CN111213221B - 分开的狭缝衬垫门 - Google Patents

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Abstract

本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、底部和前表面，所述底部耦接到致动器)和连杆组件，所述连杆组件将第一门部分耦接到第二门部分，其中所述连杆组件经配置成转换第二门部分相对于第一门部分的垂直移动和将第一门部分与第二门部分隔开的水平移动。

Description

分开的狭缝衬垫门
背景技术
本文所描述的实施例总体上涉及具有带有RF返回路径的狭缝衬垫门的基板处理腔室部件组件。
对相关技术的描述
在半导体工业中，装置通过许多制造工艺(诸如蚀刻和沉积)制造，从而产生尺寸不断缩小的结构。一些制造工艺可能产生颗粒，所述颗粒经常污染正在被处理的基板，这导致器件有缺陷。随着器件几何尺寸的缩小，对缺陷的敏感性增加，且颗粒污染物要求变得更加严格。因此，随着器件几何尺寸的缩小，对颗粒污染的可容忍水平降低。另外，没有缺陷的更小器件的生产依赖于其中处理基板的等离子体处理腔室中所利用的等离子体的良好的均匀性。
处理腔室通常具有腔室衬垫。基板通道开口穿过处理腔室和腔室衬垫，以允许基板进入和离开处理腔室。衬垫中的基板通道开口包括封闭件。封闭件与衬垫间隔开以限制摩擦，所述摩擦可产生可作为污染源而被引入处理环境中的颗粒。然而，由于基板通道开口产生的腔室衬垫的不均匀性/不对称性，因此难以实现封闭件附近的处理腔室中的等离子体的均匀性。等离子体的RF返回路径穿过腔室衬垫。由于返回RF电流不能穿过基板通道开口，因此RF返回路径在衬垫的一侧上较长(若形成有通道开口，则所述通道开口穿过所述衬垫)，从而导致在腔室衬垫的基板通道开口附近的等离子体的不均匀性/歪斜。
因此，需要一种具有改进的RF返回路径的腔室衬垫。
发明内容
本文所公开的实施例总体上涉及具有分开的狭缝衬垫门组件的基板处理腔室部件。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、设置在第一门部分的前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、耦接到致动器的底部和前表面)，和连杆组件，所述连杆组件将第一门部分耦接到第二门部分，其中连杆组件经配置成转换第二门部分相对于第一门部分的垂直移动和第一门部分与第二门部分间隔开的水平移动。
在另一实施例中，提供一种具有分开的狭缝衬垫门组件的半导体处理腔室部件组件。半导体处理腔室具有腔室主体、设置在所述腔室主体顶部的盖组件(其中处理容积形成在由所述盖组件和所述腔室主体界定的区域内)、设置在所述处理容积中的静电吸盘、围绕所述静电吸盘并且设置有所述处理容积的衬垫、穿过所述腔室主体和所述衬垫形成的开口、以及分开的狭缝衬垫门组件。分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分(所述第一门部分具有顶表面、后面和前面)、经设置在所述第一门部分的所述前面上的RF导电垫圈、第二门部分(所述第二门部分具有侧面、底部和前表面，所述底部耦接到致动器)、以及将所述第一门部分耦接到所述第二门部分的连杆组件，其中所述连杆组件经配置成转换所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动以及所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的水平移动。
在又另一实施例中，提供一种用于通过等离子体处理系统中的衬垫开口建立RF返回路径的方法。方法开始于以下步骤：通过衬垫和等离子体处理腔室的主体之间的空腔使具有致动器的分开的狭缝衬垫门组件在垂直方向上移动，其中所述分开的狭缝衬垫门组件具有第一门部分和第二门部分。使所述第一门部分在基本上水平的方向上移动，而通过连杆组件耦接到其的所述第二门部分在基本上垂直的方向上操作，并且当所述第一门部分覆盖了所述等离子体处理系统中的所述衬垫开口时，将所述第一门部分RF耦接至所述衬垫。
附图说明
