TWI797166B - 分開的狹縫襯墊門組件和包括該分開狹縫襯墊門組件的半導體處理腔室及用於半導體處理腔室的設備 - Google Patents

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Abstract

本文所揭露的實施例大體上與具有分開的狹縫襯墊門組件的基板處理腔室元件相關。在一實施例中，分開的狹縫襯墊門組件具有第一門部分(該第一門部分具有頂表面、後面及前面)、設置在第一門部分的前面上的RF導電墊圈、第二門部分(該第二門部分具有側面、耦接到致動器的底部及前表面)，及連桿組件，該連桿組件將第一門部分耦接到第二門部分，其中連桿組件經配置成平移第二門部分相對於第一門部分的垂直移動及第一門部分與第二門部分隔開的水平移動。

Description

分開的狹縫襯墊門組件和包括該分開狹縫襯墊門組件的半導 體處理腔室及用於半導體處理腔室的設備
本文所描述的實施例大體上與具有帶有RF回程路徑的狹縫襯墊門的基板處理腔室元件組件相關。
在半導體工業中，裝置藉由許多製造處理(如蝕刻和沈積)製造，從而產生尺寸不斷縮小的結構。一些製造處理可能產生顆粒，這些顆粒經常污染正在處理的基板，從而導致裝置缺陷。隨著裝置幾何尺寸的縮小，對缺陷的敏感性增加，且顆粒污染物要求變得更加嚴格。因此，隨著裝置幾何尺寸的縮小，顆粒污染水平的可容忍水平跟著減少。另外，沒有缺陷之更小裝置的生產依賴於處理基板的電漿處理腔室中所使用的電漿的良好均勻性。
處理腔室通常具有腔室襯墊。基板通道開口穿過處理腔室及腔室襯墊，以允許基板進入及離開處理腔室。襯墊中的基板通道開口包括封閉件。封閉件與襯墊間隔開以限制摩擦，該摩擦可產生可作為污染源引入處理環境中的顆粒。然而，由於基板通道開口產生的腔室襯墊的不均勻性/不對稱性，故難以實現封閉件附近的處理腔室中的電漿的均勻性。電漿的RF回程路徑穿過腔室襯墊。由於回程RF電流不能穿過基板通道開口，故RF回程路徑在襯墊的一側上較長(若通道開口通過該襯墊形成)，從而導致在腔室襯墊之基板通道開口附近的電漿的不均勻性/歪斜。
因此，需要一種具有改進的RF回程路徑的腔室襯墊。
本文所揭露的實施例大體上與具有分開的狹縫襯墊門組件的基板處理腔室元件相關。在一實施例中，分開的狹縫襯墊門組件具有第一門部分(該第一門部分具有頂表面、後面及前面)、設置在第一門部分的前面上的RF導電墊圈、第二門部分(該第二門部分具有側面、耦接到致動器的底部及前表面)，及連桿組件，該連桿組件將第一門部分耦接到第二門部分，其中連桿組件經配置成平移第二門部分相對於第一門部分的垂直移動及第一門部分與第二門部分隔開的水平移動。
在另一實施例中，提供一種具有分開的狹縫襯墊門組件的半導體處理腔室元件組件。半導體處理腔室具有 腔室主體、設置在該腔室主體的頂部的蓋組件(其中處理容積形成在由該蓋組件及該腔室主體界定的區域內)、設置在該處理容積中的靜電夾盤、圍繞該靜電夾盤及設置有該處理容積的襯墊、通過該腔室主體及該襯墊形成的開口及分開的狹縫襯墊門組件。分開的狹縫襯墊門組件具有第一門部分(其具有頂表面、後面及前面)、經設置在該第一門部分的該前面上的RF導電墊圈、具有側面、底部及前表面的第二門部分(底部耦接到致動器)及將該第一門部分耦接到該第二門部分的連桿組件，其中該連桿組件經配置成平移該第二門部分相對於該第一門部分的垂直移動及該第一門部分與該第二門部分間隔開的水平移動。
在另一實施例中，提供一種用於通過電漿處理系統中的襯墊開口建立RF回程路徑的方法。方法開始於以下步驟：通過襯墊及電漿處理腔室的主體之間的空腔使具有致動器的分開的狹縫襯墊門組件在垂直方向上移動，其中該分開的狹縫襯墊門組件具有第一門部分及第二門部分。將該第一門部分沿大體上水平的方向移動，而藉由連桿組件耦接其的該第二門部分沿大體上垂直的方向操作，及當該第一門部分覆蓋該電漿處理系統中的該襯墊開口時，將該第一門部分RF耦接到該襯墊。
