第二气密密封部件，其设置成包围上述开口部，介于上述阀座部件与上述处理容器之间而将它们之间气密地密封。
本发明的闸阀装置具备第二导电性部件，其设置成包围上述开口部，介于上述阀座部件与上述处理容器之间而将它们之间电连接。
在本发明的第一方面中，在闸阀装置中，上述第一导电性部件和上述阀座部件由相同材料形成。
在本发明的第二方面中，上述阀体包括：主体部；和由与该主体部不同的导电性材料构成的，与上述第一导电性部件抵接的第一抵接部。而且，在本发明的第二方面中，上述第一导电性部件、上述第一抵接部和上述阀座部件由相同材料形成。
在本发明的第三方面中，上述阀体包括：主体部；和由与该主体部不同的导电性材料构成的，与上述第一导电性部件抵接的第一抵接部。另外，在本发明的第三方面中，上述阀座部件包括：阀座主体；和由与该阀座主体不同的导电性材料构成的，与上述第一导电性部件抵接的第二抵接部。而且，在本发明的第三方面中，上述第一导电性部件、上述第一抵接部和上述第二抵接部由相同材料形成。
本发明的闸阀装中，上述第二导电性部件也可以由与上述第一导电性部件相同的材料形成。
本发明的闸阀装置中，上述第一导电性部件和上述第二导电性部件也可以由不锈钢形成。
在本发明的闸阀装置中，可以设置成在通过上述阀体将上述开口部关闭了的状态下，第一导电性部件包围上述第一气密密封部件。
在本发明的闸阀装置中，第二导电性部件可以设置成包围上述第二气密密封部件。
本发明的等离子体处理装置具备上述任意一种闸阀装置。
发明的效果
根据本发明的闸阀装置，能够确保阀体与处理容器的导通，并且降低阀体和处理容器的损伤，抑制金属颗粒的产生。
附图说明
图1是概略性地表示包含本发明的第一实施方式涉及的闸阀装置的真空处理系统的立体图。
图2是表示作为图1所示的处理模块的典型的实施方式的等离子体蚀刻装置的概略构成的截面图。
图3是表示本发明的第一实施方式涉及的闸阀装置的构成的截面图。
图4是表示将图3所示的闸阀装置关闭了的状态的截面图。
图5是表示图3所示的闸阀装置的阀体的正视图。
图6是表示安装于处理容器的阀座板的正视图。
图7是表示本发明的第二实施方式涉及的闸阀装置的构成的截面图。
图8是表示图7所示的闸阀装置的阀体的正视图。
图9是表示图7所示的闸阀装置的变形例中的阀体的正视图。
图10是表示本发明的第三实施方式涉及的闸阀装置的构成的截面图。
附图标记说明
1…处理容器；1a…底壁；1b…侧壁；1c…盖体；1b1…基板搬送用开口；101…处理模块；103…搬送模块；110…闸阀装置；201…壳体；202…阀体；203…阀体变位装置；204…阀座板；204a…开口；215…辊；221…气缸；221a…气缸部；221b…杆部；222…基体部件；223…连杆；231…O形圈；232…屏蔽环；241…O形圈；242…屏蔽环。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。首先，参照图1，对作为包含本发明的第一实施方式涉及的闸阀装置的系统的一例的真空处理系统100的构成进行说明。
＜基板处理系统＞
图1是概略性地表示真空处理系统100的立体图。真空处理系统100例如构成为用于对FPD用的玻璃基板(以下，简称为“基板”)S进行等离子体处理的处理系统。其中，作为FPD，例示有液晶显示器(LCD)、电致发光(Electro Luminescence；EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。
真空处理系统100具备以十字形连结的5个真空模块。具体而言，真空处理系统100具备3个处理模块101a、101b、101c、搬送模块103、和负载锁定模块105作为5个真空模块。
处理模块101a、101b、101c构成为能够将其内部空间维持在规定的减压气氛(真空状态)。在处理模块101a、101b、101c内分别配备有载置基板S的载置台(省略图示)。在处理模块101a、101b、101c中，能够在将基板S载置于载置台的状态下，对基板S进行例如真空条件下的蚀刻处理、灰化处理、成膜处理等的等离子体处理。
搬送模块103与处理模块101a、101b、101c同样地构成为能够保持在规定的减压气氛。搬送模块103内设置有未图示的搬送装置。通过该搬送装置，在处理模块101a、101b、101c与负载锁定模块105之间进行基板S的搬送。
负载锁定模块105与处理模块101a、101b、101c以及搬送模块103同样地构成为能够保持在规定的减压气氛。负载锁定模块105用于在减压气氛的搬送模块103与外部的大气气氛之间进行基板S的授受。