因此，以可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施例获得上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施例示于附图中。然而，应注意到的是，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，因此不应将附图视为限制本发明的范围，因为本公开内容可以允许其他等效的实施例。
图1为示出根据一个实施例的具有分开的狭缝衬垫门的处理腔室的横截面侧视图。
图2为根据一个实施例的图1的分开的狭缝衬垫门的等距视图。
图3为根据一个实施例的在启动用于密封处理腔室的凸轮之前处于闭合位置的分开的狭缝衬垫门的放大视图。
图4为根据一个实施例的具有被启动以密封处理腔室的凸轮的处于闭合位置的分开的狭缝衬垫门的放大视图。
图5示出了连杆构件的操作。
为清楚起见，已尽可能地使用相同的附图标记来表示附图之间共同的相同元件。另外，一个实施例的元件可有利地适用于本文所述的其他实施例中。
具体实施方式
本发明的实施例针对等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、等离子体处理腔室、离子植入腔室或其他具有穿过围绕等离子体区域的腔室衬垫的基板通道开口的合适的真空处理腔室。由于基板通道开口导致的RF返回路径的不对称性造成的处理结果(例如，蚀刻、沉积等)的不均匀性/歪斜通过分开的狭缝衬垫门减小，所述分开的狭缝衬垫门用于通过基板通道开口提供RF导电返回路径。RF导电路径提供围绕腔室衬垫360度的基本上对称的RF返回路径，包括邻近基板通道开口。分开的狭缝衬垫门还阻挡等离子体侵入狭缝衬垫门空腔，同时提供RF返回路径对称性。
分开的狭缝衬垫门使用两件式弹簧加载的门。门的一部分较佳地围绕基板通道开口接触衬垫，以提供穿过衬垫的均匀RF返回路径。分开的狭缝衬垫门经配置成在没改变衬垫或处理腔室的情况下直接替换大多数常规的衬垫门。由分开的狭缝衬垫门提供的改进的RF返回路径改进了工艺均匀性并且大大减少了基板上的工艺偏斜。
图1为根据本发明的一个实施例的等离子体处理系统100的示意性横截面图。等离子体处理系统100可为等离子体蚀刻腔室、等离子体增强化学气相沉积腔室、物理气相沉积腔室、等离子体处理腔室、离子植入腔室或其他合适的真空处理腔室。如图1所示，等离子体处理系统100通常包括腔室盖组件110、腔室主体组件140和排气组件190，腔室盖组件110、腔室主体组件140和排气组件190共同包围处理区域102以及排空区域104。实际上，处理气体被引入至处理区域102中并且使用RF功率被点燃成等离子体。基板105位于基板支撑组件160上并暴露于处理区域102中产生的等离子体，以对基板105执行等离子体工艺(诸如蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、植入、等离子体退火、等离子体处理、削减或其他等离子体工艺。通过排气组件190来在处理区域102中保持真空，排气组件190从等离子体工艺通过排空区域104去除废弃的处理气体和副产物。
腔室盖组件110通常包括与腔室主体组件140隔离并由腔室主体组件140支撑的上电极112(或阳极)和包围上电极112的腔室盖114。上部电极112通过导电气体入口管126耦合至RF电源103。导电气体入口管126与腔室主体组件140的中心轴(CA)同轴，从而对称地提供RF功率和处理气体这两者。上电极112包括附接至传热板118的喷头板116。
喷头板116具有中央歧管120和一个或多个外部歧管122。一个或多个外部歧管122围绕中央歧管120。中央歧管120通过气体入口管126接收来自气源106的处理气体，且通过多个气体通道121将接收到的处理气体分配到处理区域102的中心部分中。(多个)外部歧管122接收处理气体，所述处理气体可以是在中央歧管120中接收的相同或不同的气体混合物。(多个)外部歧管122接着将所接收的处理气体通过多个气体通道123分配到处理区域102的外部部分中。
传热流体通过流体入口管130从流体源109输送到传热板118。流体循环通过设置在传热板118中的一个或多个流体通道119并通过流体出口管131返回到流体源109。
腔室主体组件140包括腔室主体142，所述腔室主体142由耐处理环境的导电材料(诸如铝或不锈钢)制成。排气组件190设置在腔室主体142下方，并具有围绕中心轴(CA)对称定位的排空通道188。排空通道188允许气体从处理区域102通过排空区域104排空，并通过排气口196离开腔室主体142。排空衬垫187可在排空期间保护腔室主体142免受处理气体的影响。排空衬垫187可由与如下所述的上衬垫组件144相类似的材料构成。