本發明的實施例係針對電漿蝕刻腔室、電漿增強化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、電漿處理腔室、離子植入腔室或其他具有通過圍繞電漿區域的腔室襯墊之基板通道開口之合適的真空處理腔室。由於基板通道開口導致的RF回程路徑的不對稱性導致的處理結果(例如，蝕刻及沉積等)的不均勻性/歪斜通過分開的狹縫襯墊門減小，該分開的狹縫襯墊門係用於通過基板通道開口提供RF導電回程路徑。 RF導電路徑提供圍繞腔室襯墊360度之大體上對稱的RF回程路徑，包括鄰近基板通道開口。分開的狹縫襯墊門亦阻擋電漿侵入狹縫襯墊門腔，同時提供RF回程路徑對稱性。
分開的狹縫襯墊門使用兩件式彈簧加載的門。門的一部分較佳地圍繞基板通道開口接觸襯墊，以提供穿過襯墊的均勻RF回程路徑。分開的狹縫襯墊門經配置成在沒改變襯墊或處理腔室的情況下直接替換大多數傳統的襯墊門。由分開的狹縫襯墊門所提供之經改善的RF回程路徑改善了處理均勻性且大大減少了基板上的處理偏斜。
圖1為根據本發明的一實施例的電漿處理系統100的示意性橫截面圖。電漿處理系統100可為電漿蝕刻腔室、電漿增強化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、電漿處理腔室、離子植入腔室或其他合適的真空處理腔室。如圖1所示，電漿處理系統100通常包括腔室蓋組件110、腔室主體組件140及排氣組件190，腔室蓋組件110、腔室主體組件140及排氣組件190共同包圍處理區域102及排空區域104。實際上，處理氣體是引入至處理區域102中並使用RF功率點燃到電漿中。基板105位於基板支撐組件160上並暴露於處理區域102中產生的電漿，以在基板105上執行電漿處理(如蝕刻、化學氣相沉積、物理氣相沉積、植入、電漿退火、電漿處理、削減或其他電漿過程。藉由排氣組件190在處理區域102中保持真空，排氣組件190係從電漿處理通過排空區域104去除廢棄的處理氣體及副產物。
腔室蓋組件110通常包括與腔室主體組件140隔離並由腔室主體組件140支撐的上部電極112(或陽極)及包圍上部電極112的腔室蓋114。上部電極112通過導電氣體入口管126耦合到RF電源103。導電氣體入口管126與腔室主體組件140的中心軸(CA)同軸，從而對稱地提供RF功率及處理氣體。上電極112包括附接到傳熱板材118的噴頭板材116。
噴頭板材116具有中央歧管120及一或多個外部歧管122。一或多個外部歧管122圍繞中央歧管120。中央歧管120通過氣體入口管126接收來自氣源106的處理氣體，及通過複數個氣體通道121將接收到的處理氣體分配到處理區域102的中心部分中。(多個)外部歧管122接收處理氣體，該等處理氣體可以是在中央歧管120所接收之相同或不同的氣體混合物。外部歧管122接著將所接收的處理氣體通過複數個氣體通道123分配到處理區域102的外部部分中。
傳熱流體通過流體入口管130從流體源109輸送到傳熱板材118。流體循環通過設置在傳熱板材118中的一或多個流體通道119並通過流體出口管131返回到流體源109
腔室主體組件140包括腔室主體142，該腔室主體142由耐受處理環境的導電材料(如鋁或不銹鋼)製成。排氣組件190設置在腔室主體142下方，並具有圍繞中心軸(CA)對稱定位的排空通道188。排空通道188允許氣體從處理區域102通過排空區域104排空，並通過排氣口196離開腔室主體142。排空襯墊187可在排空期間保護腔室主體142免受處理氣體的影響。排空襯墊187可由與如下所述的上襯墊組件144類似的材料構成。
基板支撐組件160居中地設置在腔室主體組件140的中心區域156內，腔室主體組件140其中的中心軸(CA)垂直穿過基板支撐組件160的中心。基板支撐組件160通常包括基板支撐件161(或陰極)，及中空基座162由中心支撐構件157支撐。基板支撐件161通過匹配網路(未示出)及穿過中空基座162的電纜(未示出)耦合到RF電源103。當上電極112及基板支撐件161供應RF功率時，在上電極112及基板支撐件161之間形成的電場將處理區域102中存在的處理氣體點燃成電漿。在一實施例中，基板支撐件161是靜電夾盤，因而基板支撐件161包括設置在其中的一或多個電極(未示出)。電壓源(未示出)相對於基板105偏置一或多個電極，以產生吸引力來在處理期間將基板105保持定位。