真空处理系统100还具备5个闸阀装置110a、110b、110c、110d、110e。闸阀装置110a、110b、110c分别配置在搬送模块103与处理模块101a、101b、101c之间。闸阀装置110d配置在搬送模块103与负载锁定模块105之间。闸阀装置110e配置在负载锁定模块105的与闸阀装置110d相反一侧。闸阀装置110a～110e均具有使设置于将相邻的2个空间隔开的壁的开口部开闭的功能。
闸阀装置110a～110d能够在关闭状态下将各模块气密地密封，并且在打开状态下使模块间连通而转移基板S。闸阀装置110e能够在关闭状态下维持负载锁定模块105的气密性，并且在打开状态下在负载锁定模块105内与外部之间转移基板S。
真空处理系统100还具备在与负载锁定模块105之间隔着闸阀装置110e的位置配置的搬送装置125。搬送装置125具有：作为基板保持用件的叉127；以能够进出、退避以及旋转的方式支承叉127的支承部129；和具备驱动该支承部129的驱动机构的驱动部131。
真空处理系统100还具备：配置在驱动部131的两侧的盒载入器121a、121b；和分别载置在盒载入器(Cassette indexer)121a、121b之上的盒C1、C2。盒载入器121a、121b分别具有使盒C1、C2升降的升降机构部123a、123b。在各盒C1、C2内能够将基板S在上下隔开间隔以多层配置。搬送装置125的叉127配置在盒C1、C2之间。
另外，虽然图1中没有图示，但真空处理系统100还具备控制在真空处理系统100中需要控制的构成构件的控制部。控制部例如具有：具备CPU的控制器；与控制器连接的用户接口；和与控制器连接的存储部。控制器综合控制真空处理系统100中需要控制的构成构件。用户接口由工序管理者为了管理真空处理系统100而进行指令的输入操作等的键盘、将真空处理系统100的运行状况可视化显示的显示器等构成。在存储部中保存有方案，上述方案记录有用于通过控制器的控制实现真空处理系统100实行的各种处理的控制程序(软件)、处理条件数据等。而且，根据需要，按照来自用户接口的指示等，从存储部中调出任意的方案使其在控制器实行，从而在控制器的控制下，由真空处理系统100进行所希望的处理。
上述控制程序、处理条件数据等方案也能够利用收纳于计算机能够读取的存储介质例如CD－ROM、硬盘、软盘、闪存等的状态的方案。或者，也能够从其它装置、例如经由专用线路随时传送而在线利用。
＜等离子体处理装置＞
图2是表示作为处理模块101a、101b、101c的典型的实施方式的等离子体蚀刻装置的概略构成的截面图。等离子体蚀刻装置101A构成为对基板S进行蚀刻的电容耦合型的平行平板等离子体蚀刻装置。
该等离子体蚀刻装置101A具有内侧由被阳极氧化处理(耐酸铝处理)的铝构成的成形为方筒形状的处理容器1。处理容器1由底壁1a、4个侧壁1b(仅图示有2个)和盖体1c构成。处理容器1电接地。在侧壁1b设置有用于将基板S搬入搬出的基板搬送用开口1b1、和将其封闭的闸阀装置110。此外，闸阀装置110也可以为图1所示的闸阀装置110a、110b、110c的任意一个。
盖体1c构成为通过未图示的开闭机构，能够相对于侧壁1b开闭。在将盖体1c关闭的状态下，盖体1c与各侧壁1b的接合部分有O形圈3密封，来确保处理容器1内的气密性。
在处理容器1内的底部配置有框形状的绝缘部件9。在绝缘部件9之上，设置有作为能够载置基板S的载置台的基座11。也作为下部电极的基座11具备基材12。基材12例如由铝或不锈钢(SUS)等导电性材料形成。基材12配置在绝缘部件9之上，在两部件的接合部分配置O形圈等密封部件13来维持气密性。在绝缘部件9与处理容器1的底壁1a之间，也通过O形圈等密封部件14维持气密性。基材12的侧部外周由绝缘部件15包围。由此，基座11的侧面的绝缘性得以确保，并维持等离子体处理时的异常放电。
在基座11的上方，与该基座11平行地且相对地设置有作为上部电极发挥功能的喷淋头31。喷淋头31由处理容器1的上部的盖体1c支承。喷淋头31为中空状，在其内部设置有气体扩散空间33。另外，在喷淋头31的下表面(与基座11的相对面)形成有用于排出处理气体的多个气体排出孔35。该喷淋头31电接地，与基座11一起构成一对平行平板电极。
在喷淋头31的上部中央附近设置有气体导入口37。该气体导入口37与处理气体供给管39连接。在该处理气体供给管39，经由2个阀41、41和质量流量控制器(MFC)43与供给用于蚀刻的处理气体的气体供给源45连接。作为处理气体，例如能够使用卤素类气体或O2气体，除此以外能够使用Ar气体等稀有气体等。
在上述处理容器1内的底壁1a形成有在多个部位(例如8处)贯通的排气用开口51。各排气用开口51分别与排气管53连接。各排气管53在其端部具有凸缘部53a，以在该凸缘部53a与底壁1a之间夹置O形圈(省略图示)的状态固定。各排气管53与APC阀55和排气装置57连接。