基板支撑组件160居中地设置在腔室主体组件140的中心区域156内，其中中心轴(CA)垂直地穿过基板支撑组件160的中心。基板支撑组件160通常包括基板支撑件161(或阴极)和中空基座162，并由中心支撑构件157支撑。基板支撑件161通过匹配网络(未示出)和穿过中空基座162的电缆(未示出)耦合到RF电源103。当向上电极112和基板支撑件161供应RF功率时，在上电极112和基板支撑件161之间形成的电场将处理区域102中存在的处理气体点燃成等离子体。在一个实施例中，基板支撑件161是静电吸盘，并且因而基板支撑件161包括设置在其中的一个或多个电极(未示出)。电压源(未示出)相对于基板105偏置一个或多个电极，以产生吸引力来在处理期间将基板105保持就位。
致动组件163附接到腔室主体142和/或中央支撑构件157。致动组件163包括致动器164(例如，电机)，致动器164进而升高或降低基座162以提供基板支撑件161相对于上电极112的垂直移动。还提供等离子体屏159，等离子体屏159由基板支撑件161支撑并与上衬垫组件144重叠以保护基板支撑组件160免受在处理区域102中的等离子体的影响。
基板支撑组件160进一步包括升降杆组件167，以便于装载和卸载基板105。升降杆组件167包括升降杆168，升降杆168延伸穿过设置在基板支撑件161中的升降杆孔171。升降杆168耦接到使升降杆168前进或缩回的致动器195(例如，电机)。
基板支撑组件160还可包括通过基板支撑组件160设置且经由气体供应管线178耦合到惰性气体供应177的气体通口176。气体供应177通过气体供应管线178和气体口176将惰性气体(诸如氦气)供应至基板105的背侧，以便有助于防止处理气体处理基板105的背侧。
基板支撑组件160可进一步包括一个或多个流体入口管线179和流体出口管线181，一个或多个流体入口管线179和流体出口管线181从热交换流体源198通过基板支撑件161中的一个或多个热交换通道(未示出)布线，以在处理期间向基板支撑件161提供温度控制。
上衬垫组件144设置在围绕处理区域102的腔室主体142的上部分内。上衬垫组件144可由导电的、工艺兼容的材料构成，诸如铝、不锈钢和/或氧化钇(例如，氧化钇涂覆的铝)。实际上，上衬垫组件144屏蔽腔室主体142的上部分免受在处理区域102中的等离子体的影响，并且上衬垫组件144为可移除的，以允许定期清洁和维护。
腔室主体142包括支撑上衬垫组件144的外凸缘145的台肩143。上衬垫组件144的内凸缘146支撑上电极112。绝缘体113位于上衬垫组件144与上电极112之间，以在腔室主体组件140与上电极112之间提供电绝缘。
上衬垫组件144包括附接到内凸缘和外凸缘(146,145)的外壁147、底壁148和内壁149。外壁147和内壁149是基本上垂直的圆柱形壁。外壁147定位成屏蔽腔室主体142免受处理区域102中之等离子体的影响，且内壁149定位成至少部分地屏蔽基板支撑组件160的侧面免受处理区域102中的等离子体的影响。底壁148连接内壁和外壁(149,147)。
通过设置在腔室主体142中的基板通道开口141接近处理区域102，所述基板通道开口141允许基板105进入基板支撑组件160和从基板支撑组件160移除。上衬垫组件144具有穿过其设置的开口150，开口150与基板通道开口141匹配以允许基板105通过基板通道开口141。腔室主体组件140包括狭缝阀门组件151。狭缝阀门组件151设置在限定在外壁147与腔室主体142之间的空腔170内。狭缝阀门组件151包括致动器152以及分开的狭缝衬垫门153。致动器152耦接到分开的狭缝衬垫门153，并且致动器152经配置成在阻挡和允许通过基板通道开口141进入的位置和开口150之间垂直地抬起和缩回在空腔170内分开的狭缝衬垫门153。分开的狭缝衬垫门153经配置成接合外壁147的背侧115以密封开口150。
相对于图2进一步讨论了狭缝阀门组件151，并且具体地，是分开的狭缝衬垫门153。图2为根据一个实施例的图1的分开的狭缝衬垫门153的等距视图。分开的狭缝衬垫门153具有第一门部分210和第二门部分220。第一门部分210通过一对连杆组件230可移动地耦接至第二门部分220。