致動組件163附接到腔室主體142及/或中央支撐構件157。致動組件163包括致動器164(例如，馬達)，致動器164進而升高或降低基座162以提供基板支撐件161相對於上電極112的垂直移動。亦提供電漿屏159，電漿屏159由基板支撐件161支撐並與上襯墊組件144重疊以保護基板支撐組件160免受處理區域102中的電漿的影響。
基板支撐組件160進一步包括升舉銷組件167，以便於裝載及卸載基板105。升舉銷組件167包括升舉銷168，升舉銷168延伸穿過設置在基板支撐件161中的升舉銷孔171。升舉銷168耦接到使升舉銷168前進或縮回的致動器195(例如，馬達)。
基板支撐組件160亦可包括設置在其中且經由氣體供應管線178耦合到惰性氣體供應源177的氣體通口176。氣體供應源177通過氣體供應管線178及氣體通口176供應惰性氣體(如氦氣)至基板105的背部，以助於防止處理氣體處理基板105的背面。
基板支撐組件160可進一步包括一或多個流體入口管線179及流體出口管線181，一或多個流體入口管線179及流體出口管線181從熱交換流體源198通過基板支撐件161中的一或多個熱交換通道(未示出)佈線，以在處理期間向基板支撐件161提供溫度控制。
上襯墊組件144設置在圍繞處理區域102之腔室主體142的上部分內。上襯墊組件144可由導電的、處理兼容的材料構成，該材料如鋁、不銹鋼及/或氧化釔(例如，氧化釔塗覆的鋁)。實際上，上襯墊組件144屏蔽腔室主體142的上部分免受處理區域102中之電漿的影響，及可移除上襯墊組件144以允許定期清潔及維護。
腔室主體142包括支撐上襯墊組件144的外凸緣145的凸出緣143。上襯墊組件144的內凸緣146支撐上電極112。絕緣體113位於上襯墊組件144及上電極112之間，在腔室主體組件140及上電極112之間提供電絕緣。
上襯墊組件144包括附接到內凸緣及外凸緣(146,145)的外壁147、底壁148及內壁149。外壁147及內壁149是基本垂直的圓柱形壁。外壁147定位成屏蔽腔室主體142免受處理區域102中之電漿的影響，且內壁149定位成至少部分地屏蔽基板支撐組件160的側面免受處理區域102中的電漿的影響。底壁148連接內壁及外壁(149,147)。
通過設置在腔室主體142中的基板通道開口141接近處理區域102，該基板通道開口141允許基板105進入基板支撐組件160或從基板支撐組件160移除。上襯墊組件144具有穿過其設置的開口150，開口150與基板通道開口141匹配以允許基板105通過基板通道開口141。腔室主體組件140包括狹縫閥門組件151。狹縫閥門組件151設置在限定在外壁147及腔室主體142之間的腔170中。狹縫閥門組件151包括致動器152及分開的狹縫襯墊門153。致動器152經耦接到分開的狹縫襯墊門153，且致動器152經配置成在阻擋及允許通過基板通道開口141進入的位置及開口150之間垂直地抬起及縮回在腔170內分開的狹縫襯墊門153。分開的狹縫襯墊門153經配置成接合外壁147的背部115以密封開口150。
圖2進一步討論了狹縫閥門組件151；特定來說，是分開的狹縫襯墊門153。圖2為根據一實施例之圖1的分開的狹縫襯墊門153的等距視圖。分開的狹縫襯墊門153具有第一門部分210及第二門部分220。第一門部分210通過一對連桿組件230而可移動地耦接到第二門部分220。