在等离子体蚀刻装置101A设置有测量处理容器1内的压力的压力计61。压力计61与控制部连接，实时地向控制部提供处理容器1内的压力的测量结果。
基座11的基材12与供电线71连接。该供电线71经由匹配箱(M.B.)73与高频电源75连接。由此，从高频电源75例如将13.56MHz的高频电力供给到作为下部电极的基座11。此外，供电线71经由作为形成在底壁1a的贯通开口部的供电用开口77被导入处理容器1内。
等离子体蚀刻装置101A的各构成部构成为与控制部连接而被控制。
接着，对于以上构成的等离子体蚀刻装置101A中的处理动作进行说明。首先，在闸阀装置110打开的状态下，作为被处理体的基板S，经由基板搬送用开口1b1，通过未图示的搬送装置从搬送模块103被搬入处理容器1内，交接至基座11。然后，将闸阀装置110关闭，利用排气装置57，将处理容器1内抽真空至规定的真空度。
接着，打开阀41，将处理气体从气体供给源45经由处理气体供给管39、气体导入口37导入喷淋头31的气体扩散空间33。此时，利用质量流量控制器43进行处理气体的流量控制。被导入气体扩散空间33的处理气体进而经由多个气体排出孔35，相对于载置于基座11上的基板S均匀地排出，将处理容器1内的压力维持在规定的值。
在该状态下，从高频电源75将高频电力经由匹配箱73施加于基座11。由此，作为下部电极的基座11和作为上部电极的喷淋头31之间产生高频电场，处理气体解离而等离子体化。利用该等离子体，对基板S实施蚀刻处理。
在实施蚀刻处理后，停止从高频电源75的高频电力的施加，停止气体导入，然后，将处理容器1内减压至规定的压力。接着，打开闸阀装置110，从基座11将基板S交接至未图示的搬送装置，从处理容器1的基板搬送用开口1b1将基板S搬出到搬送模块103。通过以上的操作，对于一个基板S的等离子体蚀刻处理结束。
＜闸阀装置＞
接着，参照图3至图5，对本实施方式涉及的闸阀装置的构成进行详细说明。图3和图4是表示本实施方式涉及的闸阀装置的构成的截面图。其中，图3表示闸阀装置的打开状态，图4表示闸阀装置的关闭状态。图5是表示闸阀装置的阀体的正视图。
本实施方式涉及的闸阀装置110能够适用于图1和图2所示的真空处理系统100中的5个闸阀装置110a、110b、110c、110d、110e的任意一个。其中，闸阀装置110特别是适合向设置在处理模块101a、101b、101c与搬送模块103之间的闸阀装置110a、110b、110c适用。因此，以下，以适用于闸阀装置110a、110b、110c的情况为例，对本实施方式涉及的闸阀装置110进行说明。在该例中，闸阀装置110配置在处理模块101与搬送模块103之间。其中，“处理模块101”的意思是指处理模块101a、101b、101c的任意一个。
处理模块101具备划分处理模块101内的空间的处理容器1。如上所述，处理容器1具备与闸阀装置110相邻的侧壁1b。该侧壁1b分隔处理模块101内的空间和与其相邻的闸阀装置110侧的空间。在侧壁1b设置有能够在处理模块101与搬送模块103之间实现基板S的转移的基板搬送用开口1b1。侧壁1b具有向着闸阀装置110的面1b2。
闸阀装置110具备：壳体201；用于使基板搬送用开口1b1开闭的阀体202；使阀体202移动的阀体变位装置203；和本发明中的作为阀座部件的阀座板204。阀体变位装置203与本发明中的阀体移动机构对应。
(壳体)
壳体201收纳有阀体202、阀体变位装置203的一部分和阀座板204。壳体201具有上部、底部、和连结上部与底部的侧部。壳体201中的处理模块101侧的侧部和搬送模块103侧的侧部分别开口。此外，壳体201不是闸阀装置110中的必须构成，使搬送模块103与处理模块101相邻，将阀体202和阀体变位装置203的一部分收纳在搬送模块103内，因此能够省略。
(阀体)
阀体202例如由铝等金属材料构成，为大致长方体形状。阀体202具有：向着处理模块101、能够将基板搬送用开口1b1关闭的密封面202A、与该密封面202A相反侧的背面202B、上表面202C、底面202D、和2个侧面202E，202F。密封面202A具有能够将基板搬送用开口1b1关闭的大小。
在阀体202的上表面202C以能够旋转的方式安装有2个辊215。2个辊215的一部分比上表面202C更向上方突出。
(阀体变位装置)
阀体变位装置203具有气缸221、基体部件222和4个连杆223。气缸221包含气缸部221a和杆部221b。气缸部221a安装于壳体201的底部。杆部221b从气缸部221a向壳体201的内部突出。杆部221b通过供给到气缸部221a的空气，在气缸部221a和杆部221b的轴方向(图3、图4中的上下方向)上往复运动。此外，也可以代替气缸221，而使用液压缸、或由发动机驱动的滚珠丝杠机构。