第一门部分210具有顶表面211、侧表面215、前面218和后面216。第一门部分210是弧形的且尺寸设计成完全覆盖开口150。后面216具有安装表面261。安装表面261经配置成接收连杆组件230并与连杆组件230接合。第一门部分210可由与上衬垫组件144的材料基本匹配的材料(例如，涂覆氧化钇的铝)构成，以在上衬垫组件144中提供增加的电对称性。上衬垫组件144为用于激发等离子体的RF功率提供RF电流接地返回路径。因此，第一门部分210的材料使得分开的狭缝衬垫门153能够为RF传导的并提供跨开口150的RF返回路径，其补偿将存在于上衬垫组件144中的电流密度和/或分布的变化(若RF电流围绕开口150布线)。
第一门部分210还包括从顶表面211延伸的一个或多个缓冲器212。缓冲器212可由聚合物材料(诸如橡胶或塑料)形成，所述聚合物材料具有良好的适合高温的弹性/机械的和化学的抗性特性。在一个实施例中，缓冲器由聚醚醚酮(PEEK)形成。
第一门部分210的前面218具有RF垫圈310(在图3中可见)。RF垫圈310由RF导电材料形成。例如，RF垫圈310可由硅树脂、氟硅氧烷、碳氟化合物、乙烯丙烯二烯单体、石墨/碳、铝、氧化钇或其他合适材料形成。RF垫圈310从前面218延伸。在一个实施例中，RF垫圈310可位于前面218中，使得当第一门部分210覆盖上衬垫组件144的外壁147中的开口150时，RF垫圈310位于开口150上方。在另一实施例中，RF垫圈310可另外设置在前面218上以位于开口150下方。在又另一实施例中，RF垫圈可为设置在前面218中且完全围绕开口150的导电O型环。RF垫圈310于覆盖开口150时与外壁147和第一门部分210接触，使得第一门部分210导电耦接至外壁147，以提供具有上衬垫组件144的外壁147的连续RF接地。
第一门部分210的前面218可以可选地具有唇形密封件330。唇形密封件330可设置在RF垫圈310的前面218上和前面218的暴露于外壁147中的开口150的部分上。唇形密封件330可由耐高温和处理环境的材料形成。例如，唇形密封件330可由聚四氟乙烯(PTFE)形成。唇形密封件330防止存在于上衬垫组件144后面的任何颗粒在处理期间通过开口150进入处理腔室。唇形密封件330经配置成不阻止RF垫圈310与外壁147良好接触并且完成RF返回电路。或者，唇形密封件330可由RF导电材料制成。
第二门部分220具有顶表面221、底表面229、后表面226、前表面326(图3中可见)和侧表面225。从每个侧表面225延伸的是支架227。支架227和侧表面225与连杆组件230相接。第二门部分220的前表面326面向第一门部分210的后面216。第二门部分220是弧形的。沿着从第二门部分220的侧表面225延伸的顶表面221的弧的长度小于沿着从第一门部分210的侧表面215延伸的顶表面211的弧的长度。
第二门部分220耦接到致动器152。致动器152操作以使第二门部分220在垂直方向、上下方向上移动。当第一门部分210在致动器行程的顶部附近接触腔室主体时，第二门部分220相对于第一门部分210的向上移动用于致动连杆组件230。连杆组件230的致动用于使第一门部分210与第二门部分220横向间隔开来，将第二门部分推靠在外壁147的背侧115上。
每个连杆组件230具有第一压缩弹簧232和第二压缩弹簧233。压缩弹簧232、233围绕相应的连杆构件240、244。连杆构件240、244可枢转地附接到第一门部分210上的到第二门部分220的相应支撑件。例如，第二门部分220的侧表面225具有第一支撑件241，连杆构件240在第一端处被附接在第一支撑件241上。第一门部分210的后面216上的安装表面261具有第二支撑件242，连杆构件240在第二端处被附接在第二支撑件242上。连杆构件240可具有椭圆孔243，第二支撑件242设置穿过所述椭圆孔243。压缩弹簧232沿着椭圆孔243将第二支撑件242偏置到椭圆孔243的远端。因此，第一门部分210通过连杆构件240耦接到第二门部分220。