第一門部分210具有頂表面211、側表面215、前面218及後面216。第一門部分210是弧形的且尺寸設計成完全覆蓋開口150。後面216具有安裝表面261。安裝表面261經配置成接收連桿組件230並與連桿組件230接合。第一門部分210可由與上襯墊組件144的材料基本匹配的材料(例如，塗有氧化釔的鋁)構成，以在上襯墊組件144中提供增加的電對稱性。上襯墊組件144為用於激發電漿的RF功率提供RF電流接地回程路徑。因此，第一門部分210的材料使得分開的狹縫襯墊門153能進行RF傳導並提供穿過開口150的RF回程路徑，其補償將存在於上襯墊組件144中的電流密度及/或分佈的變化(若RF電流圍繞開口150佈線)。
第一門部分210亦包括從頂表面211延伸的一或多個緩衝器212。緩衝器212可由聚合物材料(如橡膠或塑料)形成，該聚合物材料具有良好的適合高溫之彈性/機械及化學抗性特性。在一實施例中，緩衝器由聚醚醚酮(PEEK)形成。
第一門部分210的前面218具有RF墊圈310(在圖3中可見)。RF墊圈310由RF導電材料形成。例如，RF墊圈310可由矽樹脂、氟矽氧烷、碳氟化合物、乙烯丙烯二烯單體、石墨/碳、鋁、氧化釔或其他合適材料形成。RF墊圈310從前面218延伸。在一實施例中，RF墊圈310可位於前面218中，使得當第一門部分210覆蓋上襯墊組件144的外壁147中的開口150時，RF墊圈310位於開口150上方。在另一實施例中，RF墊圈310可另外設置在前面218上以位於開口150下方。在其他實施例中，RF墊圈可為設置在前面218中且完全圍繞開口150的導電O型環。RF墊圈310於覆蓋開口150時與外壁147及第一門部分210接觸，使得第一門部分210導電耦接至外壁147，以提供具有上襯墊組件144的外壁147的連續RF接地。
第一門部分210的前面218可以可選地具有唇形密封件330。唇形密封件330可設置在RF墊圈310的前面218上及前面218之暴露於外壁147的開口150的部分上。唇形密封件330可由耐高溫及處理環境的材料形成。例如，唇形密封件330可由聚四氟乙烯(PTFE)形成。唇形密封件330防止存在於上襯墊組件144後面的任何顆粒在處理期間通過開口150進入處理腔室。唇形密封件330經配置成不阻止RF墊圈310與外壁147良好接觸並完成RF回程電路。或者，唇形密封件330可由RF導電材料製成。
第二門部分220具有頂表面221、底表面229、後表面226、前表面326(圖3中可見)及側表面225。從每個側表面225延伸的是支架227。支架227及側表面225與連桿組件230相接。第二門部分220的前表面326面向第一門部分210的後面216。第二門部分220是弧形的。沿著從第二門部分220的側表面225延伸的頂表面221的弧的長度小於沿著從第一門部分210的側表面215延伸的頂表面211的弧的長度。
第二門部分220耦接到致動器152。致動器152操作以使第二門部分220沿垂直、上下方向移動。當第一門部分210在致動器行程的頂部附近接觸腔室主體時，第二門部分220相對於第一門部分210的向上移動用於致動連桿組件230。連桿組件230的致動用於使第一門部分210與第二門部分220橫向間隔開來，將第二門部分推靠在外壁147的背部115上。
每個連桿組件230具有第一壓縮彈簧232及第二壓縮彈簧233。壓縮彈簧232及233圍繞相應的連桿構件240及244。連桿構件240及244可樞轉地附接到第一門部分210上之至第二門部分220的相應支撐件上。例如，第二門部分220的側表面225具有第一支撐件241，連桿構件240在第一端處被附接在第一支撐件241上。第一門部分210的後面216上的安裝表面261具有第二支撐件242，連桿構件240在第二端處被附接在第二支撐件242上。連桿構件240可具有長圓孔243，第二支撐件242設置在該長圓孔243中。壓縮彈簧232沿著長圓孔243將第二支撐件242偏置到長圓孔243的遠端。因此，第一門部分210通過連桿構件240耦接到第二門部分220。