基体部件222安装于杆部221b的前端部。基体部件222例如与阀体202同样为大致长方体形状。气缸221使基体部件222在与侧壁1b的面1b2平行的方向上移动。
4个连杆223构成将基体部件222与阀体202连接的连杆机构。如图3至图5所示，各连杆223的一端部以相对于阀体202的侧面202E或202F能够转动的方式连接，各连杆223的另一个端部以相对于与侧面202E或202F对应的基体部件222的侧面能够转动的方式连接。
虽然没有图示，但基体部件222包含：使各连杆223以相对于这些基体部件222的侧面的连接部为中心按照图3、图4中的逆时针方向转动的方式进行加力的弹簧等加力单元；和限制连杆223向逆时针方向转动的限制器。图3表示由限制器限制连杆223的转动的状态。
阀体变位装置203使阀体202在图3所示的待机位置与图4所示的关闭位置之间移动。此外，作为阀体变位装置203使阀体202变位的机构，不限于图3和图4所示的机构。
(阀座板)
阀座板204在处理容器1的侧壁1b的外侧，配设在基板搬送用开口1b1的周围。阀座板204为框状，具有与基板搬送用开口1b1基本同等大小的开口204a。开口204a的大小优选与基板搬送用开口1b1と相同或其以上。阀座板204由金属等导电性材料构成。
图6是表示安装于处理容器1的侧壁1b的状态的阀座板204的正视图。阀座板204通过例如螺钉等固定构件(省略图示)安装于处理模块101的处理容器1中的基板搬送用开口1b1的周围的侧壁1b的面1b2。并且，阀座板204如图4所示，在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，介于阀体202与处理容器1之间。
(第一气密密封部件)
在阀座板204安装有作为第一气密密封部件的O形圈231。O形圈231嵌入形成于阀座板204的槽(省略图示)。O形圈231以遍及整周包围阀座板204的开口204a的方式设置。O形圈231在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，夹在阀体202与阀座板204之间。这样，O形圈231在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，介于阀体202与阀座板204之间并将它们之间气密地封闭。此外，O形圈231也能够配设于阀体202侧。
(第一导电性部件)
在阀座板204安装有作为第一导电性部件的屏蔽环232。屏蔽环232嵌入形成在阀座板204的槽(省略图示)。屏蔽环232由金属等导电性材料构成，以遍及整周包围阀座板204的开口204a的方式设置。屏蔽环232在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，夹在阀体202与阀座板204之间。这样，屏蔽环232在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，介于阀体202与阀座板204之间而将它们之间电连接。其中，电连接是指在所连接的部件间电荷移动、电位相等。此外，屏蔽环232也能够配置在阀体202侧。
O形圈231以遍及整周包围阀座板204的开口204a的方式设置，进而，以屏蔽环232包围外O形圈231的外侧的方式配设。此外，O形圈231和屏蔽环232的配置也可以相反。即，能够以遍及整周包围阀座板204的开口204a的方式设置屏蔽环232，以包围屏蔽环232的外侧的方式设置O形圈231。
(第二气密密封部件)
在阀座板204安装有作为第二气密密封部件的O形圈241。O形圈241嵌入形成于阀座板204的槽(省略图示)。O形圈241以遍及整周包围基板搬送用开口1b1的方式设置。O形圈241夹在阀座板204与侧壁1b中的基板搬送用开口1b1的周围的面1b2之间。这样，O形圈241介于阀座板204与处理容器1之间而将它们之间气密地封闭。此外，O形圈241也能够配备在处理容器1的侧壁1b侧。
(第二导电性部件)
在阀座板204安装有作为第二导电性部件的屏蔽环242。屏蔽环242嵌入形成于阀座板204的槽(省略图示)。屏蔽环242由金属等导电性材料构成，以遍及整周包围基板搬送用开口1b1的方式设置。屏蔽环242夹在阀座板204与侧壁1b中的基板搬送用开口1b1的周围的面1b2之间。这样，屏蔽环242介于阀座板204与处理容器1之间而将它们之间电连接。此外，屏蔽环242也能够配备在处理容器1的侧壁1b侧。