连杆组件230可另外具有拉伸弹簧271和拉伸连杆272。拉伸连杆272可为诸如具有“L”形或其他合适形状的杠杆。拉伸连杆272可在一端处可枢转地耦接到第三支撑件274且在中间弯曲部分中可枢转地耦接到第四支撑件273。拉伸弹簧271附接到拉伸连杆272的第二端并附接到支架227上的第五支撑件。当处于升高位置时的第二门部分220不与腔室主体接触时，拉伸弹簧271克服压缩弹簧232、233的力并偏置第二门部分220的前表面326抵靠第一门部分210的后面216。第一门部分210和第二门部分220彼此接触，分开的狭缝衬垫门153的厚度被折叠，从而允许分开的狭缝衬垫门153在不会产生分开的狭缝衬垫门153的磨损和可能污染处理环境的颗粒的情况下于空腔内自由移动。在一个实施例中，分开的狭缝衬垫门153具有四(4)个连杆构件和两(2)个拉伸连杆。类似地描述了连杆构件和拉伸连杆中的每个。
简要地转到图5，图5示出了连杆构件240的操作。应当理解，连杆组件200中的每个连杆构件以基本类似的方式操作。示出的连杆组件200在位置“A”和位置“B”之间操作。位置“A”示出了具有虚线的分开的狭缝衬垫门153且示出了使第一门部分210和第二门部分220两者皆在缓冲器212即将与空腔170的顶部接触的时间帧处垂直移动。位置“B”示出了具有实线的分开的狭缝衬垫门153且示出了使第一门部分210水平移动而使第二门部分220在缓冲器212已与空腔170的顶部接触的第二时间帧中垂直移动。图5中用于分开的狭缝衬垫门153的项目编号用“B”后缀的“A”表示，以表示项目是处于位置“A”还是位置“B”。因此，应该理解，项目编号的后缀仅标识项目的位置。
连杆构件240具有固定长度540。由连杆构件240固定分开的第二支撑件242和第一支撑件241以固定长度540分开。位于椭圆孔243的远端的第二支撑件242垂直低于第一支撑件241，使得连杆构件240与水平面成第一角度。第一支撑件241可相对于第二支撑件沿弧550移动。随着连杆构件240在顺时针方向上旋转，增加到与水平面成第二角度(当取在顺时针方向上时)，第一门部分210从第一位置210A移动到第二位置210B。第二支撑件242沿着椭圆孔243朝向第一端移动并对压缩弹簧232进行压缩。以此方式，压缩弹簧232、233设定第一部分210接触外壁147的背侧115的力。另外，压缩弹簧232、233防止狭缝阀门组件151在关闭时卡住。
在一个实施例中，第一角度大于90度且第二角度小于180度。随着第一门部分210与第二门部分220一致地移动，当(诸如)通过接触硬停止件(例如，腔室主体或空腔170的顶部)的缓冲器212限制第一门部分210的垂直移动时，第二门部分220沿y轴的垂直移动可转换为第一门部分210沿x轴的水平移动。例如，第二门部分220相对于第一门部分210的垂直移动554的最后零点几英寸操作以使第二门部分220与第一门部分210水平地间隔开(如水平移动553所示)。将在下文进一步讨论此移动的重要性。
将相对于图2至图5来讨论狭缝阀门组件151的操作。图3为根据一个实施例的在启动用于密封开口150的连杆组件200之前处于闭合位置的分开的狭缝衬垫门的放大视图。图4为根据一个实施例的具有狭缝阀门组件151的处于闭合位置的分开的狭缝衬垫的放大视图，其中狭缝阀门组件151被启动以密封开口150。
狭缝阀门组件151可通过致动器152在空腔170中向上移动(由箭头399示出)，以定位用于密封开口150的分开的狭缝衬垫门153。在第一门部分210和外壁147的背侧115之间保持间隙380。当衬垫(外壁147)被加热时，椭圆孔243处理由于不同尺寸的间隙380而引起的额外位移，且根据温度设置(例如，在摄氏90度和摄氏120度之间(或甚至更高)加热)而不同地膨胀。第一门部分210关闭并接触外壁147的背侧115，以形成“零”尺寸的间隙380，并在由于热膨胀而变化的不同尺寸的间隙380处提供RF连续性。第二支撑件242将以压缩弹簧232、233来在椭圆孔243内移动，压缩弹簧232、233将第一门部分210偏置成与衬垫接触，从而防止在这些不同尺寸的间隙380处过度驱动致动器152。
附接物348将第二门部分220固定到致动器152，同时第一门部分210通过第二门部分220连接到致动器152。因此，第一门部分210不直接附接到致动器152而是通过连杆组件200附接到致动器152。致动器152使得第二门部分220在垂直方向、上下方向上移动。当狭缝阀门组件151垂直移动时，第一门部分210的后面216可与第二门部分220的前表面326接触，以使得它们之间的空间390可忽略不计，因此，允许狭缝阀门组件151在空腔170内自由移动。狭缝阀门组件151的垂直移动最终使第一门部分210的缓冲器212与形成在腔室主体中的空腔170的顶部370接触。