連桿組件230可另外具有拉伸彈簧271及拉伸連桿272。拉伸連桿272可為如具有「L」形或其他合適形狀的槓桿。拉伸連桿272可在一端處樞轉地耦接到第三支撐件274且在中間彎曲部分中可樞轉地耦接到第四支撐件273。拉伸彈簧271附接到拉伸連桿272的第二端及支架227上的第五支撐件。當處於升高位置時的第二門部分220不與腔室主體接觸時，拉伸彈簧271克服壓縮彈簧232及233的力並偏置第二門部分的前表面326抵靠第一門部分210的後面216。第一門部分210及第二門部分220彼此接觸，分開的狹縫襯墊門153的厚度被折疊，而允許分開的狹縫襯墊門153在不會產生分開的狹縫襯墊門153的磨損及可能污染處理環境的顆粒的情況下於空腔內自由移動。在一實施例中，分開的狹縫襯墊門153具有四(4)個連桿構件及兩(2)個拉伸連桿。類似地描述了每個連桿構件及拉伸連桿。
簡要地轉到圖5，圖5示出了連桿構件240的操作。應當理解，連桿組件200中的每個連桿構件以基本類似的方式操作。示出的連桿組件200在位置「A」及位置「B」之間操作。位置「A」示出了具有虛線的分開的狹縫襯墊門153且示出了使第一門部分210及第二門部分220兩者皆在緩衝器212即將與腔170的頂部接觸的時間幀處垂直移動。位置「B」示出了具有實線的分開的狹縫襯墊門153且示出了使第一門部分210水平移動而使第二門部分220在緩衝器212已與腔170的頂部接觸的第二時間幀中垂直移動。圖5中用於分開的狹縫襯墊門153的項目編號用「B」後綴的「A」表示，以表示項目是處於位置「A」還是位置「B」。因此，應該理解，項目編號的後綴僅標識項目的位置。
連桿構件240具有固定長度540。由連桿構件240固定分開的第二支撐件242及第一支撐件241被固定長度540分開。位於長圓孔243的遠端的第二支撐件242垂直低於第一支撐件241，使得連桿構件240與水平面成第一角度。第一支撐件241可相對於第二支撐件沿弧550移動。隨著連桿構件240沿順時針方向旋轉，當沿順時針方向取走時增加到與水平面成第二角度，第一門部分210從第一位置210A移動到第二位置210B。第二支撐件242沿著長圓孔243朝向第一端移動並壓縮壓縮彈簧232。以此方式，壓縮彈簧232及233設定第一部分210接觸外壁147的背部115的力。另外，壓縮彈簧232及233防止狹縫閥門組件151在關閉時卡住。
在一實施例中，第一角度大於90度且第二角度小於180度。隨著第一門部分210與第二門部分220一致地移動，當(如)藉由接觸硬停止件(例如，腔室主體或腔170的頂部)的緩衝器212限制第一門部分210的垂直移動時，第二門部分220沿y軸的垂直移動可轉換為第一門部分210沿x軸的水平移動。例如，第二門部分220相對於第一門部分210的垂直移動554的最後一英吋操作以使第二門部分220與第一門部分210水平地間隔開(如水平移動553所示)。將在下文進一步討論此移動的重要性。
將參照圖2至圖5來討論狹縫閥門組件151的操作。圖3為根據一實施例之在啟動用於密封開口150的連桿組件200之前處於閉合位置之分開的狹縫襯墊門的放大視圖。圖4為根據一實施例之具有狹縫閥門組件151之處於閉合位置之分開的狹縫襯墊的放大視圖，其中狹縫閥門組件151被啟動以密封開口150。
狹縫閥門組件151可藉由致動器152在腔170中向上移動(由箭頭399示出)，以定位用於密封開口150之分開的狹縫襯墊門153。在第一門部分210及外壁147的背部115之間保持間隙380。當襯墊(外壁147)被加熱時，長圓孔243處理由於不同尺寸的間隙380引起的額外位移，且根據溫度設置(例如攝氏90度及攝氏120度之間(或甚至更高))而不同地膨脹。第一門部分210關閉並接觸外壁147的背部115，以形成「零」尺寸的間隙380，並在由於熱膨脹而變化之不同尺寸的間隙380處提供RF連續性。第二支撐件242將以壓縮彈簧232及233來在長圓孔243內移動，壓縮彈簧232及233將第一門部分210偏置成與襯墊接觸，從而防止在這些不同尺寸的間隙380處過度驅動致動器152。