O形圈241以遍及整周包围阀座板204的开口204a和基板搬送用开口1b1的方式设置，并且，以屏蔽环242包围O形圈241的外侧的方式配设。此外，O形圈241和屏蔽环242的配置也可以相反。即，能够以遍及整周包围阀座板204的开口204a和基板搬送用开口1b1的方式设置屏蔽环242，以包围屏蔽环242的外侧的方式设置O形圈241。
作为上述第一导电性部件的屏蔽环232和作为第二导电性部件的屏蔽环242只要是任何一个具有电磁波密封功能的部件即可。作为屏蔽环232、242，优选使用例如将不锈钢等的金属薄板形成为螺旋状的螺旋、弹簧、垫圈。
如上所述，在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，通过2个O形圈231、241，将处理容器1、阀座板204和阀体202之间气密地密封，来保持处理容器1的气密性。另外，在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，通过2个屏蔽环232、242，确保处理容器1、阀座板204和阀体202之间的导通，将它们之间电连接。因此，在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，阀体202与处理容器1同样处于接地电位。如果铝等金属制的阀体202处于电浮动(floating)的状态，则在等离子体处理期间，在阀体202的附近存在异常放电或局部产生等离子体的可能性。因此，本实施方式中，在通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭的状态下，设置阀座板204和2个屏蔽环232、242，由此确保阀体202和处理容器1之间的导通，防止异常放电和局部的等离子体的发生。
另外，本实施方式中，作为阀座部件的阀座板204、作为第一导电性部件的屏蔽环232、和作为第二导电性部件的屏蔽环242都由同种的金属材料构成。其中，“同种的金属材料”是指，a)含有的主要的元素的种类相同，b)优选含有的元素的种类相同，c)更优选含有的元素的种类相同且含有比率也相同。另外，在上述a)的情况下，“主要的元素”是指例如在金属材料中含有70质量％以上的元素，微量地含有的元素的种类可以不同。在上述b)的情况下，元素的含有比率可以不同。在本实施方式中，作为由同种的金属材料构成屏蔽环232和屏蔽环242的情况的优选的例子，能够列举不锈钢等。这样，作为阀座板204和2个屏蔽环232、242的材质使用同种的金属，由此能够抑制金属颗粒的产生。
接着，对本实施方式涉及的闸阀装置110的动作进行说明。图3表示阀体202处于待机位置的状态。此时，阀体202处于下降的状态。在该状态下，通过基板搬送用开口1b1，基板S在搬送模块103与处理模块101之间转移。
从图3所示的状态，通过阀体202将基板搬送用开口1b1关闭时，通过阀体变位装置203的气缸221使基体部件222上升。伴随基体部件222的上升，阀体202也上升。此时，阀体202在与侧壁1b的面1b2平行的方向上移动，直至辊215与壳体201的上部抵接。
在辊215与壳体201的上部抵接时，阀体202达到与基板搬送用开口1b1相对的位置。如果从该状态，进一步通过气缸221使基体部件222上升，则连杆223会一边以基体部件222的侧面的连接部作为中心以图4中的顺时针方向转动，一边使阀体202向着基板搬送用开口1b1在与侧壁1b的面1b2垂直的方向上移动。此时，通过辊215的作用，阀体202不与壳体201接触而顺滑地移动。然后，如图4所示，阀体202的密封面202A按压于阀座板204侧，通过阀体202关闭基板搬送用开口1b1。
在从图4所示的状态，当打开基板搬送用开口1b1时，通过阀体变位装置203，使阀体202进行与关闭基板搬送用开口1b1时相反的动作。即，通过阀体变位装置203的气缸221使基体部件222下降。此时，首先，在辊215与壳体201的上部抵接的状态下，连杆223以其与基体部件222的侧面的连接部作为中心，在图4中的逆时针方向上转动。然后，阀体202在与侧壁1b的面1b2垂直的方向上移动，使得离开阀座板204。由此，基板搬送用开口1b1打开。
当连杆223转动到被限制器限制的位置时，之后，伴随基体部件222的下降，阀体202也下降。此时，阀体202在与侧壁1b的面1b2平行的方向上移动。然后，最终，阀体202达到图3所示的待机位置，使阀体变位装置203的动作停止。