缓冲器212停止第一门部分210的垂直移动。当第二门部分220连续垂直移动时，连杆组件230使用第二门部分220的连续垂直移动以产生水平移动499，所述水平移动499将第一门部分210相对于第二门部分220间隔开来。第一门部分210的水平移动499使得空间390在第一门部分210和第二门部分220之间增加。水平移动499另外引起设置在第一门部分210的前面218上的RF垫圈310和唇形密封件330接触外壁147的背部115。与外壁147接触的第一门部分210的水平移动499防止RF垫圈310和唇形密封件330摩擦或磨损外壁147，并且因此减少了来自密封件的颗粒或污染的形成，所述颗粒或污染可能导致基板105上的缺陷。
第一门部分210RF导电耦接到上衬垫组件144的外壁147。可用压缩弹簧232、233设定耦接力，以确保良好的连续性而不会猛烈地撞击分开的阀门组件151并导致组件卡住。因此，驱动等离子体的RF电流具有穿过第一门部分210和外壁147从而穿过开口150的不间断的均匀接地路径，以确保在等离子体处理系统100中所形成的等离子体的均匀性。第一门部分210额外地减小间隙380，同时压缩弹簧允许在各种温度设定下的热膨胀，以防止腔室部件之间的点燃和电弧放电。有利地，与不具有分开的狭缝衬垫门153的常规设计相比，狭缝阀门组件151将蚀刻速率偏斜改进50％以上。另外，膜轮廓减小了约30％，以在基板上产生更均匀的膜层。因此，可获得更均匀的基板处理结果，以为基板105上的较小特征形成更精确的几何形状。
虽然前述内容针对特定实施例，但可在不脱离其基本范围的情况下设计其他和进一步的实施例，且本发明的范围由所附权利要求确定。

Claims (20)

1.一种分开的狭缝衬垫门组件，包括：
第一门部分，所述第一门部分具有顶表面、后面和前面；
RF导电垫圈，所述RF导电垫圈经设置在所述第一门部分的所述前面上；
第二门部分；
连杆组件，所述连杆组件将所述第一门部分连接到所述第二门部分，其中所述连杆组件经配置成将所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动转换为将所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的所述第一门部分相对于所述第二门部分的水平移动；以及
致动器，所述致动器经配置成提供所述第二门部分的垂直移动，所述致动器连接到所述第二门部分，
其中所述连杆组件包括压缩偏置弹簧，所述压缩偏置弹簧偏置所述第一门部分远离所述第二门部分。
2.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，进一步包括：
缓冲器，所述缓冲器经设置在所述顶表面上。
3.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述连杆组件进一步包括：
拉伸弹簧连杆，所述拉伸弹簧连杆将所述第一门部分偏置到所述第二门部分。
4.如权利要求3所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述连杆组件进一步包括：
椭圆孔，所述椭圆孔形成在将所述第一门部分耦接到所述第二门部分的所述连杆组件的连杆的一端中，
其中所述压缩偏置弹簧经设置在所述连杆之上。
5.如权利要求4所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述连杆在第一端连接到所述第一门部分并在第二端连接到所述第二门部分，并且其中当所述水平移动使所述第一门部分与所述第二门部分间隔开时，所述第一端以弧形行进。
6.如权利要求1所述的分开的狭缝衬垫门组件，其中所述RF导电垫圈由氧化钇形成。
7.如权利要求6所述的分开的狭缝衬垫门组件，进一步包括：
由PTFE形成的密封件。
8.一种半导体处理腔室，包括：
腔室主体；
盖组件，所述盖组件设置在所述腔室主体的顶部，其中处理容积形成在由所述盖组件和所述腔室主体界定的区域内；
静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积中；
衬垫，所述衬垫围绕所述静电吸盘并且设置有所述处理容积；
开口，所述开口通过所述腔室主体和所述衬垫形成；以及
分开的狭缝衬垫门组件，包括：
第一门部分，所述第一门部分具有顶表面、后面和前面；