連接物348將第二門部分220固定到致動器152，同時第一門部分210通過第二門部分220連接到致動器152。因此，第一門部分210不直接連接到致動器152而是通過連桿組件200。致動器152將第二門部分220沿垂直、上下方向移動。當狹縫閥門組件151垂直移動時，第一門部分210的後面216可與第二門部分220的前表面326接觸，使得它們之間的空間390可忽略不計；因此，允許狹縫閥門組件151在腔170內自由移動。狹縫閥門組件151的垂直移動最終使第一門部分210的緩衝器212與形成在腔室主體中的腔170的頂部370接觸。
緩衝器212停止第一門部分210的垂直移動。當第二門部分220持續垂直移動時，連桿組件230使用第二門部分220的連續垂直移動以產生水平移動499，該水平移動499將第一門部分210相對於第二門部分220間隔開來。第一門部分210的水平移動499使得空間390在第一門部分210和第二門部分220之間增加。水平移動499另外引起設置在第一門部分210的前面218上的RF墊圈310及唇形密封件330接觸外壁147的背部115。與外壁147接觸之第一門部分210的水平移動499防止RF墊圈310及唇形密封件330摩擦或磨損外壁147，因此減少了來自密封件之顆粒或污染的形成，該等顆粒或污染可能導致基板105上的缺陷。
第一門部分210為RF導電耦接到上襯墊組件144的外壁147。可用壓縮彈簧232及233設定耦接力，以確保良好的連續性而不會猛烈地撞擊分開的閥門組件151並導致組件卡住。因此，驅動電漿的RF電流具有穿過第一門部分210及外壁147從而穿過開口150之不間斷的均勻接地路徑，以確保在電漿處理系統100中所形成的電漿的均勻性。第一門部分210額外地減小間隙380，同時壓縮彈簧允許在各種溫度設定下的熱膨脹，以防止腔室元件之間的點燃及電弧放電。有利地，與不具有分開的狹縫襯墊門153的傳統設計相比，狹縫閥門組件151將蝕刻速率偏斜提高了50％以上。另外，膜輪廓減小了約30％，以在基板上產生更均勻的膜層。因此，可獲得更均勻的基板處理結果，以為基板105上的較小特徵形成更精確的幾何形狀。
雖然前述內容針對特定實施例，但可在不脫離其基本範圍的情況下設計其他及進一步的實施例，且本發明的範圍由所附申請專利範圍確定。
100‧‧‧電漿處理系統 102‧‧‧處理區域 103‧‧‧RF功率源 104‧‧‧排空區域 105‧‧‧基板 106‧‧‧氣源 109‧‧‧流體源 110‧‧‧腔室蓋組件 112‧‧‧上電極 113‧‧‧絕緣體 114‧‧‧腔室蓋 115‧‧‧背部 116‧‧‧噴頭板材 118‧‧‧板材 119‧‧‧流體通道 120‧‧‧中央歧管 121‧‧‧氣體通道 122‧‧‧外部歧管 123‧‧‧氣體通道 126‧‧‧氣體入口管 130‧‧‧流體入口管 131‧‧‧流體出口管 140‧‧‧腔室主體組件 141‧‧‧基板通道開口 142‧‧‧腔室主體 143‧‧‧凸出緣 144‧‧‧上襯墊組件 145‧‧‧外凸緣 146‧‧‧內凸緣 147‧‧‧外壁 148‧‧‧底壁 149‧‧‧內壁 150‧‧‧開口 151‧‧‧狹縫閥門組件 152‧‧‧致動器 153‧‧‧分開的狹縫襯墊門 156‧‧‧中央區域 157‧‧‧中央支撐構件 159‧‧‧電漿屏 160‧‧‧基板支撐組件 161‧‧‧基板支撐件 162‧‧‧中空底座 163‧‧‧致動組件 164‧‧‧致動器 167‧‧‧升舉銷組件 168‧‧‧升舉銷 170‧‧‧腔 171‧‧‧升舉銷孔 176‧‧‧氣體通口 177‧‧‧氣體供應源 178‧‧‧氣體供應管線 179‧‧‧流體入口管線 181‧‧‧流體出口管線 187‧‧‧排空襯墊 188‧‧‧排空通道 190‧‧‧排氣組件 195‧‧‧致動器 196‧‧‧排氣埠 198‧‧‧熱交換流體源 200‧‧‧連桿組件 210A‧‧‧第一部分 210B‧‧‧第二部分 210‧‧‧第一門部分 211‧‧‧頂表面 212‧‧‧緩衝器 215‧‧‧側表面 216‧‧‧後面 218‧‧‧前面 220‧‧‧第二門部分 221‧‧‧頂表面 225‧‧‧側表面 226‧‧‧後表面 227‧‧‧支架 229‧‧‧底表面 