接着，对于本实施方式涉及的闸阀装置110的效果进行说明。本实施方式中，由同种的金属材料构成阀座板204和屏蔽环232、242，由此能够实现阀体202与处理容器1之间的导通，并抑制金属颗粒的产生。即，作为可动部件的阀体202的材质例如为铝的情况下，如果在阀体202与铝制的处理容器1之间，直接设置作为异种金属的不锈钢制的屏蔽环，则容易对阀体202或处理容器1产生损伤。即，在与作为可动部件的阀体202的接触部位设置作为异种金属的屏蔽环232，由此阀体202或处理容器1受到损伤，容易成为金属颗粒的产生原因。对此，在阀体202与处理容器1之间设置由与屏蔽环232、242同种的金属材料构成的阀座板204，由此能够防止阀体202和处理容器1的损伤，抑制金属颗粒的产生。另外，由于在维护时，更换屏蔽环232、242、阀座板204等即可，所以也能够实现作为大型部件的阀体202和处理容器1的长寿命化。
[第二实施方式]
接着，参照图7到图9，对本发明的第二实施方式涉及的闸阀装置进行说明。图7是表示本实施方式涉及的闸阀装置110A的构成截面图。图8是表示本实施方式涉及的闸阀装置110A的阀体的正视图。图9是表示本实施方式的变形例的闸阀装置110A的阀体的正视图。以下，以本实施方式涉及的闸阀装置110A与第一实施方式涉及的闸阀装置110不同的点为中心进行说明，对与第一实施方式相同的构成标注相同的附图标记并省略说明。本实施方式涉及的闸阀装置110A的阀体的构成与第一实施方式的闸阀装置110不同。
如图7和图8所示，在本实施方式涉及的闸阀装置110A中，阀体250具备：主体部251；和由与该主体部251不同的导电性材料构成的抵接板252。为了说明上的方便，图8中将抵接板252用格子状的阴影强调表示。抵接板252与本发明中的第一抵接部对应。抵接板252是在将闸阀装置110A关闭的状态下，与作为第一导电性部件的屏蔽环232直接抵接的部分。
抵接板252为呈框状的薄板。在主体部251设置有与抵接板252的厚度和宽度相当的深度和宽度的缺口部251a，抵接板252嵌入该缺口部251a。因此，在阀体250的密封面250A中，抵接板252的表面与主体部251的表面成为一个面。即，由于不必要的凹凸存在影响等离子体的均匀性的可能性，所以密封面250A形成为平坦的平面。此外，也可以代替主体部251的缺口部251a而形成槽，在其中嵌入抵接板252。抵接板252由未图示的螺钉等固定构件固定于主体部251。
抵接板252由与主体部251不同的金属材料构成。主体部251的材质例如为铝，抵接板252的材质例如为不锈钢。
本实施方式中，作为阀座部件的阀座板204、作为第一导电性部件的屏蔽环232、作为第二导电性部件的屏蔽环242和作为第一抵接部的抵接板252均由同种的金属材料构成。在此，作为同种的金属材料，能够列举例如不锈钢等。这样，由同种的金属材料构成阀座板204、屏蔽环232、242、抵接板252，由此能够实现阀体250与处理容器1之间的导通，并且抑制金属颗粒的产生。即，在作为可动部件的阀体的材质例如为铝的情况下，如果在阀体与铝制的处理容器1之间，直接设置作为异种金属的不锈钢制的屏蔽环，则容易对阀体或处理容器1造成损伤。对此，将阀体250的一部分置换成不锈钢制的抵接板252，并且在阀体250与处理容器1之间，设置由与屏蔽环232、242同种的金属材料构成的阀座板204，由此能够防止阀体250和处理容器1的损伤，抑制金属颗粒的产生。特别是，在处理容器1侧设置阀座板204，且在阀体250侧设置抵接板252，由此能够避免异种金属在滑动部位的接触，可靠地降低金属颗粒的产生。另外，在维护时，更换抵接板252、屏蔽环232、242、阀座板204等即可，因此，也能够实现作为大型部件的阀体250的主体部251和处理容器1的长寿命化。
＜第二实施方式的变形例＞
在此，参照图9说明第二实施方式的闸阀装置110A的变形例。在图7和图8中，作为第一抵接部件，使用框状的抵接板252，但第一抵接部件也可以被分割为多个。图9表示作为第一抵接部件配备有多个板状的抵接板253的状态。为了说明上的方便，图9中，将抵接板253用格子状的阴影强调表示。不同于与用于气密封闭的O形圈抵接的部件，与屏蔽环232抵接的第一抵接部件能够确保导通即可，因此能够使用分割为多个的抵接板253。除了分割为多个的方面以外，抵接板253的构成与框状的抵接板252相同。另外，阀体250的主体部251A的构成除了缺口部(图9中未图示)分为多个部分形成的方面以外，与主体部251相同。
本实施方式中的其它构成、作用和效果与第一实施方式相同。
[第三实施方式]
接着，参照图10，说明本发明的第三实施方式涉及的闸阀装置。图10是表示本实施方式涉及的闸阀装置110B的构成的截面图。以下，以本实施方式涉及的闸阀装置110B与第一和第二实施方式涉及的闸阀装置110，110A不同的点为中心进行说明，对与第一和第二实施方式相同的构成标注相同的附图标记并省略说明。本实施方式涉及的闸阀装置110B的阀体250的构成以及作为阀座部件的阀座板205的构成与第一实施方式的闸阀装置110不同。