RF导电垫圈，所述RF导电垫圈经设置在所述第一门部分的所述前面上；
第二门部分；
连杆组件，所述连杆组件将所述第一门部分连接到所述第二门部分，其中所述连杆组件经配置成将所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动转换为将所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的所述第一门部分相对于所述第二门部分的水平移动；以及
致动器，所述致动器经配置成提供所述第二门部分的垂直移动，所述致动器连接到所述第二门部分，
其中所述连杆组件包括压缩偏置弹簧，所述压缩偏置弹簧偏置所述第一门部分远离所述第二门部分。
9.如权利要求8所述的半导体处理腔室，进一步包括：
缓冲器，所述缓冲器经设置在所述顶表面上。
10.如权利要求8所述的半导体处理腔室，其中所述连杆组件进一步包括：
拉伸弹簧连杆，所述拉伸弹簧连杆将所述第一门部分偏置到所述第二门部分。
11.如权利要求10所述的半导体处理腔室，其中所述连杆组件进一步包括：
椭圆孔，所述椭圆孔形成在将所述第一门部分连接到所述第二门部分的所述连杆组件的连杆的一端中，
其中所述压缩偏置弹簧经设置在所述连杆之上。
12.如权利要求11所述的半导体处理腔室，其中所述连杆在第一端连接到所述第一门部分并在第二端连接到所述第二门部分，并且其中当所述水平移动使所述第一门部分与所述第二门部分间隔开时，所述第一端以弧形行进。
13.如权利要求8所述的半导体处理腔室，其中所述RF导电垫圈由氧化钇形成。
14.如权利要求13所述的半导体处理腔室，进一步包括：
由PTFE形成的密封件。
15.一种设备，包括：
分开的狭缝衬垫门组件，所述分开的狭缝衬垫门组件包括：
第一门部分，所述第一门部分具有顶表面、后面和前面；
RF导电垫圈，所述RF导电垫圈经设置在所述第一门部分的所述前面上；
第二门部分，所述第二门部分具有相对的横向侧面；以及
连杆组件，所述连杆组件包括第一连杆子组件以及第二连杆子组件，所述第一连杆子组件以及所述第二连杆子组件在所述相对的横向侧面中的对应的相对的横向侧面上连接至所述第二门部分，所述第一连杆子组件以及所述第二连杆子组件进一步连接至所述第一门部分，其中所述连杆组件经配置成将所述第二门部分相对于所述第一门部分的垂直移动转换为将所述第一门部分与所述第二门部分间隔开的所述第一门部分相对于所述第二门部分的水平移动；以及
致动器，所述致动器经配置成提供所述第二门部分的垂直移动，所述致动器连接到所述第二门部分，
其中所述第一连杆子组件以及第二连杆子组件中的每一个包括：
第一连杆，所述第一连杆具有第一开口和第二开口，所述第一门部分的第一支撑件通过所述第一开口插入，所述第二门部分的第二支撑件通过所述第二开口插入，所述第二开口是椭圆形的；
第一压缩弹簧，所述第一压缩弹簧在所述第一开口与所述第二开口之间经设置在所述第一连杆上，所述第一压缩弹簧偏置所述第一支撑件远离所述第二支撑件；
第二连杆，所述第二连杆具有第三开口和第四开口，所述第一门部分的第三支撑件通过所述第三开口插入，所述第二门部分的第四支撑件通过所述第四开口插入，所述第四开口是椭圆形的；
第二压缩弹簧，所述第二压缩弹簧在所述第三开口与所述第四开口之间经设置在所述第二连杆上，所述第二压缩弹簧偏置所述第三支撑件远离所述第四支撑件。
16.如权利要求15所述的设备，其中所述第一连杆子组件以及所述第二连杆子组件中的每一个包括：
拉伸连杆，所述拉伸连杆连接至所述第一门部分和所述第二门部分；以及
拉伸弹簧，所述拉伸弹簧连接至所述拉伸连杆并与所述拉伸连杆一起经配置成将所述第一门部分偏置朝向所述第二门部分。
17.如权利要求15所述的设备，进一步包括缓冲器，所述缓冲器经设置在所述第一门部分的所述顶表面上。
18.如权利要求15所述的设备，其中所述第一连杆子组件以及所述第二连杆子组件中的每一个经配置成当所述水平移动使所述第一门部分与所述第二门部分间隔开时以弧形行进。
19.如权利要求15所述的设备，其中所述RF导电垫圈由氧化钇形成。
20.如权利要求15所述的设备，进一步包括密封件，所述密封件经设置在所述第一门部分的所述前面上，所述RF导电垫圈在所述第一门部分的所述前面上围绕所述密封件设置，所述密封件由PTFE形成。
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