230‧‧‧連桿組件 232‧‧‧壓縮彈簧 233‧‧‧壓縮彈簧 240‧‧‧連桿構件 241‧‧‧第一支撐件 242‧‧‧第二支撐件 243‧‧‧長圓孔 244‧‧‧連桿構件 261‧‧‧安裝表面 271‧‧‧拉伸彈簧 272‧‧‧拉伸連桿 273‧‧‧第四支撐件 274‧‧‧第三支撐件 310‧‧‧RF墊圈 326‧‧‧前表面 330‧‧‧唇形密封件 348‧‧‧連接物 370‧‧‧頂部 380‧‧‧間隙 390‧‧‧空間 399‧‧‧箭頭 499‧‧‧水平移動 540‧‧‧固定長度 550‧‧‧弧 553‧‧‧水平移動 554‧‧‧垂直移動
因此，可詳細地理解本申請案之上述特徵的方式，可藉由參考實施例獲得上文所簡要概述之本申請案的更具體描述，其中一些實施例經圖示於附加圖式中。然而，應注意到的是，附加圖式僅示出了本申請案的典型實施例，因此不應將附加圖式視為限制本發明的範疇；因本申請案可允許其他等效實施例。
圖1為示出根據一實施例之具有分開的狹縫襯墊門的處理腔室的橫截面側視圖。
圖2為根據一實施例之圖1的分開的狹縫襯墊門的等距視圖。
圖3為根據一實施例之在啟動用於密封處理腔室的凸輪之前處於閉合位置之分開的狹縫襯墊門的放大視圖。
圖4為根據一實施例之具有凸輪之處於閉合位置之分開的狹縫襯墊門的放大視圖，其中該凸輪被啟動以密封處理腔室。
圖5示出了連桿構件的操作。
為清楚起見，盡可能地使用相同的元件符號來表示圖示之間共同的相同元件。另外，一個實施例的元件可以有利地適用於本文所述的其他實施例中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
153:分開的狹縫襯墊門
210:第一門部分
211:頂表面
212:緩衝器
215:側表面
216:後面
218:前面
220:第二門部分
221:頂表面
225:側表面
226:後表面
227:支架
229:底表面
230:連桿組件
232:壓縮彈簧
233:壓縮彈簧
240:連桿構件
241:第一支撐件
242:第二支撐件
243:長圓孔
244:連桿構件
261:安裝表面
271:拉伸彈簧
272:拉伸連桿
273:第四支撐件
274:第三支撐件

Claims (20)

  1. 一種分開的狹縫襯墊門組件，包括：一第一門部分，其具有一頂表面、一後面及一前面；一RF導電墊圈，其經設置在該第一門部分的該前面上；一第二門部分；一連桿組件，其將該第一門部分連接到該第二門部分，其中該連桿組件經配置成將該第二門部分相對於該第一門部分的一垂直移動平移成該第一門部分相對於該第二門部分的一水平移動，該水平移動將該第一門部分與該第二門部分間隔開；及一致動器，該致動器經配置成提供該第二門部分的垂直移動，該致動器連接到該第二門部分。
  2. 如請求項1所述的分開的狹縫襯墊門組件，進一步包括：一緩衝器，該緩衝器經設置在該頂表面上。
  3. 如請求項1所述的分開的狹縫襯墊門組件，其中該連桿組件進一步包括：一拉伸彈簧連桿，該拉伸彈簧連桿將該第一門部分偏置到該第二門部分。
  4. 如請求項3所述的分開的狹縫襯墊門組件，其中該連桿組件進一步包括： 一長圓孔，其形成在該連桿組件的一連桿的一端中，該連桿組件將該第一門部分連接到該第二門部分；及一壓縮偏置彈簧，其經設置在偏置該第一門部分遠離該第二門部分的該連桿上。
  5. 如請求項4所述的分開的狹縫襯墊門組件，其中該連桿在一第一端連接到該第一門部分及在一第二端連接到該第二門部分，及其中當該水平移動使該第一門部分與該第二門部分間隔開時，該第一端以一弧形行進。
  6. 如請求項1所述的分開的狹縫襯墊門組件，其中該RF導電墊圈由氧化釔形成。
  7. 如請求項6所述的分開的狹縫襯墊門組件，進一步包括：由PTFE製成的一密封件。