如图10所示，在本实施方式涉及的闸阀装置110B中，阀体250具备：主体部251；和由与该主体部251不同的导电性材料构成的抵接板252。本实施方式的闸阀装置110B中，阀体250的构成与第二实施方式的阀体250相同。此外，也可以代替抵接板252而使用分割为多个的抵接板253(参照图9)。
阀座板205在处理容器1的侧壁1b的外侧配设在基板搬送用开口1b1的周围。阀座板205为框状，具有与基板搬送用开口1b1基本同等大小的开口205a。开口205a的大小优选与基板搬送用开口1b1相同或其以上。
阀座板205具有：由导电性材料构成的阀座主体206；和由与该阀座主体206不同的导电性材料构成的阀座侧抵接板207。阀座侧抵接板207相当于本发明中的第二抵接部，与作为第一导电性部件的屏蔽环232抵接。如图10所示，阀座板205在通过阀体250将基板搬送用开口1b1关闭的状态下介于阀体250与处理容器1之间。
阀座侧抵接板207为呈框状的薄板。在阀座主体206设置有与阀座侧抵接板207的厚度和宽度相当的深度和宽度的缺口部206a，阀座侧抵接板207嵌入该缺口部206a。因此，在阀座板205中，阀体250的与密封面250A抵接一侧的面除了O形圈231和屏蔽环232的配设部位以外，呈平坦的平面。此外，也能够代替阀座主体206的缺口部206a而形成槽，在其中嵌入阀座侧抵接板207。阀座侧抵接板207由未图示的螺钉等固定构件固定于阀座主体206。
阀座侧抵接板207能够由与阀座主体206不同的金属材料构成。阀座主体206的材质只要具有导电性即可，没有特别限制，例如能够由铝、不锈钢等构成。阀座侧抵接板207的材质例如为不锈钢。此外，也能够由相同的材质构成阀座主体206和阀座侧抵接板207。
本实施方式中，作为第二抵接部的阀座侧抵接板207、作为第一导电性部件的屏蔽环232、作为第二导电性部件的屏蔽环242和作为第一抵接部的抵接板252均由同种的金属材料构成。在此，作为同种的金属材料，能够列举例如不锈钢等。这样，由同种的金属材料构成阀座侧抵接板207、屏蔽环232、242、抵接板252，由此能够实现阀体250与处理容器1之间的导通，并抑制金属颗粒的产生。即，在作为可动部件的阀体的材质例如为铝的情况下，如果在阀体与铝制的处理容器1之间，直接设置作为异种金属的不锈钢制的屏蔽环，则容易在阀体或处理容器1产生损伤。相对于此，将阀体250的一部分置换为不锈钢制的抵接板252，并且在阀体250与处理容器1之间设置由与屏蔽环232、242同种的金属材料构成的具有阀座侧抵接板207的阀座板205，由此能够防止阀体250和处理容器1的损伤，抑制金属颗粒的产生。特别，在处理容器1侧的阀座板205设置阀座侧抵接板207且在阀体250侧设置抵接板252，由此能够避免异种金属在滑动部位的接触，可靠地降低金属颗粒的产生。另外，在维护时，更换抵接板252、屏蔽环232、242、承接侧抵接板207等即可，因此，也能够实现阀体250的主体部251和处理容器1的长寿命化。
此外，阀座侧抵接板207的形状不限于框状，也能够使用例如被分割为多个部分的板状部件。
本实施方式中的其它构成、作用和效果与第一实施方式和第二实施方式相同。
本发明不限于上述各实施方式，能够进行各种变更。例如在上述实施方式中，能够列举平行平板型的等离子体蚀刻装置为例，本发明也能够适用于例如、电感耦合等离子体装置、表面波等离子体装置、ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)等离子体装置、螺旋波等离子体装置、微波等离子体处理装置等其它方式的等离子体蚀刻装置。另外，不限于等离子体蚀刻装置，也同样能够适用例如等离子体成膜装置和等离子体灰化装置等。
另外，本发明不限于将FPD用基板作为被处理体，例如也能够适用于将半导体晶片或太阳电池用基板作为被处理体的情况。

Claims (8)

1.一种闸阀装置，其特征在于：
所述闸阀装置配置在具有用于将被处理基板搬入处理容器内和从所述处理容器内搬出所述被处理基板的开口部、利用在所述处理容器内生成的等离子体对所述被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该闸阀装置包括：
阀体，其用于开闭所述开口部；
阀体移动机构，其使所述阀体移动来通过所述阀体开闭所述开口部；
导电性的阀座部件，其为具有开口的框状，安装于所述处理容器中的所述开口部的周围的壁，在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下介于所述阀体与所述处理容器之间；
第一气密密封部件，其在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，介于所述阀体与阀座部件之间而将它们之间气密地密封；