  8. 一種半導體處理腔室，包括：一腔室主體；一蓋組件，其設置在該腔室主體的頂部，其中一處理容積形成在由該蓋組件及該腔室主體界定的一區域內；一靜電夾盤，其設置在該處理容積中；一襯墊，該襯墊圍繞該靜電夾盤及設置有該處理容積；一開口，其通過該腔室主體及該襯墊形成；及 一分開的狹縫襯墊門組件，包括：一第一門部分，其具有一頂表面、一後面及一前面；一RF導電墊圈，其經設置在該第一門部分的該前面上；一第二門部分；及一連桿組件，該連桿組件將該第一門部分連接到該第二門部分，其中該連桿組件經配置成將該第二門部分相對於該第一門部分的一垂直移動平移成該第一門部分相對於該第二門部分的一水平移動，該水平移動將該第一門部分與該第二門部分間隔開；及一致動器，該致動器經配置成提供該第二門部分的垂直移動，該致動器連接到該第二門部分。
  9. 如請求項8所述的半導體處理腔室，進一步包括：一緩衝器，該緩衝器經設置在該頂表面上。
  10. 如請求項8所述的半導體處理腔室，其中該連桿組件進一步包括：一拉伸彈簧連桿，該拉伸彈簧連桿將該第一門部分偏置到該第二門部分。
  11. 如請求項10所述的半導體處理腔室，其中該連桿組件進一步包括： 一長圓孔，其形成在該連桿組件的一連桿的一端中，該連桿組件將該第一門部分連接到該第二門部分；及一壓縮偏置彈簧，其經設置在偏置該第一門部分遠離該第二門部分及抵靠該襯墊的該連桿上。
  12. 如請求項11所述的半導體處理腔室，其中該連桿在一第一端連接到該第一門部分及在一第二端連接到該第二門部分，及其中當該水平移動使該第一門部分與該第二門部分間隔開時，該第一端以一弧形行進。
  13. 如請求項8所述的半導體處理腔室，其中該RF導電墊圈由氧化釔形成。
  14. 如請求項13所述的半導體處理腔室，進一步包括：由PTFE製成的一密封件。
  15. 一種用於一半導體處理腔室的設備，包括：分開的狹縫襯墊門組件，一第一門部分，其具有一頂表面、一後面及一前面；一RF導電墊圈，其經設置在該第一門部分的該前面上；一第二門部分，其具有相對的橫向側面；一連桿組件，其包括一第一連桿子組件及一第二 連桿子組件，該第一連桿子組件及該第二連桿子組件在該等相對的橫向側面的相對應橫向側面上連接到該第二門部分，該第一連桿子組件及該第二連桿子組件進一步連接到該第一門部分，其中該連桿組件經配置成將該第二門部分相對於該第一門部分的一垂直移動平移成該第一門部分相對於該第二門部分的一水平移動，該水平移動將該第一門部分與該第二門部分間隔開；及一致動器，該致動器經配置成提供該第二門部分的垂直移動，該致動器連接到該第二門部分。
  16. 如請求項15所述的設備，其中該第一連桿子組件及該第二連桿子組件中的每一者包括：一第一連桿，其具有一第一開口及一第二開口，該第一門部分的一第一支撐件被插入通過該第一開口，該第二門部分的一第二支撐件被插入通過該第二開口，該第二開口為長圓形；一第一壓縮彈簧，其經設置在該第一開口及該第二開口之間的該第一連桿上，該第一壓縮彈簧偏置該第一支撐件遠離該第二支撐件；一第二連桿，其具有一第三開口及一第四開口，該第一門部分的一第三支撐件被插入通過該第三開口，該第二門部分的一第四支撐件被插入通過該第四開口， 該第四開口為長圓形；一第二壓縮彈簧，其經設置在該第三開口及該第四開口之間的該第二連桿上，該第二壓縮彈簧偏置該第三支撐件遠離該第四支撐件；及一拉伸連桿，其經連接至該第一門部分及該第二門部分；及一拉伸彈簧，其經連接至該拉伸連桿且經配置有該拉伸連桿以將該第一門部分朝向該第二門部分偏置。
  17. 如請求項15所述的設備，進一步包括：一緩衝器，該緩衝器經設置在該第一門部分的該頂表面上。
  18. 如請求項15所述的設備，其中該第一連桿子組件及該第二連桿子組件中的每一者經配置成當該水平移動使該第一門部分與該第二門部分間隔開時以一弧形行進。
  19. 如請求項15所述的設備，其中該RF導電墊圈由氧化釔形成。
  20. 如請求項15所述的設備，進一步包括：一密封件，該密封件經設置在該第一門部分的該前面，該RF導電墊圈經設置在該第一門部分的該前面上的該密封件周圍，該密封件由PTFE製成。
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