第一导电性部件，其在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，介于所述阀体与阀座部件之间而将它们之间电连接；
第二气密密封部件，其设置成包围所述开口部，介于所述阀座部件与所述处理容器之间而将它们之间气密地密封；和
第二导电性部件，其设置成包围所述开口部，介于所述阀座部件与所述处理容器之间而将它们之间电连接，
所述第一导电性部件和所述阀座部件由相同材料形成。
2.一种闸阀装置，其特征在于：
所述闸阀装置配置在具有用于将被处理基板搬入处理容器内和从所述处理容器内搬出所述被处理基板的开口部、利用在所述处理容器内生成的等离子体对所述被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该闸阀装置包括：
阀体，其用于开闭所述开口部；
阀体移动机构，其使所述阀体移动来通过所述阀体开闭所述开口部；
导电性的阀座部件，其为具有开口的框状，安装于所述处理容器中的所述开口部的周围的壁，在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下介于所述阀体与所述处理容器之间；
第一气密密封部件，其在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，介于所述阀体与阀座部件之间而将它们之间气密地密封；
第一导电性部件，其在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，介于所述阀体与阀座部件之间而将它们之间电连接；
第二气密密封部件，其设置成包围所述开口部，介于所述阀座部件与所述处理容器之间而将它们之间气密地密封；和
第二导电性部件，其设置成包围所述开口部，介于所述阀座部件与所述处理容器之间而将它们之间电连接，
所述阀体包括：主体部；和由与该主体部不同的导电性材料构成的，与所述第一导电性部件抵接的第一抵接部，
所述第一导电性部件、所述第一抵接部和所述阀座部件由相同材料形成。
3.一种闸阀装置，其特征在于：
所述闸阀装置配置在具有用于将被处理基板搬入处理容器内和从所述处理容器内搬出所述被处理基板的开口部、利用在所述处理容器内生成的等离子体对所述被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该闸阀装置包括：
阀体，其用于开闭所述开口部；
阀体移动机构，其使所述阀体移动来通过所述阀体开闭所述开口部；
导电性的阀座部件，其为具有开口的框状，安装于所述处理容器中的所述开口部的周围的壁，在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下介于所述阀体与所述处理容器之间；
第一气密密封部件，其在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，介于所述阀体与阀座部件之间而将它们之间气密地密封；
第一导电性部件，其在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，介于所述阀体与阀座部件之间而将它们之间电连接；
第二气密密封部件，其设置成包围所述开口部，介于所述阀座部件与所述处理容器之间而将它们之间气密地密封；和
第二导电性部件，其设置成包围所述开口部，介于所述阀座部件与所述处理容器之间而将它们之间电连接，
所述阀体包括：主体部；和由与该主体部不同的导电性材料构成的，与所述第一导电性部件抵接的第一抵接部，
所述阀座部件包括：阀座主体；和由与该阀座主体不同的导电性材料构成的，与所述第一导电性部件抵接的第二抵接部，
所述第一导电性部件、所述第一抵接部和所述第二抵接部由相同材料形成。
4.如权利要求1～3中任一项所述的闸阀装置，其特征在于：
所述第二导电性部件由与所述第一导电性部件相同的材料形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的闸阀装置，其特征在于：
所述第一导电性部件和所述第二导电性部件由不锈钢形成。
6.如权利要求1～5中任一项所述的闸阀装置，其特征在于：
设置成在通过所述阀体将所述开口部关闭了的状态下，第一导电性部件包围所述第一气密密封部件。
7.如权利要求1～6中任一项所述的闸阀装置，其特征在于：
第二导电性部件设置成包围所述第二气密密封部件。
8.一种等离子体处理装置，其特征在于：
具备权利要求1～7中任一项所述的闸阀装置。
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